TWI823747B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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日商愛發科股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置具有：真空腔室，其對保持於載架之基板施以真空處理；立式搬送機構，其使前述基板及前述載架立起而搬送；及微粒去除機構，其去除附著於前述載架及前述基板之微粒；且前述微粒去除機構包含：噴出噴嘴，其向由前述立式搬送機構搬送之前述載架及前述基板噴出空氣；及吸引噴嘴，其吸引噴出至前述載架及前述基板之空氣。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
於液晶顯示器、有機EL顯示器等FPD(flat panel display，平板顯示器)之製造步驟中，在包含玻璃等之基板上形成圖像元件或電路元件等。於此元件等之形成中，使用對於玻璃基板在真空環境下進行加熱處理、成膜處理、洗淨處理等電漿處理及其他處理之濺射裝置或蒸鍍裝置等基板處理裝置。
作為基板處理裝置，使用載架循環型之在線濺射裝置。該載架循環型之在線濺射裝置具備：將玻璃基板導入真空中之裝載室、配置有濺射靶之成膜室、及用於將玻璃基板自真空中返回大氣之卸載室等。而且，玻璃基板載置於被稱為載架之搬送台，在構成在線濺射裝置之各室之間移動。 又，作為濺射裝置，亦業已知悉立式單片裝置(固定成膜裝置)之構成及往復式濺射裝置。 於往復式濺射裝置中，1個真空腔室作為兼具玻璃基板之導入與取出之裝載、卸載室發揮功能。
近年來，伴隨著顯示器之大型化，進行對於一邊3000 mm以上之玻璃基板之處理。因而，作為載置玻璃基板之載架，以使用對玻璃基板以使其於大致鉛直方向立起之狀態予以保持之載架之所謂之立式載架之情形居多。藉由使用此立式載架，而可將濺射裝置之設置面積限制為最小限度。立式載架具備框架。框架抵接於玻璃基板之周緣部，且保持玻璃基板。於該框架形成使玻璃基板之一成膜面側曝露之開口部。
於向立式濺射裝置投入玻璃基板時，在將玻璃基板保持於立式載架之狀態下，向真空腔室內搬送立式載架。又，於立式濺射裝置中結束處理之玻璃基板以保持於立式載架之狀態自真空腔室內搬送至外部。又，玻璃基板以載置於立式載架之狀態，於濺射裝置之各室間移動。 作為載架之搬送，業已知悉專利文獻1所揭示之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2012/140801號
[發明所欲解決之問題]
於如上述之真空腔室之玻璃基板之處理中，為了防止處理特性之降低，較佳為無微粒對於玻璃基板之附著。然而，於在真空腔室之內部及外部搬送之載架、及處理前之玻璃基板有可能附著微粒，而有希望去除微粒之要求。進而，於成膜處理等電漿處理後之玻璃基板及載架，有時因不必要之成膜材等而附著微粒，而有希望去除此微粒之要求。
本發明係鑒於上述之事態而完成者，且係意欲達成以下之目的者。 1.於立式搬送類型之真空處理中，削減附著於玻璃基板及載架之微粒。 2.提高微粒去除之效率。 3.高效率地進行玻璃基板中之微粒去除、及載架中之微粒去除。 4.應對基板尺寸之大型化。 5.防止自玻璃基板及載架去除之微粒之再附著。 6.對應於處理步驟之階段，可進行有效之微粒去除之應對。 7.抑制發生靜電破壞。 [解決問題之技術手段]
(1)本發明之一態樣之基板處理裝置具有： 真空腔室，其對保持於載架之基板施以真空處理； 立式搬送機構，其使前述基板及前述載架立起而搬送；及 微粒去除機構，其去除附著於前述載架及前述基板之微粒；且 前述微粒去除機構包含： 噴出噴嘴，其向由前述立式搬送機構搬送之前述載架及前述基板噴出空氣；及 吸引噴嘴，其吸引噴出至前述載架及前述基板之空氣； 藉此，解決了上述問題。 (2)本發明之一態樣之基板處理裝置係如上述(1)者，其中 前述微粒去除機構可去除搬入前述真空腔室或自前述真空腔室搬出之前述載架及前述基板之微粒。 (3)本發明之一態樣之基板處理裝置係如上述(1)或(2)者，其中 前述微粒去除機構可配置於較前述真空腔室之密閉機構靠外部，且 與前述密閉機構之開閉動作連動地被驅動。 (4)本發明之一態樣之基板處理裝置係如上述(1)至(3)中任一項者，其中 前述微粒去除機構可具有靜電消除機構。 (5)本發明之一態樣之基板處理方法係 於真空腔室之內部對保持於載架之基板施以真空處理者，且包含： 真空處理步驟，其於前述真空腔室之內部對保持於前述載架之前述基板施以真空處理； 搬送步驟，其藉由立式搬送機構使前述基板及前述載架立起而搬送；及 微粒去除步驟，其藉由微粒去除機構去除附著於前述載架及前述基板之微粒；且 前述微粒去除步驟， 向由前述立式搬送機構搬送之前述載架及前述基板自噴出噴嘴噴出空氣，且 藉由吸引噴嘴吸引噴出至前述載架及前述基板之空氣； 藉此，解決了上述問題。 (6)本發明之一態樣之基板處理方法係如上述(5)者，其中 前述微粒去除步驟， 可去除在前述搬送步驟中搬入前述真空腔室或自前述真空腔室搬出之前述載架及前述基板之微粒。 (7)本發明之一態樣之基板處理方法係如上述(5)或(6)者，其中 於前述微粒去除步驟中，可在較前述真空腔室之密閉機構靠外部，與前述密閉機構之開閉動作連動地驅動前述微粒去除機構。 (8)本發明之一態樣之基板處理方法係如上述(5)至(7)中任一項者，其中 於前述微粒去除步驟中，可藉由靜電消除機構進行靜電消除。
(1)本發明之一態樣之基板處理裝置具有： 真空腔室，其對保持於載架之基板施以真空處理； 立式搬送機構，其使前述基板及前述載架立起而搬送；及 微粒去除機構，其去除附著於前述載架及前述基板之微粒；且 前述微粒去除機構包含： 噴出噴嘴，其向由前述立式搬送機構搬送之前述載架及前述基板噴出空氣；及 吸引噴嘴，其吸引噴出至前述載架及前述基板之空氣。 藉此，可於成膜等真空處理前，在去除附著於基板及載架之微粒之狀態下搬入真空腔室。或，可於成膜等真空處理中，在去除附著於基板及載架之微粒之狀態下自真空腔室搬出基板及載架。因此，可降低後步驟之微粒之影響，防止已使用真空處理之基板中之製造特性之降低，提高製造效率。
於本發明之一態樣中，可使用大型玻璃基板作為基板。例如，玻璃基板(基板)向載架之保持例如如以下般進行。 水平地搬送而來之玻璃基板係由具備吸盤等之多關節機器人臂拾取。於水平之載架之框架載置玻璃基板。同時進行載架與玻璃基板之對準。此時，玻璃基板藉由安裝於框架之夾具等，將基板面之周緣部按壓並固持於框架。其次，使基板就每一載架旋轉為於鉛直方向立起之狀態。
或，水平地搬送而來之基板係由具備吸盤等之多關節機器人臂拾取。其次，使玻璃基板旋轉為於鉛直方向立起之狀態，將玻璃基板立靠於載架之框架。而且，於多關節機器人臂解除玻璃基板之吸附時，玻璃基板藉由自體重量而下沉至玻璃基板之底邊與框架下端之承接部相接之位置。之後，玻璃基板藉由安裝於框架之夾具等，將基板面之周緣部按壓並固持於框架。
如此，以保持於載架且主面大致垂直地立起之狀態，基板被立式搬送。 有可能於如此般立起之基板、與保持基板之載架附著有微粒。若於附著有微粒之狀態下向真空腔室之內部搬入基板與載架，則於在基板之被處理面存在微粒之情形下，成膜等真空處理之性能有可能降低。而且，附著於基板或載架之微粒有可能於真空腔室之內部中之搬送時飛散而附著於其他部位。尤其是，若附著於載架之微粒之附著位置就此不變，則有時不對真空處理造成影響。然而，於微粒之附著位置向基板之被處理面變化時，真空處理之性能降低。
因而，於本發明之一態樣中，可藉由自噴出噴嘴吹拂之空氣，將附著於載架或基板之微粒分離。進而，自吸引噴嘴吸引有可能包含該微粒之空氣。藉此，可防止微粒對於載架或基板之再附著。即，可去除並減少附著於載架或基板之微粒。此外，於本說明書中，「載架或基板」之記載包含載架或基板一者、與載架及基板兩者。
此處，於本發明之一態樣中，較佳為在搬入真空腔室之前、即在真空腔室之門閥等密閉機構之外側，去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制真空處理之性能之降低。
進而，較佳為當在真空處理後自真空腔室搬出載架及基板後、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制後續處理之基板之真空處理之性能之降低。
(2)本發明之一態樣之基板處理裝置係如上述(1)者，其中 前述微粒去除機構可去除搬入前述真空腔室或自前述真空腔室搬出之前述載架及前述基板之微粒。
藉此，可於搬入真空腔室之前、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制真空處理之性能之降低。 又，較佳為當在真空處理後自真空腔室搬出基板及載架後、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制後續處理之基板之真空處理之性能之降低。
(3)本發明之一態樣之基板處理裝置係如上述(1)或(2)者，其中 前述微粒去除機構可配置於較前述真空腔室之密閉機構靠外部，且 與前述密閉機構之開閉動作連動地被驅動。
藉此，可於搬入真空腔室之前、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，去除微粒。而且，於藉由微粒去除機構之驅動進行之微粒去除時，同步將密閉機構閉塞。藉此，離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制真空處理之性能之降低。 又，較佳為當在真空處理後自真空腔室搬出基板及載架後、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，去除微粒。而且，於藉由微粒去除機構之驅動進行之微粒去除時，同步將密閉機構閉塞。藉此，離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制後續處理之基板之真空處理之性能之降低。
(4)本發明之一態樣之基板處理裝置係如上述(1)至(3)中任一項者，其中 前述微粒去除機構可具有靜電消除機構。
藉此，當於真空腔室之門閥等密閉機構之外側去除微粒時，可提高微粒去除效率。因此，可進一步抑制真空處理之性能之降低。 此處，作為靜電消除機構，可進行藉由離子發生器進行之靜電消除、藉由離子發生器進行之使用來自噴出噴嘴之空氣之靜電消除、及藉由微波照射進行之靜電消除等。藉此，靜電消除機構可亦包含中和微粒主電荷、或利用由超音波等形成之衝擊來提高微粒去除效果。
(5)本發明之一態樣之基板處理方法 係於真空腔室之內部對保持於載架之基板施以真空處理者，且包含： 真空處理步驟，其於前述真空腔室之內部對保持於前述載架之前述基板施以真空處理； 搬送步驟，其藉由立式搬送機構使前述基板及前述載架立起而搬送；及 微粒去除步驟，其藉由微粒去除機構去除附著於前述載架及前述基板之微粒；且 前述微粒去除步驟， 向由前述立式搬送機構搬送之前述載架及前述基板自噴出噴嘴噴出空氣；且 藉由吸引噴嘴吸引噴出至前述載架及前述基板之空氣。
藉此，於本發明之一態樣中，對以保持於載架且主面大致垂直地立起之狀態被立式搬送之基板施以微粒去除步驟。於微粒去除步驟中，可藉由自噴出噴嘴吹拂至基板之空氣，將附著於載架或基板之微粒分離。進而，自吸引噴嘴吸引有可能包含該微粒之空氣。藉此，可防止微粒對於載架或基板之再附著。即，可去除並減少附著於載架或基板之微粒。
此處，較佳為於進行真空腔室中之真空處理步驟之前、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，進行微粒去除步驟，而去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制真空處理步驟中之性能之降低。
進而，較佳為於進行真空腔室中之真空處理步驟後、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，進行微粒去除步驟，而去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制後續處理之基板之真空處理步驟之性能之降低。
(6)本發明之一態樣之基板處理方法係如上述(5)者，其中 前述微粒去除步驟， 可去除在前述搬送步驟中搬入前述真空腔室或自前述真空腔室搬出之前述載架及前述基板之微粒。
藉此，可於進行真空腔室中之真空處理步驟之前、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，進行微粒去除步驟，而去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制真空處理步驟中之性能之降低。
進而，可於進行真空腔室中之真空處理步驟後、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，進行微粒去除步驟，而去除微粒。而且，於去除時離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制後續處理之基板之真空處理步驟之性能之降低。
(7)本發明之一態樣之基板處理方法係如上述(5)或(6)者，其中 於前述微粒去除步驟中，可在較前述真空腔室之密閉機構靠外部，與前述密閉機構之開閉動作連動地驅動前述微粒去除機構。
藉此，可於進行真空腔室中之真空處理步驟之前、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，進行微粒去除步驟，而去除微粒。而且，於藉由微粒去除機構之驅動進行之微粒去除時，同步將搬送步驟中之密閉機構閉塞。藉此，離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制真空處理之性能之降低。 又，可當在真空處理後進行真空腔室中之真空處理步驟後、即於真空腔室之門閥等密閉機構之外側，進行微粒去除步驟，而去除微粒。而且，於藉由微粒去除機構之驅動進行之微粒去除時，同步將搬送步驟中之密閉機構閉塞。藉此，離開載架或基板之微粒不會再附著於真空腔室之內部。因而，相較於在真空腔室內部進行微粒去除之情形，可抑制後續處理之基板之真空處理之性能之降低。
(8)本發明之一態樣之基板處理方法係如上述(5)至(7)中任一項者，其中 於前述微粒去除步驟中，可藉由靜電消除機構進行靜電消除。
藉此，於微粒去除步驟中，當併用靜電消除步驟，於真空腔室之門閥等密閉機構之外側去除微粒時，可提高微粒去除效率。因此，可進一步抑制真空處理之性能之降低。
前述噴出噴嘴之噴出方向可朝向前述基板之被處理面，對於前述基板之搬送方向具有特定角度。 前述噴出噴嘴之噴出方向係於前述基板之搬送方向上朝向前述吸收噴嘴之方向。
前述噴出噴嘴之噴出方向可朝向前述基板之被處理面，對於前述基板之被處理面之法線方向具有特定角度。 前述噴出噴嘴之噴出方向可與前述真空腔室之前述密閉機構為逆向且具有特定角度。
可對於前述吸收噴嘴，於在前述基板之搬送方向上與前述噴出噴嘴及前述真空腔室之前述密閉機構為逆向之位置配置第2噴出噴嘴。
前述第2噴出噴嘴之噴出方向係於前述基板之搬送方向上朝向前述吸收噴嘴之方向。
前述噴出噴嘴可對於與前述基板之搬送方向正交之方向排列配置特定數。該情形下，複數個前述噴出噴嘴之噴出方向均可大致平行地設定。
前述噴出噴嘴與前述吸引噴嘴之組可沿前述基板之搬送方向配置單數組或複數組。
前述噴出噴嘴與前述吸引噴嘴之組可配置於為前述基板之正反兩面之搬送位置之兩側。 或，前述噴出噴嘴與前述吸引噴嘴之組可配置於與前述基板之被處理面即正面對應之搬送位置之單側。
複數個前述噴出噴嘴設定為於上下方向上，下部側之配置密度高於上部側。伴隨於此，吸收噴嘴之空氣吸收能力設定為於下部側高於上部側。
複數個前述噴出噴嘴及吸收噴嘴配置為沿載架及基板之面於上下方向在與其全面相同、或較其為長之區域內可進行空氣噴出及空氣吸收。
複數個前述噴出噴嘴及吸收噴嘴亦可設定為就向載架之噴出及向基板之噴出，使空氣噴出量、空氣壓力、及空氣噴出速度等不同。又，於各個噴出噴嘴中，亦可設定為噴出方向根據基板之搬送位置而變化。
於各個噴出噴嘴中，亦可設定為根據基板之搬送位置而將空氣噴出量、空氣壓力、及空氣噴出速度等進行變化。 進而，當相應於經過真空處理步驟而附著量變大時，可進行將空氣噴出量、空氣壓力、及空氣噴出速度等增大等設定。
藉由噴出噴嘴進行之空氣噴出可於搬送步驟中對應於基板位於特定區域之期間進行。進而，於藉由噴出噴嘴進行之空氣噴出可於搬送步驟中對應於真空腔室之密閉機構為關閉狀態之期間進行。
又，藉由吸引噴嘴進行之空氣吸引動作可於搬送步驟之全時斷續、或連續地進行。 藉由靜電消除機構進行之靜電消除可設定為與自噴出噴嘴之空氣噴出同步地、或對應於空氣噴出而進行。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，可發揮可提供一種於真空處理中可削減附著於基板之被處理面之微粒，提高真空處理之處理特性之基板處理裝置及基板處理方法之效果。
以下，基於圖式說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置及基板處理方法。 圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置之立體圖。圖2係顯示本實施形態之基板處理裝置之基板及載架之移動之示意圖。於圖中，符號100係基板處理裝置。
本實施形態之基板處理裝置100設為可對於玻璃基板(基板)S進行往復式之真空處理之裝置。作為真空處理，除了進行產生電漿之電漿處理、例如濺射處理、成膜處理以外，亦可進行洗淨處理、氧化處理等表面處理。
本實施形態之基板處理裝置100如圖1、圖2所示般具有：裝載、卸載室101、預備加熱室102、複數個成膜室(真空處理室、濺射腔室)103～105、立式搬送機構110、及微粒去除機構120。該等裝載、卸載室101、預備加熱室102、及複數個成膜室(真空處理室、成膜部)103～105構成真空腔室。
於裝載、卸載室101，如圖1、圖2所示設置搬送機構111、檢測機構101a、及排氣機構101b。 搬送機構111構成立式搬送機構110。搬送機構111將自基板處理裝置之外部搬入之玻璃基板S及載架10搬送至預備加熱室102。搬送機構111將自預備加熱室102搬入之玻璃基板S及載架10搬送至外部。
檢測機構101a設為可檢測裝載、卸載室101之內部之壓力及氣體組成、基板溫度、及後述之玻璃基板S及載架10之搬送位置之感測器。排氣機構101b設為將裝載、卸載室101之內部進行粗抽真空之旋轉泵等。裝載、卸載室101經由密閉機構101d連接於預備加熱室102。
裝載、卸載室101經由門閥等密閉機構101v1(101v)及密閉機構101v2(101v)可向外部開放、閉塞。密閉機構101v1(101v)於向裝載、卸載室101之搬入時被開閉。密閉機構101v2(101v)於自裝載、卸載室101主機搬出時被開閉。
於預備加熱室102，如圖1、圖2所示般設置搬送機構112、檢測機構102a、排氣機構102b、及溫度調節機構102c。 搬送機構112構成立式搬送機構110。搬送機構112將自裝載、卸載室101搬入之玻璃基板S及載架10搬送至第1成膜室103。搬送機構111將自第1成膜室103搬入之玻璃基板S及載架10搬送至裝載、卸載室101。
檢測機構102a設為可檢測預備加熱室102之內部之壓力及氣體組成、基板溫度、及後述之玻璃基板S及載架10之搬送位置之感測器。排氣機構102b設為將預備加熱室102之內部進行粗抽真空之旋轉泵等。預備加熱室102經由密閉機構102d連接於第1成膜室103。溫度調節機構102c例如設為加熱器，將向第1成膜室103搬送之玻璃基板S加熱至特定溫度。
於第1成膜室103設置有：搬送機構113、檢測機構103a、排氣機構103b、溫度調節機構103c、具有靶103t之陰極電極(支撐板)103ca、電源103p、及氣體導入機構103g。
搬送機構113構成立式搬送機構110。搬送機構113可維持自預備加熱室102搬送而來之玻璃基板S及載架10之姿勢。例如，搬送機構113可於在成膜中靶103t與玻璃基板S對向之位置處，維持(保持)玻璃基板S及載架10之姿勢。搬送機構113可將玻璃基板S搬出至第2成膜室104。又，搬送機構113可將玻璃基板S搬出至預備加熱室102。
檢測機構103a設為可檢測第1成膜室103之內部之壓力及氣體組成、基板溫度、及後述之玻璃基板S及載架10之搬送位置之感測器。靶103t包含具有為了將具有特定特性之層成膜於玻璃基板S而所需之組成之材料。電源103p對具有靶103t之陰極電極103ca施加特定電位之濺鍍電壓。
氣體導入機構103g向第1成膜室103之內部以特定流量分別導入成膜氣體、載架氣體等環境氣體。排氣機構103b係對第1成膜室103之內部進行高抽真空之渦輪分子泵、低溫阱等。溫度調節機構103c例如設為加熱器，將位於第1成膜室103之玻璃基板S加熱至特定溫度。
該等陰極電極103ca、電源103p、氣體導入機構103g、排氣機構103b具有用於供給至少將特定層成膜之材料之構成、或具有用於供給進行特定真空處理之氣體環境之構成。
作為一例，於進行氧化處理時，氣體導入機構103g可具備氣體激發機構。氣體激發機構將自氣體導入機構103g向第1成膜室103之內部供給之氣體激發，形成激發氧化氣體。此處，激發氧化氣體意指電漿、自由基、離子等之狀態。 第1成膜室103經由密閉機構103d連接於第2成膜室104。
於第2成膜室104設置有：搬送機構114、檢測機構104a、排氣機構104b、溫度調節機構104c、具有靶104t之陰極電極(支撐板)104ca、電源104p、及氣體導入機構104g。
搬送機構114構成立式搬送機構110。搬送機構114可維持自第1成膜室103搬送而來之玻璃基板S及載架10之姿勢。例如，搬送機構114可於在成膜中靶104t與玻璃基板S對向之位置處，維持(保持)玻璃基板S及載架10之姿勢。搬送機構114可將玻璃基板S搬出至第3成膜室105。又，搬送機構114可將玻璃基板S搬出至第1成膜室103。
檢測機構104a設為可檢測第2成膜室104之內部之壓力及氣體組成、基板溫度、及後述之玻璃基板S及載架10之搬送位置之感測器。靶104t包含具有為了將具有特定特性之層成膜於玻璃基板S而所需之組成之材料。電源104p對具有靶104t之陰極電極104ca施加特定電位之濺鍍電壓。
氣體導入機構104g向第2成膜室104之內部以特定流量分別導入成膜氣體、載架氣體等環境氣體。排氣機構104b係對第2成膜室104之內部進行高抽真空之渦輪分子泵、低溫阱等。溫度調節機構104c例如設為加熱器，將位於第2成膜室104之玻璃基板S加熱至特定溫度。
該等陰極電極104ca、電源104p、氣體導入機構104g、排氣機構104b例如具有用於供給將與在第1成膜室中成膜之層不同之組成之層成膜之材料之構成、或具有用於供給用於進行特定真空處理之氣體環境之構成。
作為一例，於進行氧化處理時，氣體導入機構104g可具備氣體激發機構。氣體激發機構將自氣體導入機構104g向第2成膜室104之內部供給之氣體激發，形成激發氧化氣體。此處，激發氧化氣體意指電漿、自由基、離子等之狀態。 第2成膜室104經由密閉機構104d連接於第3成膜室105。
於第3成膜室105設置有：搬送機構115、檢測機構105a、排氣機構105b、溫度調節機構105c、具有靶105t之陰極電極(支撐板)105ca、電源105p、及氣體導入機構105g。
搬送機構115構成立式搬送機構110。搬送機構115可維持自第2成膜室104搬送而來之玻璃基板S及載架10之姿勢。例如，搬送機構115可於在成膜中靶105t與玻璃基板S對向之位置處，維持(保持)玻璃基板S及載架10之姿勢。搬送機構115可將玻璃基板S搬出至第2成膜室104。
又，搬送機構115於將玻璃基板S與靶105t對向之狀態下，可使彼此對向之玻璃基板S與靶105t之對向距離變化。搬送機構115可將玻璃基板S自搬送去路向搬送迴路橫移。第3成膜室105構成為往復式之基板處理裝置100中之橫移室。
檢測機構105a設為可檢測第3成膜室105之內部之壓力及氣體組成、基板溫度、及後述之玻璃基板S及載架10之搬送位置之感測器。靶105t包含具有為了將具有特定特性之層成膜於玻璃基板S而所需之組成之材料。電源105p對具有靶105t之陰極電極105ca施加特定電位之濺鍍電壓。
氣體導入機構105g向第3成膜室105之內部以特定流量分別導入成膜氣體、載架氣體等環境氣體。排氣機構105b係對第3成膜室105之內部進行高抽真空之渦輪分子泵、低溫阱等。溫度調節機構105c例如設為加熱器，將位於第3成膜室105之玻璃基板S加熱至特定溫度。
該等陰極電極105ca、電源105p、氣體導入機構105g、排氣機構105b例如具有用於供給將與在第1成膜室103及第2成膜室104中成膜之層不同之組成之層成膜之材料之構成、或具有用於供給用於進行特定真空處理之氣體環境之構成。
作為一例，於進行氧化處理時，氣體導入機構105g可具備氣體激發機構。氣體激發機構將自氣體導入機構105g向第3成膜室105之內部供給之氣體激發，形成激發氧化氣體。此處，激發氧化氣體意指電漿、自由基、離子等之狀態。
圖3係顯示在本實施形態之基板處理裝置中搬送之基板及載架之分解立體圖。 立式搬送機構110可以玻璃基板S之主面垂直地立起之狀態進行立式搬送。立式搬送機構110可以利用載架10支持玻璃基板S之狀態進行立式搬送。
載架10當對基板、例如玻璃基板S施以成膜等時，於被稱為載架10之框體載置玻璃基板S，對載架10藉由後述之輸送機來搬送、且適宜進行處理。此外，作為玻璃基板S，亦可應用一邊為3000 mm以上之薄壁玻璃基板或樹脂基板等。
載架10例如於構成立式搬送類型之基板處理裝置100之複數個真空腔室101～105、及進行大氣壓環境下之搬送之大氣搬送輸送機等之間循環搬送。此時，載架10於大致沿上邊及下邊之水平方向搬送。
載架10例如被用於載架循環型之在線濺射裝置。又，載架10亦可應用於往復式濺射裝置。又，載架10亦可應用於立式單片裝置(固定成膜裝置)。
載架10構成為可以立式配置之狀態保持玻璃基板S。亦即，載架10以玻璃基板S之一面(主面)沿著大致鉛直方向之方式，將玻璃基板S保持為大致垂直。載架10如圖3所示般具備：包含鋁等之矩形框狀之載架框架10a、及在與載架框架10a之間夾著玻璃基板S而保持之矩形框狀之基板支承框架10b。
於載架框架10a及基板支承框架10b，保持基板之未圖示之基板導引件與夾具可沿載架框架10a之矩形輪廓設置複數個。又，於載架框架10a之上邊及下邊，具有沿該輪廓可搬送載架10之滑件及磁性體等姿勢控制機構。
立式搬送機構110如圖1、圖2所示般，除了於真空腔室101～105之內部具備之各搬送機構111～115以外，亦具有配置於真空腔室101～105之外部之搬送機構117。立式搬送機構110於構成立式搬送類型之基板處理裝置100之複數個真空腔室101～105、及進行大氣壓環境下之搬送之搬送機構117及大氣搬送輸送機等之間循環搬送載架10。
搬送機構117配置於位於裝載、卸載室101之密閉機構101v之外側之縱橫姿勢變位部107。 搬送機構117具有支持部117a，該支持部117a載置以主面為大致水平之方式被水平搬送而來之玻璃基板S。支持部117a繞水平之旋轉軸117b可旋轉地受支持。支持部117a藉由繞旋轉軸117b旋轉，而可於玻璃基板S之主面為水平之水平姿勢、與玻璃基板S之主面立起之立式搬送姿勢之間切換玻璃基板S之姿勢。
於縱橫姿勢變位部107中，搬送機構117將以主面為大致水平之方式被水平搬送而來之玻璃基板S載置於支持部117a。搬送機構117藉由繞水平之旋轉軸117b使支持部117a旋轉，以將玻璃基板S之姿勢成為用於向裝載、卸載室101搬入之搬入姿勢，而可將玻璃基板S立起。此時，支持部117a亦可將載架10旋轉。
搬送機構117以可將立起為用於向裝載、卸載室101搬入之搬入姿勢之玻璃基板S及載架10搬入裝載、卸載室101之方式，可於裝載、卸載室101之內部與密閉機構101v1(101v)之外側連續搬送。
同樣，搬送機構117可使立起為自裝載、卸載室101之搬出之姿勢即搬出姿勢之玻璃基板S與支持部117a一起繞旋轉軸117b旋轉。搬送機構117將玻璃基板S及載架10設為主面大致水平之姿勢，以可水平搬送。
搬送機構117可將立起為自裝載、卸載室101之搬出姿勢之玻璃基板S及載架10自裝載、卸載室101搬出至外部。進而，搬送機構117可於裝載、卸載室101之內部與密閉機構101v2(101v)之外側連續搬送玻璃基板S及載架10。
進而，搬送機構117於自裝載、卸載室101搬出至外部後，將為水平搬送姿勢之玻璃基板S以可水平搬送之方式與支持部117a分開並交接至水平搬送機構。
圖4係顯示本實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之俯視示意圖。圖5係顯示本實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之側視示意圖。微粒去除機構120藉由送風可去除附著於玻璃基板S及載架10表面之微粒。
微粒去除機構120如圖1、圖2、圖4、圖5所示般配置於裝載、卸載室101與縱橫姿勢變位部107之邊界位置。微粒去除機構120與搬送機構117鄰接地配置。 具體而言，於密閉機構101v1(101v)之外側配置微粒去除機構120A，於密閉機構101v2(101v)之外側配置微粒去除機構120B。微粒去除機構120A與微粒去除機構120B設為大致相同之構成。
微粒去除機構120具有複數個噴出噴嘴121、及吸引噴嘴122。
噴出噴嘴121向由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S噴出空氣。噴出噴嘴121連接於空氣供給部123。噴出噴嘴121可向玻璃基板S之主面噴出自空氣供給部123供給之空氣。
噴出噴嘴121之噴出方向對於玻璃基板S之主面具有特定角度。例如，噴出噴嘴121之噴出方向對於玻璃基板S之主面之法線具有特定角度θ。噴出噴嘴121之噴出方向可設為大致水平方向。噴出噴嘴121之噴出方向可設為較大致水平方向朝上方傾斜之方向。噴出噴嘴121之噴出方向可設為較大致水平方向朝下方傾斜之方向。
噴出噴嘴121之噴出方向可設定為於朝向玻璃基板S之主面後，可藉由吸引噴嘴122吸引噴出空氣之範圍。 噴出噴嘴121之噴出方向可設為與朝向裝載、卸載室101之方向為逆向。噴出噴嘴121之噴出方向可設為離開密閉機構101v之方向。
複數個噴出噴嘴121配置於與由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之搬送方向正交之上下方向。複數個噴出噴嘴121之噴出方向可均平行地設定。或，複數個噴出噴嘴121之噴出方向可設定為具有互不平行之配置。複數個噴出噴嘴121之空氣噴出量可設為定於上下方向為均等。複數個噴出噴嘴121之空氣噴出量可設定為於上下方向具有非為均等之部分。
複數個噴出噴嘴121之上下方向之配置範圍可設為包含從由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之上端至下端而可噴射之範圍。複數個噴出噴嘴121之上下方向之配置範圍可露出於較由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之上端靠上方。同樣，複數個噴出噴嘴121之上下方向之配置範圍可設為露出於較載架10及玻璃基板S之下端靠下方而可噴射之範圍。以下，有時將複數個噴出噴嘴121之上下方向之配置範圍稱為噴出噴嘴配置範圍。
於上下方向上複數個噴出噴嘴121可均等地配置。於上下方向上複數個噴出噴嘴121可具有非為均等之配置。例如，接近由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之下端之噴出噴嘴配置範圍相較於接近上端之噴出噴嘴配置範圍，可將上下方向每單位長度之噴出噴嘴121之配置個數設定為更多。
吸引噴嘴122可吸引噴出至載架10及玻璃基板之空氣。吸引噴嘴122連接於空氣吸引部124。 吸引噴嘴122沿上下方向延伸。吸引噴嘴122可以於上下方向具有複數個部分之方式分割。吸引噴嘴122具有可吸引噴出至載架10及玻璃基板之空氣之寬度方向之尺寸、沿玻璃基板S之移動方向之特定尺寸。
吸引噴嘴122相對於複數個噴出噴嘴121，配置於沿由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之移動方向分開之位置。吸引噴嘴122配置於在玻璃基板S之移動方向較噴出噴嘴121更遠離裝載、卸載室101之位置。
吸引噴嘴122之吸引量設定為可吸引全部自複數個噴出噴嘴121噴出之空氣。或，吸引噴嘴122之吸引量設定為可進行較自複數個噴出噴嘴121噴出之空氣量為多之吸引。
吸引噴嘴122之上下方向之配置範圍可設為包含從由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之上端至下端而可吸引之範圍。吸引噴嘴122之上下方向之配置範圍可露出於較由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之上端靠上方。同樣，吸引噴嘴122之上下方向之配置範圍可設為露出於較載架10及玻璃基板S之下端靠下方而可吸引之範圍。以下，有時將複數個吸引噴嘴122之上下方向之配置範圍稱為吸引噴嘴配置範圍。吸引噴嘴配置範圍可設為露出於較載架10及玻璃基板S之下更靠下方而可自搬送機構117附近吸引之範圍。
於上下方向上，吸引噴嘴122可配置為可進行均等之吸引。於上下方向上，吸引噴嘴122可具有可進行非為均等之吸引之配置。例如，接近由立式搬送機構11搬送之載架10及玻璃基板S之下端之吸引噴嘴配置範圍相較於接近上端之吸引噴嘴配置範圍，可增多吸引噴嘴122之每單位長度之吸引量而設定。該情形下，接近玻璃基板S之下端之吸引噴嘴配置範圍相較於接近上端之吸引噴嘴配置範圍，可增大吸引噴嘴122之沿玻璃基板S之移動方向之尺寸。
此外，吸引噴嘴122不僅配置於由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之搬送之位置之附近之區域，如有必要，亦可配置於其以外之部位。例如，可設為可吸引藉由自噴出噴嘴121之送風而離開載架10及玻璃基板S之微粒以使其不會進一步飛散之配置。
空氣供給部123與空氣吸引部124連接於控制部125。控制部125又連接於搬送機構117、密閉機構101v之驅動部101vp、檢測機構101a～105a。 控制部125可同步控制空氣供給部123、空氣吸引部124、搬送機構117、密閉機構101v之驅動部101vp、檢測機構101a～105a。
以下，說明本實施形態之基板處理裝置100之微粒去除機構120之動作及與其他構成之同步。
圖6係顯示本實施形態之基板處理方法之流程圖。 本實施形態之基板處理裝置100之基板處理方法如圖6所示般具有：載架準備步驟S001、基板水平搬送步驟S002、基板裝載步驟S003、載架旋轉立起步驟S004、吸引開始步驟S005、送風開始步驟S006、門閥打開步驟S007、載架搬入開始步驟S008、載架搬入完成步驟S009、門閥關閉步驟S010、送風停止步驟S011、及吸引停止步驟S012。
於本實施形態之基板處理方法中，首先，作為圖6所示之載架準備步驟S001，於搬送機構117中，將載架10設置於支持部117a。此時，支持部117a及載架10設為主面繞旋轉軸107b為大致水平之水平位置。
其次，如圖6所示，作為基板水平搬送步驟S002，自外部將結束特定前處理之玻璃基板S搬送至縱橫姿勢變位部107。此時，玻璃基板S藉由進行大氣壓環境之搬送之大氣搬送輸送機，進行主面大致水平之水平搬送。
其次，作為圖6所示之基板裝載步驟S003，於在載架準備步驟S001中設置於水平位置之載架10裝載玻璃基板S。此時，例如，藉由機器人臂(省略圖示)吸附保持玻璃基板S並載置於載架10。藉此，於載架框架10a與基板支承框架10b之間夾著玻璃基板S而保持，玻璃基板S為裝載狀態。此時，亦可進行載架10與玻璃基板S之對準。
其次，作為圖6所示之載架旋轉立起步驟S004，驅動搬送機構117，將支持部107a繞旋轉軸107b旋轉，使保持著支持部107a及玻璃基板S之載架10立起。此時，玻璃基板S之主面設為沿大致鉛直方向之姿勢。
其次，作為圖6所示之吸引開始步驟S005，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣吸引部124作動，開始大氣壓環境下之自吸引噴嘴122之空氣吸引。此時，玻璃基板S及載架10無須位於吸引噴嘴122之附近之吸引範圍，但玻璃基板S及載架10亦可位於吸引噴嘴122之附近。
其次，作為圖6所示之送風開始步驟S006，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣供給部123作動，開始大氣壓環境下之自噴出噴嘴121之送風。此時，玻璃基板S及載架10無須位於噴出噴嘴121之附近之噴出範圍，但玻璃基板S及載架10亦可位於噴出噴嘴121之附近。又，自噴出噴嘴121之送風係由吸引噴嘴122吸引。
其次，作為圖6所示之門閥打開步驟S007，首先，藉由排氣機構101b等，將裝載、卸載室101之內部設為大氣壓，可將密閉機構101v1(101v)開閉。 其次，以來自控制部125之信號驅動驅動部101vp，將搬入側之密閉機構101v1(101v)設為打開狀態。此時，自噴出噴嘴121之送風向與密閉機構101v1打開之裝載、卸載室101之內部為反向噴出。與送風之噴出同時地，自噴出噴嘴121之送風係由吸引噴嘴122吸引。因而，不會侵入裝載、卸載室101之內部。
其次，作為圖6所示之載架搬入開始步驟S008，以來自控制部125之信號驅動立式搬送機構110，可向打開狀態之密閉機構101v1開始搬送玻璃基板S及載架10。如是，玻璃基板S及載架10將微粒去除機構120之接近位置向搬送方向移動。此時，玻璃基板S及載架10沿玻璃基板S之主面移動。於微粒去除機構120中，藉由自噴出噴嘴121之送風，在該送風之噴出範圍內，附著於玻璃基板S及載架10之微粒被吹散，而自玻璃基板S及載架10去除。包含微粒之空氣係由吸引噴嘴122吸引。藉此，微粒不會飛散至玻璃基板S之周邊。
根據相對於微粒去除機構120之玻璃基板S及載架10之搬送位置，自排列於上下方向之噴出噴嘴121之送風之噴出區域於水平方向掃描玻璃基板S及載架10。因此，玻璃基板S及載架10通過接近微粒去除機構120之橫向位置，玻璃基板S及載架10脫離自噴出噴嘴121之送風之噴出區域。藉此，於玻璃基板S及載架10之整體及全面完成微粒去除。
其次，作為圖6所示之載架搬入完成步驟S009，將玻璃基板S及載架10之整體搬送至收納於裝載、卸載室101之內部之狀態。於檢測機構101a檢測到玻璃基板S及載架10於裝載、卸載室101之內部到達特定位置時，檢測機構101a將檢測信號輸出至控制部125。
其次，作為圖6所示之門閥關閉步驟S010，輸入檢測機構101a之信號之控制部125將驅動信號輸出至驅動部101vp。藉由該信號驅動驅動部101vp，將搬入側之密閉機構101v1(101v)設為關閉狀態。此時，自噴出噴嘴121之送風及自吸引噴嘴122之空氣吸引動作均持續。
其次，作為圖6所示之送風停止步驟S011，於確認到密閉機構101v1(101v)之閉塞完成時，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣供給部123之作動停止。進而，停止大氣壓環境下之自噴出噴嘴121之送風。
其次，作為圖6所示之吸引停止步驟S012，於確認到送風之停止時，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣吸引部124之作動停止，停止大氣壓環境下之自吸引噴嘴122之空氣吸引。
藉此，結束搬入時之微粒去除步驟。
繼而，於真空腔室內，在確認到密閉機構101v1(101v)之閉塞完成時，藉由排氣機構101b將裝載、卸載室101內部抽真空。 其次，控制部125驅動搬送機構111、112，將玻璃基板S及載架10自裝載、卸載室101搬送至預備加熱室102。此時，將密閉機構101d開閉。
於預備加熱室102中，藉由加熱器等溫度調節機構102c將玻璃基板S加熱。於檢測機構102a檢測到將玻璃基板S加熱至特定溫度時，控制部125驅動搬送機構112、113，將玻璃基板S及載架10自預備加熱室102搬送至第1成膜室103。此時，將密閉機構102d開閉。
於第1成膜室103中，進行特定真空處理。例如，設為藉由產生電漿之濺射進行之成膜處理。此時，藉由排氣機構103b將第1成膜室103排氣，且自氣體導入機構103g供給特定環境氣體。檢測機構103a檢測第1成膜室103之內部之壓力及氣體組成、基板溫度、及玻璃基板S及載架10之搬送位置。 又，自電源103p對支撐板(陰極電極)103ca施加濺鍍電壓。又，可藉由磁控管磁路於靶103t上形成特定磁場。
於第1成膜室103內藉由電漿激發之濺鍍氣體之離子衝撞陰極電極103ca之靶103t，使成膜材料之粒子飛出。而後，藉由飛出之粒子與反應氣體在結合後附著於玻璃基板S，而於玻璃基板S之表面成膜特定層。
於第2成膜室104及第3成膜室105中進行之真空處理亦與第1成膜室103中之真空處理同樣地進行。此外，於在第1成膜室103、第2成膜室104及第3成膜室105之間搬送玻璃基板S及載架10時，驅動搬送機構113～115，且將密閉機構103d、104d開閉。
於第3成膜室105中，搬送機構115構成為橫移機構。搬送機構115於將玻璃基板S與靶105t對向之狀態下，使彼此對向之玻璃基板S與靶105t之對向距離變化。搬送機構115將玻璃基板S自搬送去路向搬送迴路橫移。 此外，於第1成膜室103～第3成膜室105中，可在搬送機構115之搬送去路、搬送迴路及橫移搬送路之任一位置進行對於玻璃基板S之真空處理。
於基板處理裝置100之成膜等真空處理完成時，驅動立式搬送機構110，將玻璃基板S及載架10搬送至裝載、卸載室101。
圖7係顯示本實施形態之基板處理方法之流程圖。 本實施形態之基板處理裝置100之基板處理方法如圖7所示般具有：吸引開始步驟S101、送風開始步驟S102、門閥打開步驟S103、載架搬出開始步驟S104、載架搬出完成步驟S105、門閥關閉步驟S106、送風停止步驟S107、吸引停止步驟S108、載架旋轉倒置步驟S109、基板卸載步驟S110、及基板水平搬送步驟S111。
於本實施形態之基板處理方法中，作為圖7所示之吸引開始步驟S101，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣吸引部124作動，開始大氣壓環境下之自吸引噴嘴122之空氣吸引。此時，玻璃基板S及載架10可位於裝載、卸載室101之內部。
其次，作為圖7所示之送風開始步驟S102，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣供給部123作動，開始大氣壓環境下之自噴出噴嘴121之送風。此時，玻璃基板S及載架10可位於裝載、卸載室101之內部。又，自噴出噴嘴121之送風係由吸引噴嘴122吸引。
其次，作為圖7所示之門閥打開步驟S103首先，藉由排氣機構101b等，將裝載、卸載室101之內部設為大氣壓，可將密閉機構101v2(101v)開閉。 其次，以來自控制部125之信號驅動驅動部101vp，將搬出側之密閉機構101v1(101v)設為打開狀態。此時，自噴出噴嘴121之送風向與密閉機構101v1打開之裝載、卸載室101之內部為反向噴出。同時，自噴出噴嘴121之送風係由吸引噴嘴122吸引。因而，不會侵入裝載、卸載室101之內部。
其次，作為圖7所示之載架搬出開始步驟S104，以來自控制部125之信號驅動立式搬送機構110，可自裝載、卸載室101之內部向打開狀態之密閉機構101v1搬送玻璃基板S及載架10。如是，玻璃基板S及載架10於密閉機構101v1之外側將微粒去除機構120之接近位置向搬送方向移動。此時，玻璃基板S及載架10沿玻璃基板S之主面移動。於微粒去除機構120中，藉由自噴出噴嘴121之送風，在該送風之噴出範圍內，附著於玻璃基板S及載架10之微粒被吹散，而自玻璃基板S及載架10去除。包含微粒之空氣係由吸引噴嘴122吸引。藉此，微粒不會飛散至玻璃基板S之周邊。
根據相對於微粒去除機構120之玻璃基板S及載架10之搬送位置，自排列於上下方向之噴出噴嘴121之送風之噴出區域於水平方向掃描玻璃基板S及載架10。因此，玻璃基板S及載架10通過接近微粒去除機構120之橫向位置，玻璃基板S及載架10脫離自噴出噴嘴121之送風之噴出區域。藉此，於玻璃基板S及載架10之整體及全面完成微粒去除。 藉此，可自玻璃基板S及載架10去除於成膜步驟等中附著之微粒。
其次，作為圖7所示之載架搬出完成步驟S105，驅動立式搬送機構110，將玻璃基板S及載架10之整體自裝載、卸載室101搬送至收納於外部之縱橫姿勢變位部107之狀態。搬送機構117於玻璃基板S及載架10利用縱橫姿勢變位部107到達特定位置時，搬送機構117將完成搬送之信號輸出至控制部125。
其次，作為圖7所示之門閥關閉步驟S106，輸入搬送機構117之信號之控制部125將驅動信號輸出至驅動部117vp。藉由該信號驅動驅動部101vp，將搬出側之密閉機構101v2(101v)設為關閉狀態。此時，自噴出噴嘴121之送風及自吸引噴嘴122之空氣吸引動作均持續。
其次，作為圖7所示之送風停止步驟S107，於確認到密閉機構101v2(101v)之閉塞完成時，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣供給部123之作動停止。進而，停止大氣壓環境下之自噴出噴嘴121之送風。
其次，作為圖7所示之吸引停止步驟S018，於確認到送風之停止時，以來自控制部125之信號使微粒去除機構120之空氣吸引部124之作動停止，停止大氣壓環境下之自吸引噴嘴122之空氣吸引。
其次，作為圖7所示之載架旋轉倒置步驟S109，驅動搬送機構117，繞旋轉軸107b將支持部107a旋轉，使保持著支持部107a及玻璃基板S之載架10倒置至水平位置。此時，玻璃基板S之主面設為沿大致水平方向之姿勢。
其次，作為圖7所示之基板卸載步驟S110，自於載架旋轉倒置步驟S109中設置於水平位置之載架10卸載玻璃基板S。此時，於使載架框架10a與基板支承框架10b分開後，例如，藉由利用機器人臂(省略圖示)吸附保持玻璃基板S並自載架10分離，而設為卸載狀態。
其次，作為圖7所示之基板水平搬送步驟S111，將結束成膜等真空處理之玻璃基板S自縱橫姿勢變位部107搬送至外部。此時，玻璃基板S藉由進行大氣壓環境之搬送之大氣搬送輸送機，進行主面大致水平之水平搬送。
根據上述，結束基板處理裝置100中之真空處理。
於本實施形態之基板處理裝置100中，藉由微粒去除機構120，可自玻璃基板S及載架10之表面去除微粒。此處，原本，僅憑藉藉由設置於基板處理裝置100之立式搬送機構110來搬送玻璃基板S及載架10，便可於玻璃基板S及載架10之整體上，掃描藉由微粒去除機構120進行之送風。
藉此，可於成膜等真空處理前，在去除附著於玻璃基板S及載架10之微粒之狀態下搬入真空腔室101～105。或，可於成膜等真空處理中，在去除附著於玻璃基板S及載架10之微粒之狀態下，自真空腔室101搬出玻璃基板S及載架10。因此，可降低後步驟之微粒之影響，防止已使用真空處理之玻璃基板S中之製造特性之降低，提高製造效率。
以下，基於圖式，說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置、基板處理方法。 圖8係顯示本實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之俯視示意圖。本實施形態就與第2噴出噴嘴相關之點，與上述之第1實施形態不同。於本實施形態中，對第2噴出噴嘴以外之與上述之第1實施形態對應之構成賦予同一符號，且省略其說明。此外，於圖8中省略基板處理裝置之構成之一部分。
本實施形態之微粒去除機構120如圖8所示般具有第2噴出噴嘴121a。第2噴出噴嘴121a連接於第2空氣供給部123a。此外，可將第2空氣供給部123a與空氣供給部123設為共通，第2噴出噴嘴121a連接於空氣供給部123。
第2噴出噴嘴121a相對於吸引噴嘴122，設置於相對於水平方向即搬送方向與噴出噴嘴121為相反側。複數個第2噴出噴嘴121a與噴出噴嘴121同樣地配置於上下方向。第2噴出噴嘴121a之噴出方向設為朝向吸引噴嘴122、且朝向玻璃基板S之主面之方向。
第2噴出噴嘴121a之噴出方向與噴出噴嘴121同樣地對於玻璃基板S之主面具有特定角度。例如，第2噴出噴嘴121a之噴出方向相對於玻璃基板S之主面之法線具有特定角度θ。第2噴出噴嘴121a之噴出方向可設為大致水平方向。第2噴出噴嘴121a之噴出方向可設為較大致水平方向朝上方傾斜之方向。第2噴出噴嘴121a之噴出方向可設為較大致水平方向朝下方傾斜之方向。
複數個第2噴出噴嘴121a之噴出方向可與噴出噴嘴121同樣地均平行地設定。或，複數個第2噴出噴嘴121a之噴出方向可設定為具有互不平行之配置。複數個第2噴出噴嘴121a之空氣噴出量可設為定於上下方向為均等。複數個第2噴出噴嘴121a之空氣噴出量可設定為於上下方向具有非為均等之部分。
複數個第2噴出噴嘴121a之上下方向之配置範圍可與噴出噴嘴121同樣地設為包含從由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之上端至下端而可噴射之範圍。複數個第2噴出噴嘴121a之上下方向之配置範圍可露出於較由立式搬送機構110搬送之載架10及玻璃基板S之上端靠上方。同樣，複數個第2噴出噴嘴121a之上下方向之配置範圍可設為露出於較載架10及玻璃基板S之下端靠下方而可噴射之範圍。以下，有時將複數個第2噴出噴嘴121a之上下方向之配置範圍稱為噴出噴嘴配置範圍。
於上下方向上，複數個第2噴出噴嘴121a可與噴出噴嘴121同樣地均等配置。於上下方向上，第2噴出噴嘴121a可具有非為均等之配置。例如，接近由立式搬送機構11搬送之載架10及玻璃基板S之下端之噴出噴嘴配置範圍相較於接近上端之噴出噴嘴配置範圍，可增多上下方向每單位長度之第2噴出噴嘴121a之配置個數而設定。
本實施形態之微粒去除機構120可將自第2噴出噴嘴121a噴出之送風設為氣幕。藉此，即便在自噴出噴嘴121噴出之送風於搬送方向越過吸引噴嘴122之情形下，以可在較吸引噴嘴122於搬送方向更靠與噴出噴嘴121為相反側之位置處遮斷。藉此，可將自噴出噴嘴121噴出之送風確實地吸引至吸引噴嘴122。
以下，基於圖式，說明本發明之第3實施形態之基板處理裝置、基板處理方法。 圖9係顯示本實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之俯視示意圖。本實施形態就與靜電消除機構相關之點與上述之第1及第2實施形態不同。於本實施形態中，對靜電消除機構以外之與上述之第1及第2實施形態對應之構成賦予同一符號，且省略其說明。此外，於圖9中省略基板處理裝置之構成之一部分。
於本實施形態之微粒去除機構120中，如圖9所示般具備靜電消除機構130。 靜電消除機構130可亦包含藉由中和微粒之電荷而提高微粒去除效果。靜電消除機構130可進行藉由離子發生器進行之靜電消除、藉由離子發生器進行之使用來自噴出噴嘴121之空氣之靜電消除、及藉由微波照射進行之靜電消除等。藉此，靜電消除機構130可設為中和微粒之電荷之構成、或中和載架10及玻璃基板S之至少一者之電荷之構成。
本實施形態之微粒去除機構120可藉由靜電消除機構130而提高附著於去除玻璃基板S及載架10之微粒之去除效果。
又，可除了靜電消除機構130以外、或取代靜電消除機構130，向玻璃基板S及載架10照射超音波，提高微粒之去除效果。
進而，於本發明之實施形態中，在上述之各實施形態中，可任意選擇各個構成並分別組合而實施。
10:載架 10a:載架框架 10b:基板支承框架 100:基板處理裝置 101:裝載、卸載室(真空腔室) 101a, 102a, 103a, 104a, 105a:檢測機構 101b, 102b, 103b, 104b, 105b:排氣機構 101d, 101v, 101v1, 101v2, 102d, 103d, 104d:密閉機構 101vp, 117p:驅動部 102:預備加熱室(真空腔室) 102c, 103c, 104c, 105c:溫度調節機構 103:第1成膜室(真空腔室) 103ca, 104ca, 105ca:陰極電極(支撐板) 103g, 104g, 105g:氣體導入機構 103p, 104p, 105p:電源 103t, 104t, 105t:靶 104:第2成膜室(真空腔室) 105:第3成膜室(真空腔室) 107:縱橫姿勢變位部 110:立式搬送機構 111~115, 117:搬送機構 117a:支持部 117b:旋轉軸 120, 120A, 120B:微粒去除機構 121:噴出噴嘴 121a:第2噴出噴嘴 122:吸引噴嘴 123:空氣供給部 123a:第2空氣供給部 124:空氣吸引部 125:控制部 130:靜電消除機構 S:玻璃基板(基板)
圖1係顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之立體圖。 圖2係顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之載架及基板之移動之示意圖。 圖3係顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之載架及基板之分解立體圖。 圖4係顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之俯視示意圖。 圖5係顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之側視示意圖。 圖6係顯示本發明之第1實施形態之基板處理方法之流程圖。 圖7係顯示本發明之第1實施形態之基板處理方法之流程圖。 圖8係顯示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之俯視示意圖。 圖9係顯示本發明之第3實施形態之基板處理裝置之微粒去除機構之俯視示意圖。
10:載架 100:基板處理裝置 101:裝載、卸載室(真空腔室) 101a, 102a, 103a, 104a, 105a:檢測機構 101b, 102b, 103b, 104b, 105b:排氣機構 101v1, 101v2:密閉機構 102:預備加熱室(真空腔室) 103c, 104c, 105c:溫度調節機構 103:第1成膜室(真空腔室) 104:第2成膜室(真空腔室) 105:第3成膜室(真空腔室) 107:縱橫姿勢變位部 110:立式搬送機構 111~115, 117:搬送機構 117a:支持部 117b:旋轉軸 120, 120A, 120B:微粒去除機構 S:玻璃基板(基板)

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其具有： 真空腔室，其對保持於載架之基板施以真空處理； 立式搬送機構，其使前述基板及前述載架立起而搬送；及 微粒去除機構，其去除附著於前述載架及前述基板之微粒；且 前述微粒去除機構包含： 噴出噴嘴，其向由前述立式搬送機構搬送之前述載架及前述基板噴出空氣；及 吸引噴嘴，其吸引噴出至前述載架及前述基板之空氣。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述微粒去除機構去除搬入前述真空腔室或自前述真空腔室搬出之前述載架及前述基板之微粒。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中前述微粒去除機構配置於較前述真空腔室之密閉機構靠外部，且 與前述密閉機構之開閉動作連動地被驅動。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中前述微粒去除機構具有靜電消除機構。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述微粒去除機構具有靜電消除機構。
  6. 一種基板處理方法，其係於真空腔室之內部對保持於載架之基板施以真空處理者，且包含： 真空處理步驟，其於前述真空腔室之內部對保持於前述載架之前述基板施以真空處理； 搬送步驟，其藉由立式搬送機構使前述基板及前述載架立起而搬送；及 微粒去除步驟，其藉由微粒去除機構去除附著於前述載架及前述基板之微粒；且 前述微粒去除步驟， 自噴出噴嘴向由前述立式搬送機構搬送之前述載架及前述基板噴出空氣；且 藉由吸引噴嘴吸引噴出至前述載架及前述基板之空氣。
  7. 如請求項6之基板處理方法，其中前述微粒去除步驟 去除在前述搬送步驟中搬入前述真空腔室或自前述真空腔室搬出之前述載架及前述基板之微粒。
  8. 如請求項6或7之基板處理方法，其中於前述微粒去除步驟中，在較前述真空腔室之密閉機構靠外部，與前述密閉機構之開閉動作連動地驅動前述微粒去除機構。
  9. 如請求項6或7之基板處理方法，其中於前述微粒去除步驟中，藉由靜電消除機構進行靜電消除。
  10. 如請求項8之基板處理方法，其中於前述微粒去除步驟中，藉由靜電消除機構進行靜電消除。
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