TW494714B - Method of processing substrate and apparatus for processing substrate - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 74
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 46
- 238000011161 development Methods 0.000 description 16
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 16
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
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494714 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7 _ _五、發明説明(1 ) 〔發明之領域〕 本發明係與淨洗處理或顯像處理L C D用玻璃基板或 如半導體晶片之基板處理方法及基板處理裝置。 〔先前之技術〕 在製造LCD(液晶顯示裝置)時,爲了在玻璃基板 上面形成光蝕膜圖形,使用所謂石版印刷處理。石版印刷 處理含有基板淨洗,基板表面之光蝕膜塗布,塗布光蝕膜 之曝光及顯像等,各種處理工程。此種石版印刷處理中顯 像處理工程乃需最嚴密控制之工程之一。顯像處理工程時 ,將顯像液均勻不浪費供給塗布光蝕劑上,沿基板全面均 勻顯像塗布光蝕劑至爲重要。 通常,顯像處理工程中,光蝕劑使用酚醛清漆系樹脂 ,顯像液使用僅將氫氧化四甲銨(TMAH) 2. 38重 量%溶解於水中之TMAH水溶液。此種水溶液性顯像液 不易侵濕於排水性之光蝕膜,而光蝕膜將剝離顯像液。因 此,顯像液均勻沿光蝕膜全面擴大,在光蝕膜上出現顯像 液多之部分及少之部分,結果,成爲不均勻之現象。 又,將顯像液塗布於光蝕膜上之狀態放置時,因兩者 不易相容,致顯像液中產生氣泡。該氣泡產生部分招致顯 像不足,發生所謂顯像之久陷。 一方面,淨洗處理工程中,將如純水淨洗液加於旋轉 中之基板刷洗時,淨洗液時飛散於周圍致有污染旋轉夾具 及其周邊領域之問題。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項㈣填寫本頁) -裝_ 訂 線 ~ 4 一 494714 A7 __B7五、發明説明(2 ) 〔發明之目的〕 本發明之目的爲提出不產生顯像久陷可均勻顯像處理 之基板處理裝置及方法。 又本發明之目的爲提供處理液不致飛散至周圍,不污 染周邊領域之清潔之基板處理裝置及方法。 基板光蝕處理自先前已知有旋轉方式,浸清方式\噇 射方式等3種方式。旋轉方式係在杯內以馬達旋轉基板實 施光蝕膜之顯像,洗濯,淨洗,乾燥等。浸漬方式係將基 板浸漬於顯像液中,用基板振動及顯像液之攪拌實施均勻 顯像之方式。噴射方式係將以泵浦等加壓之顯像液成噴霧 狀吹於基板上之方式。上述方式中目前以旋轉方式爲主流 (請先閲讀背面之注意事填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 〔發明之方法〕 1 本發明有關之基板處理方法,具備:將基板放置於放 置台上之裝載工程,及在放置於放置台上之基板之至少一 面之間形成間隙,將蓋覆蓋於某板之加蓋工程,及將處理 液導入前述間隙,將處理液接觸於基板之至少一面之處理 工程,及自基板拆下前述蓋之卸蓋工程’及自前述放置台 取出基板之卸載工程。 本發明有關之基板處理裝置’具備:放置搬入該室內 基板之放置台,及在放置於前述放置台上基板之至少一面 間形成間隙,覆蓋基板之蓋’及將顯像液供給前述間隙內 線 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 494714 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (3 ) 之 顯 像 液 供 給 裝 置 > 及 排 出 刖 述 間 隙 內 處 理 液 之 處 理 液 排 出 裝 置 〇 本 發 明 有 關 之 基 板 處 理 方 法 y 具 備 ·· 將 基 板 放 置 於 放 置 台 上 之 裝 載 工 程 > 及 與 刖 述 放 置 台 一 同 使 基 板 傾 斜 之 工 程 J 及 將 處 理 液 白 該 傾 斜 基 板 高 側 沿 基 板 表 面 流 向 低 側 之 工 程 〇 本 發 明 有 關 之 基 板 處 理 裝 置 具 備 ·· 杯 及 設 於 該 杯 內 > 放 置 基 板 之 放 置 台 J 及 對 水 平 面 傾 斜 該 放 置 台 上 基 板 之 裝 置 及 白 傾 斜 狀 態 之 基 板 高 側 供 給 處 理 液 之 供 給 桶 , 及 在 傾 斜 狀 態 之 基 板 低 側 承 受 處 理 液 之 承 受 桶 〇 在 光 蝕 膜 塗 布 裝 置 予 先 將 光 蝕 膜 塗 布 形 成 於 基 板 表 面 J 烘 烤 後 將 所 定 圖 形 曝 光 於 該 光 触 膜 0 本 發 明 係 該 曝 光 終 了 後 將 顯 像 液 以 層 狀 流 於 基 板 上 面 即 可 將 顯 像 液 均 勻 供 給 光 蝕 膜 上 〇 又 因 經 常 有 新 顯 像 液 繼 續 供 給 光 蝕 膜 上 故 顯 像 時 間 亦 縮 短 〇 因 此 > 依 本 發 明 可 維 持 顯 像 之 均勻 性 提 供 Arr m 欠 陷 清 淨 優 異 之 製 品 1 生 產 率 亦 提 高 〇 爲 了 將 顯 像 液 流 成 層 狀 y 與 基 板 上 面 形 成 一 定 間 隔 之 間 隙 裝 上 覆 蓋 基 板 上 面 全 體 之 蓋 ϊ 將 顯 像 液 注 入 其 間 隙 之 方 法 甚 爲 有 效 〇 又 將 基 板 傾 斜 利 用 其 傾 斜 赘 將 顯 像 液 注 基 板 上 面 之 方 法 亦 有 效 〇 利 用 此 等 任 何 方 法 均 勻 可 將 顯 像 液 以 層 狀 注 於 基 板 上 > 將 顯 像 液 均 等 供 給 光 蝕 膜 上 > 即 可 實 施 均 勻 > 且 生 產 率 尚 之 顯 像 處 理 〇 又 流 過 基 板 上 面 之 顯 像 液 以 泵 浦 等 動 力 再 注 於 基 板 上 面 t 再 循 環 使 用 構 成 即 可 節 省 顯 像 液 > 而 可 減 低 運 請· 先 閲 背 之 注 意 事- I· 馬 5 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 494714 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 A7 ____B7五、發明説明(4 ) 轉成本。 更因以蓋覆蓋基板,故洗濯液及顯像液不致飛散於放 置台周圍,而可實現清潔之處理環境。 〔實施例〕 以下參照附圖說明本發明之良好之實施形態。 如圖1所示,光蝕處理系統1之一端側,具備卡匣站 3,該卡匣站3放置收容LCD用基板S之複數卡匣2。 卡匣站3之卡匣2正面側設於實施基板S之搬送及定位, 並保持基板S在主臂4之間支持用之補助臂5。二具主臂 4係以直線可向處理系統1中央部縱方向移動配置,在該 移送路兩,配置顯像裝置6 (50)及其他各種處理裝置 〇 在圖示之處理系統1 ,卡匣站3側之側方,並設刷洗 基板S用之刷子洗滌器7及f壓噴水實施清洗用之高壓嘖 射清洗機8等。又,在挾主臂4之移送路相反側並設工具 顯像液裝置,其旁邊重疊設二具加熱裝置9。 在此等機器側方,經連接用接口組件1 0,設塗布光 蝕膜於基板S前將基板S疏水處理之附著裝置11,在該 附著裝置1 1下方配置冷卻用冷卻裝置1 2。又,在該等 附著裝置1 1及冷卻裝置1 2側方重疊配置兩排之各2隻 加熱裝置1 3。在挾主臂4之移送路相反側並設二台將光 蝕液塗布於基板S將光蝕膜(感光膜)形成於基板S表面 之光蝕膜塗布裝置1 4。雖未圖示,惟在各該光蝕膜塗布 (請先閱讀背面之注意事項-S填寫本頁) .裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X: 297公釐) 494714 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(5 ) 裝置1 4側部,設有將所定微細圖形曝光於形成在基板S 上光蝕膜用之曝光裝置等。 如圖1 ,2所示,在顯像裝置6之室6 a略中央設有 杯2 2,而杯2 2中設置放置台2 1。該放置台2 1上面 開有真空吸著機構(未圖示)之吸引孔,將基板S吸住於 上面。放置台2 1下面係連接於第1空氣缸2 0之桿2 0 a ,可昇降支持放置台2 1。缸筒2 0之空氣供給源回路 連接控制部4 5,依感知器(未圖示)所送檢測信號,將 放置台21之昇降量控制爲最適量。 以包圍吸住於該放置台21之基板S周圍設置環狀杯 2 2,防止顯像液及洗淨水(洗濯液)之飛散。該杯2 2 係以耐蝕性樹脂或金屬製成。杯2 2上部2 3成縮束狀, 其上端開口部2 4之直徑,具有可充分自上方將基板S插 入杯22內之尺寸。 杯2之底部3 5係對水-面成若干傾斜,在底部2 5 之低處連通廢液管2 6。一方面,在底部2 5之高處連通 排放杯2 2內之氣體用排氣管2 7。自該底部2 5向上伸 出環狀壁2 8。在該環狀壁2 8上端設有整流板2 9。整 流板2 9,係靠近放置台2 1上之基板S背面設置’其同 緣部係向下傾斜。以此種整流板2 9將處理基板S之廢液 導向杯底部2 5。 在放置台2 1下方設有複數洗濯液噴嘴(未圖示)’ 將純水噴射於放置台21上之基板S背面以清洗基板S背 面。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) f填 裝- -\口 線· 494714 A/ B7 五、發明説明(6 ) 如圖2所示,將蓋40設於放置台21上方。該蓋 4 0係連接支持於空氣缸3 0之桿3 0 a ,可向Z軸方向 昇降。缸筒3 0之空氣供給源回路係連接於控制部4 5, 以控制部4 5控制缸筒3 0之動作。 在蓋4 0之下面周緣部形成複數突起4 0 P。當使蓋 40下降時,突起40p壓緊於放置台2 1上之基板S, 因此在蓋4 0下面與基板S上面間形成間隙4 1 A。該間 隙A以設定在〇· 5〜inmm夕範圍爲亩。將顯像液注 入間隙41A時,將間隙41A設定在〇. 5〜2mm之 範圍爲宜。一方面,將顯像液一時滯留於間隙4 1 A,將 基板S浸漬於顯像液中時,設定間隙4 1 A於2〜1 0 mm範圍爲宜。又該等突起4 0 p係以工程塑膠製作以避 免損傷基板S爲宜。 又,蓋4 0中埋進複數個超音波振動子4 4。各超音 波振動子4 4之電源(未圖示)係連接於控制部4 5。由 各該振動子4 4振盪之超音波,尤於淨洗處理經洗濯液傳 至基板表面增進淨洗效果。 如圖4所示,在蓋4 0兩側面部分別形成槽狀入口 42及出口 43。入口 42及出口 43分別連通於蓋40 之下部中央凹處40 c。以蓋40覆蓋放置台2 1上之基 板S時,基板S納入凹處4 0內,更在基板S上面與蓋 40間形成間隙41A。又,入口42及出口43之寬度 分別約爲0. 5〜2mm。 在蓋4 0下部周緣沿全周形成凸緣4 0 F。該凸緣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 請· 先 閲 ik 背 ιέ 之 注 意 Ψ- f 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 9 - 494714 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7五、發明説明(7 ) 4 0 F經0環(未圖示)壓緊基台8 9 ,具有流通間隙 41內之液體成一時滯留之液體不漏出下方之密封作用。 又,凸緣4 0 F之上面與基板S之上面略爲同一面。 在蓋40之入口 4 2,經第1流路4 2 a分別連通顯 像液供給源3 3及洗濯液洗濯液供給源3 4,更經第2流 路4 2 b連通乾燥氣體供給源3 6。顯像液供給源3 3收 容氫氧化四甲銨(TMAH)。洗濯液供給源3 4收容純 水。乾燥氣體供給源3 6收容乾燥空氣或乾燥氮氣。 一方面,在蓋4 0之出口 4 3,經流路4 3 a連通一 時保留部3 7。一時保留部3 7之容積十分比間隙4 1 A 之容積大。因此,一時保留部3 7具有氣液分離機能,氣 體成分經過排出通路3 8 a自排出裝置3 8排出清潔房外 部,而液體成分別經過再生通路3 9 a於再生裝置3 9去 除不純物。更經再生裝置3 9再生之液體即流回顯像液供 給源3 3。 又,由於將間隙4 1 A縮小至約0 . 5〜2 m m即可 使通過此處之顯像液及洗濯液成爲層流,而可以少量顯像 液或洗濯液均供給基板S上面之光蝕膜全面。又,處理液 之通流回路係以具有緩衝箱部(未圖示)及壓損產生部( 未圖示)等之結合構件(未圖示)予以液密密封使處理液 可在間隙4 1 A內均勻流通。 如圖7所示,在第1流路4 2 a之分岐處設流路轉換 閥3 5,以流路轉換閥3 5轉換顯像液供給源3 3之連通 通路3 3 a與洗濯液供給源3 4之連通通路3 4 a。即, (請先閲讀背面之注意事項 d填寫本頁) .裝· 訂 線 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -10 - 494714 A7 __B7_ 五、發明説明(8 ) (請先閲讀背面之注意事項^填寫本頁) 流路轉換閥3 5具備形成2道流路3 5 b,3 5 c之旋轉 體3 5 A,旋轉該旋轉體3 5 A即可使流路3 5 b連通於 顯像液通路3 3 a,且將流路3 5 c連通於第1流路4 2 a ,或使流路35b連通於第1流路42a ,且將流路 35c連通於洗濯液通路34a。 如圖5,6所示,在放置台21下方設具有梢60之 基板上突機構,以複數支上突梢6 0自放置台2 1舉起基 板S。該等上突梢6 0係經板狀之共同構件4 9連接於第 2空氣缸48之桿48a,使上突梢60通過放置台21 之孔2 l a突出放置台2 1上方。由該等上突梢6 0自放 置台2 1舉起基板S,在主臂4與放置台2 1之間交接基 板S。又,主臂4分別具備X軸驅動機構,Y軸驅動機構 ,Z軸驅動機構,Q旋轉驅動機構,沿中央通路行駛,得 存取各處理組件6 (50) ,9,11〜13。而主壁4 ,可將基板· S搬入各處理組件6 ( 5 0 )’ 9,1 1〜 1 3,自各處理組件6 (50) 9,1 1〜1 3內搬出基 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 板s。將基板S搬入/搬出顯像組件6內時’自開口 6 b 將把持基板S之主臂4插入組件6內。 如圖8所示,將2具組件6疊成上下2段亦可。此種 組件6因有縮小上下厚度尺寸之必要,故使蓋4 0可在 XY面內,滑動,而無法向Z軸方向昇降。即,以X軸驅 動機構(未圖示)或Y軸驅動機構(未圖示)支持蓋4 0 在室6 a內向水平方向平行移動。 其次,用上述顯像裝置6說明顯像處理基板S之情形 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ^ 494714 A7 __B7 五、發明説明(9 ) 〇
首先,以補助臂5自卡匣站3之卡匣2內取出基板S ’將其交給主臂4。以主臂4將基板S搬入刷子洗滌器7 (請先閲讀背面之注意事^填寫本頁) ,刷洗處理。更在加熱組件9內乾燥基板S。又,隨處理 程序在高壓噴射淨洗機8內以高壓噴射水清洗基板S亦可 〇 接著,在附著組件1 1將基板S附著處理。更在冷卻 組件1 2冷卻基板S後,於敷層組件1 4將光蝕膜塗布於 基板S表面。而將基板S以加熱組件1 3烘烤處理後,以 曝光裝置(未圖示)曝光處理光蝕膜。然後將曝光後之基 板S搬入顯像裝置6內。 在顯像裝置6內,首先放置台2 1上昇,自主臂4接 收基板S,吸住基板S使放置台21下降。,其次,將蓋 4 0覆蓋於基板S上。基板S上面與蓋4 0之間隔形成約 0 . 5〜1 m m之狹窄間隙# 1 A。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在蓋4 0安裝完成後,將顯’像液循環供給間隙4 1 A 內,顯像處理基板S之光蝕膜。顯像液自顯像供給源3 3 經入口 4 2入間隙4 1 A內,與基板S上面接觸流動,自 出口 4 3排出再流回顯像液供給源3 3。顯像液,在間隙 4 1 A內成爲層流,以少流量且均勻供給,實施良好之顯 像處理。因光蝕膜上經常繼續供給新顯像液,故亦可縮短 顯像時間。 顯像處理完成後,轉換轉換閥3 5之流路,自洗濯液 供給源3 4將洗濯液供給間隙4 1 A內。因此可洗掉殘留 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -12 - 494714 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
A7 ____B7五、發明説明(l〇 ) 於基板S上之顯像液。又,供給該洗濯液之同時,自配置 下方之噴嘴(未圖示)向基板S背面噴洗淨水,清洗基板 s背面。 完成洗濯液處理後,自乾燥氣體供給源3 6將乾燥氣 體供給間隙41A內,以乾燥基板S。乾燥後,自基板S 拆下蓋40。又,拆下蓋40時,予先將乾燥氣體等吹進 間隙4 1 A內,則容易拆下蓋4 0。然後,以加熱組件9 加熱基板S,更收納於卡匣站3之卡匣2內。 依上述顯像裝置,由於將顯像液以層狀注於基板SI 面,即可將顯像液均勻供給光蝕膜上。又因經常將新顯像 液供給光蝕膜,故可縮短顯像時間,而提高高生產率。更 因上述裝置,無需旋轉機構,故可將裝置整體小型化。 其次說明上述實施形態之各種變形例。 如圖9所示,在蓋4 Ο A內使基板S兩面與處理液接 觸亦可。蓋4 Ο A具有下蓋構件4 0 a及上蓋構件4 0 b 。下蓋構件4 0 a之內側中央係成凹形。將基板S放在下 蓋構件4 0 a上時,使下蓋構件4 0 a與基板S間形成下 部間隙4 1 B。上蓋構件40b係以缸筒3 0之桿3 0 a 可昇降支持。將上蓋構件40b覆蓋下蓋構件40 a,使 上蓋構件4 0 b與基板S間形成上部間隙4 1 A。下蓋構 件4 0 a及上蓋構件4 0 b係於周緣部互相接觸形成,在 該接觸面設密封用〇環4 6。因此使導入上下間隙4 1 A ,4 1 B內之處理液不致漏出外部。 此種蓋4 0 A,不但將處理液流通於上下間隙4 1 A (請先閲讀背面之注意事 r本百〇 •裝·
、1T 線 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 一 13 - 494714 A7 _ B7 五、發明説明(11 ) ,4 1 B內,且可將處理液滯留於此中。即,因以蓋4 0 A,可將基板S浸漬於處理液中一定時間,故適於顯像處 理。 如圖1 0所示,以開閉式蓋4 Ο B使顯像液接觸於基 板S兩面亦可。蓋4 Ο B具有以鉸鏈4 7連接1邊之上下 蓋構件4 0 g,4 0 h。如圖1 1所示,將處理液向沿基 板S之短邊流通時,因處理液之通過距離縮短,處理液之 劣化減少,故更可提高處理效率。 又,基板S之洗濯處理,因以超音波振動子4 4將超 音波附加於間隙4 1 A,4 1 B內之洗濯液時,粒子易自 基板表面脫離,故大幅提高清洗之處理效率。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 其次,參照圖1 2〜1 4說明本發明之第2實施例。 如圖1 2所示,在顯像裝置5 0之室中央設具有整流 板5 6之放置台5 2,將基板S放在整流板5 6及放置台 5 2上,更以真空吸著機構_(未圖示)將基板s吸在放置 台5 2上面。放置台5 2下面係’經軸5 1 a連接於驅動部 5 1之內部機構。該驅動部5 1內藏使放置台5 2昇降之 Z缸筒(未圖示)及使放置台5 2旋轉之Q馬達(未圖示 )〇 杯5 3係包圍吸在放置台5 2之基板S周圍。該杯 5 3底部5 4之設環狀壁5 5。環狀壁5 5之上端近傍沒 有整流板5 6。 整流板5 6係以鉸鏈部5 7爲中心可搖動支持於杯 53內。杯53底部54形成孔158,當梢60A通過 ^纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X;Z97公釐) ' ~ " 一 14 一 494714 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(12 ) 該孔5 8向上突出時,以梢6 0A舉起整流板5 6之一側 。梢6 〇 A係由控制部4 5動作控制之推桿5 9支持。以 梢6 〇 A推舉整流板5 6時,基板S與整流板5 6 —同向 箭示61方向舉起,使基板S傾斜約1〇。。在傾斜狀態 之基板S之高側配置供給桶6 2,而基板S低側配置承受 桶6 3。供給桶6 2具有槽狀供給口。顯像液供給裝置 δ 4洗濯液供給裝置6 5係設於供給桶6 2及承受桶6 3 之液體流通回路。 顯像液係自顯像液供給裝置6 4供給,經供給桶6 2 自傾斜狀態之基板S高側均勻流入基板整體。顯像液更達 到基板S之低側,流進承受桶6 3,再回流至顯像液供給 裝置6 4。又,同樣亦可使用洗濯液供給裝置6 5洗濯處 理傾斜狀態之基板S。 如圖1 3所示,將顯像液注入基板S上面時,以使用 兩端具有導壁7 〇之導構件7 1爲宜。即將基板S與該導 構件7 1 —同放置於放置台5 2,上時,以導壁70引導顯 像液不致自基板S上面漏入側方,而流進於承受桶6 3。 又,如圖1 4所示,以主壁將基板S放置於放置台5 2上 〇 依上述實施例之裝置,因處理液不致飛散於周圍,而 杯22 (53)之內面及其周邊不易受污染,故可維持清 潔之環境,實質上可消除粒子附著於基板S。又,在裝置 保養上亦比先前方式之裝置有利。又,由於經常將新穎顯 像液供給光蝕膜上,即可縮短顯像時間,而可提高生產率 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項^^寫本頁) i 訂
-15 - 494714 A7 _____B7 五、發明説明(13 ) 。更因可再循環使用顯像液,故亦可減低運轉成本,而經 濟。 圖示之簡單說明: 圖1 :表示光蝕處理系統之整體概要之斜視圖。 圖2 :切開表示本發明之第1實施例有關之基板處理 裝置之一部份之斷面構成方塊圖。 圖3:第1實施例之基板處理裝置之平面圖。 圖4 :表示第1實施例之基板處理裝置之斜視構成方 塊圖。 圖5 :表示第1實施例之基板處理裝置之主要部分之 部分擴大圖。 圖6 :說明第1實施例之基板處理裝置之LCD用基 板搬送之斜視圖。 圖7:表示轉換處理液#路之流路轉換閥之部分擴大 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項^^寫本頁) 圖8:表示上下2段重疊型之基板處理裝置之內部透 視圖。 圖9:表示具有蓋昇降機構之浸漬方式之基板處理裝 置圖。 圖1 0 :表示具有蓋開閉機構之浸漬方式之基板處理 裝置圖。 圖11:具有蓋開閉機構之浸漬方式之基板處理裝置 之平面圖" 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -16 - 494714 A7 B7 五、發明説明(14 ) 圖12:表示本發明之第2實施例有關之光蝕處理方 法所用裝置概要之部分斷面圖。 圖13:說明第2實施例之LCD用基板之放置方法 之斜視圖。 圖14:說明第2實施例之LCD用基板搬送之斜視 圖。 (請先閱讀背面之注意事項^^寫本頁) -裝· 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) - 17 -
Claims (1)
- 494714附件1 : 六、申請專利範圍 第85104612號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年7月修正 1. 一種基板處理方法,針對令大型基板,使用顯像 液或洗淨液,進行液處理之基板處理方法中,其特#係, 具備:將基板放置於放置台上之裝載工程,及在放置於該 放置台上之基板之至少一面之間形成間隙,將蓋覆蓋於基 板上之加蓋工程,及將處理液自蓋之一側導入至前述間隙 ,處理液則對前述間隙內至少基板之單側形成平行層流地 加以流通,自前述間隙向蓋之另一側排出處理液,由此於 前記基板之至少單側流動接觸處理液之處理液接觸工程, 和將前述之蓋由基板脫離之卸蓋工程及將基板自前述載置 台取出之卸載工程者。 2 .如申請專利範圍第1項之方法,其中,前述處理 工程係自蓋之一方側將處理液導入間隙,流通於間隙內’ 自間隙排出蓋之另方側。 3 .如申請專利範圍第2項之方法,其中’前述處理 工程,係再生處理接觸過基板之處理液,將該經再生慮理 之處理液再注入前述間隙內。 4.如申請專利範圍第1項之方法,其中,前述處理 工程,係實質上將處理液以層流流通於間隙內。 5 .如申請專利範圍第1項之方法中’前述處理工程 ,係將處理液一時滯留於間隙內,基板之至少一面繼續與 處理液接觸一定時間。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐)-1 - -------------¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 11 47 ns C:b ns 申請專利範圍 6 工程, 以乾燥 7 形成光 .如申請專 更將處理液 氣體乾燥基 .如申請專 餓膜,使用 8. —種基板 該室內 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 少一面 述間隙 之處理 9 前述蓋 1 使前述 1 ,具有 1 ,具有 1 係形成 1 理液供 ,及將 像液供 基板之放置 之間形成間 內之處理液 液排出裝置 .如申請專 昇降之昇降 0 .如申請 放置台昇降 1 .如申請 將基板壓緊 2 .如申請 超音波振動 3 .如申請 短形狀。 4 .如申請 給裝置,具 洗濯液供給 給源流路與 利範圍 接觸於 板。 利範圍 前述處 處理裝 台,及 隙以覆 供給裝 〇 利範圍 裝置。 專利範 之昇降 專利範 於下面 專利範 子。 專利範 專利範 有將顯 間隙內 洗濯液 第1項之方法,其中,前述處理 基板後將乾燁氣·流通於間隙, 第1項之方法,其中,基板表面 理液將該光蝕膜顯像。‘ 置,具備:處理室,及放置搬入 在放置於前述放置台之基扼之至 蓋基板之蓋,及將處理液供給前 置,及排出前述間隙內之處理液 第8項之裝置,其中,更具有使 圍第8項之裝置,其中,更具有 裝置。 圍第8項之裝置,其中,前述蓋 周緣部之複數突起。 圍第8項之裝置,其中,前述i 圍第8項之裝置,其中,前述蓋 圍第8項之裝置,其中,前述處 像液供給間隙內之顯像液供給源 之洗濯液_供給源,及轉換此等顯 供給源流路之流路轉換閥。 請 先 閱 讀 背 之 注 t 事 項 再 t 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐)-2 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11932895 | 1995-04-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW494714B true TW494714B (en) | 2002-07-11 |
Family
ID=14758759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085104612A TW494714B (en) | 1995-04-19 | 1996-04-18 | Method of processing substrate and apparatus for processing substrate |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5853961A (zh) |
KR (1) | KR100217291B1 (zh) |
TW (1) | TW494714B (zh) |
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- 1996-04-19 KR KR1019960011922A patent/KR100217291B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR960039176A (ko) | 1996-11-21 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |