TW202242980A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明旨在提供一種抑制於基板產生微粒的技術。實施形態的基板處理方法包含：利用第1清洗液清洗基板的步驟；使基板乾燥的步驟；及利用第2清洗液清洗基板的步驟。於利用第1清洗液清洗基板的步驟中，對於由含硫酸之化學液處理後的基板，供給第1清洗液。於使基板乾燥的步驟中，停止第1清洗液的供給。於利用第2清洗液清洗基板的步驟中，對已乾燥的基板供給第2清洗液。第1清洗液含有使基板上的離子反應的成分。
Description
本發明係關於基板處理方法及基板處理裝置。
於日本專利文獻1中，揭示使用硫酸及雙氧水進行基板處理之技術。
[先前技術文獻]
[日本專利文獻]
[日本專利文獻1]日本專利特開2005-32819號公報
[發明欲解決之課題]
本發明提供抑制於基板產生微粒之技術。
[解決課題之手段]
本發明的一態樣的基板處理方法，包含：利用第1清洗液清洗基板的步驟；使基板乾燥的步驟；及利用第2清洗液清洗基板的步驟。於利用第1清洗液清洗基板的步驟中，對於由含硫酸之化學液處理後的基板，供給第1清洗液。於使基板乾燥的步驟中，停止第1清洗液的供給。於利用第2清洗液清洗基板的步驟中，對已乾燥的基板供給第2清洗液。第1清洗液含有使基板上的離子反應的成分。
[發明效果]
依據本發明，可抑制於基板產生微粒。
以下，參考附加圖式，詳細說明本案所揭示的基板處理方法及基板處理裝置的實施形態。又，所揭示的基板處理方法及基板處理裝置，非由以下所示實施形態所限定。
(第1實施形態)
＜基板處理裝置＞
首先，參考圖1，說明第1實施形態的基板處理裝置1的概略構成。圖1係第1實施形態的基板處理裝置1的概略構成圖。以下，為了使位置關係明確，規定彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設為鉛直朝上方向。
基板處理裝置1利用基板搬運裝置(未圖示)而將晶圓W(基板的一例)搬入。基板處理裝置1對晶圓W執行既定的基板處理。將已進行基板處理的晶圓W，利用基板搬運裝置而從基板處理裝置1搬出。
如圖1所示，基板處理裝置1具備基板處理部2及控制裝置3。基板處理裝置1對被搬運的晶圓W執行基板處理。
基板處理部2具備：腔室10、基板固持機構11、處理流體供給部12及回收杯13。
腔室10收容基板固持機構11、處理流體供給部12的一部分及回收杯13。於腔室10的頂棚部，設有FFU(Fan Filter Unit：風機過濾機組)14。FFU14於腔室10內形成降流。
基板固持機構11(基板固持部的一例)固持晶圓W(基板的一例)並使晶圓W旋轉。基板固持機構11具備固持部20、支柱部21及驅動部22。固持部20水平地固持晶圓W。固持部20具備用以固持晶圓W的爪部20a。固持部20包含使爪部20a開閉的馬達(未圖示)等。又，固持部20亦可吸附晶圓W的底面並加以固持。
支柱部21係於鉛直方向延伸的構件，其基端部由驅動部22可旋轉地支撐，且於前端部水平地支撐固持部20。驅動部22使支柱部21繞鉛直軸旋轉。驅動部22使支柱部21於上下方向移動。驅動部22例如包含複數馬達。
基板固持機構11藉由以驅動部22使支柱部21旋轉，而使由支柱部21所支撐的固持部20旋轉。藉此，由固持部20所固持的晶圓W旋轉。
處理流體供給部12將用於基板處理的各種液體供給至晶圓W。處理流體供給部12具備：處理液供給部30、第1沖洗液供給部40、第2沖洗液供給部50及機能液供給部60。
處理液供給部30對晶圓W供給處理液。處理液係SPM(Sulfuric acid-Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸雙氧水溶液)。處理液供給部30對晶圓W的頂面供給處理液。
處理液供給部30具備：處理液供給源31、處理液供給噴嘴32及處理液調整部33。處理液供給噴嘴32經由處理液調整部33而連接至處理液供給源31。處理液調整部33調整從處理液供給噴嘴32供給至晶圓W的頂面的SPM的流量。處理液調整部33包含：開閉閥(未圖示)、流量調整閥(未圖示)及使各閥作動的馬達(未圖示)等。
第1沖洗液供給部40對晶圓W供給第1沖洗液。第1沖洗液係DIW(DeIonized Water：去離子水)。第1沖洗液係常溫。第1沖洗液供給部40對晶圓W的頂面及晶圓W的底面供給第1沖洗液。
第1沖洗液供給部40具備：第1沖洗液供給源41、第1沖洗液供給噴嘴42a、42b及第1沖洗液調整部43。第1沖洗液供給噴嘴42a對晶圓W的頂面供給第1沖洗液。第1沖洗液供給噴嘴42b對晶圓W的底面供給第1沖洗液。第1沖洗液供給噴嘴42a經由第1沖洗液調整部43而連接至第1沖洗液供給源41。第1沖洗液供給噴嘴42b經由第1沖洗液調整部43而連接至第1沖洗液供給源41。
第1沖洗液調整部43包含開閉閥(未圖示)、流量調整閥(未圖示)及使各閥作動的馬達(未圖示)等。第1沖洗液調整部43，可分別調整第1沖洗液供給噴嘴42a及第1沖洗液供給噴嘴42b中之第1沖洗液的流量。第1沖洗液調整部43例如具備：調整從第1沖洗液供給噴嘴42a噴出的第1沖洗液的流量之流量調整閥、及調整從第1沖洗液供給噴嘴42b噴出的第1沖洗液的流量之流量調整閥。
第2沖洗液供給部50(第2清洗液供給部)對晶圓W(基板的一例)供給第2沖洗液(第2清洗液的一例)。第2沖洗液(第2清洗液的一例)使晶圓W(基板的一例)上的鹽例如硫酸銨溶解。第2沖洗液係溫度高於第1沖洗液的DIW。將第2沖洗液調節至例如70度左右。第2沖洗液供給部50對晶圓W的頂面及晶圓W的底面供給第2沖洗液。
第2沖洗液供給部50具備：第2沖洗液供給源51、第2沖洗液供給噴嘴52a、52b及第2沖洗液調整部53。第2沖洗液供給源51包含將DIW的溫度調整成事先設定的溫度的加熱器等。
第2沖洗液供給噴嘴52a對晶圓W的頂面供給第2沖洗液。第2沖洗液供給噴嘴52b對晶圓W的底面供給第2沖洗液。第2沖洗液供給噴嘴52a經由第2沖洗液調整部53而連接至第2沖洗液供給源51。第2沖洗液供給噴嘴52b經由第2沖洗液調整部53而連接至第2沖洗液供給源51。
第2沖洗液調整部53包含開閉閥(未圖示)、流量調整閥(未圖示)及使各閥作動的馬達(未圖示)等。第2沖洗液調整部53可分別調整第2沖洗液供給噴嘴52a及第2沖洗液供給噴嘴52b中之第2沖洗液的流量。第2沖洗液調整部53例如具備：調整從第2沖洗液供給噴嘴52a噴出的第2沖洗液的流量之流量調整閥、及調整從第2沖洗液供給噴嘴52b噴出的第2沖洗液的流量之流量調整閥。
機能液供給部60(第1清洗液供給部的一例)對晶圓W(基板的一例)供給機能液(第1清洗液的一例)。機能液(第1清洗液的一例)含有使晶圓W(基板的一例)上的離子反應的成分。機能液係含有使殘留於晶圓W的處理液的離子反應的成分之液體。於以處理液進行處理的晶圓W，有時會殘留硫磺成分的離子。機能液係含有使硫磺成分的離子反應的成分之液體。具體而言，機能液(第1清洗液的一例)係含有氨成分之液體。機能液例如係氨水。例如，機能液中之氨濃度為3～20ppm左右。機能液供給部60對晶圓W的頂面及晶圓W的底面供給機能液。
機能液供給部60具備：機能液供給源61、機能液供給噴嘴62a、62b及機能液調整部63。機能液供給噴嘴62a對晶圓W的頂面供給機能液。機能液供給噴嘴62b對晶圓W的底面供給機能液。機能液供給噴嘴62a經由機能液調整部63而連接至機能液供給源61。機能液供給噴嘴62b經由機能液調整部63而連接至機能液供給源61。
機能液調整部63包含開閉閥(未圖示)、流量調整閥(未圖示)及使各閥作動的馬達(未圖示)等。機能液調整部63可分別調整機能液供給噴嘴62a及機能液供給噴嘴62b中之機能液的流量。機能液調整部63例如具備：調整從機能液供給噴嘴62a噴出的機能液的流量之流量調整閥、及調整從機能液供給噴嘴62b噴出的機能液的流量之流量調整閥。
回收杯13以包圍固持部20的方式配置，並將因固持部20的旋轉而從晶圓W飛散的處理液等加以捕集。於回收杯13的底部，形成排液口13a，由回收杯13所捕集的處理液等則從排液口13a被排出至基板處理裝置1的外部。又，於回收杯13的底部，形成將從FFU14所供給的氣體排出至基板處理裝置1的外部之排氣口13b。
控制裝置3例如係電腦，且具備控制部3A及記錄部3B。
記錄部3B中，儲存有用以控制於基板處理裝置1中所執行的各種處理的程式。記錄部3B係藉由RAM(Random Access Memory)、快閃記憶體(Flash Memory)等半導體記憶體元件、或硬碟、光碟等記憶裝置而實現。
控制部3A藉由讀出記錄部3B所記錄的程式並執行而控制基板處理裝置1的動作。又，程式係記錄於電腦可讀取的記錄媒體，亦可從記錄媒體被安裝至控制裝置3的記錄部3B。作為電腦可讀取的記錄媒體，有例如硬碟、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
控制裝置3使對晶圓W(基板的一例)的基板處理執行。控制裝置3控制驅動部22中的旋轉。控制裝置3控制處理液調整部33、第1沖洗液調整部43、第2沖洗液調整部53及機能液調整部63。具體而言，控制裝置3於使利用機能液(第1清洗液的一例)清洗由含硫酸之化學液處理後的晶圓W(基板的一例)後，使晶圓W旋轉並使晶圓W乾燥，接著使對晶圓W供給第2沖洗液(第2清洗液的一例)。
＜基板處理＞
其次，參考圖2說明第1實施形態的基板處理。圖2係說明第1實施形態的基板處理的流程圖。
基板處理裝置1進行搬入處理(S100)。具體而言，基板處理裝置1將晶圓W搬入至腔室10。基板處理裝置1於使藉由固持部20固持晶圓W後，使固持部20旋轉。亦即，基板處理裝置1使晶圓W旋轉。
基板處理裝置1進行化學液處理(S101)。具體而言，基板處理裝置1從處理液供給噴嘴32將處理液供給至晶圓W的頂面。供給至晶圓W的頂面的處理液，利用晶圓W的旋轉所伴隨的離心力而擴散至晶圓W的頂面全部。藉此，利用處理液對晶圓W的頂面施予化學液處理。
基板處理裝置1進行第1沖洗處理(S102)。具體而言，基板處理裝置1停止處理液的供給。基板處理裝置1從第1沖洗液供給噴嘴42a將第1沖洗液供給至晶圓W的頂面。基板處理裝置1從第1沖洗液供給噴嘴42b將第1沖洗液供給至晶圓W的底面。基板處理裝置1一面使晶圓W旋轉，一面將第1沖洗液供給至晶圓W。
基板處理裝置1進行機能液處理(S103)。機能液處理，係對於由含硫酸之化學液處理後的晶圓W(基板的一例)供給機能液(第1清洗液的一例)以藉由機能液清洗晶圓W之步驟。具體而言，基板處理裝置1停止第1沖洗液的供給。基板處理裝置1從機能液供給噴嘴62a將機能液供給至晶圓W的頂面。基板處理裝置1從機能液供給噴嘴62b將機能液供給至晶圓W的底面。基板處理裝置1一面使晶圓W旋轉，一面將機能液供給至晶圓W。藉由機能液處理，產生殘留於晶圓W的處理液的硫磺成分的離子與機能液的氨水的中和反應，而產生水溶性的鹽亦即硫酸銨。
基板處理裝置1進行第1乾燥處理(S104)。第1乾燥處理係停止機能液(第1清洗液的一例)的供給而使晶圓W(基板的一例)乾燥的步驟。具體而言，基板處理裝置1停止機能液的供給。基板處理裝置1使晶圓W旋轉，以甩開附著於晶圓W的機能液，而使晶圓W乾燥。基板處理裝置1加快晶圓W的轉速，以甩開機能液。第1乾燥處理使晶圓W(基板的一例)上的離子反應而產生鹽。藉由第1乾燥處理，殘留於晶圓W的硫磺成分的離子與空氣中的氨成分反應而產生鹽。
基板處理裝置1進行第2沖洗處理(S105)。第2沖洗處理，係對已乾燥的晶圓W(基板的一例)供給第2沖洗液(第2清洗液的一例)並利用第2沖洗液清洗晶圓W的步驟。具體而言，基板處理裝置1使晶圓W的轉速小於第1乾燥處理中的轉速。基板處理裝置1從第2沖洗液供給噴嘴52a將第2沖洗液供給至晶圓W的頂面。基板處理裝置1從第2沖洗液供給噴嘴52b將第2沖洗液供給至晶圓W的底面。基板處理裝置1一面使晶圓W旋轉，一面供給第2沖洗液。藉由進行第2沖洗處理，使所產生的硫酸銨溶解於第2沖洗液(DIW)而從晶圓W去除。
基板處理裝置1進行第2乾燥處理S106。具體而言，基板處理裝置1停止第2沖洗液的供給。基板處理裝置1使晶圓W旋轉，以甩開附著於晶圓W的第2沖洗液，而使晶圓W乾燥。基板處理裝置1加快晶圓W的轉速，以甩開第2沖洗液。又，基板處理裝置1亦可對腔室10供給氮，而於氮環境氣體中進行第2乾燥處理。
基板處理裝置1進行搬出處理S107。具體而言，基板處理裝置1停止晶圓W的旋轉。基板處理裝置1從腔室10搬出晶圓W。
基板處理裝置1亦可變換成第2沖洗處理而進行供給機能液(第2清洗液的一例)的第2機能液處理。亦即，基板處理裝置1亦可於將機能液供給至晶圓W之後，於使晶圓W乾燥後，接著更將機能液供給至晶圓W，並利用機能液清洗晶圓W。藉此，將殘留於晶圓W的處理液的硫磺成分的離子加以重複去除。又，亦可更使第1乾燥處理及第2機能液處理重複。亦即，基板處理裝置1亦可重複進行複數次的第2機能液處理(藉由第1清洗液清洗基板的步驟的一例)及第1乾燥處理(使基板乾燥的步驟)。
藉此，使殘留於晶圓W的硫磺成分的離子變少。可抑制於晶圓W產生微粒。
基板處理裝置1亦可於機能液處理之後，不進行第1乾燥處理而進行第2沖洗處理。又，基板處理裝置1亦可於機能液處理之後，不進行第1乾燥處理及第2沖洗處理而進行第2乾燥處理。
＜效果＞
基板處理方法包含：利用機能液(第1清洗液的一例)清洗晶圓W(基板的一例)的步驟；使晶圓W乾燥的步驟；及利用第2沖洗液(第2清洗液的一例)清洗晶圓W的步驟。利用機能液清洗晶圓W的步驟，對於由含硫酸之化學液處理後的晶圓W供給機能液，以清洗晶圓W。於使晶圓W乾燥的步驟中，停止機能液的供給，使晶圓W乾燥。於利用第2沖洗液清洗晶圓W的步驟中，對已乾燥的晶圓W供給第2沖洗液，以清洗晶圓W。機能液含有使晶圓W上的離子反應的成分。
藉此，利用機能液使殘留於晶圓W的硫磺成分的離子中和，而產生鹽亦即硫酸銨。所產生的鹽利用第2沖洗液加以清洗。因此，可抑制於晶圓W產生微粒。
基板處理方法包含：利用機能液(第1清洗液的一例)清洗晶圓W(基板的一例)的步驟：使晶圓W乾燥的步驟；及利用第2沖洗液(第2清洗液的一例)清洗晶圓W的步驟。於利用機能液清洗晶圓W的步驟中，對於由含硫酸之化學液處理後的晶圓W供給機能液，以清洗晶圓W。於使晶圓W乾燥的步驟中，停止機能液的供給，使晶圓W乾燥。於利用第2沖洗液清洗晶圓W的步驟中，對已乾燥的晶圓W供給第2沖洗液，以清洗晶圓W。於使晶圓W乾燥的步驟中，使晶圓W上的離子反應而產生鹽。
藉此，藉由使以機能液清洗的晶圓W乾燥，使得殘留於晶圓W的硫磺成分的離子與空氣中的鹼成分反應而產生鹽。所產生的鹽利用第2沖洗液加以清洗。因此，可抑制於晶圓W產生微粒。
機能液(第1清洗液的一例)含有氨成分。第2沖洗液(第2清洗液的一例)使晶圓W上的鹽溶解。藉此，藉由利用機能液所進行的晶圓W的清洗，使殘留於晶圓W的硫磺成分的離子與氨成分反應，而產生硫酸銨。所產生的硫酸銨溶解於對第2沖洗液。因此，藉由利用第2沖洗液將晶圓W加以清洗，而使硫酸銨清除。因此，可抑制於晶圓W產生微粒。
(第2實施形態)
＜基板處理裝置＞
其次，參考圖3說明第2實施形態的基板處理裝置1。圖3係第2實施形態的基板處理裝置1的概略構成圖。在此，說明與第1實施形態的基板處理裝置1相異之處。針對與第1實施形態的基板處理裝置1的構成相同之構成，則賦予與第1實施形態的基板處理裝置1相同的符號，而省略詳細說明。
基板處理裝置1具備環境氣體調整部70。環境氣體調整部70對腔室10供給反應氣體，以令晶圓W(基板的一例)的環境氣體成為含有使晶圓W上的離子反應的反應成分之環境氣體。反應氣體係含有氨的氣體。
環境氣體調整部70具備：反應氣體供給源71及反應氣體調整部72。環境氣體調整部70經由反應氣體調整部72，從反應氣體供給源71對腔室10供給反應氣體。反應氣體調整部72包含：開閉閥(未圖示)、流量調整閥(未圖示)及使各閥的馬達等。環境氣體調整部70利用控制裝置3而使反應氣體調整部72受到控制。
控制裝置3於利用機能液(第1清洗液的一例)使由含硫酸之化學液處理後的晶圓W(基板的一例)清洗之後，於使晶圓W在含有反應成分的環境氣體下乾燥後，對晶圓W供給第2沖洗液(第2清洗液的一例)。
＜基板處理＞
其次，參考圖4說明第2實施形態的基板處理。圖4係說明第2實施形態的基板處理的流程圖。
基板處理裝置1於步驟S100～步驟S103中，進行與第1實施形態的步驟S100～步驟S103相同的處理。
基板處理裝置1進行第1乾燥處理(S200)。第1乾燥處理，係令晶圓W(基板的一例)的環境氣體成為含有使晶圓W上的離子反應的反應成分之環境氣體的步驟。第1乾燥處理，係於使晶圓W(基板的一例)旋轉而從晶圓W排出機能液(第1清洗液的一例)之後，停止晶圓W的旋轉而成為含有反應成分的環境氣體的步驟。具體而言，基板處理裝置1停止機能液的供給。基板處理裝置1使晶圓W旋轉，以甩開附著於晶圓W的機能液，而使晶圓W乾燥。基板處理裝置1藉由環境氣體調整部70對腔室10供給反應氣體，以令晶圓W的環境氣體成為反應氣體環境氣體。
基板處理裝置1，例如，於使晶圓W的旋轉停止之後，對腔室10供給反應氣體。基板處理裝置1藉由令晶圓W旋轉以使晶圓W乾燥後，使晶圓W的旋轉停止，而對腔室10供給反應氣體。
又，基板處理裝置1亦可於使晶圓W的旋轉停止前，對腔室10供給反應氣體。亦即，基板處理裝置1令晶圓W的環境氣體成為反應氣體環境氣體，並使晶圓W旋轉而使晶圓W乾燥。
藉由第1乾燥處理，殘留於晶圓W的硫磺成分的離子由反應氣體所含的氨加以中和，而產生鹽亦即硫酸銨。
基板處理裝置1進行第2沖洗處理(S201)。具體而言，基板處理裝置1停止環境氣體調整部70所進行的反應氣體的供給，並使晶圓W旋轉。基板處理裝置1從第2沖洗液供給噴嘴52a將第2沖洗液供給至晶圓W的頂面。基板處理裝置1從第2沖洗液供給噴嘴52b將第2沖洗液供給至晶圓W的底面。
基板處理裝置1，於步驟S106及步驟S107中，進行與第1實施形態的步驟S106及步驟S107相同的處理。
基板處理裝置1於第2沖洗處理中，亦可對腔室10供給反應氣體。亦即，基板處理裝置1亦可一面對腔室10供給反應氣體，一面將第2沖洗液供給至晶圓W。
基板處理裝置1於機能液處理中，亦可對腔室10供給反應氣體。亦即，基板處理裝置1亦可一面對腔室10供給反應氣體，一面將機能液供給至晶圓W。
基板處理裝置1亦可變換成第2沖洗處理而進行供給機能液的第2機能液處理。基板處理裝置1於第2機能液處理中，亦可對腔室10供給反應氣體。基板處理裝置1亦可重複進行複數次的第1乾燥處理及第2機能液處理。又，基板處理裝置1亦可於對腔室10供給反應氣體的狀態下，重複進行複數次的第1乾燥處理及第2機能液處理。
基板處理裝置1亦可於第1沖洗處理之後進行第2沖洗處理，並於其後進行第1乾燥處理。亦即，基板處理裝置1不從機能液供給部60供給機能液，而藉由環境氣體調整部70將反應氣體供給至腔室10。殘留於晶圓W的硫磺成分的離子與反應氣體的氨反應，而產生硫酸銨。基板處理裝置1於第1乾燥處理後，進行第2沖洗處理。於第1乾燥處理後的第2沖洗處理中，亦可於藉由環境氣體調整部70而將反應氣體供給至腔室10的狀態下，而將第2沖洗液供給至晶圓W。
＜效果＞
於基板處理方法中使晶圓W(基板的一例)乾燥的步驟中，令晶圓W的環境氣體成為含有使晶圓W上的離子反應的反應成分之環境氣體。
藉此，於晶圓W乾燥時，藉由反應氣體所含的反應成分，使得殘留於晶圓W的硫磺成分的離子發生反應而產生鹽。所產生的鹽利用第2沖洗液加以清除。因此，可抑制於晶圓W產生微粒。
於基板處理方法中之使晶圓W(基板的一例)乾燥的步驟中，於一面使晶圓W旋轉一面從晶圓W使機能液(第1清洗液的一例)排出之後，停止晶圓W的旋轉，而成為含有反應成分的環境氣體。
藉此，反應氣體對晶圓W的滯留時間變長。因此，利用少量的反應氣體而產生鹽。因此，反應氣體的使用量變少。
又，此次所揭示的實施形態於各方面應視為例示而非以此為限。事實上，上述實施形態可以多種形態具體實現。又，上述實施形態於不超出附加請求範圍及其主旨下，亦可以各種形態進行省略、置換或變更。
1:基板處理裝置
2:基板處理部
3:控制裝置
3A:控制部
3B:記錄部
10:腔室
11:基板固持機構(基板固持部)
12:處理流體供給部
13:回收杯
13a:排液口
13b:排氣口
14:FFU(風機過濾機組)
20:固持部
20a:爪部
21:支柱部
22:驅動部
30:處理液供給部
31:處理液供給源
32:處理液供給噴嘴
33:處理液調整部
40:第1沖洗液供給部
41:第1沖洗液供給源
42a,42b:第1沖洗液供給噴嘴
43:第1沖洗液調整部
50:第2沖洗液供給部(第2清洗液供給部)
51:第2沖洗液供給源
52a,52b:第2沖洗液供給噴嘴
53:第2沖洗液調整部
60:機能液供給部(第1清洗液供給部)
61:機能液供給源
62a,62b:機能液供給噴嘴
63:機能液調整部
70:環境氣體調整部
71:反應氣體供給源
72:反應氣體調整部
S100~S107,S200~S201:步驟
W:晶圓
【圖1】圖1係顯示第1實施形態的基板處理裝置的概略構成的示意圖。
【圖2】圖2係說明第1實施形態的基板處理的流程圖。
【圖3】圖3係第2實施形態的基板處理裝置的概略構成圖。
【圖4】圖4係說明第2實施形態的基板處理的流程圖。
1:基板處理裝置
2:基板處理部
3:控制裝置
3A:控制部
3B:記錄部
10:腔室
11:基板固持機構(基板固持部)
12:處理流體供給部
13:回收杯
13a:排液口
13b:排氣口
14:FFU(風機過濾機組)
20:固持部
20a:爪部
21:支柱部
22:驅動部
30:處理液供給部
31:處理液供給源
32:處理液供給噴嘴
33:處理液調整部
40:第1沖洗液供給部
41:第1沖洗液供給源
42a,42b:第1沖洗液供給噴嘴
43:第1沖洗液調整部
50:第2沖洗液供給部(第2清洗液供給部)
51:第2沖洗液供給源
52a,52b:第2沖洗液供給噴嘴
53:第2沖洗液調整部
60:機能液供給部(第1清洗液供給部)
61:機能液供給源
62a,62b:機能液供給噴嘴
63:機能液調整部
W:晶圓
Claims (8)
- 一種基板處理方法，包含下述步驟： 對於由含硫酸之化學液處理後的基板，供給第1清洗液，並利用該第1清洗液清洗該基板； 停止該第1清洗液的供給，而使該基板乾燥；及 對已乾燥的該基板，供給第2清洗液，並利用該第2清洗液清洗該基板； 該第1清洗液含有使該基板上的離子反應的成分。
- 一種基板處理方法，包含下述步驟： 對於由含硫酸之化學液處理後的基板，供給第1清洗液，並利用該第1清洗液清洗該基板； 停止該第1清洗液的供給，而使該基板乾燥；及 對已乾燥的該基板，供給第2清洗液，並利用該第2清洗液清洗該基板； 於使該基板乾燥之步驟中，使該基板上的離子反應而產生鹽。
- 如請求項2的基板處理方法，其中， 於使該基板乾燥之步驟中，令該基板的環境氣體成為含有使該基板上的離子反應的反應成分的環境氣體。
- 如請求項3的基板處理方法，其中， 於使該基板乾燥之步驟中，於使該基板旋轉以令該第1清洗液從該基板排出後，停止該基板的旋轉，而成為含有該反應成分的環境氣體。
- 如請求項1～4中任一項的基板處理方法，其中， 該第1清洗液含有氨成分， 該第2清洗液使該基板上的鹽溶解。
- 如請求項1～4中任一項的基板處理方法，其中， 利用該第1清洗液清洗該基板的步驟及使該基板乾燥的步驟，係重複進行複數次。
- 一種基板處理裝置，包含： 第1清洗液供給部，對基板供給使該基板上的離子反應的第1清洗液； 第2清洗液供給部，對該基板供給第2清洗液； 基板固持部，固持該基板並使該基板旋轉；及 控制裝置，使執行對該基板的基板處理； 該控制裝置，於使利用該第1清洗液清洗由含硫酸之化學液處理後的該基板之後，令該基板旋轉而使該基板乾燥，接著使對該基板供給該第2清洗液。
- 一種基板處理裝置，包含： 第1清洗液供給部，對基板供給第1清洗液； 第2清洗液供給部，對該基板供給第2清洗液； 基板固持部，固持該基板並使該基板旋轉； 環境氣體調整部，令該基板的環境氣體成為含有使該基板上的離子反應的反應成分的環境氣體；及 控制裝置，使執行對該基板的基板處理； 該控制裝置，於使利用該第1清洗液清洗由含硫酸之化學液處理後的該基板之後，使該基板於含有該反應成分的環境氣體下乾燥，接著對該基板供給該第2清洗液。
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|---|---|---|---|
| JP2021-030327 | 2021-02-26 | ||
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|---|---|
| TW202242980A true TW202242980A (zh) | 2022-11-01 |
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| TW (1) | TW202242980A (zh) |
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-
2022
- 2022-02-14 TW TW111105186A patent/TW202242980A/zh unknown
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