CN114108084A - 基片处理方法和基片处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供使硅膜适当地结晶并使结晶成长的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在保持工序中保持的基片供给含金属的溶液，使金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在硅膜的表面。

Description

基片处理方法和基片处理装置
技术领域
本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
专利文献1公开了在硅膜的表面形成作为催化剂的金属膜后，进行热处理使硅膜结晶化的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-243975号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够使硅膜适当地结晶并使结晶成长的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理方法是通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行上述热处理前，保持形成有上述硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在上述保持工序中保持的上述基片供给含金属的溶液，使上述金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在上述硅膜的表面。
发明效果
依照本发明，能够起到使硅膜适当地结晶并使结晶成长的效果。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概要结构的图。
图2是表示实施方式的第1处理单元的概要结构的图。
图3是表示实施方式的第2处理单元的概要结构的图。
图4是表示实施方式的第1处理单元执行的基片处理的流程的流程图。
图5是表示在第1处理单元执行的基片处理中改变金属的附着量而测量硅膜的结晶尺寸的测量结果的一例的图。
图6是表示实施方式的第2处理单元执行的基片处理的流程的流程图。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理系统
4 控制装置
4A 控制部
4B 存储部
16 第1处理单元
30 基片保持机构
40 处理液供给部
17 第2处理单元
130 基片保持机构
140 供给部。
具体实施方式
以下，参照附图，对各种实施方式详细地进行说明。此外，本发明的技术不限定于以下的实施方式。
在使作为催化剂的金属附着在硅膜的表面后进行热处理的情况下，金属向硅膜内过量地扩散，作为结果，存在因过量地扩散的金属而阻碍硅膜的结晶并使结晶成长的可能性。因此，人们希望使硅膜适当地结晶并使结晶成长。
(实施方式)
<基片处理系统的结构>
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概要结构的图。在下文中，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，并将Z轴正方向作为铅垂向上方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。
送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置多个承载器C，该多个承载器C将多个基片——在本实施方式中为半导体晶片W(以下称为晶片W)——以水平状态收纳。在晶片W的表面上形成有硅膜。
输送部12与承载器载置部11相邻地设置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心旋转，并且使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15、多个第1处理单元16和多个第2处理单元17。多个第1处理单元16和多个第2处理单元17并排设置在输送部15的两侧。
输送部15在内部设有基片输送装置18。基片输送装置18具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置18能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心旋转，并且使用晶片保持机构在交接部14与第1处理单元16或者第2处理单元17之间进行晶片W的输送。
第1处理单元16对由基片输送装置18输送的晶片W进行规定的基片处理。在本实施方式中，第1处理单元16在进行用于使晶片W上的硅膜结晶并使结晶成长的热处理之前，使作为催化剂的金属附着在硅膜的表面。
第2处理单元17对由基片输送装置18输送的晶片W进行规定的处理。在本实施方式中，第2处理单元17在进行了用于使晶片W上的硅膜结晶并使结晶成长的热处理后，将残留在硅膜的表面上的金属(例如，金属硅化物)除去。
另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部4A和存储部4B。在存储部4B保存控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部4A通过读取并执行存储于存储部4B的程序，来控制基片处理系统1的工作。
另外，该程序也可以存储于计算机可读取的存储介质，从该存储介质安装到控制装置4的存储部4B。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将所取出的晶片W载置到交接部14。被载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置18从交接部14取出，并送入第1处理单元16。
被送入第1处理单元16的晶片W在由第1处理单元16处理后，由基片输送装置18从第1处理单元16送出，并载置到交接部14。然后，被载置于交接部14的已处理的晶片W由基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。
将已处理的晶片W送回承载器C后，承载器C由规定的输送装置输送到配置于基片处理系统1的外部的退火装置。然后，在退火装置中，对晶片W进行热处理。收纳进行了热处理后的晶片W的承载器C，由规定的输送装置送回基片处理系统1。
之后，在基片处理系统1中，基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将所取出的晶片W载置在交接部14。被载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置18从交接部14取出，并送入第2处理单元17。
被送入第2处理单元17的晶片W在由第2处理单元17处理后，由基片输送装置18从第2处理单元17送出，并载置到交接部14。然后，被载置于交接部14的已处理的晶片W，由基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。
<第1处理单元的结构>
下面，参照图2，对第1处理单元16的概要结构进行说明。图2是表示实施方式的第1处理单元16的概要结构的图。
如图2所示，第1处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理液供给部40、清洗液供给部50、下部供给部60和回收杯状体70。
腔室20收纳基片保持机构30、处理液供给部40、清洗液供给部50、下部供给部60和回收杯状体70。在腔室20的顶部设置FFU(Fan Filter Unit：风机过滤器)21。FFU21在腔室20内形成下降流(down flow)。
FFU21经由阀22与下降流气体供给源23连接。FFU21将从下降流气体供给源23供给的下降流气体(例如，氮气或干燥气体)释放到腔室20内。
基片处理部30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。在保持部31的上表面设置有抓持晶片W的周缘部的多个抓持部31a。晶片W在借助于抓持部31a而与保持部31的上表稍微隔开间隔的状态下被保持为水平。此外，晶片W在使形成有硅膜的面朝向上方的状态下由保持部31保持。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，从下方对保持部31进行支承。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。基片保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转，以使由支柱部32支承的保持部31旋转，由此，使由保持部31保持的晶片W旋转。
处理液供给部40对由基片保持机构30保持的晶片W供给各种处理液。处理液供给部40经由阀41a与DHF(稀氢氟酸)供给源42a连接。此外，处理液供给部40经由阀41b与SC1供给源42b连接。从DHF供给源42a供给的DHF和从SC1供给源42b供给的SC1(氨水、过氧化氢和水的混合液)是用于使晶片W上的硅膜的表面亲水化的亲水化处理液。
另外，处理液供给部40经由阀41c和稀释部43与金属溶液供给源44和DIW(DeIonized Water：去离子水)供给源45连接。从金属溶液供给源44供给的含金属的溶液(以下适当称为“金属溶液”。)，是用于使金属附着在晶片W上的硅膜的表面的处理液。作为金属溶液中所含的金属，例如能够使用Ni、Pd、Ag、Au、Sn、Sb、Cu、Cd、Al、Co、Pt、Mo、Ti、W和Cr中的至少一者。作为金属溶液的溶剂，例如能够使用稀硝酸和纯水等。从DIW供给源45供给的DIW是用于稀释金属溶液的稀释液。作为稀释液，也可以代替DIW而使用IPA(异丙醇)。从金属溶液供给源44供给的金属溶液在稀释部53中由DIW稀释之后，从处理液供给部40供给到晶片W。
另外，从使金属溶液相对于晶片W的接触角减小来促进金属对硅膜的表面的附着的观点出发，可以从处理液供给部40对晶片W供给在金属溶液中混合了IPA等有机溶剂而得到的混合液。在该情况下，代替金属溶液供给源44，而使用供给在金属溶液中混合了IPA等有机溶剂而得到的混合液的混合液供给源即可。
另外，处理液供给部40经由阀41d与DIW供给源42d连接。从DIW供给源42d供给的DIW是用于将在稀释部53中被稀释了的金属溶液进一步稀释的稀释液。作为稀释液，也可以代替DIW而使用IPA。此外，从DIW供给源42d供给的DIW也能够作为清洗液使用，清洗液用于清洗过量地附着于晶片W上的硅膜的表面的金属。此外，从DIW供给源42d供给的DIW也可以作为用于除去亲水化处理液的冲洗用的处理液使用。
清洗液供给部50供给用于清洗由基片保持机构30保持的晶片W的边缘斜面部的清洗液。边缘斜面部是形成于晶片W的周缘部的倾斜部。清洗液供给部50经由阀51a与SC2供给源52a连接。从SC2供给源52a供给的SC2(盐酸和过氧化氢的混合液)是用于清洗晶片W的边缘斜面部的清洗液。作为清洗液，也可以代替SC2，而使用氢氟酸、稀盐酸、SPM(硫酸和过氧化氢的混合液)或者王水(盐酸3：硝酸1的混合液)。
另外，清洗液供给部50经由阀51b与DIW供给源52b连接。从DIW供给源52b供给的DIW是用于除去残留在晶片W的边缘斜面部的清洗液的冲洗用的处理液。
下部供给部60供给用于清洗由基片保持机构30保持的晶片W的背面的清洗液。背面是晶片W的与形成有硅膜的面相反侧的面。下部供给部60插通保持部31和支柱部32的中空部。在下部供给部60的内部形成有在铅垂方向上延伸的流路。流路经由阀61a与SC2供给源62a连接。从SC2供给源62a供给的SC2是用于清洗晶片W的背面的清洗液。作为清洗液，也可以代替SC2，而使用氢氟酸、稀盐酸、SPM或者王水。
另外，下部供给部60经由阀61b与DIW供给源62b连接。从DIW供给源62b供给的DIW是用于除去残留在晶片W的背面的清洗液的冲洗用的处理液。
回收杯状体70以包围保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯状体70的底部形成有排液口71，由回收杯状体70收集的处理液从该排液口71向第1处理单元16的外部排出。此外，在回收杯状体70的底部，形成将从FFU21供给的气体向第1处理单元16的外部排出的排气口72。
<第2处理单元的结构>
下面，参照图3，对第2处理单元17的概要结构进行说明。图3是表示实施方式的第2处理单元17的概要结构的图。
如图3所示，第2处理单元17包括腔室120、基片保持机构130、供给部140和回收杯状体150。
腔室120收纳基片保持机构130、供给部140和回收杯状体150。向腔室120送入在退火装置中进行了热处理的晶片W。在退火装置中进行了热处理的晶片W的硅膜的表面上，残留有在热处理中成为了硅化物的金属(即，金属硅化物)。在腔室120的顶部设置FFU121。FFU121在腔室120内形成下降流。
FFU121经由阀122与下降流气体供给源123连接。FFU121将从下降流气体供给源123供给的下降流气体(例如，氮气或干燥气体)释放到腔室120内。
基片保持机构130包括保持部131、支柱部132和驱动部133。保持部131将晶片W水平地保持。此外，晶片W在使形成有硅膜的面朝向上方的状态下由保持部131保持。支柱部132是在铅垂方向上延伸的部件，从下方支承保持部131。驱动部133使支柱部132绕铅垂轴旋转。基片保持机构130通过使用驱动部133使支柱部132旋转以使由支柱部132支承的保持部131旋转，由此，使由保持部131保持的晶片W旋转。
供给部140对由基片保持机构130保持的晶片W供给处理液。供给部140经由阀141a与SC2供给源142a连接。从SC2供给源142a供给的SC2，是用于除去残留在硅膜的表面上的金属(例如，金属硅化物)的清洗液。作为用于除去残留在硅膜的表面上的金属的清洗液，也可以代替SC2而使用SPM或者王水。
另外，供给部140经阀141b与DIW供给源142b连接。从DIW供给源142b供给的DIW，是用于除去残留在硅膜的表面上的清洗液的冲洗用的处理液。
回收杯状体150以包围保持部131的方式配置，收集因保持部131的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯状体150的底部形成有排液口151，由回收杯状体150收集到的处理液从该排液口151向第2处理单元17的外部外出。此外，在回收杯状体150的底部形成用于将从FFU121供给的气体向第2处理单元17的外部排出的排气口152。
<第1处理单元执行的基片处理>
下面，参照图4，对第1处理单元16执行的基片处理进行说明。图4是表示实施方式的第1处理单元16执行的基片处理的流程的流程图。此外，图4所示的各处理在控制部4A的控制下执行。
如图4所示，首先，基片输送装置18将晶片W送入第1处理单元16的腔室20内(步骤S101)。晶片W在使形成有硅膜的面朝向上方的状态下由保持部31保持。之后，利用驱动部33，而保持部31旋转。由此，晶片W与保持部31一起旋转。
接着，在第1处理单元16中，进行亲水化处理(步骤S102)。在亲水化处理中，处理液供给部40位于晶片W的中央上方。之后，将阀41a开放规定时间，以对晶片W的表面供给作为亲水化处理液的DHF。供给到晶片W的DHF因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，使晶片W上的硅膜的表面亲水化。之后，将阀41d开放规定时间，以对晶片W的表面供给作为冲洗用的处理液的DIW。供给到晶片W的DIW因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，残留在晶片W的表面的DHF被DIW洗去。之后，将阀41b开放规定时间，以对晶片W的表面供给作为亲水化处理液的SC1。供给到晶片W的SC1因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，使晶片W上的硅膜的表面进一步亲水化。之后，将阀41d开放规定时间，以对晶片W的表面供给作为冲洗用的处理液的DIW。供给到晶片W的DIW因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，残留在晶片W的表面的SC1被DIW洗去。
接着，在第1处理单元16中，进行附着处理(步骤S103)。在附着处理中，将阀41c和阀41d开放规定时间，以对晶片W的表面供给金属溶液。此时，金属溶液在稀释部43中被从DIW供给源45供给的DIW稀释，且在稀释部43的下游侧被从DIW供给源42d供给的DIW进一步稀释之后，供给到晶片W的表面。换言之，在附着处理中，在对晶片W供给金属溶液之前，用多个稀释液(DIW)阶段性地稀释金属溶液以调整金属溶液中所含的金属的浓度。金属溶液中所含的金属的浓度例如在10[ppm]以上且10000[ppm]以下的范围内。供给到晶片W的金属溶液因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在晶片W上的硅膜的表面。
另外，在上述的附着处理中，在通过由稀释部43进行的第一次稀释而金属溶液中所含的金属的浓度成为所希望的浓度的情况下，可以省略稀释部43的下游侧的第二次稀释。
另外，在上述的附着处理中，也可以为，第1处理单元16将金属溶液注满在晶片W上，之后，在规定时间中使晶片W的转速增加，以将晶片W上的金属溶液甩掉。通过在规定时间中使晶片W的转速减少(或者，在规定时间中使晶片W的旋转停止)而供给金属溶液，来实现金属溶液的注满。在晶片W上注满了金属溶液后将金属溶液甩掉，由此，能够减少金属溶液对晶片W的供给量。
另外，在上述的附着处理中，也可以为，第1处理单元16使用2个流体喷嘴等将金属溶液呈雾状供给到晶片W的表面。此外，在上述的附着处理中，也可以为，第1处理单元16进行使处理液供给部40在晶片W的中心部与外周部之间移动的扫动处理，对晶片W的表面供给金属溶液。由此，能够缩短附着处理的处理时间。
另外，也可以为，第1处理单元16对晶片W供给在金属溶液中混合了IPA等有机溶剂而得到的混合液。由此，能够使金属溶液相对于晶片W的接触角减小，容易使金属溶液在晶片W上的硅膜的表面涂敷扩散。因此，能够促进金属对硅膜的表面的附着。此外，也可以为，第1处理单元16在使用在金属溶液中混合了有机溶剂而得到的混合液的情况下，对晶片W供给混合液以成为例如100nm以上的厚度。由此，能够进一步促进金属对硅膜的表面的附着。
另外，在上述的附着处理中，优选将晶片W的转速设定为1000[rpm]以下，且将处理时间设定在60秒以下。
接着，在第1处理单元16中，进行调整处理(步骤S104)。在调整处理中，将阀41d开放规定时间，以对晶片W的表面供给作为清洗液得DIW。供给到晶片W的DIW因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，附着于晶片W上的硅膜的表面的金属的一部分被DIW洗去。由此，能够调整硅膜的表面中的金属的附着量。
另外，在使上述的附着处理(步骤S103)结束的时刻，硅膜的表面中的金属的附着量已经成为所希望的附着量的情况下，也可以省略上述调整处理(步骤S104)。
接着，在第1处理单元16中，进行干燥处理(步骤S105)。在干燥处理中，在规定时间中使晶片W的转速增加，由此将残留在晶片W上的DIW甩掉以使晶片W旋转干燥。
另外，在上述的干燥处理中使用的干燥方式不限于旋转干燥。例如，也可以进行在用IPA置换了DIW后将IPA甩掉以使晶片W旋转干燥的IPA干燥。此外，从抑制晶片W上的图案崩坏的观点出发，也可以在IPA干燥之前，通过对晶片W供给疏水化液而使晶片W的表面疏水化。此外，在上述的干燥处理中，也可以进行在用IPA置换了DIW后使IPA与超临界状态的流体接触以使晶片W干燥的超临界干燥。
接着，在第1处理单元16中，进行边缘斜面部清洗处理(步骤S106)。在边缘斜面部清洗处理中，清洗液供给部50位于晶片W的周缘部上方。之后，将阀51a开放规定时间，以对晶片W的周缘部供给作为清洗液的SC2。由此，倾斜晶片W的边缘斜面部以从晶片W的边缘斜面部除去金属。
接着，在第1处理单元16中，进行冲洗处理(步骤S107)。在冲洗处理中，将阀51b开放规定时间，以对晶片W的周缘部供给作为冲洗用的处理液的DIW。由此，残留在晶片W的边缘斜面部的SC2被DIW洗去。
接着，在第1处理单元16中，进行干燥处理(步骤S108)。在干燥处理中，在规定时间中使晶片W的转速增加，以使晶片W干燥。
接着，在第1处理单元16中，进行背面清洗处理(步骤S109)。在背面清洗处理中，将阀61a开放规定时间，以对晶片W的背面供给作为清洗液的SC2。供给到晶片W的背面的SC2因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W的整个背面扩散。由此，清洗晶片W的背面以从晶片W的背面除去金属。
接着，在第1处理单元16中，进行冲洗处理(步骤S110)。在冲洗处理中，将阀61b开放规定时间，以对晶片W的背面供给作为冲洗用的处理液的DIW。由此，残留在晶片W的背面的SC2被DIW洗去。
接着，在第1处理单元16中，进行干燥处理(步骤S111)。在干燥处理中，在规定时间中使晶片W的转速增加以使晶片W干燥。
接着，在第1处理单元16中，进行送出处理(步骤S112)。在送出处理中，在使晶片W的旋转停止后，将晶片W从第1处理单元16送出。从第1处理单元16送出的晶片W被送回承载器载置部11的承载器C后，被运送到配置于基片处理系统1的外部的退火装置。然后，在退火装置中，对晶片W进行热处理。热处理的处理时间例如为2～24小时。通过对晶片W进行热处理，附着于晶片W上的硅膜的表面的金属向硅膜内扩散而成为硅化物。由此，以成为硅化物的金属(即，金属硅化物)为起点而硅膜结晶并使结晶成长。进行了热处理的晶片W在被收纳于承载器C后，被送回基片处理系统1。
此处，评价了在第1处理单元16执行的基片处理中金属的附着量与硅膜的结晶化的关系。图5是表示在第1处理单元16执行的基片处理中改变金属的附着量而测量硅膜的结晶尺寸的测量结果的一例的图。所使用的金属为Ni。
根据图5可知，在硅膜的表面中的金属的附着量在1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围的情况下，得到了结晶尺寸比0[μm]大的硅膜。尤其是，在硅膜的表面中的金属的附着量在1.0E13[原子/cm2]以上且1.0E16[原子/cm2]以下的范围的情况下，结晶尺寸成为大约0.5[μm]以上。因此，确认了从使硅膜适当地结晶并使结晶成长的观点出发，优选的金属的附着量在以下的范围内。即，优选的金属的附着量在1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内，更优选在1.0E13[原子/cm2]以上且1.0E16[原子/cm2]以下的范围内。
<第2处理单元执行的基片处理>
下面，参照图6，对第2处理单元17执行的基片处理进行说明。图6是表示实施方式的第2处理单元17执行的基片处理的流程的流程图。此外，图6所示的各处理在由控制部4A进行的控制下执行。
如图6所示，首先，基片输送装置18将晶片W送入第2处理单元17的腔室120内(步骤S201)。在腔室120内，被送入在退火装置中进行了热处理的晶片W。在退火装置中进行了热处理的晶片W的硅膜的表面上，残留有在热处理中成为了硅化物的金属(即，金属硅化物)。晶片W在使形成有硅膜的面朝向上方的状态下由保持部131保持。之后，利用驱动部133而保持部131旋转。由此，晶片W与保持部131一起旋转。
接着，在第2处理单元17中，进行除去处理(步骤S202)。在除去处理中，供给部140位于晶片W的中央上方。之后，将阀141a开放规定时间，以对晶片W的表面供给作为清洗液的SC2。供给到晶片W的SC2因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，能够将残留在硅膜的表面上的金属(例如，金属硅化物)除去。
接着，在第2处理单元17中，进行冲洗处理(步骤S203)。在冲洗处理中，将阀141b开放规定时间，以对晶片W的表面供给作为冲洗用的处理液的DIW。供给到晶片W的DIW因伴随晶片W的旋转的离心力而在晶片W上的硅膜的整个表面扩散。由此，残留在晶片W的表面的SC2被DIW洗去。
接着，在第2处理单元17中，进行干燥处理(步骤S204)。在干燥处理中，在规定时间中使晶片W的转速增加，以使晶片W干燥。
接着，在第2处理单元17中，进行送出处理(步骤S205)。在送出处理中，在使晶片W的旋转停止后，将晶片W从第2处理单元17送出。
<效果>
实施方式的基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，包括保持工序和附着工序。保持工序在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片(作为一例，为晶片W)。附着工序通过对在保持工序中保持的基片供给含金属的溶液，使金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在硅膜的表面。因此，依照实施方式，能够使硅膜适当地结晶并使结晶成长。
另外，也可以为，附着工序在对基片供给含金属的溶液之前，用稀释液对溶液进行稀释以调整溶液中所含的金属的浓度。由此，依照实施方式，能够调整金属对硅膜的表面的附着量以将硅膜的结晶尺寸调整为所希望的尺寸。
另外，也可以为，附着工序利用多个稀释液阶段性地稀释溶液以调整溶液中所含的金属的浓度。由此，依照实施方式，能够将金属对硅膜的表面的附着量调整得更致密以使硅膜的结晶尺寸的调整精度提高。
另外，也可以为，溶液中所含的金属的浓度在10[ppm]以上且10000[ppm]以下的范围内。由此，依照实施方式，能够使金属对硅膜的表面的附着量最佳以将硅膜的结晶尺寸调整为所希望的尺寸。
另外，实施方式的基片处理方法还可以包含亲水化工序。亲水化工序使硅膜的表面亲水化。然后，也可以为，附着工序在亲水化工序中使硅膜的表面亲水化了的状态下，对基片供给含金属的溶液。因此，依照实施方式，能够提高溶液对基片的紧贴(密接性)以促进金属对硅膜的表面的附着。
另外，也可以为，附着工序在基片上注满含金属的溶液，之后，将含金属的溶液甩掉。因此，依照实施方式，能够减少金属溶液对基片的供给量。
另外，也可以为，附着工序对基片供给在含金属的溶液中混合了有机溶剂而得到的混合液。此外，也可以为，附着工序对基片工供给在含金属的溶液中混合了有机溶剂而得到的混合液以成为100nm以上的厚度。因此，依照实施方式，能够降低溶液相对于基片的接触角以促进金属对硅膜的表面的附着。
另外，也可以为，溶液中所含的金属包含Ni、Pd、Ag、Au、Sn、Sb、Cu、Cd、Al、Co、Pt、Mo、Ti、W和Cr中的至少一者。因此，依照实施方式，能够以各种金属硅化物为起点使硅膜适当地结晶并使结晶成长。
另外，实施方式的基片处理方法还可以包含调整工序。调整工序在附着工序后，通过对基片供给清洗液，来调整硅膜的表面中的金属的附着量。因此，依照实施方式，能够调整金属对硅膜的表面的附着量以将硅膜的结晶尺寸调整为所希望的尺寸。
另外，实施方式的基片处理方法还可以包含边缘斜面部清洗工序。在边缘斜面部清洗工序中，对基片的边缘斜面部进行清洗。因此，依照实施方式，在向进行作为后处理的热处理的装置(作为一例，退火装置)输送基片时，能够抑制由金属导致的输送系统的污染。
另外，实施方式的基片处理方法还可以包含背面清洗工序。在背面清洗工序中，对基片的背面进行清洗。因此，依照实施方式，在向进行作为后处理的热处理的装置(作为一例，退火装置)输送基片时，能够抑制由金属导致的输送系统的污染。
另外，实施方式的基片处理方法还可以包含除去工序。在除去工序中，在进行了热处理后，将残留在硅膜的表面上的金属除去。因此，依照实施方式，能够从硅膜的表面将成为了硅化物的金属适当地除去。
(变形例)
在上述的实施方式的基片处理系统1中，在配置于基片处理系统1的外部的退火装置中进行了热处理，但是不限于公开技术。例如，也可以在基片处理系统1的内部配置退火装置，在该退火装置中进行热处理。
另外，在变形例的基片处理系统1中，也可以在进行了送出处理(步骤S112)后，从未图示的供给部将清洗液向回收杯状体70的内壁释放，以进行清洗残留在回收杯状体70的内壁的金属等的杯状体清洗处理。
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而并非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、替换、改变。

Claims (14)

1.一种基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理方法通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长，包括：
在进行所述热处理前，保持形成有所述硅膜的基片的保持工序；和
附着工序，其通过对在所述保持工序中保持的所述基片供给含金属的溶液，使所述金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在所述硅膜的表面。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述附着工序在对所述基片供给所述含金属的溶液之前，用稀释液对所述溶液进行稀释以调整所述溶液中所含的金属的浓度。
3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述附着工序用多个稀释液阶段性地稀释所述溶液以调整所述溶液中所含的金属的浓度。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述溶液中所含的金属的浓度在10[ppm]以上且10000[ppm]以下的范围内。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括使所述硅膜的表面亲水化的亲水化工序，
所述附着工序在所述亲水化工序中使所述硅膜的表面亲水化后的状态下，对所述基片供给所述含金属的溶液。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述附着工序在所述基片上注满所述含金属的溶液，之后，将所述含金属的溶液甩掉。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述附着工序对所述基片供给在所述含金属的溶液中混合了有机溶剂而得到的混合液。
8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：
所述附着工序对所述基片工供给在所述含金属的溶液中混合了有机溶剂而得到的混合液以成为100nm以上的膜厚。
9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述溶液中所含的金属包含Ni、Pd、Ag、Au、Sn、Sb、Cu、Cd、Al、Co、Pt、Mo、Ti、W和Cr中的至少一者。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括调整工序，其在所述附着工序后，通过对所述基片供给清洗液，来调整所述硅膜的表面中的所述金属的附着量。
11.如权利要求1～10中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括在所述附着工序后，清洗所述基片的边缘斜面部的边缘斜面部清洗工序。
12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括在所述附着工序后，清洗所述基片的背面的背面清洗工序。
13.如权利要求1～12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括在进行了所述热处理后，除去残留在所述硅膜的表面上的金属的除去工序。
14.一种基片处理装置，其特征在于：
所述基片处理装置能够在通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法中使用，包括：
用于保持基片的保持部；
用于对基片供给含金属的溶液的供给部；和
控制所述保持部的工作和所述供给部的工作的控制部，
所述控制部执行：
在进行所述热处理前，保持形成有所述硅膜的基片的保持工序；和
附着工序，其通过对在所述保持工序中保持的所述基片供给含金属的溶液，使所述金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在所述硅膜的表面。
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