JP7444640B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に関する。
基板を処理する基板処理装置が知られている。典型的には、基板処理装置は、半導体基板の処理に好適に用いられる。基板処理装置では、処理液等で基板を処理した後に基板をブラシで洗浄することがある(特許文献1参照)。
特許文献1に記載の基板処理装置では、半導体ウエハの表面をアームに取り付けられたブラシで洗浄する。また、特許文献1に記載の基板処理装置では、ウエハの表面だけでなく裏面も洗浄する。この基板処理装置では、アームの可動範囲にブラシ洗浄装置が配置されており、ブラシ洗浄装置は、回転するブラシと当接することによってブラシを洗浄する。特許文献1の基板処理装置では、ブラシアームに取付部が設けられており、この取付部にはフランジが着脱自在に螺合されている。ブラシにフランジを固定した構造とし、フランジをブラシアームに螺号することによりブラシをブラシアームに着脱自在に取り付けることができる。
特開2010-283393号公報
しかしながら、特許文献1の基板処理装置では、ブラシを交換するためにはブラシアームとフランジとの螺合状態を解除する必要がある。螺合状態を解除するには、ねじ部品を回転させるという物理的な作業を要し、ねじ回転に伴うパーティクル発生や、ねじ回転ロボットの位置合わせなどの問題から自動化が困難である。加えて、フランジによる固定では、ブラシの自転方向の回転を安定的に固定することが困難である。この結果、ブラシがフランジに安定的に装着されないため、ブラシがフランジに対してずれてしまい、ブラシを充分に回転できないことがある。この場合、ブラシを充分に洗浄できない。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ブラシをブラシアームに簡便に脱着可能であり、かつ、ブラシを安定的に回転可能な基板処理装置を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、ブラシと、ブラシ保持部と、吸引口とを備える。前記基板保持部は、基板を保持する。前記ブラシ保持部は、前記ブラシとともに回転するブラシ装着部を有する。前記吸引口は、前記ブラシ装着部に設けられる。前記ブラシと前記ブラシ装着部との間には、前記吸引口の露出された吸引空間が形成される。前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の一方は、突起部を有し、前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の他方は、前記ブラシが前記ブラシ装着部に装着される際に、前記突起部の挿入される係合孔を有する。前記突起部および前記係合孔は、前記吸引空間に位置する。
ある実施形態において、前記ブラシは、前記基板を洗浄するためのブラシ本体と、前記ブラシ本体が取り付けられるホルダとを含む。前記ホルダは、前記ブラシが前記ブラシ装着部に装着される際に前記ブラシ装着部と対向する対向面を有する。
ある実施形態において、前記ブラシ本体は、多孔質部材または複数の毛を含む。
ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記ブラシを格納可能なブラシ格納部をさらに備える。
ある実施形態において、前記ブラシ格納部には複数の開口が設けられており、前記ブラシ格納部が前記ブラシを格納する場合、前記ブラシは前記開口に挿入される。
ある実施形態において、前記ブラシ格納部は、前記ブラシを複数格納する。
ある実施形態において、前記ブラシ保持部および前記ブラシ格納部の少なくとも一方は、前記ブラシ装着部が前記ブラシ格納部に格納されたブラシを装着するように移動可能に構成される。
ある実施形態において、前記ブラシ格納部は、前記ブラシ保持部に対して移動する。
ある実施形態において、前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の一方は、前記突起部を2つ以上有し、前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の他方は、前記ブラシが前記ブラシ装着部に装着される際に、前記突起部の挿入される係合孔を2つ以上有する。
本発明によれば、ブラシを簡便に脱着可能であり、かつ、基板処理装置においてブラシを安定的に回転できる。
本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムのブロック図である。 (a)は、本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の模式図であり、(b)は、装着前のブラシ装着部の模式図であり、(c)は、装着前のブラシの模式図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の係合を示す模式的な斜視図である。 (a)は、本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の模式図であり、(b)は、装着前のブラシ装着部の模式図であり、(c)は、装着前のブラシの模式図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の係合を示す模式的な斜視図である。 (a)は、本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の模式図であり、(b)は、装着前のブラシ装着部の模式図であり、(c)は、装着前のブラシの模式図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の係合を示す模式図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の係合を示す模式図である。 (a)および(b)は、本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の係合を示す模式図である。 本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ装着のフロー図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ脱離のフロー図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシおよびブラシ装着部の模式図である。 (a)および(b)は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 (a)および(b)は、本実施形態の基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ交換のフロー図である。
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載することがある。典型的には、X軸およびY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。
まず、図1を参照して、本実施形態の基板処理装置100を備えた基板処理システム10を説明する。図1は、本実施形態の基板処理システム10の模式的な平面図である。
基板処理システム10は、基板Wを処理する。基板処理システム10は、複数の基板処理装置100を備える。基板処理装置100は、基板Wに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも1つを行うように基板Wを処理する。
本実施形態における「基板」としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として円盤状の半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。また基板の形状についても各種のものを適用可能である。
図1に示すように、基板処理システム10は、複数の基板処理装置100に加えて、流体キャビネット12と、流体ボックス14と、吸引機構16と、複数のロードポートLPと、インデクサーロボットIRと、センターロボットCRと、制御装置11とを備える。制御装置11は、ロードポートLP、インデクサーロボットIRおよびセンターロボットCRを制御する。
ロードポートLPの各々は、複数枚の基板Wを積層して収容する。インデクサーロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。なお、インデクサーロボットIRとセンターロボットCRとの間に、基板Wを一時的に載置する設置台(パス)を設けて、インデクサーロボットIRとセンターロボットCRとの間で設置台を介して間接的に基板Wを受け渡しする装置構成としてもよい。センターロボットCRは、インデクサーロボットIRと基板処理装置100との間で基板Wを搬送する。基板処理装置100の各々は、基板Wに液体を吐出して、基板Wを処理する。液体は、リンス液および/または薬液を含む。または、液体は、他の処理液を含んでもよい。流体キャビネット12は、液体を収容する。なお、流体キャビネット12は、気体を収容してもよい。吸引機構16は、基板処理装置100の少なくとも一部を吸引するために利用される。例えば、吸引機構16は、外部の真空装置と基板処理装置100とを接続する。なお、吸引機構16自体が、真空ポンプを含んでもよい。
具体的には、複数の基板処理装置100は、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置された複数のタワーTW(図1では4つのタワーTW)を形成している。各タワーTWは、上下に積層された複数の基板処理装置100(図1では3つの基板処理装置100)を含む。流体ボックス14は、それぞれ、複数のタワーTWに対応している。流体キャビネット12内の液体は、いずれかの流体ボックス14を介して、流体ボックス14に対応するタワーTWに含まれる全ての基板処理装置100に供給される。また、流体キャビネット12内の気体は、いずれかの流体ボックス14を介して、流体ボックス14に対応するタワーTWに含まれる全ての基板処理装置100に供給される。吸引機構16は、流体ボックス14を介して流体ボックス14に対応するタワーTWに含まれる全ての基板処理装置100を吸引できる。
制御装置11は、基板処理システム10の各種動作を制御する。制御装置11は、制御部11aおよび記憶部11bを含む。制御部11aは、プロセッサーを有する。制御部11aは、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、制御部11aは、汎用演算機を有してもよい。
記憶部11bは、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Wの処理内容および処理手順を規定する。
記憶部11bは、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部11bはリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部11aは、記憶部11bの記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
次に、図2を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図2は、基板処理装置100の模式図である。
基板処理装置100は、チャンバー110と、基板保持部120と、リンス液供給部130と、ブラシ保持部140と、ブラシ160と、ブラシ洗浄部170とを備える。チャンバー110は、基板Wを収容する。基板保持部120は、基板Wを保持する。
チャンバー110は、内部空間を有する略箱形状の筐体であり、チャンバー110の内部と外部とが区画される。チャンバー110には、図示しないシャッターおよびその開閉機構が設けられる。通常、シャッターは閉じてチャンバー110内外の雰囲気は遮断される。センターロボットCRにより基板Wがチャンバー110内部に搬入される際または基板Wがチャンバー110内部から搬出される際には、シャッターが開放される。チャンバー110の上部には図示しないFFUユニット(ファンフィルタユニット)が設置され、チャンバー110の上部から下方に向けてダウンフローで塵埃の除去されたエアーまたは不活性ガスが供給される。
基板処理装置100は、基板Wを水平に保持して1枚ずつ処理する、いわゆる枚葉型であり、基板処理装置100には基板Wが1枚ずつ収容される。基板Wは、チャンバー110内に収容され、チャンバー110内で処理される。チャンバー110には、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ保持部140およびブラシ洗浄部170のそれぞれの少なくとも一部が収容される。
基板保持部120は、基板Wを保持する。基板保持部120は、基板Wの上面(表面)Waを上方に向け、基板Wの裏面(下面)Wbを鉛直下方に向くように基板Wを水平に保持する。このとき、基板Wの側面Wcは、水平方向を向く。また、基板保持部120は、基板Wを保持した状態で基板Wを回転させる。基板保持部120は、基板Wを保持したまま基板Wを回転させる。
例えば、基板保持部120は、基板Wの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部120は、基板Wを裏面Wbから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部120は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部120は、非デバイス形成面である基板Wの裏面Wbの中央部を上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持する。あるいは、基板保持部120は、複数のチャックピンを基板Wの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。
例えば、基板保持部120は、スピンベース121と、チャック部材122と、シャフト123と、電動モーター124と、ハウジング125とを含む。チャック部材122は、スピンベース121に設けられる。チャック部材122は、基板Wをチャックする。典型的には、スピンベース121には、複数のチャック部材122が設けられる。
シャフト123は、中空軸である。シャフト123は、回転軸Axに沿って鉛直方向に延びている。シャフト123の上端には、スピンベース121が結合される。基板Wは、スピンベース121の上方に載置される。
スピンベース121は、円板状であり、基板Wを水平に支持する。シャフト123は、スピンベース121の中央部から下方に延びる。電動モーター124は、シャフト123に回転力を与える。電動モーター124は、シャフト123を回転方向に回転させることにより、回転軸Axを中心に基板Wおよびスピンベース121を回転させる。ハウジング125は、シャフト123および電動モーター124を取り囲んでいる。
リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。典型的には、リンス液供給部130は、基板Wの上面Waにリンス液を供給する。リンス液を用いたリンス処理により、基板Wの上面Waに付着した薬液および不純物等を洗い流すことができる。リンス液供給部130から供給されるリンス液は、脱イオン水(Deionized Water:DIW)、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水、または、還元水(水素水)のいずれかを含んでもよい。
リンス液供給部130は、ノズル131と、配管132と、バルブ133とを含む。ノズル131は、基板Wの上面Waにリンス液を吐出する。ノズル131は、配管132に接続される。配管132には、リンス液供給源からリンス液が供給される。バルブ133は、配管132内の流路を開閉する。ノズル131は、基板Wに対して移動可能に構成されていることが好ましい。
ブラシ保持部140は、ブラシ160を保持し、基板Wをブラシ160で洗浄する。ブラシ保持部140にはブラシ160が装着される。ブラシ160によって行われる洗浄処理は、スクラブ処理とも呼ばれる。ブラシ保持部140は、基板Wの上面Waに当接して基板Wをブラシで洗浄する。典型的には、ブラシ保持部140が基板Wをブラシ160で洗浄する期間において、リンス液供給部130が基板Wの上面Waにリンス液を供給する。
ブラシ保持部140は、ブラシ160を回転可能に保持する。また、ブラシ保持部140は、ブラシ160を吸引して保持する。吸引の切り換えにより、ブラシ保持部140からブラシ160を脱着できる。
ブラシ保持部140は、アーム142と、移動部144と、吸引経路146とを備える。アーム142の先端にはブラシ160が取り付けられる。
移動部144は、アーム142を移動させる。移動部144により、ブラシ160は、基板Wに当接する基板当接位置と、基板Wから離れた退避位置との間を移動する。ブラシ洗浄部170は、退避位置に配置される。移動部144により、ブラシ160は、基板Wの上面Waからブラシ洗浄部170にまで移動する。ブラシ160は、ブラシ洗浄部170において洗浄される。なお、ブラシ160は、ブラシ洗浄部170において回転した状態で洗浄される。また、移動部144により、ブラシ160は、ブラシ洗浄部170の配置された退避位置から基板Wの上面Waにまで移動する。
移動部144は、アーム142を水平方向に移動させる水平移動部144aと、アーム142を鉛直方向に移動させる鉛直移動部144bとを含む。水平移動部144aは、アーム142をXY平面内のいずれかの方向に移動させる。また、鉛直移動部144bは、アーム142をZ軸方向に移動させる。
ブラシ保持部140に取り付けられたブラシ160は、吸引経路146を介して吸引される。ここでは、吸引経路146は、アーム142の内部に設けられる。ただし、吸引経路146は、アーム142の外表面に設けられてもよい。
吸引経路146の一方の端部146aは、アーム142の先端に達する。吸引経路146の他方の端部146bは、連絡配管CLを介して、チャンバー110の外部に配置された吸引配管Sp1と連絡する。吸引配管Sp1は、吸引源に接続される。
吸引配管Sp1には、バルブSp2および圧力計Sp3が取り付けられる。バルブSp2は、圧力計Sp3よりも吸引経路の上流側に位置する。バルブSp2は、吸引配管Sp1内の流路を開閉する。圧力計Sp3は、吸引配管Sp1内の圧力を測定する。
アーム142は、ケース142aと、支持軸142bと、押圧部142cと、ブラシ装着部150と含む。支持軸142bは、ケース142aからZ軸方向下方に突出する。支持軸142bの一部は、ケース142a内に収容される。支持軸142bの先端にブラシ装着部150が取り付けられる。ブラシ装着部150には、ブラシ160が装着される。
押圧部142cは、ケース142a内に収容される。押圧部142cは、支持軸142bを介してブラシ装着部150およびブラシ160をZ軸方向下方に押圧する。このため、ブラシ160が基板Wに当接した状態で押圧部142cがブラシ160を押圧することにより、ブラシ160は、基板Wをスクラブ処理できる。
押圧部142cは、支持軸142bをZ軸方向に沿って上下移動させるアクチュエータを含む。例えば、押圧部142cは、エアシリンダを含む。なお、押圧部142cは、支持軸142b、ブラシ装着部150およびブラシ160を回転させる回転駆動機構を備えてもよい。あるいは、回転駆動機構は、押圧部142cとは別に設けられてもよい。
ブラシ160は、基板Wを洗浄する。ここでは、ブラシ160は、基板Wの上面Waを洗浄する。例えば、ブラシ160は、多孔質物質を含む。ブラシ160は、スポンジ状を含んでもよい。また、ブラシ160は、比較的固い樹脂を含んでもよい。一例では、ブラシ160は、ポリビニルアルコール(polyvinyl alcohol:PVA)を含む。または、ブラシ160は、複数の部材を組み合わせて構成されてもよい。あるいは、ブラシ160は、複数の毛を備えてもよい。
例えば、ブラシ160は、疎水性であってもよい。または、ブラシ160は、半疎水性であってもよい。あるいは、ブラシ160は、親水性であってもよい。なお、ブラシ160が疎水性または半疎水性であることにより、ブラシ処理をリンス液の供給とともに行っても、ブラシ160が大きく変形することを抑制できる。
ブラシ160の全体形状は、任意の形状であってもよい。例えば、ブラシ160は、円柱形状であってもよい。または、ブラシ160は、円筒形状であってもよい。あるいは、ブラシ160は、薄型の十字形状であってもよい。
ブラシ160は、ブラシ本体162と、ホルダ164とを含む。ブラシ装着部150は、ホルダ164と係合する。典型的には、ホルダ164は、樹脂から形成される。
ブラシ洗浄部170は、ブラシ160を洗浄する。ブラシ洗浄部170は、ブラシ160の退避位置に配置される。
ブラシ洗浄部170は、洗浄ポット172と、洗浄液供給部174とを含む。洗浄ポット172は、筒状である。ブラシ160は、洗浄ポット172内に収容される。
洗浄液供給部174は、ノズル174aと、配管174bと、バルブ174cとを含む。ノズル174aは、洗浄ポット172に洗浄液を吐出する。ノズル174aは、配管174bに接続される。配管174bには、洗浄液供給源から洗浄液が供給される。バルブ174cは、配管174b内の流路を開閉する。
洗浄ポット172には、ノズル174aが取り付けられる。ノズル174aから、洗浄ポット172内に向かって洗浄液が吐出される。ノズル174aから洗浄液が吐出される間、ブラシ160は回転する。これにより、ブラシ160の全体が洗浄液によって洗浄される。
例えば、洗浄液は、脱イオン水(Deionized Water:DIW)、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水、または、還元水(水素水)のいずれかを含んでもよい。あるいは、洗浄液は、いわゆる薬液であってもよい。例えば、洗浄液は、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)を含んでもよい。または、洗浄液は、有機アルカリ(例えば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を含んでもよい。
なお、洗浄液は、リンス液供給部130において供給されるリンス液と同じものであってもよい。あるいは、洗浄液は、リンス液供給部130において供給されるリンス液と異なるものであってもよい。
ブラシ160に付着しているパーティクルなどの異物は、ノズル174aから吐出された洗浄液によって除去される。また、ブラシ洗浄部170において、ブラシ160は、ノズル174aから吐出された洗浄液によって湿潤状態に維持される。
基板処理装置100は、カップ190をさらに備える。カップ190は、基板Wから飛散した液体を回収する。カップ190は昇降する。例えば、カップ190は、リンス液供給部130が基板Wにリンス液を供給する期間にわたって基板Wの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ190は、基板Wの回転によって基板Wから飛散するリンス液を回収する。
また、カップ190は、リンス液供給部130が基板Wにリンス液を供給する期間が終了すると、基板Wの側方から鉛直下方に下降する。あるいは、カップ190は、リンス液供給部130が基板Wにリンス液を供給した後のスピンドライの期間が終了すると、基板Wの側方から鉛直下方に下降する。
上述したように、制御装置11(図1)は、制御部11aおよび記憶部11bを含む。制御部11aは、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ保持部140、ブラシ洗浄部170および/またはカップ190を制御する。一例では、制御部11aは、電動モーター124、バルブ133、押圧部142c、移動部144、バルブSp2、圧力計Sp3、バルブ174cおよびカップ190を制御する。
なお、リンス液供給部130のノズル131は移動可能であってもよい。ノズル131は、制御部11aによって制御される移動機構にしたがって水平方向および/または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略することがあることに留意されたい。
本実施形態の基板処理装置100は、半導体の設けられた半導体装置の作製に好適に用いられる。基板処理装置100は、半導体装置の製造時に、半導体装置の洗浄および/または加工(例えば、エッチング、特性変化等)に好適に用いられる。
次に、図1~図3を参照して、本実施形態の基板処理システム10を説明する。図3は、基板処理システム10のブロック図である。
図3に示すように、制御装置11は、基板処理装置100の各種動作を制御する。制御装置11は、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ保持部140、ブラシ洗浄部170およびカップ190を制御する。具体的には、制御装置11は、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ保持部140およびブラシ洗浄部170に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ保持部140、ブラシ洗浄部170およびカップ190を制御する。
具体的には、制御部11aは、インデクサーロボットIRを制御して、インデクサーロボットIRによって基板Wを受け渡しする。詳細には、インデクサーロボットIRは、ロードポートLPから処理前の基板Wを受け取り、センターロボットCRへと受け渡す。逆に、センターロボットCRから処理済の基板Wを受け取り、ロードポートLPへと受け渡す。インデクサーロボットIRとセンターロボットCRとの間に基板Wの載置部(パス)を設ける装置構成とした場合においては、当該載置部を介してインデクサーロボットIRとセンターロボットCRとが間接的に基板Wの受け渡しを行う。
制御部11aは、センターロボットCRを制御して、センターロボットCRによって基板Wを受け渡しする。例えば、センターロボットCRは、未処理の基板Wを受け取って、複数のチャンバー110のうちのいずれかに基板Wを搬入する。また、センターロボットCRは、処理された基板Wをチャンバー110から受け取って、基板Wを搬出する。処理後の基板Wは、センターロボットCRが基板WをインデクサーロボットIRへと受け渡すことで行われる。インデクサーロボットIRとセンターロボットCRとの間に基板Wの載置部(パス)を設ける装置構成とした場合においては、当該載置部を介して、センターロボットCRからインデクサーロボットIRへと処理後の基板Wが受け渡される。
制御部11aは、基板保持部120を制御して、基板Wの回転の開始、回転速度の変更および基板Wの回転の停止を制御する。例えば、制御部11aは、基板保持部120を制御して、基板保持部120の回転数を変更することができる。具体的には、制御部11aは、基板保持部120の電動モーター124の回転数を変更することによって、基板Wの回転数を変更できる。
制御部11aは、リンス液供給部130のバルブ133を制御して、バルブ133の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部11aは、リンス液供給部130のバルブ133を制御して、バルブ133を開状態にすることによって、ノズル131に向かって配管132内を流れるリンス液を通過させることができる。また、制御部11aは、リンス液供給部130のバルブ133を制御して、バルブ133を閉状態にすることによって、ノズル131に向かって配管132内を流れるリンス液の供給を停止させることができる。
制御部11aは、押圧部142cが支持軸142bをZ軸方向に沿って移動させるように制御する。これにより、制御部11aは、支持軸142bの先端に取り付けられたブラシ160を基板Wに当接させて基板Wを押圧できる。
制御部11aは、移動部144がアーム142を水平方向および/または垂直方向に移動させるように制御する。これにより、制御部11aは、アーム142の先端に取り付けられたブラシ160を基板Wの上面Waで移動させることができる。また、制御部11aは、アーム142の先端に取り付けられたブラシ160を基板当接位置と退避位置との間で移動させることができる。
また、制御部11aは、カップ190を移動できる。具体的には、制御部11aは、カップ190を制御して、カップ190を鉛直方向に上昇させることによって、カップ190の位置を基板保持部120の側方に移動できる。一方、制御部11aは、カップ190を制御して、カップ190を鉛直方向に下降させることによって、カップ190の位置を退避位置に移動することができる。
本実施形態の基板処理装置100は、半導体装置を作製するために好適に用いられる。例えば、基板処理装置100は、半導体装置として用いられる基板Wを処理するために好適に利用される。
上述したように、ブラシ160は、ブラシ保持部140の先端に設けられたブラシ装着部150に装着される。
次に、図1~図5を参照して、本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150によるブラシ160の装着について説明する。図4(a)は、ブラシ装着部150およびブラシ160の模式図である。ここでは、ブラシ160はブラシ装着部150に装着される。
図4(a)に示すように、ブラシ装着部150は、本体部152と、窪み154と、突起部156とを有する。本体部152には、吸引経路152qが設けられる。吸引経路152qは、アーム142内の吸引経路146と連結する。吸引経路152qの吸引口152rは、窪み154のうちのブラシ160と対向する面に設けられる。
窪み154は、本体部152に設けられる。例えば、窪み154は、円柱の外周面形状であり、本体部152の一方の面の中央において円柱形状に窪む。このため、本体部152には、環状の当接部154sが設けられる。したがって、本体部152における当接部154sの厚さ(Z方向の長さ)は、本体部152のうちの窪み154の部分の厚さ(Z方向の長さ)よりも大きい。
また、吸引口152rは、窪み154に位置する。例えば、吸引口152rは、窪み154の中央に位置する。
突起部156は、本体部152から突起する。例えば、突起部156は、窪み154に設けられる。ここでは、突起部156として、2つの突起が設けられる。窪み154の中心から2つの突起のそれぞれの距離は互いに等しい。
上述したように、ブラシ160は、ブラシ本体162と、ホルダ164とを含む。ブラシ本体162は、接触部162aと、保持部162bとを含む。接触部162aは、基板Wと当接し、基板Wを洗浄する。保持部162bは、接触部162aを保持する。ホルダ164には、係合孔164qが設けられる。
接触部162aは、多孔質物質から構成される。接触部162aは、スポンジ状であってもよい。また、接触部162aは、比較的固い樹脂から構成されてもよい。一例では、接触部162aは、ポリビニルアルコール(polyvinyl alcohol:PVA)から構成される。または、接触部162aは、複数の部材を組み合わせて構成されてもよい。あるいは、接触部162aは、複数の毛を備えてもよい。
本体部152の当接部154sは、ホルダ164と当接する。このため、ブラシ装着部150にブラシ160が装着されることにより、ブラシ装着部150とホルダ164とによって、吸引口152rを除いて密閉された吸引空間Qが形成される。このため、吸引空間Qは、ブラシ装着部150とホルダ164とによってシールされる。
また、係合孔164qのサイズは、突起部156に対応して形成される。このため、係合孔164qは、突起部156と係合する。したがって、ブラシ装着部150の回転とともにブラシ160を滑らかに回転させることができる。
次に、図4(b)、図4(c)および図5を参照してブラシ装着部150およびブラシ160を説明する。図4(b)は、装着前のブラシ装着部150の模式図であり、図4(c)は、装着前のブラシ160の模式図である。また、図5は、装着前のブラシ装着部150およびブラシ160の模式的な分解斜視図である。
ホルダ164は、ブラシ装着部150と対向する対向面164aと、ブラシ本体162の取り付けられる取付面164bと、側面164cとを有する。対向面164aは、ブラシ装着部150に吸着される。係合孔164qは、ホルダ164の対向面164aに設けられる。
図4(b)および図5に示すように、ブラシ装着部150は、本体部152と、窪み154と、突起部156とを有する。窪み154は、当接部154sと比べて深さDaだけ窪む。突起部156は、窪み154の面から突出する。窪み154の面から突起部156の突出した長さ(Z方向の長さ)は長さLaである。また、突起部156の幅(XY平面に沿った長さ)は幅Haである。突起部156の長さLaは、窪み154の深さDaよりも大きい。
また、図4(c)および図5に示すように、ブラシ160は、ブラシ本体162と、ホルダ164とを含む。ホルダ164には、係合孔164qが設けられる。係合孔164qは、ホルダ164の対向面164aから深さDbだけ窪む。係合孔164qの幅(XY平面に沿った長さ)は幅Hbである。
ブラシ160がブラシ装着部150に装着されると、突起部156は、係合孔164qに挿入される。このとき、窪み154の深さDaと係合孔164qのDbとの和は、突起部156の長さLaとほぼ等しいか、若干大きい。また、係合孔164qの幅Hbは、突起部156の幅Haとほぼ等しいか、若干大きい。
さらに、本体部152の当接部154sの内径Xa1は、ホルダ164の外径Xbよりも小さい。また、当接部154sの外径Xa2は、ホルダ164の外径Xbよりも大きい。
なお、図4(b)、図4(c)および図5を参照して上述した説明では、突起部156は、窪み154に設けられたが、本実施形態はこれに限定されない。突起部156は、当接部154sに設けられてもよい。
また、図4および図5を参照して上述した説明では、窪み154は、ブラシ装着部150に設けられたが、本実施形態はこれに限定されない。窪みは、ホルダ164の対向面164aに設けられてもよい。
また、図4(b)、図4(c)および図5を参照して上述した説明では、吸引空間Qにおいて、ブラシ装着部150の突起部156およびホルダ164の係合孔164qが設けられていたが、本実施形態はこれに限定されない。吸引空間Qにおいて、ブラシ装着部150に係合孔が設けられ、ホルダ164に突起部が設けられてもよい。ただし、典型的には、ブラシ160は、汎用品として製造されるため、製造および加工容易性の観点から、ブラシ装着部150の突起部156が設けられ、ホルダ164に係合孔164qが設けられることが好ましい。
さらに、図4および図5を参照した説明では、吸引空間Qは、ブラシ装着部150とブラシ160のホルダ164とによって形成されたが、本実施形態はこれに限定されない。吸引空間Qは、ブラシ装着部150およびブラシ160とともに別部材によって規定されてもよい。この場合、別部材は、ブラシ装着部150とブラシ160との間に挿入することによって吸引空間Qを形成してもよい。
また、図4(b)、図4(c)および図5を参照して上述した説明では、ブラシ装着部150には、ブラシ装着部150の窪み154の深さDaよりも長い突起部156が設けられたが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ装着部150には、突起部156とは別の突起構造が設けられてもよい。
次に、図6~図7を参照して、本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150によるブラシ160の装着について説明する。図6(a)は、ブラシ装着部150およびブラシ160の模式図である。ここでは、ブラシ160は、ブラシ装着部150に装着される。なお、図6および図7のブラシ装着部150は、突起部156に加えて突起部156よりも短い突起部156sが設けられる点を除いて、図4~図5を参照して上述したブラシ装着部150と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。
ブラシ装着部150は、本体部152、窪み154および突起部156に加えて突起部156sをさらに含む。突起部156sの高さ(Z方向の長さ)は、突起部156の高さ(Z方向の長さ)よりも小さい。また、突起部156sの幅(XY平面に沿った長さ)は、突起部156の幅(XY平面に沿った長さ)よりも小さい。
上述したように、突起部156は、ホルダ164の係合孔164qに係合する。一方で、突起部156sは、ホルダ164と当接する。典型的には、突起部156sの突起の数は、突起部156の突起の数よりも多い。これにより、ブラシ160は、ブラシ装着部150に対して安定的に装着される。
次に、図6(b)、図6(c)および図7を参照してブラシ装着部150およびブラシを説明する。図6(b)は、装着前のブラシ装着部150の模式図であり、図6(c)は、装着前のブラシ160の模式図である。また、図7は、装着前のブラシ装着部150およびブラシ160の模式的な分解斜視図である。
上述したように、突起部156sの長さLc(Z方向の長さ)は、突起部156の長さLaよりも短い。例えば、突起部156sは、ブラシ装着部150の窪み154に設けられる。ここでは、突起部156sとして、複数の突起が設けられる。複数の突起部156sは、ブラシ装着部150のブラシ160に対向する面を平面視した場合の窪み154の中心に対して点対称または線対称に配置される。また、突起部156sの幅(XY平面に沿った長さ)は幅Hcである。突起部156sの幅Hcは、突起部156の幅Haよりも小さい。
ブラシ160がブラシ装着部150に装着されると、突起部156は、係合孔164qに挿入される。このとき、窪み154の深さDaと係合孔164qのDbとの和は、突起部156の長さLaとほぼ等しいか、若干大きい。また、係合孔164qの幅Hbは、突起部156の幅Haとほぼ等しいか、若干大きい。
さらに、窪み154の深さDaは、突起部156sの高さ(Z方向の長さ)Lcとほぼ等しいか、若干大きい。このため、ブラシ装着部150にブラシ160を装着すると、突起部156sは、ホルダ164の対向面164aに当接する。したがって、ブラシ装着部150は、ブラシ160を安定的に装着できる。
なお、図4~図7を参照した上述の説明では、ブラシ装着部150の当接部154sはホルダ164の対向面164aと当接したが、本実施形態はこれに限定されない。当接部154sは、ホルダ164の側面164cと当接してもよい。
次に、図8を参照して本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150によるブラシ160の装着について説明する。図8(a)は、ブラシ装着部150およびブラシ160の模式図である。ここでは、ブラシ160は、ブラシ装着部150に装着される。なお、図8のブラシ装着部150は、ホルダ164の対向面164aおよび側面164cと当接する点を除いて、図6および図7を参照して上述したブラシ装着部150と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。
窪み154は、本体部152に設けられる。例えば、窪み154は、円柱の外周面形状であり、本体部152の一方の面の中央において円柱形状に窪む。このため、本体部152には、環状の当接部154sが設けられる。したがって、本体部152における当接部154sのZ方向の厚さは、本体部152のうちの窪み154の部分のZ方向の厚さよりも大きい。ここでは、当接部154sは、ホルダ164の端部と当接する。
ここでは、当接部154sは、第1当接部154s1と、第2当接部154s2とを含む。第1当接部154s1は、環状であり、窪み154に隣接して配置されている。また、第2当接部154s2は、環状であり、本体部152のうちの第1当接部154s1よりも外周端部に配置される。第1当接部154s1の厚さ(Z方向の長さ)は、第2当接部154s2の厚さ(Z方向の長さ)よりも短い。
次に、図8(b)および図8(c)を参照してブラシ装着部150およびブラシを説明する。図8(b)は、装着前のブラシ装着部150の模式図であり、図8(c)は、装着前のブラシ160の模式図である。また、図7は、装着前のブラシ装着部150およびブラシ160の模式的な分解斜視図である。
第2当接部154s2の内径は長さXc1である。長さXc1は、ホルダ164の外径Xbとほぼ等しいか、若干大きい。また、第2当接部154s2の外径は長さXc2である。長さXc2は、ホルダ164の外径Xbよりも大きい。本実施形態の基板処理装置100では、ブラシ装着部150は、ホルダ164の対向面164aおよび側面164cと当接する。このため、ブラシ装着部150は、ブラシ160を安定的に装着できる。
なお、図4~図8を参照した上述の説明では、ブラシ装着部150にホルダ164の対向面164aと当接したが、本実施形態はこれに限定されない。図9に示すように、ブラシ装着部150は、ホルダ164の対向面164aと当接することなく側面164cと当接してもよい。
なお、図4~図9を参照した上述の説明では、ホルダ164の外形は略直方体形状であったが、本実施形態はこれに限定されない。ホルダ164の外形はテーパ形状を有してもよい。
また、図4~図9を参照した上述の説明では、ホルダ164に当接する当接部154sは、Z軸に平行な面またはXY平面に平行な面を有したが、本実施形態はこれに限定されない。
図10に示すように、ブラシ装着部150の当接部154sは、Z軸に対して斜めに延びる面を有してもよい。この場合、当接部154sは、ホルダ164の側面164cに対して斜めに当接する。当接部154sのうち窪み154側の内径の長さXa1は、当接部154sのうちブラシ160側の内径の長さXa2よりも短い。
また、ホルダ164の側面164cのうちブラシ本体162側の外径の長さXb2は、ホルダ164の側面164cのうちブラシ装着部150側の外径の長さXb1よりも長い。ここで、当接部154sの長さXa2は、ホルダ164の側面164cの長さXb2とほぼ等しいか、若干長い。同様に、当接部154sの長さXa1は、ホルダ164の側面164cの長さXb1とほぼ等しいか、若干長い。このため、ブラシ装着部150にブラシ160のホルダ164を比較的容易に装着できる。
なお、図4~図10を参照した上述の説明では、係合孔164qのサイズ(例えば、幅Hb)は、突起部156の対応するサイズ(例えば、幅Ha)とほぼ等しく形成されたが、本実施形態はこれに限定されない。係合孔164qのサイズは、突起部156の対応するサイズよりも大きくてもよい。
次に、図11を参照して本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150およびブラシ160の装着を説明する。図11(a)は、本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150およびブラシ160の係合を示す模式図である。
図11(a)に示すように、ブラシ装着部150およびブラシ160は、回転軸を中心に回転方向Rに沿って回転する。ブラシ装着部150にブラシ160を装着すると、係合孔164q内に、突起部156が挿入される。係合孔164qは、回転軸の中心に対して円周方向に延びる。係合孔164qの幅(径方向の沿った長さ)Hrは、突起部156の幅Haとほぼ等しいか、若干大きい。
係合孔164qの水平方向(XY平面の)に沿った幅Hrは、突起部156の幅Haとほぼ等しい。図11(a)には、ブラシ装着部150の回転方向Rへの回転とともに、ブラシ装着部150の突起部156が、係合孔164q内で移動した後の突起部156の位置を破線で示す。このため、突起部156は、係合孔164qと係合するため、ブラシ160は、ブラシ装着部150の回転に従って安定的に回転する。
また、図11(a)に示すように、係合孔164qの円周方向に沿った長さLrは、突起部156の幅Haよりも大きい。このため、突起部156は、係合孔164qに比較的容易に挿入できる。
なお、図11(a)に示したホルダ164には、突起部156の幅Haとほぼ等しい幅Hrの係合孔164qが円周方向に沿って設けられていたが、本実施形態はこれに限定されない。係合孔164qの幅は、突起部156の幅よりも十分に大きくてもよい。
図11(b)は、本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150およびブラシ160の係合を示す模式図である。
図11(b)に示すように、係合孔164qの幅Hr1は、突起部156の幅Haよりも2倍以上大きい。この場合も、突起部156は、係合孔164qに比較的容易に挿入できる。
なお、図11(b)にも、ブラシ装着部150の回転方向Rへの回転とともに、ブラシ装着部150の突起部156が係合孔164q内で移動した後の突起部156の位置を破線で示す。この場合、突起部156は、係合孔164qの外周面164rと当接しており、突起部156は、係合孔164qに対して位置ずれしにくい。このため、突起部156は係合孔164qと充分に係合し、ブラシ160は、ブラシ装着部150の回転に従って安定的に回転する。
なお、基板処理装置100に、ブラシ160が格納されることが好ましい。この場合、ブラシ160は、使用されない場合にはブラシ保持部140から脱着して格納部に格納され、使用時には格納部においてブラシ保持部140に装着されてもよい。
次に、図12を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図12は、本実施形態の基板処理装置100の模式図である。図12の基板処理装置100は、ブラシ格納部180をさらに備える点を除いて、図2を参照して上述した基板処理装置100と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。
本実施形態の基板処理装置100は、チャンバー110、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ保持部140、ブラシ160、ブラシ洗浄部170に加えてブラシ格納部180をさらに備える。ブラシ格納部180は、ブラシ160を格納できる。
ブラシ格納部180には開口が設けられる。ブラシ160は、ブラシ格納部180の開口に挿入される。
ブラシ格納部180は、ブラシ保持部140のアーム142の可動範囲内に配置される。これにより、ブラシ保持部140は、必要に応じてアーム142を移動させて、ブラシ160をブラシ格納部180に格納し、また、ブラシ格納部180においてブラシ160を装着する。なお、ブラシ160をブラシ格納部180に格納する前に、ブラシ160は、ブラシ洗浄部170において洗浄されることが好ましい。
また、ブラシ格納部180は、ブラシ160を複数格納可能であってもよい。例えば、ブラシ160は、スクラブ処理の種類・用途に応じて切り変えて用いられてもよい。
次に、図1~図13を参照して、本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150へのブラシ160の装着を説明する。図13は、本実施形態の基板処理装置100によるブラシ装着のフロー図である。ブラシ160は、ブラシ装着部150に装着される前にブラシ格納部180に格納されている。
ステップS102において、ブラシ保持部140のアーム142をブラシ格納部180にまで移動させる。制御部11aは、移動部144を制御してアーム142をブラシ格納部180まで移動させる。
ステップS104において、吸引を開始する。制御部11aは、バルブSp2を開くようにバルブSp2を制御する。
ステップS106において、制御部11aは、圧力計Sp3によって測定された圧力が閾値よりも低いか否かを判定する。これにより、ブラシ装着部150が、ブラシ格納部180に格納されていたブラシ160を装着したか否かを判定できる。
測定圧力が閾値よりも低い場合(ステップS106においてYes)、ステップS108に進む。測定圧力が閾値以上である場合(ステップS106においてNo)、測定圧力が閾値よりも低くなるまで判定を繰り返す。
ステップS108において、ブラシ160を保持するブラシ保持部140を所定の位置にまで移動させる。制御部11aは、移動部144を制御してアーム142をブラシ格納部180から移動させる。
以上のようにして、ブラシ装着部150にブラシ160を装着できる。その後、必要に応じて、ブラシ保持部140は、装着されたブラシ160を用いて基板Wをスクラブ処理する。
なお、図13を参照して、ブラシ装着部150へのブラシ160の装着について説明したが、ブラシ装着部150からブラシ160を脱離してもよい。
次に、図1~図14を参照して、本実施形態の基板処理装置100におけるブラシ装着部150からのブラシ160の脱離を説明する。図14は、本実施形態の基板処理装置100によるブラシ脱離のフロー図である。
ステップS112において、ブラシ160を保持するブラシ保持部140のアーム142をブラシ格納部180にまで移動させる。制御部11aは、移動部144を制御してアーム142をブラシ格納部180まで移動させる。
ステップS114において、吸引を停止する。制御部11aは、バルブSp2を閉めるようにバルブSp2を制御する。
ステップS116において、制御部11aは、圧力計Sp3の測定圧力が閾値よりも高いか否かを判定する。これにより、ブラシ160が、ブラシ装着部150から脱離して、ブラシ格納部180に格納されたか否かを判定できる。
測定圧力が閾値よりも高い場合(ステップS116においてYes)、ステップS118に進む。測定圧力が閾値以下である場合(ステップS116においてNo)、測定圧力が閾値よりも高くなるまで判定を繰り返す。
ステップS118において、ブラシ160の脱離されたブラシ保持部140を所定の位置まで移動させる。制御部11aは、移動部144を制御してアーム142をブラシ格納部180から移動させる。
以上のようにして、ブラシ装着部150からブラシ160を脱着してブラシ格納部180に格納できる。その後、必要に応じて、ブラシ保持部140は、ブラシ160を装着してもよい。
なお、図2および図4~図12に示したブラシ装着部150には、基板Wの上面Waを洗浄するために好適に用いられるブラシ160が装着されたが、図15に示すように、ブラシ装着部150には、基板Wの側面Wcを洗浄するために好適に用いられるブラシ160が装着されてもよい。
なお、上述したように、ブラシ格納部180には、ブラシ160が複数搭載されてもよい。これにより、基板処理の用途に応じて、異なる種類のブラシ160で基板Wをスクラブ処理できる。あるいは、ブラシ160の使用度または汚れの程度に応じて、基板Wを処理するブラシ160を交換してもよい。
次に、図16(a)を参照して、ブラシ160を複数搭載可能なブラシ格納部180を備えた基板処理装置100を説明する。図16(a)は、基板処理装置100の模式的な平面図である。
図16(a)に示すように、アーム142は、回転軸Raを中心に退避位置と基板Wとの間で回動する。また、ブラシ格納部180は、アーム142の退避位置を通過するように移動できる。このため、ブラシ格納部180の移動経路180Lは、アーム142の退避位置を通過する。ブラシ格納部180がアーム142の退避位置に対して移動することにより、ブラシ装着部150は、ブラシ格納部180から装着するブラシ160を選択できる。
なお、図16(a)に示した基板処理装置100では、アーム142は回転軸Raを中心として回動可能であったが、本実施形態はこれに限定されない。アーム142は、直線方向に移動可能であってもよい。
次に、図16(b)を参照して、ブラシ格納部180を備えた基板処理装置100を説明する。図16(b)は、ブラシ160を複数搭載可能なブラシ格納部180を備えた基板処理装置100の模式的な平面図である。
図16(b)に示すように、アーム142は、水平移動部144aに沿って水平方向に移動する。ブラシ格納部180の移動経路180Lは、アーム142の退避位置を通過するように設けられる。
ブラシ格納部180は、アーム142の退避位置を通過するように移動できる。このため、ブラシ格納部180の移動経路180Lは、アーム142の退避位置を通過する。ブラシ格納部180がアーム142の退避位置に対して移動することにより、ブラシ装着部150は、ブラシ格納部180から装着するブラシ160を選択できる。
なお、図16を参照した説明では、退避位置のブラシ保持部140に対して、ブラシ格納部180が移動したが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ保持部140が固定されたブラシ格納部180に近づいてもよい。
次に、図17(a)を参照して、ブラシ160を複数搭載可能なブラシ格納部180を備えた基板処理装置100を説明する。図17(a)は、ブラシ160を複数搭載可能なブラシ格納部180を備えた基板処理装置100の模式的な平面図である。
図17(a)に示すように、基板処理装置100では、ブラシ保持部140のアーム142が回転軸Raを中心に退避位置と基板Wとの間で回動する。アーム142の先端に設けられたブラシ装着部150は、移動経路150Lに沿って移動できる。ここでは、ブラシ装着部150の移動経路150Lは、ブラシ格納部180を通過する。ブラシ装着部150がブラシ格納部180に対して移動することにより、ブラシ装着部150は、ブラシ格納部180から装着するブラシ160を選択できる。
なお、図17(a)に示した基板処理装置100では、ブラシ保持部140のアーム142が回転軸Raを中心に回動したが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ保持部140のアーム142は、直線方向に移動してもよい。
次に、図17(b)を参照して、ブラシ160を複数搭載可能なブラシ格納部180を備えた基板処理装置100を説明する。図17(b)は、ブラシ160を複数搭載可能なブラシ格納部180を備えた基板処理装置100の模式的な平面図である。
図17(b)に示すように、ブラシ保持部140のアーム142は、直線方向に移動する。このため、アーム142の先端に設けられたブラシ装着部150は、移動経路150Lに沿って移動できる。ここでは、ブラシ装着部150の移動経路150Lは、ブラシ格納部180を通過する。ブラシ装着部150がブラシ格納部180に対して移動することにより、ブラシ装着部150は、ブラシ格納部180から装着するブラシ160を選択できる。
次に、図1~図18を参照して、本実施形態の基板処理装置100におけるブラシの交換について説明する。図18は、本実施形態の基板処理装置100によるブラシ交換のフロー図である。
ステップS202において、ブラシ160を保持するブラシ保持部140をブラシ格納部180にまで移動させる。制御部11aは、移動部144を制御してアーム142をブラシ格納部180まで移動させる。
ステップS204において、吸引を停止する。制御部11aは、バルブSp2を閉めるようにバルブSp2を制御する。
ステップS206において、制御部11aは、圧力計Sp3の測定圧力が閾値よりも高いか否かを判定する。これにより、ブラシ160は、ブラシ装着部150から脱離して、ブラシ格納部180に格納されたか否かを判定できる。
測定圧力が閾値よりも高い場合(ステップS206においてYes)、ステップS208に進む。測定圧力が閾値以下である場合(ステップ206においてNo)、測定圧力が閾値よりも高くなるまで判定を繰り返す。
ステップS208において、ブラシ保持部140は、ブラシ格納部180に搭載された別のブラシの上方に移動する。制御部11aは、移動部144を制御してアーム142をブラシ格納部180に格納された別のブラシまで移動させる。
ステップS210において、吸引を開始する。制御部11aは、バルブSp2を開くようにバルブSp2を制御する。
ステップS212において、制御部11aは、圧力計Sp3の圧力が閾値よりも低いか否かを判定する。これにより、ブラシ格納部180に搭載されていたブラシ160がブラシ格納部180からブラシ装着部150に装着されたか否かを判定できる。
測定圧力が閾値よりも低い場合(ステップS212においてYes)、ステップS214に進む。測定圧力が閾値以上である場合(ステップ212においてNo)、測定圧力が閾値以上になるまで判定を繰り返す。
ステップS214において、ブラシ160を保持するブラシ保持部140を所定の位置にまで移動させる。制御部11aは、移動部144を制御してアーム142をブラシ格納部180から移動させる。
以上のようにして、ブラシ装着部150に装着されるブラシ160を自動的に交換できる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
本発明は、基板処理装置に好適に用いられる。
10 基板処理システム
100 基板処理装置
110 チャンバー
120 基板保持部
130 リンス液供給部
140 ブラシ保持部
150 ブラシ装着部
160 ブラシ

Claims (9)

  1. 基板を保持する基板保持部と、
    ブラシと、
    前記ブラシとともに回転するブラシ装着部を有するブラシ保持部と、
    前記ブラシ装着部に設けられた吸引口と
    を備え、
    前記ブラシと前記ブラシ装着部との間には、前記吸引口の露出された吸引空間が形成され、
    前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の一方は、突起部を有し、
    前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の他方は、前記ブラシが前記ブラシ装着部に装着される際に、前記突起部の挿入される係合孔を有し、
    前記突起部および前記係合孔は、前記吸引空間に位置する、基板処理装置。
  2. 前記ブラシは、
    前記基板を洗浄するためのブラシ本体と、
    前記ブラシ本体が取り付けられるホルダと
    を含み、
    前記ホルダは、前記ブラシが前記ブラシ装着部に装着される際に前記ブラシ装着部と対向する対向面を有する、請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記ブラシ本体は、多孔質部材または複数の毛を含む、請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記ブラシを格納可能なブラシ格納部をさらに備える、請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記ブラシ格納部には複数の開口が設けられており、
    前記ブラシ格納部が前記ブラシを格納する場合、前記ブラシは前記開口に挿入される、請求項4に記載の基板処理装置。
  6. 前記ブラシ格納部は、前記ブラシを複数格納する、請求項4または5に記載の基板処理装置。
  7. 前記ブラシ保持部および前記ブラシ格納部の少なくとも一方は、前記ブラシ装着部が前記ブラシ格納部に格納されたブラシを装着するように移動可能に構成される、請求項4から6のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 前記ブラシ格納部は、前記ブラシ保持部に対して移動する、請求項7に記載の基板処理装置。
  9. 前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の一方は、前記突起部を2つ以上有し、
    前記ブラシおよび前記ブラシ装着部の他方は、前記ブラシが前記ブラシ装着部に装着される際に、前記突起部の挿入される係合孔を2つ以上有する、請求項1から8のいずれかに記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024069889A (ja) * 2022-11-10 2024-05-22 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、および基板洗浄方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018049926A (ja) 2016-09-21 2018-03-29 株式会社Screenホールディングス ブラシ収納容器、洗浄ブラシを収納したブラシ収納容器、および基板処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2882753B2 (ja) * 1994-06-30 1999-04-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5647083A (en) * 1994-06-30 1997-07-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for cleaning substrates and methods for attaching/detaching and cleaning brushes of such apparatus
US5870793A (en) * 1997-05-02 1999-02-16 Integrated Process Equipment Corp. Brush for scrubbing semiconductor wafers
JP3368250B2 (ja) * 2000-03-27 2003-01-20 株式会社ピーエムティー 半導体製造における異物を除去する半導体製造装置
KR20030001696A (ko) * 2001-06-26 2003-01-08 삼성전자 주식회사 스핀 스크러버설비의 브러시 조립체
JP4588929B2 (ja) * 2001-06-29 2010-12-01 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の洗浄ツール及び基板の処理装置
JP5101679B2 (ja) 2010-09-21 2012-12-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP6210935B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 研磨洗浄機構、基板処理装置及び基板処理方法
JP6705765B2 (ja) * 2017-03-23 2020-06-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP7091076B2 (ja) * 2018-01-25 2022-06-27 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄ブラシおよび基板洗浄装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018049926A (ja) 2016-09-21 2018-03-29 株式会社Screenホールディングス ブラシ収納容器、洗浄ブラシを収納したブラシ収納容器、および基板処理装置

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