JP5916567B2 - レジスト除去装置およびレジスト除去方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 267
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 117
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims description 7
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 claims 1
- 229940032330 sulfuric acid Drugs 0.000 description 110
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Description
所定のイオンが注入され表面に硬化層が形成されたレジストを有する基板を保持する基板保持部と、
硫酸を加熱するヒータを有し、ヒータにより加熱され200℃以上となった、過酸化水素水を含まない硫酸を、基板保持部に保持されている基板へ供給する硫酸供給部と、
硫酸供給部により硫酸が供給された基板に対して、濃度150ppm以上のオゾン水を供給するオゾン水供給部とを備える、レジスト除去装置を提供する。
基板上に形成されたレジストにおいて、イオンの注入により硬化層が形成されたレジスト表面に、過酸化水素水を含まない200℃以上の硫酸を供給する硫酸供給工程と、
硫酸供給工程により硫酸の供給されたレジスト表面に、濃度150ppm以上のオゾン水を供給するオゾン水供給工程とを含む、レジスト除去方法を提供する。
図4に示すように、まずは基板保持装置3に保持された基板2を回転させる(ステップS1)。具体的には、図5(a)に示すように、基板保持装置3の回転台8が、回転軸7を中心としてステージ6を回転させることにより、ステージ6とステージ6上に載置された基板2とを一体的に回転させる。
次に、回転軸7を中心に回転されている基板2に対して、硫酸供給部4から硫酸を供給する(ステップS2)。具体的には、図5(b)に示すように、硫酸供給部4を基板2の表面沿いの方向に移動制御しながら、硫酸供給部4の供給口13から下方へ、過酸化水素水を含まない硫酸を滴下する。これにより、基板2の表面に硫酸が供給される。回転された状態の基板2へ硫酸を供給することにより、基板2表面の全体に、過酸化水素水を含まない200℃以上の硫酸が供給される。
次に、ステップS2により硫酸が供給された基板2に対して、オゾン水供給部5からオゾン水を供給する(ステップS3)。具体的には、ステップS2と同様に、図5(c)に示すように、オゾン水供給部5を基板2の表面沿いの方向に移動制御しながら、オゾン水供給部5の供給口14から下方へオゾン水を滴下する。これにより、基板2表面の全体に、濃度150ppm以上、温度50℃以上のオゾン水が供給される。
最後に、基板2の回転を停止する(ステップS4)。具体的には、回転台8によるステージ6の回転を停止して、基板2の回転を停止させる。
次に、上述した構成を有するレジスト除去装置1を用いた実施例について、図7−9を用いて説明する。本実施例は、基板2上に予め複数の測定ポイントを定めた上で、上述したステップS1−S4と同様の工程を基板2に対して実施し、その実施の前後における基板2上のメタルの残渣量について測定を行うものである。
基板の回転速度: 150rpm
硫酸の供給温度: 200℃
硫酸の供給時間: 120秒
硫酸の総供給量: 400mL
オゾン水の供給濃度: 150ppm
オゾン水の供給温度: 70℃
オゾン水の供給時間: 60秒
オゾン水の総供給量: 2000mL
2 基板
3 基板保持装置
4 硫酸供給部
5 オゾン水供給部
6 ステージ
7 回転軸
8 回転台
9 レジスト
10 導通部分
11 硬化層
12 ヒータ
13 供給口
14 供給口
15 クラック
Claims (16)
- 基板からレジストを除去するためのレジスト除去装置であって、
所定のイオンが注入され表面に硬化層が形成されたレジストを有する基板を保持する基板保持部と、
硫酸を加熱するヒータを有し、ヒータにより加熱され200℃以上となった、過酸化水素水を含まない硫酸を、基板保持部に保持されている基板へ供給する硫酸供給部と、
硫酸供給部により硫酸が供給された基板に対して、濃度150ppm以上のオゾン水を供給するオゾン水供給部とを備える、レジスト除去装置。 - 枚葉式である、請求項1に記載のレジスト除去装置。
- 硫酸供給部は、一部熱分解されている硫酸を供給する、請求項1又は2に記載のレジスト除去装置。
- 硫酸供給部は、全体のうち1〜20%が熱分解されている硫酸を供給する、請求項3に記載のレジスト除去装置。
- 硫酸供給部から供給される200℃以上の硫酸が、レジストに熱応力を付与してレジストにダメージを与える、請求項1から4のいずれか1つに記載のレジスト除去装置。
- ダメージはクラックである、請求項5に記載のレジスト除去装置。
- オゾン水供給部は50℃以上のオゾン水を供給する、請求項1から6のいずれか1つに記載のレジスト除去装置。
- 基板への硫酸およびオゾン水の供給は、基板保持部により基板が回転された状態にて行われる、請求項1から7のいずれか1つに記載のレジスト除去装置。
- 基板からレジストを除去するためのレジスト除去方法であって、
基板上に形成されたレジストにおいて、イオンの注入により硬化層が形成されたレジスト表面に、過酸化水素水を含まない200℃以上の硫酸を供給する硫酸供給工程と、
硫酸供給工程により硫酸の供給されたレジスト表面に、濃度150ppm以上のオゾン水を供給するオゾン水供給工程とを含む、レジスト除去方法。 - 枚葉式にて基板の処理を行う、請求項9に記載のレジスト除去方法。
- 硫酸供給工程において、一部熱分解されている硫酸を供給する、請求項9又は10に記載のレジスト除去方法。
- 硫酸供給工程において、全体のうち1〜20%が熱分解されている硫酸を供給する、請求項11に記載のレジスト除去方法。
- 硫酸供給工程において、供給される200℃以上の硫酸が、レジストに熱応力を付与してレジストにダメージを与える、請求項9から12のいずれか1つに記載のレジスト除去方法。
- ダメージはクラックである、請求項13に記載のレジスト除去方法。
- オゾン水供給工程において、50℃以上のオゾン水を供給する、請求項9から14のいずれか1つに記載のレジスト除去方法。
- 硫酸供給工程およびオゾン水供給工程において、基板は回転されている、請求項9から15のいずれか1つに記載のレジスト除去方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012188899A JP5916567B2 (ja) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |
PCT/JP2013/069037 WO2014034292A1 (ja) | 2012-08-29 | 2013-07-11 | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |
TW102125536A TWI497566B (zh) | 2012-08-29 | 2013-07-17 | 光阻去除裝置及光阻去除方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012188899A JP5916567B2 (ja) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014049489A JP2014049489A (ja) | 2014-03-17 |
JP5916567B2 true JP5916567B2 (ja) | 2016-05-11 |
Family
ID=50183112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012188899A Active JP5916567B2 (ja) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5916567B2 (ja) |
TW (1) | TWI497566B (ja) |
WO (1) | WO2014034292A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019201072A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
CN113448186B (zh) | 2020-03-27 | 2024-05-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆处理装置及晶圆处理方法 |
JP2023046537A (ja) | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
JP2023096789A (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3377294B2 (ja) * | 1994-06-03 | 2003-02-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板表面処理方法及び装置 |
JP3445765B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2003-09-08 | エム・エフエスアイ株式会社 | 半導体素子形成用基板表面処理方法 |
JP4555729B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2010-10-06 | 積水化学工業株式会社 | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
JP2008103431A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JP2011192779A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法および洗浄システム |
-
2012
- 2012-08-29 JP JP2012188899A patent/JP5916567B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-11 WO PCT/JP2013/069037 patent/WO2014034292A1/ja active Application Filing
- 2013-07-17 TW TW102125536A patent/TWI497566B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201409188A (zh) | 2014-03-01 |
JP2014049489A (ja) | 2014-03-17 |
WO2014034292A1 (ja) | 2014-03-06 |
TWI497566B (zh) | 2015-08-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150609 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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