KR20100092881A - 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액 처리부와, 이들 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐을 구비한 액 처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로 처리액이 낙하되는 것을 억제하여 수율의 저하를 방지하는 것이다. 횡방향으로 일렬로 배열된 복수의 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에, 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적에 접촉하여 이 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부가 설치되어 있다. 따라서, 처리액 노즐이 기판에 처리를 행하기 위하여 대기부와 각 액 처리부를 이동함에 있어서 처리액 노즐로부터 기판 상으로 상기 액적이 낙하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과로서 수율의 저하를 억제할 수 있다.

Description

액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 기판으로 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광시킨 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속시킨 시스템을 이용하여 행해진다.
이 도포 현상 장치에는 웨이퍼로 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액 처리 모듈로서는, 예를 들면 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈(현상 장치)이 있다. 현상 모듈은, 웨이퍼를 보지(保持)하는 기판 보지부와, 배액 수단 및 배기 수단을 구비하고 이 기판 보지부에 보지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 컵체를 포함하는 현상 처리부를 구비하고 있다. 또한, 그 외에 현상 모듈은 상기 웨이퍼로 현상액을 공급하기 위한 현상액 노즐과, 이 현상액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 현상액 공급 후에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 구비하고 있다.
스루풋(throughput)의 향상을 도모하기 위하여, 이 현상 모듈에서 상기 현상 처리부를 횡방향으로 복수 배설(配設)하고, 이 현상 처리부의 배열 방향의 연장선 상에 상기 대기부를 설치하고, 그리고 각 컵에 공통의 현상액 노즐이 각 현상 처리부의 상방 영역과 대기부의 사이를 이동하여 현상액을 공급하는 구성으로 하는 경우가 있다. 이 경우, 하나의 현상 처리부의 웨이퍼로 현상액의 공급이 행해지는 동안에 다른 현상 처리부에서는 웨이퍼로 세정액이 공급되거나, 기판 보지부를 회전시켜 스핀 건조가 행해진다.
그런데, 웨이퍼로 현상액 공급을 행한 후, 현상액 노즐의 하단(下端)에 현상액의 액적(液適)이 부착되어 매달려 있는 경우가 있다. 그리고 현상 장치를 상기와 같이 구성한 경우, 현상액 노즐이 현상 처리부 간을 이동하는 동안에 이 액적이 건조를 마친 웨이퍼 상에 낙하하여, 파티클이 되어 현상 결함이 될 우려가 있다. 또한, 이 액적이 장시간 노즐에 매달려 있으면, 액적이 분위기 중의 파티클을 흡수하고, 그리고 이러한 액적이 현상액 노즐로부터 토출되는 현상액에 섞여 웨이퍼로 공급되는, 이른바 노즐 오염으로 이어지는 경우가 있다. 현재는 레지스트 패턴의 미세화가 진행되어, 약간의 파티클이 웨이퍼에 부착됨으로써 수율의 저하를 초래할 우려가 있다는 점에서, 이와 같이 현상액 노즐에 매달려 있는 액적을 제거하는 요구가 높아지고 있다.
이 액적의 제거를 행하기 위해서는, 현상액 노즐에 흡인 기구를 설치하여 현상액 노즐의 토출구로부터 흡인을 행하여 액적을 흡입하는 것 또는, 웨이퍼 이외의 장소를 향해 현상액을 토출하여 액적을 흘려보내는 이른바 더미 디스펜스라고 불리는 처리를 행하는 것이 생각된다. 그러나, 상기 흡인 기구를 설치하는 것은 고비용이 되고, 더미 디스펜스를 행하는 것은 처리 택트의 연장에 따른 스루풋의 저하 또는 현상 처리의 비용의 상승을 초래할 우려가 있다.
또한, 웨이퍼로의 현상액의 공급 방법으로는, 회전하는 웨이퍼에 현상액 노즐로부터 현상액을 토출시키면서 이 현상액 노즐을 웨이퍼의 직경 방향으로 이동시켜 그 표면에 액막을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)에 토출된 현상액이 웨이퍼(W) 상에서 튀어 파티클이 되는 것을 억제하기 위하여, 현상액 노즐(11)은, 도 18에 도시한 바와 같이, 이 토출구(12)가 비스듬히 경사진 상태로 이동 수단에 장착되고, 이 이동 수단에 의해 경사진 상태인 채로 웨이퍼(W) 상 및 현상 처리부 간을 이동시키는 것이 검토되고 있다.
그러나, 이와 같이 현상액 노즐(11)을 경사지게 한 경우에는 도면 중의 쇄선(鎖線) 간에 도시한 토출구(12)의 투영 영역(14)으로부터 하방으로 어긋난 위치에 액적(13)이 형성되기 때문에, 상기와 같이 흡인 기구를 설치하거나 더미 디스펜스를 행해도 충분히 액적(13)이 제거되지 않을 우려가 있다.
현상 장치에 대하여 설명했지만, 현상액 대신에 레지스트 등의 각종 처리액을 도포하는 액 처리 장치에 대해서도, 사용하는 처리액이 현상액과 상이한 것 외에는 기술한 현상 장치와 동일한 장치 구성으로 되는 경우가 있다. 그리고, 이 액 처리 장치에 대해서도 이와 같이 처리액을 공급하는 노즐로부터 액적이 매달려 있고, 매달려 있는 동안에 이 액적에 포함되는 용제가 휘발하여 액적 중의 성분의 농도가 변화되는 것이 생각된다. 그리고, 이와 같이 성분의 농도가 변화된 액적이 액 처리 전, 액 처리 후의 웨이퍼 상으로 낙하되면, 이 액적이 파티클이 되어 웨이퍼를 오염시키거나 웨이퍼의 면 내에서의 처리의 균일성이 저하됨으로써, 역시 수율이 저하될 우려가 있다.
특허 문헌 1에는 하나의 컵체의 측방 위치에 액적 제거용의 니들(needle)을 설치하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 상기와 같이 복수의 컵체를 설치하여 처리를 행하는 것에 대해서는 기재되어 있지 않아, 상기의 문제를 해결하기에는 불충분하다.
특허문헌1:일본특허공개공보평10-261609(단락[0020]등)
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액 처리부와, 이들 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐을 구비한 액 처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로 처리액이 낙하되는 것을 억제하여 수율의 저하를 방지할 수 있는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 액 처리 장치는, 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와, 상기 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되어 기판으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과, 상기 액 처리부의 열(列)의 연장선 상에 설치되어 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부의 사이에서 상기 액 처리 노즐을 액 처리부의 열에 따라 이동시키기 위한 이동 수단과, 상기 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적에 접촉하여 상기 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 처리액 노즐은, 예를 들면 경사 하방으로 상기 처리액을 토출하는 토출구를 구비하고 있고, 상기 액 제거부는, 예를 들면 또한 상기 대기부에 설치되어 있다. 그리고, 상기 액 제거부는 처리액 노즐로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급부를 구비하고 있어도 좋다. 상기 액 제거부는 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거하기 위하여 그 표면에 다수의 오목부를 가지고 있어도 좋다. 상기 처리액은, 예를 들면 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것이다. 상기 오목부에는 홀 또는 홈이 포함된다.
본 발명의 액 처리 방법은, 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터 상기 기판으로 처리액을 공급하는 공정과, 상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역 간에서 상기 액 처리 노즐을 액 처리부의 열에 따라 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과, 상기 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치된 액 제거부를 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적에 접촉시키는 공정과, 상기 액 제거부에 접촉된 액적을 당해 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 기판으로 처리액을 공급하는 공정은, 예를 들면 처리액 노즐의 토출구로부터 상기 처리액을 경사 하방으로 공급하는 공정이며, 또한 상기 처리액은, 예를 들면 현상액이고, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것이다.
기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 상기의 액 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 횡방향으로 일렬로 배열된 복수의 컵체의 개구부 간에서, 처리액 노즐의 이동로의 하방측에, 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적에 접촉하여 이 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부가 설치되어 있다. 따라서, 처리액 노즐이 기판에 처리를 행하기 위하여 대기부와 각 액 처리부를 이동함에 있어서, 처리액 노즐로부터 기판 상으로 상기 액적이 낙하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과로서, 이 낙하된 액적이 파티클이 되거나 기판의 처리의 면내 균일성을 저하시키는 것을 방지할 수 있기 때문에 수율의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 현상 장치의 개략도이다.
도 2는 상기 현상 장치의 사시도이다.
도 3은 상기 현상 장치의 평면도이다.
도 4는 상기 현상 장치에 설치된 현상액 노즐 및 대기부(待機部)의 사시도이다.
도 5a 및 도 5b는 상기 현상액 노즐과 액 제거부의 위치 관계를 도시한 설명도 및 상기 현상액 노즐의 하방측 사시도이다.
도 6은 상기 현상액 노즐에 의해 현상액이 웨이퍼로 공급되는 상태를 도시한 설명도이다.
도 7a 내지 도 7d는 현상액 노즐의 이동 경로에서 현상액 노즐의 액적(液適)이 제거되는 상태를 도시한 설명도이다.
도 8a 내지 도 8d는 대기부에서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 상태를 도시한 설명도이다.
도 9a 내지 도 9e는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 10a 내지 도 10e는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 11a 내지 도 11e는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 12a 내지 도 12d는 상기 현상 장치의 다른 현상 공정을 도시한 작용도이다.
도 13a 내지 도 13c는 액 제거부의 다른 구성을 도시한 설명도이다.
도 14a 및 도 14b는 액 제거부의 또 다른 구성을 도시한 설명도이다.
도 15는 상기 현상 장치를 구비한 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 16은 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 17은 상기 도포 현상 장치의 종단 평면도이다.
도 18은 현상액 노즐로부터 액적이 매달려 있는 상태를 도시한 설명도이다.
본 발명의 액 처리 장치의 일례인 현상 장치(2)에 대하여 그 개략 구성도인 도 1을 참조하여 설명한다. 현상 장치(2)는 3 개의 액 처리부인 현상 처리부(21a, 21b, 21c)와 복합 노즐부(4a ~ 4c)와 현상액 노즐(6)을 구비하고 있다.
현상 처리부(21a ~ 21c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 현상 처리부(21a ~ 21c)는 각각 동일하게 구성되어 있고, 여기서는 현상 처리부(21a)를 예로 들어 설명한다. 현상 처리부(21a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부인 스핀 척(22a)을 구비하고, 스핀 척(22a)은 회전축(23a)을 개재하여 회전 구동 기구(24a)와 접속되어 있다. 스핀 척(22a)은 회전 구동 기구(24a)를 개재하여 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 이 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(24a)는 후술하는 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 스핀 척(22a)의 회전 속도를 제어한다.
스핀 척(22a)의 주위에는 스핀 척(22a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(30a)를 구비한 컵체(31a)가 설치되어 있고, 컵체(31a)의 측둘레면 상단(上端)측은 내측으로 경사진 경사부(32a)를 형성하고 있다. 컵체(31a)의 저부(底部)측에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들면 오목부 형상을 이루는 액 받이부(33a)가 설치되어 있다. 액 받이부(33a)는 도시하지 않은 격벽에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부 하방측에 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저장된 현상액 등의 드레인을 배출하기 위한 도시하지 않은 폐액구가 설치되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(34a, 34a)가 설치되어 있다.
배기구(34a, 34a)에는 배기관(35a)의 일단이 접속되어 있고, 배기관(35a)의 타단은 배기 댐퍼(36a)를 개재하여 현상 처리부(21b) 및 현상 처리부(21c)의 배기관(35b, 35c)과 합류하여, 예를 들면 현상 장치(2)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(36a)는 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 컵체(31a) 내의 배기량을 제어한다.
도 2, 도 3은 도 1의 현상 장치(2)를 실제로 구성한 것을 각각 모식적으로 도시한 사시도, 상면도이다. 도면 중 25a는 승강 가능하게 구성된 승강핀으로서 컵체(31a) 내에 3 개 설치되어 있다. 현상 장치(2)로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라 승강핀(25a)이 승강하고, 이 기판 반송 수단과 스핀 척(22a)의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.
현상 처리부(21b)의 각 부에 대하여 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응되는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 b를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 현상 처리부(21c)의 각 부에 대하여 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응되는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 c를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다.
이어서, 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)에 대하여 설명한다. 이들 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)는 각각 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 웨이퍼(W)로 순수 및 N2(질소) 가스를 공급하도록 구성되어 있고, 각 복합 노즐부(4a ~ 4c)는 동일하게 구성되어 있다. 여기서는 대표로 복합 노즐부(4a)를 예로 들어 설명한다. 복합 노즐부(4a)는 각각 순수 노즐(41a) 및 N2 가스 노즐(42a)을 구비하고 있고, 이들 각 노즐(41a, 42a)은 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 연접(連接)되고, 각 노즐(41a, 42a)은, 예를 들면 각각 수직 하방으로 개구된 원형의 세공(細孔)인 토출구를 각각 구비하고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 순수 노즐(41a)은 공급로(43a)를 개재하여 순수가 저장된 순수 공급원(5B)에, N2 가스 노즐(42a)은 공급로(44a)를 개재하여 N2 가스가 저장된 N2 가스 공급원(5C)에 각각 접속되어 있다. 순수는 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하기 전에 그 현상액의 습윤성을 높이기 위하여 공급되는 프리웨트(pre-wet) 처리를 행하기 위한 표면 처리액이며, 또한 현상 후에 불필요해진 현상액을 세정하기 위한 린스액이기도 하다. N2 가스는 웨이퍼(W)를 건조시키기 위하여 당해 웨이퍼(W)에 분사되는 건조용 가스로서, 이 예에서는 스핀 척(22a ~ 22c)의 회전에 의한 액의 털어내기 외에 이 N2 가스에 의한 공급에 의해 세정 후의 웨이퍼(W)가 건조된다.
공급로(43a, 44a)에는 유량 제어부(45a, 46a)가 각각 설치되어 있다. 각 유량 제어부(45a) 및 유량 제어부(46a)는 밸브 또는 매스플로우 콘트롤러 등을 포함하고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 근거하여 각 노즐(41a, 42a)로부터 웨이퍼(W)로의 각 순수 및 가스의 공급 및 차단을 제어한다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 복합 노즐부(4a)에는 당해 복합 노즐부(4a)를 지지하는 암체(47a)의 일단이 접속되어 있고, 암체(47a)의 타단은 이동 수단인 구동 기구(48a)에 접속되어 있다. 구동 기구(48a)는 현상 처리부(21a ~ 21c)의 배열 방향을 따라 형성된 기대(基台)(37) 상을, 그 배열 방향으로 연장된 가이드(49a)를 따라 이동하고, 또한 암체(47a)를 개재하여 복합 노즐부(4a)를 승강시킨다. 이 구동 기구(48a)의 이동 및 구동 기구(48a)에 의한 승강에 따라 순수 노즐(41a), N2 가스 노즐(42a)의 토출구가 스핀 척(22a)에 재치된 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하여, 순수, N2 가스를 각각 웨이퍼(W)의 중심으로 공급할 수 있다. 구동 기구(48a)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 제어된다.
현상 처리부의 도시와 마찬가지로, 복합 노즐부(4b, 4c)에서의 복합 노즐부(4a)와 동일하게 구성된 각 부에 대해서는, 복합 노즐부의 설명에 이용한 부호와 동일한 숫자의 부호를 이용하고, 또한 부호 중의 a를 b 또는 c로 각각 변경하여 도시하고 있다.
각 현상 처리부(21a ~ 21c)의 측방에는 상측이 개구된 컵 형상의 노즐 대기부(待機部)(51a ~ 51c)가 각각 설치되고, 이 대기부(51a ~ 51c)의 내부는 복합 노즐부(4a ~ 4c)의 대기 영역(52a ~ 52c)으로서 구성되어 있다. 그리고, 복합 노즐부(4a ~ 4c)는 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이들 대기 영역(52a ~ 52c)에 각각 수납된다.
이어서, 처리액 노즐인 현상액 노즐(6)에 대하여, 도 4, 도 5a 및 도 5b도 참조하여 설명한다. 현상액 노즐(6)은 그 하단면에 당해 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라 편평한 슬릿 형상으로 개구된 토출구(61)를 구비하고 있고, 이 토출구(61)의 길이 방향은 웨이퍼(W)의 직경 및 현상액 노즐(6)의 이동 방향으로 병행하고 있다. 또한, 도 5a에 도시한 바와 같이, 토출구(61)는 경사 방향을 향해 형성되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)에는 현상액 공급로(62)의 일단이 접속되어 있다. 현상액 공급로(62)의 타단은 밸브 또는 매스플로우 콘트롤러 등을 포함한 유량 제어부(63)를 개재하여 현상액 공급원(5A)에 접속되어 있고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 따라 유량 제어부(63)가 현상액 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)로의 현상액의 공급 및 차단을 제어한다.
도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)은 암체(64)의 일단에 접속되어 지지되어 있고, 암체(64)의 타단은 기대(37) 상에 설치된 구동 기구(65)에 접속되어 있다. 구동 기구(65)는 기대(37)에 현상 처리부(21a ~ 21c)의 배열 방향으로 연장되도록 설치된 가이드(60)를 따라 횡방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 구동 기구(65)는 암체(64)를 개재하여 현상액 노즐(6)을 승강시킬 수 있다. 구동 기구(65)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 수신하여 제어된다.
현상액 노즐(6)은 이 구동 기구(65)에 의해 각 현상 처리부(21a ~ 21c)의 상방 영역과 후술하는 대기부(66)의 사이를 이동한다. 또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)은 각 현상 처리부(21a ~ 21c)로 반입된 웨이퍼(W)의 회전 방향을 따라 비스듬히 띠 형상으로 현상액을 공급하면서, 화살표로 도시한 바와 같이, 당해 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부를 향해 이동하여, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 현상액(L)의 액막을 형성할 수 있다.
현상 처리부(21a)의 컵체(31a)와 현상 처리부(21b)의 컵체(31b)의 사이에서 대기부(51b)의 상방 위치에는 액 제거부(7A)가 설치되어 있다. 또한, 현상 처리부(21b)의 컵체(31b)와 현상 처리부(21c)의 컵체(31c)의 사이에서 대기부(51c)의 상방 위치에는 액 제거부(7B)가 설치되어 있다. 이들 액 제거부(7A, 7B)는 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동로의 하방측에 설치되어 있다.
액 제거부(7A, 7B)는 서로 동일하게 구성되어 있고, 도 5a 및 도 7a를 이용하여 설명한다. 이들 도면에 도시한 바와 같이, 액 제거부(7A, 7B)는 수평하게 설치된 기부(基部)(71)와 기부(71)로부터 경사 방향으로 연장된 판 형상의 액 받이부(72)를 구비하고 있고, 이 액 받이부(72)의 선단은 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동 방향과 병행하고, 또한 이와 같이 횡방향으로 이동하는 현상액 노즐(6)의 하단과 근접하도록 형성되어 있다. 이들 액 제거부(7A, 7B)는 현상액 노즐(6)로부터 현상액의 액적(液適)을 효율적으로 제거하기 위하여, 예를 들면 높은 친수성을 가지는 다공질의 세라믹에 의해 구성되어 있어, 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거한다.
도 7a 내지 도 7d는 현상액 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때의 모습을 도시하고 있고, 현상액 노즐(6)이 이동할 때에 액 제거부(7A) 및 액 제거부(7B)는 현상액 노즐(6)에 근접하여 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 형성된 액적(D)에 접촉하고, 이 액적(D)을 그 내부로 흡수하여 제거한다. 그런데, 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 형성되는 현상액의 액적(D)으로서는, 반복 현상 처리를 행하는 과정에서 그 하단으로의 현상액이 축적됨에 따라 점차 커져 소정의 크기가 되었을 때에 중력에 의해 현상액 노즐(6)로부터 낙하되는데, 이 낙하 전에 제거할 수 있으면 되기 때문에, 도 5a 중의 현상액 노즐(6)의 하단과 액 제거부(7A)의 거리(h1)는 이 액적(D)이 낙하될 때의 크기에 따라 임의로 설정되고, 예를 들면 1.5 mm이다.
기대(37)에서 현상 처리부(21a ~ 21c)의 배열 방향의 연장선 상에는 상측이 개구된 컵 형상으로 형성된 대기부(66)가 설치되어 있고, 이 대기부(66)의 내부는 현상액 노즐(6)의 대기 영역(67)으로서 구성되어 있다. 현상액 노즐(6)은 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이 대기 영역(67)에 수납되고, 현상 처리를 행할 때에 상기 구동 기구(65)를 개재하여 당해 대기 영역(67)으로부터 각 현상 처리부(21a ~ 21c)로 이동한다.
대기 영역(67)에는 액 제거부(7C)가 설치되어 있다. 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 액 제거부(7C)는 액 제거부(7A, 7B)와 동일하게 구성되어 있고, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납될 때에 액 받이부(72)의 선단은 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 근접하고, 또한 토출구(61)의 길이 방향과 이 선단이 병행하도록 설치되어 있다. 도 8a 내지 도 8d는, 현상액 노즐(6)이 대기부(6)에 수납되고 현상액 노즐(6)로부터 매달려 있는 현상액의 액적(D)을 액 제거부(7C)가 흡수하여 제거하는 모습을 도시하고 있다. 도 8d 중에 도시한 대기부(66)에 수납되었을 때의 현상액 노즐(6)의 하단과 액 제거부(7C)의 거리(h2)는 이 액적(D)이 낙하될 때의 크기에 따라 임의로 설정되고, 예를 들면 1.5 mm이다.
이어서, 제어부(100)에 대하여 설명한다. 제어부(100)는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 가지고 있다. 이 프로그램 저장부에는 후술하는 작용으로 설명하는 현상 처리가 행해지도록 명령이 포함된, 예를 들면 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되고, 이 프로그램이 제어부(100)로 독출됨으로써 제어부(100)는 웨이퍼의 회전 속도, 각 노즐의 이동, 웨이퍼로의 현상액, 순수 및 N2 가스의 공급 등을 제어한다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
계속해서, 이 현상 장치(2)로 차례로 웨이퍼(W)가 반입되었을 때에 행해지는 처리의 일례에 대하여 도 9a 내지 도 12d를 참조하여 설명한다. 웨이퍼(W)는, 예를 들면 도시하지 않은 기판 반송 수단에 의해 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 순서로 반송되고, 또한 각 웨이퍼(W)의 표면에는 레지스트가 도포되어 있어, 이 레지스트가 소정의 노광 처리를 받고 있는 것으로 한다. 또한, 편의상 현상 처리부(21a, 21b, 21c)로 반입되는 웨이퍼(W)를 각각 웨이퍼(W1, W2, W3)라고 기재한다.
또한, 전술한 바와 같이 반복하여 현상 처리를 행할 때마다 현상액 노즐(6)의 하단에 현상액이 모여 당해 노즐(6)에 부착된 액적(D)이 커진다. 그리고, 액적(D)이 소정의 사이즈가 되었을 때에 액 제거부(7A ~ 7C)에 의해 제거될 수 있도록 현상액 노즐(6)과 각 액 제거부의 거리를 조정하면 되는데, 하기의 설명에서는 현상액의 액적(D)이 제거되는 모습을 명확히 도시하기 위하여 설명의 편의상, 이 액적(D)이 웨이퍼(W)에 처리를 행할 때마다 현상액 노즐(6)에 매달려 있고, 처리를 행할 때마다 이 액적(D)이 제거되도록 액 제거부(7A ~ 7C)의 위치가 조정되고 있는 것으로 한다.
도 9a에 도시한 바와 같이, 처리 개시 전에 현상액 노즐(6), 복합 노즐부(4a ~ 4c)는 각각 대기부(66, 51a ~ 51c)에 수납되어 있다. 각 컵체(31a ~ 31c) 내의 배기량이 소정의 배기량이 되고, 웨이퍼(W1)가 현상 처리부(21a)의 스핀 척(22a)으로 전달되어 소정의 회전수로 회전하고, 또한 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1) 상으로 이동하여 순수 노즐(41a)이 웨이퍼(W1)의 중심부로 순수(F)를 토출한다. 토출된 순수(F)는 원심력에 의해 주연부로 확산되는 이른바 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W1)를 덮어 전술한 프리웨팅이 행해진다(도 9b).
순수(F)의 공급이 정지하고 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 주연부측으로 이동하고, 또한 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로부터 웨이퍼(W1)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 현상액(L)을 공급하면서 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하여(도 9c), 웨이퍼(W1)의 표면 전체가 현상액(L)에 의해 덮인다. 그 후, 현상액 노즐(6)로부터의 현상액(L)의 토출이 정지되고, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 돌아온다(도 9d).
현상액 노즐(6)이 대기부(66) 내의 대기 영역(67)에 수납되고, 도 8a 내지 도 8d에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)의 하단이 액 제거부(7C)에 근접하여 그 하단으로부터 매달려 있는 액적(D)이 액 제거부(7C)에 접촉하고, 당해 액 제거부(7C)에 흡수되어 제거된다. 또한, 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W1) 표면의 현상액(L)이 세정된다. 한편, 현상 처리부(21b)의 스핀 척(22b)으로 웨이퍼(W2)가 전달된다(도 9e).
그 후, 웨이퍼(W2)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로부터 웨이퍼(W2) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상에 순수(F)를 토출하여 웨이퍼(W2)의 표면이 순수(F)에 의해 덮히고, 또한 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동한다. 한편, 순수 노즐(41a)로부터 웨이퍼(W1)로의 순수(F)의 공급이 정지된다(도 10a).
N2 가스 노즐(42a)이 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, N2 가스가 웨이퍼(W1)에 토출되어 회전에 의한 순수의 털어내기와 이 가스 공급의 상승(相乘) 작용으로 웨이퍼(W1)가 건조된다. 한편, 순수 노즐(41b)로부터 웨이퍼(W2)로의 순수(F)의 토출이 정지되고 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동하고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하여(도 10b), 웨이퍼(W2)의 표면 전체가 현상액(L)으로 피복된다.
그 후, 상기 웨이퍼(W1)로의 N2 가스의 토출이 정지되고, 또한 웨이퍼(W1)의 회전이 정지되고 복합 노즐부(4a)가 대기부(51a)로 돌아오는 한편, 웨이퍼(W2)로의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 이어서, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 도시한 바와 같이, 액 제거부(7A)의 상방을 통과하고, 도 7a 내지 도7d로 설명한 바와 같이, 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 있는 액적(D)이 액 제거부(7A)에 접촉하여 흡수되어 제거되고(도 10c, 10d), 현상액 노즐(6)은 웨이퍼(W1)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 돌아온다(도 10e). 또한, 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동하고, 순수(F)를 웨이퍼(W2)로 공급하여 웨이퍼(W2) 표면의 현상액(L)이 세정된다. 한편, 현상 처리부(21c)의 스핀 척(22c)으로 웨이퍼(W3)가 전달된다(도 11a).
계속해서, 웨이퍼(W3)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로부터 웨이퍼(W3) 상으로 이동하고, 순수 노즐(42c)이 웨이퍼(W3)의 중심부 상에 순수(F)를 토출하고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W3)의 표면이 순수(F)에 의해 덮이고, 또한 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 또한, 한편으로 순수 노즐(41b)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되고, N2 가스 노즐(42b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동한다(도 11b).
그리고, N2 가스가 웨이퍼(W2)의 중심부 상에 토출되어 웨이퍼(W2)가 건조되는 한편, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 토출이 정지되고 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하고(도 11c), 웨이퍼(W3)의 표면 전체가 현상액(L)으로 피복된다.
그 후, 상기 웨이퍼(W2)로의 N2 가스의 토출이 정지되고, 또한 웨이퍼(W2)의 회전이 정지되고, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로 돌아오는 한편, 웨이퍼(W3)로의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 도시한 바와 같이, 액 제거부(7B)의 상방을 통과하고, 도 7a 내지 도 7d로 설명한 바와 같이, 현상액 노즐(6)의 하단에 매달려 있는 액적(D)이 액 제거부(7B)에 접촉하여 흡수되어 제거된다(도 11d, 11e). 그 후, 현상액 노즐(6)은 현상 처리부(21b, 21a)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 돌아온다(도 12a). 또한, 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W3) 표면의 현상액(L)이 세정된다(도 12b).
그 후, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되고 N2 가스 노즐(42c)이 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하여, N2 가스 노즐(42c)로부터 N2 가스가 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 토출되어 웨이퍼(W3)가 건조된다(도 12c). 그 후, N2 가스의 공급이 정지되고, 또한 웨이퍼(W3)의 회전이 정지되어 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로 돌아오고(도 12d), 기판 반송 수단에 의해 웨이퍼(W3)가 현상 처리부(31c)로부터 반출된다.
이 현상 장치(2)에 따르면, 횡방향으로 일렬로 배열된 현상 처리부(21a ~ 21c)의 컵체(31a ~ 31c) 간에서, 구동 기구(65)에 의해 이동하는 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에, 이 현상액 노즐(6)의 하단에 근접하여 당해 현상액 노즐(6)로부터 매달려 있는 현상액의 액적(D)에 접촉하여, 이 액적(D)을 현상액 노즐(6)로부터 제거하기 위한 액 제거부(7A, 7B)가 이 현상액 노즐(6)의 이동 궤도 상에 설치되어 있다. 따라서, 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 위하여 대기부(66)와 각 현상 처리부(21a ~ 21c)를 이동하여, 현상액이 제거되어 건조된 웨이퍼(W) 상을 통과함에 있어서, 현상액 노즐(6)로부터 이 건조된 웨이퍼(W) 상으로 상기 액적(D)이 낙하되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 이 액적이 파티클이 되어 웨이퍼(W)를 오염시키는 것이 방지되므로 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 현상액 노즐(6)의 이동 중에 이 액적(D)이 제거되므로, 액적(D)을 제거하기 위한 시간을 필요로 하지 않는다. 그 결과로서 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 이 현상 장치(2)는 대기부(66)에서도 액 제거부(7C)를 구비하고 있어, 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때뿐만 아니라 대기부(66)에 수납되었을 때에도 액적(D)의 제거가 행해지므로, 보다 확실히 전술한 현상액 노즐(6)로부터 건조된 웨이퍼(W)로 액적(D)이 낙하되는 것을 방지할 수 있다.
상기의 예에서는 3 매의 웨이퍼(W)가 현상 처리되는 모습을 설명하고 있는데, 3 매 이상의 웨이퍼(W)를 처리할 경우에는, 예를 들면 계속해서 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 차례로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되어, 상기의 예와 동일하게 현상 처리가 행해진다.
또한, 상기의 예에서는 웨이퍼(W)로 현상액을 공급할 때마다 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 돌아오고 있는데, 이와 같이 처리할 때마다 대기부(66)로 돌아오지 않고, 하나의 현상 처리부에서 현상액을 공급하면 직접 다른 현상 처리부로 이동하여 현상액을 공급하고, 수 매의 웨이퍼(W)로 현상액을 공급한 후에 대기부(66)로 돌아와도 좋다. 또한, 현상 처리부(21a ~ 21c)로의 웨이퍼(W)의 반송 순서도 상기한 바와 같지 않아도 좋고, 예를 들면 현상 처리부(21a, 21b)에 이 차례로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되고, 소정의 매수가 이들 현상 처리부(21a) 및 현상 처리부(21b)로 웨이퍼(W)가 반송되면 현상 처리부(21c)로 웨이퍼(W)가 반송되도록 하여, 이 반송 순대로 현상 처리가 행해지도록 해도 좋다. 이와 같이 현상 처리를 행할 경우에도 각 현상 처리부(21a ~ 21c) 간을 이동할 때에 액적이 제거되므로, 상기의 실시예와 동일한 효과가 얻어진다.
액 제거부로서는, 예를 들면 도 13a에 그 외관을, 도 13b에 그 측면을 각각 도시한 바와 같이 구성해도 좋다. 액적의 높은 제거 효과를 얻기 위하여 이 액 제거부(81)는 빗 모양으로 형성되어 있고, 그 표면에는 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라 다수의 홈(오목부)(82)이 형성되어 있다. 그리고, 전술한 실시예와 동일하게 현상액 노즐(6)의 하단이 근접하여 액적(D)이 이 액 제거부(81)의 표면에 부착되면, 도 13b에 화살표로 도시한 바와 같이, 액적(D)이 모세관 현상에 의해 이 홈(82) 내로 진입한다. 또한, 홈(82) 내에 현상액을 많이 저장시킴으로써 당해 액 제거부(81)의 교환 빈도가 높아지는 것을 방지하기 위하여, 이 액 제거부(81)에서, 도 13c에 도시한 바와 같이, 홈(82)의 하방측이 넓어지도록 구성되어 있어도 좋다.
그런데, 이 예에서는 현상액 노즐(6)의 토출구(61)는 경사지게 개구되는 대신에 수직 방향으로 개구되어 있어도 좋은데, 배경 기술란에서 설명한 바와 같이, 경사 방향으로 개구된 현상액 노즐(6)을 이용한 경우, 더미 디스펜스 또는 액의 흡인 등을 행하더라도 현상액 노즐로부터 액적이 낙하되는 것을 방지하기 어렵기 때문에, 전술한 액 제거부를 설치하는 것이 특히 효과적이다.
상기의 각 액 제거부를 구성하는 재료로서는 세라믹에 한정되지 않지만, 높은 액적(D)의 제거 효과를 얻기 위하여 친수성인 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 표면 상태를 거칠게 함으로써, 높은 현상액의 제거 효과를 얻을 수 있으므로 바람직하다. 또한, 각 액 제거부를 탄성재를 이용하여 구성해도 좋고, 이 경우에는 현상액 노즐(6)이 각 액 제거부와 접촉해도 이들 액 제거부 및 현상액 노즐의 파손을 방지할 수 있으므로, 현상액 노즐과 액 제거부의 간격 조정에 드는 수고를 억제할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)로 액적(D)이 낙하되는 것을 방지할 수 있으면 되므로, 액제거부(7A, 7B)는 컵체(31a ~ 31c)의 개구부(31a ~ 31c) 간에 설치되어 있으면 되고, 예를 들면 컵체(31a ~ 31c)의 상측의 경사부(32a ~ 32c) 상에 설치되어 있어도 좋다.
또한, 상기의 예에서는 현상 처리부(21a ~ 21c)가 직선 방향으로 배열되고 그 열의 연장선 상에 대기부(66)가 설치되어 있는데, 현상 처리부(21a ~ 21c) 및 대기부(66)가 둘레 방향으로 배열되어 있고 현상액 노즐(6)이 그 배열 방향으로 이동하여 이 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에 액 제거부(7A, 7B)가 설치되어 있어도 좋다. 현상 처리부 및 액 제거부의 수는 전술한 실시예에 한정되지 않는다.
또한, 액 제거부로서는 도 14a, 도 14b에 도시한 구성으로 해도 좋다. 이 액 제거부(9)는 기대(91) 상에 측면에서 봤을 때 삼각형 형상의 액 받이부(92)를 구비하고 있다. 또한, 기대(91) 상에는 경사 방향으로 순수 등의 세정액을 토출하는 세정액 노즐(93)이 설치되어 있다. 도면 중 94는 기대(91)에 설치된 배액구이며, 도시하지 않은 배액로에 접속되어 있다. 이 액 제거부(9)는, 예를 들면 액 받이부(7A ~ 7C) 대신에 각 컵체(31a ~ 31c) 간 및 대기 영역(67)에 설치된다. 이 예에서 현상 처리를 행하기 위한 현상액 노즐(90)은 경사 방향으로 원형으로 개구된 토출구(97)를 구비하고 있고, 기부(96)를 개재하여 전술한 암체(64)에 접속되어 현상액 노즐(6)과 동일하게 승강 및 횡방향으로의 이동을 행할 수 있다.
예를 들면, 컵체(31a ~ 31c) 간에서 설치된 액 받이부(92)에 현상액 노즐(90)이 횡방향으로부터 이동하여 가까워지면, 현상액의 액적(D)이 액 받이부(92)에 접촉되어 액 받이부(92)를 타고 기대(91)로 흘러 떨어진다. 또한, 세정액 노즐(93)로부터 현상액 노즐(90)을 향해 세정액이 토출되고 그 세정액에 의해 액적(D)이 세정된다. 그리고 세정된 액은 노즐(90)의 하단으로부터 액 받이부(92)를 타고 이 기대(91)로 흘러 떨어지고, 이 흘러 떨어진 배액은 배액구(94)로부터 제거된다. 이 액 제거부(9)는 액 제거부(7C) 대신에 대기 영역(67)에 설치해도 좋다. 또한, 이 예에서 세정액 노즐(93)을 설치하지 않고, 액 받이부(92)에 접촉된 액적을 당해 액 받이부(92)의 하방으로 흐르게 하는 것만으로 현상액 노즐(90)로부터의 액적의 제거를 행해도 좋다.
세정액을 토출하는 노즐(93)로서는, 현상액 노즐(90)에 대한 높은 세정 효과를 얻어 액적(D)의 제거 효과를 높이기 위하여, 예를 들면 세정액의 액체와 기체를 혼합하여 세정액의 미스트(mist)를 발생시켜 이 미스트를 분무하는 이른바 2-유체 노즐을 이용해도 좋다. 또한, 이와 같이 제거 효과를 높이는 목적을 위하여, 예를 들면 1 MHz 정도의 초음파를 가한 세정액을 토출하는 이른바 메가소닉 노즐을 이용해도 좋다. 또한, 현상액 노즐(90) 대신에 전술한 현상액 노즐(6)에 대하여 이 액 제거부(9)를 이용해도 좋다.
본 발명의 현상 장치에의 적용예에 대하여 설명했지만, 예를 들면 레지스트 도포 장치 등의 다른 액 처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우, 처리액 노즐로부터의 처리액이 당해 처리액에 의한 처리 전 및 처리 후의 기판으로 낙하되는 것을 방지하여, 파티클이 발생하거나 기판 처리의 면내 균일성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과로서 수율의 저하를 방지할 수 있다.
이하, 상기의 현상 장치(2)가 포함된 도포 현상 장치(101)에 대하여 설명한다. 도 15는 도포 현상 장치(101)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 16은 이 시스템의 사시도이다. 또한, 도 17은 도포 현상 장치(101)의 종단면도이다. 이 도포 현상 장치(101)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 이 재치대(111) 상에 재치된 밀폐형의 캐리어(110)로부터 전달 암(112)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 암(112)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(110)로 반환되도록 구성되어 있다. 캐리어(110)는 다수 매의 웨이퍼(W)를 포함하고, 각 웨이퍼(W)는 차례로 처리 블록(C2)으로 반송된다.
상기 처리 블록(C2)은 도 16에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제 1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제 3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성을 행하기 위한 제 4 블록(ITC층)(B4)을 아래부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.
처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 봤을 때 동일하게 구성되어 있다. 제 3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 모듈과, 이 레지스트막 형성 모듈에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)과, 상기 레지스트막 형성 모듈과 가열·냉각계의 처리 모듈군의 사이에 설치되어 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 암(A3)에 의해 구성되어 있다.
상기 선반 유닛(U1 ~ U4)은 반송 암(A3)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라 배열되어 각각 상기의 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 재치된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 재치된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.
제 2 블록(BCT층)(B2), 제 4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는 상기 레지스트막 형성 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되고, 이들 모듈에서 레지스트 대신에 처리액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)로 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 동일한 구성이다.
제 1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트막 형성 모듈에 대응하는 현상 모듈(113)이 2 단으로 적층되어 있고, 각 현상 모듈(113)은 각각 전술한 현상 장치(2)에 상당하고, 공통의 하우징 내에 3 대의 현상 처리부 또는 전술한 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈(113)의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 ~ U4)이 설치되어 있다. 그리고, DEV층(B1) 내에는 이들 2 단의 현상 모듈과 상기 가열·냉각계의 처리 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2 단의 현상 모듈에 대하여 반송 암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다. 이 반송 암(A1)이 상기의 기판 반송 수단에 상당한다.
또한, 처리 블록(C2)에는, 도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5)의 하나의 전달 유닛, 예를 들면 제 2 블록(BCT층)(B2)의 대응하는 전달 유닛(CPL2)으로 차례로 반송된다. 제 2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 암(A2)은 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 형성 모듈 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송하고, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3)으로 반송되고, 거기서, 예를 들면 23℃로 온도 조정된 후, 반송 암(A3)을 개재하여 제 3 블록(COT층)(B3)으로 반입되고, 레지스트막 형성 모듈에서 레지스트막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3)→선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3)→전달 암(D1)을 거쳐 선반 유닛(U5)에서의 전달 유닛(BF3)으로 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제 4 블록(ITC층)(B4)에서 추가로 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 개재하여 반송 암(A4)에 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다.
한편, DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CPL12)으로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 암(115)이 설치되어 있다. 레지스트막 또는 추가로 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 암(D1)을 개재하여 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 수취 전달 유닛(CPL11)으로 전달되고, 이로부터 셔틀 암(115)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)으로 직접 반송되어 인터페이스 블록(C3)으로 운반되게 된다. 또한, 도 17 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 재치할 수 있는 버퍼 유닛을 겸하고 있다.
이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(116)에 의해 노광 장치(C4)로 반송되어, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 재치되어 처리 블록(C2)으로 반환된다. 반환된 웨이퍼(W)는 제 1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)으로 전달된다. 그 후, 전달 암(112)을 개재하여 캐리어(110)로 되돌려진다.
(평가 시험 1)
현상액 노즐(6)에서, 그 하단으로부터 어느 정도 하방까지 매달려 있는 액적(D)이 낙하되는지를 확인하였다. 결과로서 액적의 크기가 1 mm, 2 mm, 3 mm인 경우에는 액적의 낙하는 일어나지 않았지만, 액적의 크기가 4 mm가 되면 현상액 노즐(6)의 선단으로부터 낙하되는 것이 확인되었다. 그리고 이 결과를 근거로 하여, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되었을 때 당해 현상액 노즐(6)의 하단과 액 제거부(7C)의 거리(h2)를 2 mm로 설정하고, 계속해서 현상액 노즐(6)을 액 제거부(7C)에 대하여 상승시켜 현상액 노즐의 하단으로부터 2 mm 조금 넘는 하측으로 매달려 있는 액적을 형성하였다. 그리고, 현상액 노즐(6)을 하강시켜 대기부(66)에 수납한 후, 현상액 노즐(6)을 상승시켜 액적의 유무를 관찰했다. 이 현상액 노즐(6)을 상승시킨 후의 액적의 형성과 현상액 노즐(6)의 대기부(6)로의 수납을 50 회 반복하여 행하였다.
평가 시험 1의 결과, 현상액 노즐(6)이 하강할 때마다 액적은 현상액 노즐(6)의 하단으로부터 제거되었다. 이 시험으로부터 상기의 실시예와 같이 현상 장치(2)에 액 제거부(7C)를 설치함으로써 액적의 제거를 행할 수 있음이 나타났다. 또한, 현상액 노즐(6)이 접근하는 방향은 상이하지만, 이 실험으로부터 액 제거부(7A, 7B)에서도 유효하게 현상액 노즐(6)로부터 액적(D)의 제거를 행할 수 있을 것으로 예상된다.
(평가 시험 2)
액 제거부(7C)를 그림 물감으로 칠하고 평가 시험 1과 동일한 시험을 행하여, 현상액 노즐(6)이 그림 물감으로 오염되는지 아닌지를 조사하였다. 결과적으로 현상액 노즐(6)로의 그림 물감의 부착은 없었다. 따라서, 현상액 노즐(6)로부터 액 제거부(7C)에 부착된 액적은 재차 현상액 노즐(6)에 부착되지 않고 액 제거부(7C)에 의해 제거되는 것을 알 수 있다. 이 시험으로부터도 상기의 실시예와 같이 현상 장치에 액 제거부(7C)를 설치하는 것이 효과적이라는 것을 알 수 있고, 또한 액 제거부(7A, 7B)를 설치하는 것이 효과적일 것으로 예상된다.
D : 액적
L : 현상액
W : 웨이퍼
2 : 현상 장치
21a ~ 21c : 현상 처리부
22a ~ 22c : 스핀 척
30a ~ 30c : 개구부
31a ~ 31c : 컵체
4a ~ 4c : 복합 노즐부
41a ~ 41c : 순수 노즐
42a ~ 42c : N2 가스 노즐
6 : 현상액 노즐
61 : 토출구
65 : 구동 기구
66 : 대기부
7A ~ 7C : 액 제거부
100 : 제어부

Claims (10)

  1. 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와,
    상기 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되어, 기판으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
    상기 액 처리부의 열(列)의 연장선 상에 설치되어, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부(待機部)와,
    상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부의 사이에서 상기 액 처리 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동시키기 위한 이동 수단과,
    상기 컵체의 개구부 간에서 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동되는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적(液適)에 접촉하여 상기 액적을 처리액 노즐로부터 제거하기 위한 액 제거부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은 경사 하방으로 상기 처리액을 토출하는 토출구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 액 제거부는 상기 대기부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 액 제거부는, 처리액 노즐로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 액 제거부는, 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부로 흡수하여 제거하기 위하여 그 표면에 다수의 오목부를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  7. 상측에 개구부가 형성된 컵체 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터 상기 기판으로 처리액을 공급하는 공정과,
    상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역 간에서 상기 액 처리 노즐을 액 처리부의 열을 따라 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과,
    상기 컵체의 개구부 간에서, 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치된 액 제거부를 상기 이동 수단에 의해 이동되는 처리액 노즐로부터 매달려 있는 상기 처리액의 액적에 접촉시키는 공정과,
    상기 액 제거부에 접촉된 액적을 상기 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판으로 처리액을 공급하는 공정은,
    처리액 노즐의 토출구로부터 상기 처리액을 경사 하방으로 공급하는 공정인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어 노광된 것인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  10. 기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은 청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 기재된 액 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150076817A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20160053922A (ko) * 2013-09-09 2016-05-13 무사시 엔지니어링 가부시키가이샤 노즐 및 이 노즐을 구비하는 액체 재료 토출 장치
KR20230137817A (ko) * 2022-03-22 2023-10-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 현상 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4893799B2 (ja) * 2009-10-23 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP5474853B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5293790B2 (ja) * 2011-09-22 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TWI544291B (zh) 2012-05-22 2016-08-01 斯克林半導體科技有限公司 顯像處理裝置
CN102937779A (zh) * 2012-11-22 2013-02-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种显影液喷涂轨道机及其喷涂方法
JP5867462B2 (ja) * 2013-07-26 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN104347352B (zh) * 2013-07-31 2018-05-29 细美事有限公司 一种基板处理装置及基板处理方法
CN104952765B (zh) * 2014-03-26 2017-10-03 斯克林集团公司 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法
JP6680096B2 (ja) * 2016-06-13 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP7112884B2 (ja) 2018-05-24 2022-08-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7236318B2 (ja) 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
CN113759675A (zh) * 2020-06-05 2021-12-07 长鑫存储技术有限公司 半导体设备及其操作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0430521A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板用回転式表面処理装置
JP3465146B2 (ja) * 1994-09-29 2003-11-10 東京エレクトロン株式会社 現像装置
JP4011040B2 (ja) * 1997-04-10 2007-11-21 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置および現像方法
JP4024351B2 (ja) * 1997-08-11 2007-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置
US6770424B2 (en) * 2002-12-16 2004-08-03 Asml Holding N.V. Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms
JP5045218B2 (ja) * 2006-10-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160053922A (ko) * 2013-09-09 2016-05-13 무사시 엔지니어링 가부시키가이샤 노즐 및 이 노즐을 구비하는 액체 재료 토출 장치
KR20150076817A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20230137817A (ko) * 2022-03-22 2023-10-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 현상 장치

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Publication number Publication date
TW201100177A (en) 2011-01-01
KR101530959B1 (ko) 2015-06-23
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CN101807514A (zh) 2010-08-18
TWI454318B (zh) 2014-10-01
JP2010186974A (ja) 2010-08-26

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