JPH05326472A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH05326472A JPH05326472A JP4148938A JP14893892A JPH05326472A JP H05326472 A JPH05326472 A JP H05326472A JP 4148938 A JP4148938 A JP 4148938A JP 14893892 A JP14893892 A JP 14893892A JP H05326472 A JPH05326472 A JP H05326472A
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- JP
- Japan
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- wafer
- fluid
- rotary shaft
- supplied
- gas
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 流体の供給により生じる負圧を利用して被処
理体の保持を行うと同時に、被処理体の裏面への処理液
やごみ等の付着を防止する。 【構成】 スピンチャック１の駆動軸を中空回転軸１１
にて形成し、この中空回転軸１１内に排出通路１５を残
して供給管体１４を貫通する。中空回転軸１１の下部排
出口１６ｂと供給管体１４の下部供給口１６ｃとの間を
シールブロック１６にて区画する。これにより、供給口
１６ｃから供給管体１４を通って気体Ａがスピンチャッ
ク１上のウエハＷの裏面に供給されて負圧を生じ、この
負圧によってウエハＷの保持を行い、その後、気体Ａは
ウエハＷの裏面に侵入する処理後の洗浄液と共に排出通
路１５から排出する。
理体の保持を行うと同時に、被処理体の裏面への処理液
やごみ等の付着を防止する。 【構成】 スピンチャック１の駆動軸を中空回転軸１１
にて形成し、この中空回転軸１１内に排出通路１５を残
して供給管体１４を貫通する。中空回転軸１１の下部排
出口１６ｂと供給管体１４の下部供給口１６ｃとの間を
シールブロック１６にて区画する。これにより、供給口
１６ｃから供給管体１４を通って気体Ａがスピンチャッ
ク１上のウエハＷの裏面に供給されて負圧を生じ、この
負圧によってウエハＷの保持を行い、その後、気体Ａは
ウエハＷの裏面に侵入する処理後の洗浄液と共に排出通
路１５から排出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を回転保持しつつ処理する処理装置に関す
るものである。
等の被処理体を回転保持しつつ処理する処理装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、被処理
体例えば半導体ウエハを水平に保持して回転させ、半導
体ウエハの表面に処理液（洗浄液）を供給すると共に、
例えばナイロンやモヘヤ等にて形成されるブラシを半導
体ウエハの表面に押し当てて表面の粒子汚染物を除去す
る処理装置が知られている。
体例えば半導体ウエハを水平に保持して回転させ、半導
体ウエハの表面に処理液（洗浄液）を供給すると共に、
例えばナイロンやモヘヤ等にて形成されるブラシを半導
体ウエハの表面に押し当てて表面の粒子汚染物を除去す
る処理装置が知られている。
【０００３】また、この種の処理装置において、半導体
ウエハの保持手段として負圧を利用した方式のものが採
用されており、この負圧利用方式として、例えば特開昭
５７−４５２３３号公報に記載の構造のものが知られて
いる。この特開昭５７−４５２３３号公報に記載の技術
は、半導体ウエハを回転保持する保持手段の表面に開口
を有する渦室を形成すると共に、渦室の側壁に導入孔を
形成し、そして、保持手段の回転軸の供給路を通って導
入孔から圧縮気体若しくは加圧液体を渦室内に噴射させ
て渦を生成せしめ、この渦によって生じる負圧を利用し
て半導体ウエハを保持する構造となっている。
ウエハの保持手段として負圧を利用した方式のものが採
用されており、この負圧利用方式として、例えば特開昭
５７−４５２３３号公報に記載の構造のものが知られて
いる。この特開昭５７−４５２３３号公報に記載の技術
は、半導体ウエハを回転保持する保持手段の表面に開口
を有する渦室を形成すると共に、渦室の側壁に導入孔を
形成し、そして、保持手段の回転軸の供給路を通って導
入孔から圧縮気体若しくは加圧液体を渦室内に噴射させ
て渦を生成せしめ、この渦によって生じる負圧を利用し
て半導体ウエハを保持する構造となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、流体を半導体ウエハの裏
面に供給するため、処理液が半導体ウエハの裏面側に侵
入して付着するのを防止することはできるが、流体を保
持手段の回転軸に設けられた供給路を通して渦室内に供
給させるため、回転軸受部から発生したごみが供給され
る流体と共に搬送されて半導体ウエハの裏面に付着する
ことがあり、製品歩留りの低下をきたすという問題があ
った。また、保持手段の駆動源であるモータの内部にも
ごみあるいは供給される液体が侵入する虞れがあり、こ
のごみ等の侵入によってモータに支障をきたすという問
題もあった。には、特に供給される液体の使用後の排出
処理について考慮する必要があり、そのために液体の排
出系統を別途に設ける必要もあった。
この種の処理装置においては、流体を半導体ウエハの裏
面に供給するため、処理液が半導体ウエハの裏面側に侵
入して付着するのを防止することはできるが、流体を保
持手段の回転軸に設けられた供給路を通して渦室内に供
給させるため、回転軸受部から発生したごみが供給され
る流体と共に搬送されて半導体ウエハの裏面に付着する
ことがあり、製品歩留りの低下をきたすという問題があ
った。また、保持手段の駆動源であるモータの内部にも
ごみあるいは供給される液体が侵入する虞れがあり、こ
のごみ等の侵入によってモータに支障をきたすという問
題もあった。には、特に供給される液体の使用後の排出
処理について考慮する必要があり、そのために液体の排
出系統を別途に設ける必要もあった。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、流体の供給により生じる負圧を利用して被処理体の
保持を行うと同時に、被処理体の裏面への処理液やごみ
等の付着を防止するようにした処理装置を提供すること
を目的とするものである。
で、流体の供給により生じる負圧を利用して被処理体の
保持を行うと同時に、被処理体の裏面への処理液やごみ
等の付着を防止するようにした処理装置を提供すること
を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体を回転保持手段に
て保持すると共に、被処理体の表面に処理液を供給して
処理する処理装置を前提とし、上記回転保持手段の駆動
軸に、上記被処理体の裏面に供給される流体の供給通路
と、上記流体の排出通路を形成してなるものである。
に、この発明の処理装置は、被処理体を回転保持手段に
て保持すると共に、被処理体の表面に処理液を供給して
処理する処理装置を前提とし、上記回転保持手段の駆動
軸に、上記被処理体の裏面に供給される流体の供給通路
と、上記流体の排出通路を形成してなるものである。
【０００７】この発明において、上記回転保持手段の駆
動軸は被処理体の裏面に供給される流体の供給通路と排
出通路とを有するものであれば、その構造は任意でよい
が、好ましくは回転保持手段の駆動軸を中空回転軸にて
形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体供給
管体を貫通し、上記中空回転軸の下部排出口と上記流体
供給管体の下部供給口との間をシール手段にて区画する
方がよい。
動軸は被処理体の裏面に供給される流体の供給通路と排
出通路とを有するものであれば、その構造は任意でよい
が、好ましくは回転保持手段の駆動軸を中空回転軸にて
形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体供給
管体を貫通し、上記中空回転軸の下部排出口と上記流体
供給管体の下部供給口との間をシール手段にて区画する
方がよい。
【０００８】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、回転保持手段の駆動軸に、被処理体の裏面に供
給される流体の供給通路と排出通路を形成することによ
り、流体を供給通路を介して被処理体の裏面に供給した
後、排出通路から排出することができる。したがって、
処理時に被処理体の表面に供給されて処理に供される処
理液が被処理体の裏面へ侵入しても、流体と共に排出通
路から排出される。
よれば、回転保持手段の駆動軸に、被処理体の裏面に供
給される流体の供給通路と排出通路を形成することによ
り、流体を供給通路を介して被処理体の裏面に供給した
後、排出通路から排出することができる。したがって、
処理時に被処理体の表面に供給されて処理に供される処
理液が被処理体の裏面へ侵入しても、流体と共に排出通
路から排出される。
【０００９】また、回転保持手段の駆動軸を中空回転軸
にて形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体
供給管体を貫通し、中空回転軸の下部排出口と流体供給
管体の下部供給口との間をシール手段にて区画すること
により、回転軸受から発生したごみは供給流体によって
被処理体側に搬送されることはなく、排出口から外部に
排出することができる。
にて形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体
供給管体を貫通し、中空回転軸の下部排出口と流体供給
管体の下部供給口との間をシール手段にて区画すること
により、回転軸受から発生したごみは供給流体によって
被処理体側に搬送されることはなく、排出口から外部に
排出することができる。
【００１０】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例では、この発明の処理装置
を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について
説明する。
詳細に説明する。この実施例では、この発明の処理装置
を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について
説明する。
【００１１】上記半導体ウエハの洗浄処理装置は、図１
及び図２に示すように、被処理体である半導体ウエハＷ
（以下にウエハという）を水平状態に保持する回転保持
手段であるスピンチャック１と、このスピンチャック１
にて保持されるウエハＷの上面にジェットノズル３から
供給される処理液すなわち洗浄液を用いてウエハＷの表
面に付着する粒子汚染物を洗浄除去するブラシ２とで主
要部が構成されている。
及び図２に示すように、被処理体である半導体ウエハＷ
（以下にウエハという）を水平状態に保持する回転保持
手段であるスピンチャック１と、このスピンチャック１
にて保持されるウエハＷの上面にジェットノズル３から
供給される処理液すなわち洗浄液を用いてウエハＷの表
面に付着する粒子汚染物を洗浄除去するブラシ２とで主
要部が構成されている。
【００１２】スピンチャック１は、駆動モータ１０によ
って回転される中空円筒状の回転軸１１の上端部に水平
に連結する回転板１２と、この回転板１２の外周辺に適
宜間隔をおいて立設されてウエハＷを水平状態に保持す
る保持爪１３とで構成されている。
って回転される中空円筒状の回転軸１１の上端部に水平
に連結する回転板１２と、この回転板１２の外周辺に適
宜間隔をおいて立設されてウエハＷを水平状態に保持す
る保持爪１３とで構成されている。
【００１３】この場合、回転軸１１は駆動モータ１０内
を貫通した状態に配設されており、この回転軸１１の空
間内には例えば窒素（Ｎ2 ）ガスあるいは空気等の気体
Ａの供給管体１４が貫通されて、中空回転軸１１の内側
と供給管体１４の外側との間に気体排出通路１５が残さ
れ形成されている。この供給管体１４の上端はスピンチ
ャック１の上面に開口し、下端は中空回転軸１１の下端
より下方に突出し、駆動モータ１０の下端部に装着され
るシール手段であるシールブロック１６に例えば溶接等
によって固定されると共に、シールブロック１６に設け
られた供給通路１６ａに連通されている。また、シール
ブロック１６には、中空回転軸１１の下端開口部と連通
する排出通路１６ｂが設けられており、この排出通路１
６ｂの排出口１６ｄに図示しない排出管が接続されてい
る。一方、シールブロック１６に設けられた供給通路１
６ａの供給口１６ｃにはＮ2 ガス又は空気等の気体供給
管（図示せず）が接続されている。このように中空回転
軸１１と供給管体１４とをシールブロック１６に連結す
ることにより、シールブロック１６によって供給口１６
ｃと排出口１６ｄとが気水密に区画される。
を貫通した状態に配設されており、この回転軸１１の空
間内には例えば窒素（Ｎ2 ）ガスあるいは空気等の気体
Ａの供給管体１４が貫通されて、中空回転軸１１の内側
と供給管体１４の外側との間に気体排出通路１５が残さ
れ形成されている。この供給管体１４の上端はスピンチ
ャック１の上面に開口し、下端は中空回転軸１１の下端
より下方に突出し、駆動モータ１０の下端部に装着され
るシール手段であるシールブロック１６に例えば溶接等
によって固定されると共に、シールブロック１６に設け
られた供給通路１６ａに連通されている。また、シール
ブロック１６には、中空回転軸１１の下端開口部と連通
する排出通路１６ｂが設けられており、この排出通路１
６ｂの排出口１６ｄに図示しない排出管が接続されてい
る。一方、シールブロック１６に設けられた供給通路１
６ａの供給口１６ｃにはＮ2 ガス又は空気等の気体供給
管（図示せず）が接続されている。このように中空回転
軸１１と供給管体１４とをシールブロック１６に連結す
ることにより、シールブロック１６によって供給口１６
ｃと排出口１６ｄとが気水密に区画される。
【００１４】なお、シールブロック１６の供給通路１６
ａの一部には供給管体１４の通路と同軸方向に貫通口１
６ｅが設けられており、この貫通口１６ｅの開口部には
例えば石英ガラス等の透明板１７が装着されている。そ
して、供給管体１４の上方に発光素子１８が配設され、
供給管体１４及び透明板１７の下方側には受光素子１９
が配設されて、発光素子１８からの投光が受光素子１９
にて受光されるようになっている。したがって、これら
発光素子１８と受光素子１９とによってスピンチャック
１上に載置されるウエハＷの有無の検出を行うことがで
きる。
ａの一部には供給管体１４の通路と同軸方向に貫通口１
６ｅが設けられており、この貫通口１６ｅの開口部には
例えば石英ガラス等の透明板１７が装着されている。そ
して、供給管体１４の上方に発光素子１８が配設され、
供給管体１４及び透明板１７の下方側には受光素子１９
が配設されて、発光素子１８からの投光が受光素子１９
にて受光されるようになっている。したがって、これら
発光素子１８と受光素子１９とによってスピンチャック
１上に載置されるウエハＷの有無の検出を行うことがで
きる。
【００１５】ブラシ２は、スピンチャック１の側方に配
設される操作軸４の先端部に回転可能に装着される螺旋
状の例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形成されてい
る。このブラシ２は、図示しない駆動手段によって駆動
する操作軸４によってスピンチャック１の回転板１２上
に回転（θ）移動すると共に、垂直方向（Ｚ）に移動す
るように構成されており、待機中にブラシ洗浄器５によ
って洗浄されるようになっている。このようにブラシ２
を螺旋状に形成することにより、ディスクブラシに比較
して接触面積を大きく取ることができ、かつ、ロールブ
ラシによる直線的接触による接触圧の不均一を防止し
て、洗浄能力の向上と均一な洗浄処理が可能となる。
設される操作軸４の先端部に回転可能に装着される螺旋
状の例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形成されてい
る。このブラシ２は、図示しない駆動手段によって駆動
する操作軸４によってスピンチャック１の回転板１２上
に回転（θ）移動すると共に、垂直方向（Ｚ）に移動す
るように構成されており、待機中にブラシ洗浄器５によ
って洗浄されるようになっている。このようにブラシ２
を螺旋状に形成することにより、ディスクブラシに比較
して接触面積を大きく取ることができ、かつ、ロールブ
ラシによる直線的接触による接触圧の不均一を防止し
て、洗浄能力の向上と均一な洗浄処理が可能となる。
【００１６】一方、ジェットノズル３は、図１に示すよ
うに、スピンチャック１に関してブラシ２と対向する側
に配設されており、操作機構６によって垂直方向（Ｚ）
及び水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム７の先端部に装
着されている。このジェットノズル３は洗浄液（純水）
供給管８を介して純水収容タンク９に接続されており、
洗浄液供給管８に配設されるポンプＰ及びバルブＶによ
って所定量の洗浄液である純水がウエハ上に散布される
ようになっている。このジェットノズル３は、ブラシ２
の使用時にウエハＷの上面に移動して純水収容タンク９
から供給される純水をブラシ２の近傍位置に散布し得る
ようになっている。なお、純水収容タンク９の外周側に
はヒータＨが配設されて、純水Ｌの温度を常に一定の温
度に温めている。したがって、温められた純水Ｌを用い
てウエハＷの洗浄を行うことによって、洗浄効率の向上
が図れ、また、ウエハＷ自体が温まるので、洗浄処理後
の乾燥処理の短縮化が図れる。
うに、スピンチャック１に関してブラシ２と対向する側
に配設されており、操作機構６によって垂直方向（Ｚ）
及び水平方向（Ｘ）に移動可能なアーム７の先端部に装
着されている。このジェットノズル３は洗浄液（純水）
供給管８を介して純水収容タンク９に接続されており、
洗浄液供給管８に配設されるポンプＰ及びバルブＶによ
って所定量の洗浄液である純水がウエハ上に散布される
ようになっている。このジェットノズル３は、ブラシ２
の使用時にウエハＷの上面に移動して純水収容タンク９
から供給される純水をブラシ２の近傍位置に散布し得る
ようになっている。なお、純水収容タンク９の外周側に
はヒータＨが配設されて、純水Ｌの温度を常に一定の温
度に温めている。したがって、温められた純水Ｌを用い
てウエハＷの洗浄を行うことによって、洗浄効率の向上
が図れ、また、ウエハＷ自体が温まるので、洗浄処理後
の乾燥処理の短縮化が図れる。
【００１７】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハＷを保持爪１３の上に仮載置した後、ウエハ搬
送アームを下方に移動させてスピンチャック１から後退
させる。次に、気体供給源（図示せず）から供給通路１
６ａ内にＮ2 ガスや空気等の気体Ａを供給すると、この
気体は供給通路１６ａから供給管体１４内を通ってウエ
ハＷの裏面側に供給された後、排出通路１５から排出さ
れる。この気体の供給によってウエハＷの裏面と回転板
１２との間にベルヌーイ効果によって負圧が生じ、この
負圧によってウエハＷが回転板１２側に向って吸引され
保持爪１３上に保持される。
置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハＷを保持爪１３の上に仮載置した後、ウエハ搬
送アームを下方に移動させてスピンチャック１から後退
させる。次に、気体供給源（図示せず）から供給通路１
６ａ内にＮ2 ガスや空気等の気体Ａを供給すると、この
気体は供給通路１６ａから供給管体１４内を通ってウエ
ハＷの裏面側に供給された後、排出通路１５から排出さ
れる。この気体の供給によってウエハＷの裏面と回転板
１２との間にベルヌーイ効果によって負圧が生じ、この
負圧によってウエハＷが回転板１２側に向って吸引され
保持爪１３上に保持される。
【００１８】上記のようにしてウエハＷの周縁部を挾持
保持した状態で、駆動モータ１０が駆動して回転軸１１
を回転してウエハＷを水平回転する。そして、ブラシ２
とジェットノズル３をウエハＷの上方に移動すると共
に、ジェットノズル３からウエハＷの表面に純水を散布
して、ブラシ２によってウエハＷの表面に付着する粒子
汚染物を除去する。このとき、ウエハＷの裏面側にはＮ
2 ガス等の気体Ａが供給されており、しかも気体Ａは排
出通路１５，１６ｂを通って排出口１６ｄから排出され
るので、洗浄液はウエハＷの裏面に回り込んだ後にウエ
ハＷの裏面に付着する虞れはない。すなわち、供給管体
１４の下端はシールブロック１６に溶接等によってシー
ルされた状態で固定されており可動部分が無いため、ク
リーンな気体Ａを供給することができる。また、回転軸
１１部分で発生したごみなどの汚染物は排出口１６ｄか
ら排出される。したがって、ウエハＷの裏面が汚染され
ることを防止できる。
保持した状態で、駆動モータ１０が駆動して回転軸１１
を回転してウエハＷを水平回転する。そして、ブラシ２
とジェットノズル３をウエハＷの上方に移動すると共
に、ジェットノズル３からウエハＷの表面に純水を散布
して、ブラシ２によってウエハＷの表面に付着する粒子
汚染物を除去する。このとき、ウエハＷの裏面側にはＮ
2 ガス等の気体Ａが供給されており、しかも気体Ａは排
出通路１５，１６ｂを通って排出口１６ｄから排出され
るので、洗浄液はウエハＷの裏面に回り込んだ後にウエ
ハＷの裏面に付着する虞れはない。すなわち、供給管体
１４の下端はシールブロック１６に溶接等によってシー
ルされた状態で固定されており可動部分が無いため、ク
リーンな気体Ａを供給することができる。また、回転軸
１１部分で発生したごみなどの汚染物は排出口１６ｄか
ら排出される。したがって、ウエハＷの裏面が汚染され
ることを防止できる。
【００１９】上記実施例では、ウエハＷの裏面側に供給
される両体が例えばＮ2 ガスあるいは空気等の気体Ａで
ある場合について説明したが、必ずしも供給される流体
は気体Ａである必要はなく、例えば純水等の液体であっ
てもよい。純水等の液体を使用する場合には、図３に示
すように、洗浄液供給管８に三方弁Ｖa を介して分岐さ
れた純水供給管８ａをシールブロック１６の供給口１６
ｃに接続して、純水Ｌを供給管体１４を通してウエハＷ
の裏面に供給した後、排出通路１５，１６ｂ及び排出口
１６ｄから排出することができる。したがって、ウエハ
Ｗの保持及びウエハＷの裏面への洗浄後の洗浄液（純
水）の付着を防止する純水の供給と、洗浄用純水の供給
とを同一の純水収容タンク９から供給することができ、
洗浄処理の効率化と装置の小型化を図ることができる。
される両体が例えばＮ2 ガスあるいは空気等の気体Ａで
ある場合について説明したが、必ずしも供給される流体
は気体Ａである必要はなく、例えば純水等の液体であっ
てもよい。純水等の液体を使用する場合には、図３に示
すように、洗浄液供給管８に三方弁Ｖa を介して分岐さ
れた純水供給管８ａをシールブロック１６の供給口１６
ｃに接続して、純水Ｌを供給管体１４を通してウエハＷ
の裏面に供給した後、排出通路１５，１６ｂ及び排出口
１６ｄから排出することができる。したがって、ウエハ
Ｗの保持及びウエハＷの裏面への洗浄後の洗浄液（純
水）の付着を防止する純水の供給と、洗浄用純水の供給
とを同一の純水収容タンク９から供給することができ、
洗浄処理の効率化と装置の小型化を図ることができる。
【００２０】なお、上記第二実施例において、その他の
部分は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
部分は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【００２１】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。
置は、図１に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。
【００２２】上記半導体ウエハの塗布現像装置は、図４
に示すように、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット
３０にウエハＷを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構２０とで主要部が構成されている。
に示すように、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット
３０にウエハＷを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構２０とで主要部が構成されている。
【００２３】搬入・搬出機構２０は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア２１と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２２と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２３と、このア−ム２３をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２４
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
３０との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２５とを備えている。
を収納するウエハキャリア２１と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア２２と、ウエハＷを吸着保持す
るア−ム２３と、このア−ム２３をＸ，Ｙ（水平），Ｚ
（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構２４
と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット
３０との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメン
トステージ２５とを備えている。
【００２４】処理機構ユニット３０には、アライメント
ステージ２５よりＸ方向に形成された搬送路３１に沿っ
て移動自在に搬送機構３２が設けられており、この搬送
機構３２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３３が設けられている。搬送路３１の一方の側には、
ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３４
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３５と、過熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３６とが配置されて
いる。搬送路３１の他方の側にはウエハＷの表面にレジ
ストを塗布する処理液塗布機構３７と、ウエハＷの表面
に付着する粒子汚染物を洗浄処理する洗浄処理装置３８
（この発明の処理装置）とが配置されている。
ステージ２５よりＸ方向に形成された搬送路３１に沿っ
て移動自在に搬送機構３２が設けられており、この搬送
機構３２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアー
ム３３が設けられている。搬送路３１の一方の側には、
ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構３４
と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構３５と、過熱処理
されたウエハＷを冷却する冷却機構３６とが配置されて
いる。搬送路３１の他方の側にはウエハＷの表面にレジ
ストを塗布する処理液塗布機構３７と、ウエハＷの表面
に付着する粒子汚染物を洗浄処理する洗浄処理装置３８
（この発明の処理装置）とが配置されている。
【００２５】以上のように構成される半導体ウエハ塗布
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２０のア−ム２３によってウエハキャリア２１
から搬出されてアライメントステージ２５上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２５上のウエハＷ
は、搬送機構３２のメインアーム３３に保持されて、各
処理機構３４〜３８へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３３によってアライメントステージ２５に戻され、更
にア−ム２３により搬送されてウエハキャリア２２に収
納される。
現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・
搬出機構２０のア−ム２３によってウエハキャリア２１
から搬出されてアライメントステージ２５上に載置され
る。次いで、アライメントステージ２５上のウエハＷ
は、搬送機構３２のメインアーム３３に保持されて、各
処理機構３４〜３８へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハＷはメインアー
ム３３によってアライメントステージ２５に戻され、更
にア−ム２３により搬送されてウエハキャリア２２に収
納される。
【００２６】上記実施例ではＮ2 ガスや空気等の気体や
純水等の液体等の流体の供給により生じる負圧を利用し
てウエハＷの保持を行う機構について説明したが、必ず
しも流体の負圧によってウエハＷを保持する機構にのみ
適用できるものではなく、別途にリンク機構等を用いた
ウエハ保持機構を設けた処理装置においても適用できる
ことは勿論である。また、上記実施例では被処理体が半
導体ウエハの場合について説明したが、被処理体は必ず
しも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣ
Ｄ基板、フォトマスク、セラミック基板、コンパクトデ
ィスク、あるいはプリント基板について同様に洗浄等の
処理を施すものについても適用できるものである。
純水等の液体等の流体の供給により生じる負圧を利用し
てウエハＷの保持を行う機構について説明したが、必ず
しも流体の負圧によってウエハＷを保持する機構にのみ
適用できるものではなく、別途にリンク機構等を用いた
ウエハ保持機構を設けた処理装置においても適用できる
ことは勿論である。また、上記実施例では被処理体が半
導体ウエハの場合について説明したが、被処理体は必ず
しも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣ
Ｄ基板、フォトマスク、セラミック基板、コンパクトデ
ィスク、あるいはプリント基板について同様に洗浄等の
処理を施すものについても適用できるものである。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。
【００２８】１）請求項１記載の処理装置によれば、回
転保持手段の駆動軸に、被処理体の裏面に供給される流
体の供給通路と排出通路を形成するので、流体により生
じる負圧を利用して被処理体の保持を行うことができる
と共に、処理時に被処理体の処理に供される処理液の被
処理体の裏面への付着を防止し、製品歩留りの向上及び
処理作業の向上を図ることができる。
転保持手段の駆動軸に、被処理体の裏面に供給される流
体の供給通路と排出通路を形成するので、流体により生
じる負圧を利用して被処理体の保持を行うことができる
と共に、処理時に被処理体の処理に供される処理液の被
処理体の裏面への付着を防止し、製品歩留りの向上及び
処理作業の向上を図ることができる。
【００２９】２）請求項２記載の処理装置によれば、回
転保持手段を中空回転軸にて形成し、この中空回転軸内
に排出通路を残して流体供給管体を貫通し、中空回転軸
の下部排出口と流体供給管体の下部供給口との間をシー
ル手段にて区画するので、回転軸受から発生したごみ等
の被処理体への付着を防止することができると共に、装
置の小型化を図ることができる。
転保持手段を中空回転軸にて形成し、この中空回転軸内
に排出通路を残して流体供給管体を貫通し、中空回転軸
の下部排出口と流体供給管体の下部供給口との間をシー
ル手段にて区画するので、回転軸受から発生したごみ等
の被処理体への付着を防止することができると共に、装
置の小型化を図ることができる。
【図１】この発明の処理装置の一例を示す概略斜視図で
ある。
ある。
【図２】この発明の処理装置の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図３】この発明の処理装置の別の実施例の要部を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】この発明の処理装置を半導体ウエハ塗布現像装
置に適用した状態の全体を示す平面図である。
置に適用した状態の全体を示す平面図である。
１ スピンチャック（回転保持手段） １０ 駆動モータ １１ 中空回転軸（駆動軸） １４ 流体供給管 １５ 排出通路 １６ シールブロック（シール手段） １６ａ 供給通路 １６ｂ 排出通路 １６ｃ 供給口 １６ｄ 排出口 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、被処理
体例えば半導体ウエハを回路パターン面を下向きにして
水平に保持して回転させ、半導体ウエハの表面に処理液
（洗浄液）を供給すると共に、例えばナイロンやモヘヤ
等にて形成されるブラシを半導体ウエハの表面に押し当
てて表面の粒子汚染物を除去する処理装置が知られてい
る。
体例えば半導体ウエハを回路パターン面を下向きにして
水平に保持して回転させ、半導体ウエハの表面に処理液
（洗浄液）を供給すると共に、例えばナイロンやモヘヤ
等にて形成されるブラシを半導体ウエハの表面に押し当
てて表面の粒子汚染物を除去する処理装置が知られてい
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、流体を半導体ウエハの裏
面に供給するため、処理液が半導体ウエハの裏面側に侵
入して付着するのを防止することはできるが、流体を保
持手段の回転軸に設けられた供給路を通して渦室内に供
給させるため、回転軸受部から発生したごみが供給され
る流体と共に搬送されて半導体ウエハの裏面すなわち回
路パターン面に付着することがあり、製品歩留りの低下
をきたすという問題があった。また、保持手段の駆動源
であるモータの内部にもごみあるいは供給される液体が
侵入する虞れがあり、このごみ等の侵入によってモータ
に支障をきたすという問題もあった。更には、特に供給
される液体の使用後の排出処理について考慮する必要が
あり、そのために液体の排出系統を別途に設ける必要も
あった。
この種の処理装置においては、流体を半導体ウエハの裏
面に供給するため、処理液が半導体ウエハの裏面側に侵
入して付着するのを防止することはできるが、流体を保
持手段の回転軸に設けられた供給路を通して渦室内に供
給させるため、回転軸受部から発生したごみが供給され
る流体と共に搬送されて半導体ウエハの裏面すなわち回
路パターン面に付着することがあり、製品歩留りの低下
をきたすという問題があった。また、保持手段の駆動源
であるモータの内部にもごみあるいは供給される液体が
侵入する虞れがあり、このごみ等の侵入によってモータ
に支障をきたすという問題もあった。更には、特に供給
される液体の使用後の排出処理について考慮する必要が
あり、そのために液体の排出系統を別途に設ける必要も
あった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】 上記のように構成されるこの発明の処
理装置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、ま
ず、図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送
されるウエハＷの回路パターン面を下向きにして保持爪
１３の上に仮載置した後、ウエハ搬送アームを下方に移
動させてスピンチャック１から後退させる。次に、気体
供給源（図示せず）から供給通路１６ａ内にＮ2 ガスや
空気等の気体Ａを供給すると、この気体は供給通路１６
ａから供給管体１４内を通ってウエハＷの裏面側に供給
された後、排出通路１５から排出される。この気体の供
給によってウエハＷの裏面と回転板１２との間にベルヌ
ーイ効果によって負圧が生じ、この負圧によってウエハ
Ｗが回転板１２側に向って吸引され保持爪１３上に保持
される。
理装置において、ウエハＷを洗浄処理する場合には、ま
ず、図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送
されるウエハＷの回路パターン面を下向きにして保持爪
１３の上に仮載置した後、ウエハ搬送アームを下方に移
動させてスピンチャック１から後退させる。次に、気体
供給源（図示せず）から供給通路１６ａ内にＮ2 ガスや
空気等の気体Ａを供給すると、この気体は供給通路１６
ａから供給管体１４内を通ってウエハＷの裏面側に供給
された後、排出通路１５から排出される。この気体の供
給によってウエハＷの裏面と回転板１２との間にベルヌ
ーイ効果によって負圧が生じ、この負圧によってウエハ
Ｗが回転板１２側に向って吸引され保持爪１３上に保持
される。
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体を回転保持手段にて保持すると
共に、被処理体の表面に処理液を供給して処理する処理
装置において、 上記回転保持手段の駆動軸に、上記被処理体の裏面に供
給される流体の供給通路と、上記流体の排出通路を形成
してなることを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 回転保持手段の駆動軸を中空回転軸にて
形成し、この中空回転軸内に排出通路を残して流体供給
管体を貫通し、上記中空回転軸の下部排出口と上記流体
供給管体の下部供給口との間をシール手段にて区画して
なることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14893892A JP2920855B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 洗浄処理装置 |
| KR1019930008470A KR100230694B1 (ko) | 1992-05-18 | 1993-05-18 | 기판세정처리장치 |
| US08/062,536 US5375291A (en) | 1992-05-18 | 1993-05-18 | Device having brush for scrubbing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14893892A JP2920855B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 洗浄処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326472A true JPH05326472A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2920855B2 JP2920855B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=15464021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14893892A Expired - Lifetime JP2920855B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 洗浄処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920855B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6823880B2 (en) * | 2001-04-25 | 2004-11-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing apparatus and high pressure processing method |
| US20150318194A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate detection method of substrate processing apparatus and storage medium |
| CN107497730A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-22 | 联维创科技(天津)有限公司 | 一种礼帽自动清洗机 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP14893892A patent/JP2920855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6823880B2 (en) * | 2001-04-25 | 2004-11-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing apparatus and high pressure processing method |
| US7252719B2 (en) | 2001-04-25 | 2007-08-07 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing method |
| US20150318194A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate detection method of substrate processing apparatus and storage medium |
| CN105047585A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的基板检测方法 |
| US9691646B2 (en) * | 2014-04-30 | 2017-06-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate detection method of substrate processing apparatus and storage medium |
| CN107497730A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-22 | 联维创科技(天津)有限公司 | 一种礼帽自动清洗机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920855B2 (ja) | 1999-07-19 |
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Legal Events
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