JP2002289567A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 気体溶存液の濃度を維持しつつ基板に供給
し、基板の処理を効率よく行うことが可能な基板処理装
置を提供することである。 【解決手段】 基板１００は、保持台１０１に水平姿勢
で保持され、モータ１１１により回転駆動される。ガス
タンク１０３からガス開閉弁１０７を介しガスが溶解モ
ジュール１に与えられ、洗浄液タンク１０４から洗浄開
閉弁１０８を介し洗浄液が溶解モジュール１に与えられ
る。ガスタンク１０３から与えられたガスは、溶解モジ
ュール１が有する複数の多孔性チューブの外側に注入さ
れ、洗浄液タンク１０４から与えられた洗浄液は、複数
の多孔性チューブの内部に注入される。複数の多孔性チ
ューブの外側に注入されたガスは、複数の多孔性チュー
ブを透過し内部を流れる洗浄液に溶解されガス溶解洗浄
液が生成される。そのガス溶解洗浄液を基板１００に供
給し基板の洗浄処理を行う。
し、基板の処理を効率よく行うことが可能な基板処理装
置を提供することである。 【解決手段】 基板１００は、保持台１０１に水平姿勢
で保持され、モータ１１１により回転駆動される。ガス
タンク１０３からガス開閉弁１０７を介しガスが溶解モ
ジュール１に与えられ、洗浄液タンク１０４から洗浄開
閉弁１０８を介し洗浄液が溶解モジュール１に与えられ
る。ガスタンク１０３から与えられたガスは、溶解モジ
ュール１が有する複数の多孔性チューブの外側に注入さ
れ、洗浄液タンク１０４から与えられた洗浄液は、複数
の多孔性チューブの内部に注入される。複数の多孔性チ
ューブの外側に注入されたガスは、複数の多孔性チュー
ブを透過し内部を流れる洗浄液に溶解されガス溶解洗浄
液が生成される。そのガス溶解洗浄液を基板１００に供
給し基板の洗浄処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に処理を行う
基板処理装置に関する。
基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガ
ラス基板などの基板に処理を行う基板処理工程において
は、液体に気体を溶解させた気体溶存液を用いることが
あり、その一つとして基板表面に付着した不純物の個体
微粒子（パーティクル）の除去を行う洗浄工程がある。
この洗浄工程では、通常基板洗浄処理装置が用いられ
る。
ラス基板などの基板に処理を行う基板処理工程において
は、液体に気体を溶解させた気体溶存液を用いることが
あり、その一つとして基板表面に付着した不純物の個体
微粒子（パーティクル）の除去を行う洗浄工程がある。
この洗浄工程では、通常基板洗浄処理装置が用いられ
る。
【０００３】ここで、洗浄工程とは、基板表面にある粒
子、有機物および金属表面の不純物などの汚れに対し
て、液体（洗浄液）に気体（ガス）を溶解させたガス溶
解洗浄液の化学作用と各種物理エネルギーとを用いて除
去することであり、ガス溶解洗浄液とは、例えば、オゾ
ン水溶液（Ｏ3 ＋Ｈ2 Ｏ）であり、各種物理エネルギー
とは、回転運動および往復運動等を含む。
子、有機物および金属表面の不純物などの汚れに対し
て、液体（洗浄液）に気体（ガス）を溶解させたガス溶
解洗浄液の化学作用と各種物理エネルギーとを用いて除
去することであり、ガス溶解洗浄液とは、例えば、オゾ
ン水溶液（Ｏ3 ＋Ｈ2 Ｏ）であり、各種物理エネルギー
とは、回転運動および往復運動等を含む。
【０００４】図４は従来の基板洗浄処理装置の構造を示
す模式図である。従来の基板洗浄処理装置は、保持台１
０１、吐出ノズル１０２、ガスタンク１０３、洗浄液タ
ンク１０４、溶解モジュール１０５、供給配管１０６、
ガス開閉弁１０７、排気開閉弁１１０およびモータ１１
１を備えている。
す模式図である。従来の基板洗浄処理装置は、保持台１
０１、吐出ノズル１０２、ガスタンク１０３、洗浄液タ
ンク１０４、溶解モジュール１０５、供給配管１０６、
ガス開閉弁１０７、排気開閉弁１１０およびモータ１１
１を備えている。
【０００５】図４に示す洗浄されるべき基板１００は、
保持台１０１に水平姿勢で保持され、保持台１０１は、
モータ１１１により回転駆動される。
保持台１０１に水平姿勢で保持され、保持台１０１は、
モータ１１１により回転駆動される。
【０００６】また、基板１００の上方に吐出ノズル１０
２が配設されている。一方、ガスタンク１０３は、ガス
開閉弁１０７を介して溶解モジュール１０５に接続され
ており、洗浄液タンク１０４は、溶解モジュール１０５
に接続されている。さらに、溶解モジュール１０５は、
供給配管１０６を介して吐出ノズル１０２に接続されて
いる。また、溶解モジュール１０５には、排気開閉弁１
１０が設けられている。
２が配設されている。一方、ガスタンク１０３は、ガス
開閉弁１０７を介して溶解モジュール１０５に接続され
ており、洗浄液タンク１０４は、溶解モジュール１０５
に接続されている。さらに、溶解モジュール１０５は、
供給配管１０６を介して吐出ノズル１０２に接続されて
いる。また、溶解モジュール１０５には、排気開閉弁１
１０が設けられている。
【０００７】この溶解モジュール１０５の内部には、１
つの空間を２つに区切るように半透膜が配設されており
（図示せず）、この半透膜に区切られた２つの空間の一
方にガス開閉弁１０７を開放することによりガスタンク
１０３から与えられたガスが注入され、半透膜に区切ら
れた２つの空間の他方に洗浄液タンク１０４から与えら
れた洗浄液が注入される。
つの空間を２つに区切るように半透膜が配設されており
（図示せず）、この半透膜に区切られた２つの空間の一
方にガス開閉弁１０７を開放することによりガスタンク
１０３から与えられたガスが注入され、半透膜に区切ら
れた２つの空間の他方に洗浄液タンク１０４から与えら
れた洗浄液が注入される。
【０００８】ここで、溶解モジュール１０５が有する半
透膜とは、分子構造の大きな洗浄液（液体）は透過させ
ないが、分子構造の小さいガス（気体）は透過させる特
性を持つものである。また、ガスタンク１０３から与え
られたガスとは、例えばオゾン（Ｏ3 ）であり、洗浄液
タンク１０４から与えられた洗浄液とは、例えば純水
（Ｈ2 Ｏ）である。
透膜とは、分子構造の大きな洗浄液（液体）は透過させ
ないが、分子構造の小さいガス（気体）は透過させる特
性を持つものである。また、ガスタンク１０３から与え
られたガスとは、例えばオゾン（Ｏ3 ）であり、洗浄液
タンク１０４から与えられた洗浄液とは、例えば純水
（Ｈ2 Ｏ）である。
【０００９】図４に示す溶解モジュール１０５は、この
半透膜の特性を用いて、洗浄液タンク１０４から与えら
れた洗浄液にガスタンク１０３から与えられたガスを溶
解させガス溶解洗浄液を生成する。そして、溶解モジュ
ール１０５により、生成されたガス溶解洗浄液は、供給
配管１０６を介して吐出ノズル１０２から吐出され、基
板１００に供給される。
半透膜の特性を用いて、洗浄液タンク１０４から与えら
れた洗浄液にガスタンク１０３から与えられたガスを溶
解させガス溶解洗浄液を生成する。そして、溶解モジュ
ール１０５により、生成されたガス溶解洗浄液は、供給
配管１０６を介して吐出ノズル１０２から吐出され、基
板１００に供給される。
【００１０】基板１００がモータ１１１により所定の回
転数で回転されつつ、生成されたガス溶解洗浄液が吐出
ノズル１０２から吐出されることにより、基板１００の
表面の洗浄処理が行われる。
転数で回転されつつ、生成されたガス溶解洗浄液が吐出
ノズル１０２から吐出されることにより、基板１００の
表面の洗浄処理が行われる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す従来の基板洗浄処理装置においては、溶解モジュー
ル１０５から吐出ノズル１０２に到達するまでの供給配
管１０６の距離が長いため、ガス溶解洗浄液が供給配管
１０６内を吐出ノズル１０２まで流れる間に液体中に溶
解されているガスが徐々に抜け出し、ガス溶解洗浄液自
体の濃度が低くなる。ここで、ガス溶解洗浄液自体の濃
度とは、ガス溶解洗浄液に含まれるガスの濃度をいい、
濃度が低下するに伴い基板に対する洗浄処理の効果も低
下する。
示す従来の基板洗浄処理装置においては、溶解モジュー
ル１０５から吐出ノズル１０２に到達するまでの供給配
管１０６の距離が長いため、ガス溶解洗浄液が供給配管
１０６内を吐出ノズル１０２まで流れる間に液体中に溶
解されているガスが徐々に抜け出し、ガス溶解洗浄液自
体の濃度が低くなる。ここで、ガス溶解洗浄液自体の濃
度とは、ガス溶解洗浄液に含まれるガスの濃度をいい、
濃度が低下するに伴い基板に対する洗浄処理の効果も低
下する。
【００１２】例えば、ガス溶解洗浄液としてオゾン水溶
液を用いる場合には、溶解モジュール１０５から吐出ノ
ズル１０２に到達するまでの供給配管１０６において、
洗浄効果を持つオゾン成分が酸素に置換されることによ
り、ガス溶解洗浄液に含まれるオゾン成分の濃度が低下
し、それに伴い基板１００の表面に対する洗浄処理の効
果も低下する。
液を用いる場合には、溶解モジュール１０５から吐出ノ
ズル１０２に到達するまでの供給配管１０６において、
洗浄効果を持つオゾン成分が酸素に置換されることによ
り、ガス溶解洗浄液に含まれるオゾン成分の濃度が低下
し、それに伴い基板１００の表面に対する洗浄処理の効
果も低下する。
【００１３】本発明の目的は、気体溶存液の濃度を維持
しつつ基板に供給し、基板の処理を効率よく行うことが
可能な基板処理装置を提供することである。
しつつ基板に供給し、基板の処理を効率よく行うことが
可能な基板処理装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、基板に気体溶存液を用いた
処理を行う基板処理装置であって、基板を支持する支持
手段と、開口端を有する複数の多孔性管の集合体および
複数の多孔性管の開口端が露出するように集合体の周囲
を包囲する包囲部材を備える溶解モジュールと、溶解モ
ジュールの複数の多孔性管の内部に液体を供給する液体
供給手段と、溶解モジュールの包囲部材内で複数の多孔
性管の外部に気体を供給する気体供給手段とを備え、溶
解モジュールは、複数の多孔性管の開口端が支持手段に
支持された基板の表面に対向するように配置され、複数
の多孔性管の開口端から基板の表面に気体溶存液を供給
するものである。
発明に係る基板処理装置は、基板に気体溶存液を用いた
処理を行う基板処理装置であって、基板を支持する支持
手段と、開口端を有する複数の多孔性管の集合体および
複数の多孔性管の開口端が露出するように集合体の周囲
を包囲する包囲部材を備える溶解モジュールと、溶解モ
ジュールの複数の多孔性管の内部に液体を供給する液体
供給手段と、溶解モジュールの包囲部材内で複数の多孔
性管の外部に気体を供給する気体供給手段とを備え、溶
解モジュールは、複数の多孔性管の開口端が支持手段に
支持された基板の表面に対向するように配置され、複数
の多孔性管の開口端から基板の表面に気体溶存液を供給
するものである。
【００１５】第１の発明に係る基板処理装置において
は、基板が支持手段により支持される。また、溶解モジ
ュールが、複数の多孔性管の開口端が支持手段に支持さ
れた基板の表面に対向するように配置される。その溶解
モジュールの複数の多孔性管の内部に液体供給手段によ
り液体が供給され、さらに溶解モジュールの包囲部材内
で複数の多孔性管の外部に気体供給手段により気体が供
給される。それにより、液体中に気体が溶解し、複数の
多孔性管の開口端から基板の表面に気体溶存液が供給さ
れる。
は、基板が支持手段により支持される。また、溶解モジ
ュールが、複数の多孔性管の開口端が支持手段に支持さ
れた基板の表面に対向するように配置される。その溶解
モジュールの複数の多孔性管の内部に液体供給手段によ
り液体が供給され、さらに溶解モジュールの包囲部材内
で複数の多孔性管の外部に気体供給手段により気体が供
給される。それにより、液体中に気体が溶解し、複数の
多孔性管の開口端から基板の表面に気体溶存液が供給さ
れる。
【００１６】このように、溶解モジュール内で生成され
た気体溶存液が長い配管を経由することなく、複数の多
孔性管の開口端から基板の表面に直接供給されるので、
液体中の気体が抜け出ることが防止される。したがっ
て、気体溶存液の濃度を維持しつつ基板に供給し、基板
の処理を効率よく行うことができる。
た気体溶存液が長い配管を経由することなく、複数の多
孔性管の開口端から基板の表面に直接供給されるので、
液体中の気体が抜け出ることが防止される。したがっ
て、気体溶存液の濃度を維持しつつ基板に供給し、基板
の処理を効率よく行うことができる。
【００１７】さらに、複数の多孔性管を用いることによ
り、液体に気体を溶解させるために液体と気体との接触
面積が増加することから、濃度の高い気体溶存液を容易
に生成することができる。
り、液体に気体を溶解させるために液体と気体との接触
面積が増加することから、濃度の高い気体溶存液を容易
に生成することができる。
【００１８】第２の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、集合体の開口
端が支持手段に支持された基板の表面のほぼ全域に対向
するものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、集合体の開口
端が支持手段に支持された基板の表面のほぼ全域に対向
するものである。
【００１９】これにより、基板の表面のほぼ全域に気体
溶存液を均一かつ短時間に供給することができる。した
がって、基板の均一かつ短時間の処理が可能となる。
溶存液を均一かつ短時間に供給することができる。した
がって、基板の均一かつ短時間の処理が可能となる。
【００２０】第３の発明に係る基板処理装置は、第１ま
たは第２の発明に係る基板処理装置の構成において、溶
解モジュールの複数の多孔性管の開口端と支持手段に支
持された基板の表面とがほぼ平行であるものである。
たは第２の発明に係る基板処理装置の構成において、溶
解モジュールの複数の多孔性管の開口端と支持手段に支
持された基板の表面とがほぼ平行であるものである。
【００２１】これにより、基板の表面に均一な濃度の気
体溶存液を供給することができるので、基板の均一な処
理が可能となる。
体溶存液を供給することができるので、基板の均一な処
理が可能となる。
【００２２】第４の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第３のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、溶解モジュールの複数の多孔性管の開口端と支持手
段に支持された基板の表面との距離が１５ｍｍ以下であ
るものである。
第３のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、溶解モジュールの複数の多孔性管の開口端と支持手
段に支持された基板の表面との距離が１５ｍｍ以下であ
るものである。
【００２３】この場合、複数の多孔性管の開口端と基板
の表面との距離が短く、複数の多孔性管の開口端と基板
の表面との間に連続する気体溶存液の層を形成すること
が可能となる。それにより、気体溶存液の濃度の低下を
十分に防止することができる。したがって、気体溶存液
の濃度を維持しつつ基板に供給し、基板の処理をさらに
効率よく均一に行うことができる。
の表面との距離が短く、複数の多孔性管の開口端と基板
の表面との間に連続する気体溶存液の層を形成すること
が可能となる。それにより、気体溶存液の濃度の低下を
十分に防止することができる。したがって、気体溶存液
の濃度を維持しつつ基板に供給し、基板の処理をさらに
効率よく均一に行うことができる。
【００２４】第５の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第４のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、溶解モジュールの包囲部材内の気体を外部に排出す
る排気手段をさらに備えたものである。
第４のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、溶解モジュールの包囲部材内の気体を外部に排出す
る排気手段をさらに備えたものである。
【００２５】これにより、液体中に溶解しないで残った
余分な気体を溶解モジュールの外部に排出し、溶解モジ
ュールの内圧の上昇を防止することができる。
余分な気体を溶解モジュールの外部に排出し、溶解モジ
ュールの内圧の上昇を防止することができる。
【００２６】第６の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第５のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、支持手段に支持された基板を回転させる回転駆動手
段をさらに備えたものである。
第５のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、支持手段に支持された基板を回転させる回転駆動手
段をさらに備えたものである。
【００２７】この場合、気体溶存液の濃度を維持しつ
つ、物理エネルギーの効果を加えることにより、さらに
効率よく基板の処理を行うことができる。
つ、物理エネルギーの効果を加えることにより、さらに
効率よく基板の処理を行うことができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板処理装置
の一例として基板洗浄処理装置について説明する。図１
は本発明の実施の形態における基板洗浄処理装置の構成
を示す模式図である。
の一例として基板洗浄処理装置について説明する。図１
は本発明の実施の形態における基板洗浄処理装置の構成
を示す模式図である。
【００２９】本発明に係る基板洗浄処理装置は、溶解モ
ジュール１、保持台１０１、ガスタンク１０３、洗浄液
タンク１０４、ガス開閉弁１０７、洗浄開閉弁１０８、
パージ開閉弁１０９、排気開閉弁１１０およびモータ１
１１を備えている。
ジュール１、保持台１０１、ガスタンク１０３、洗浄液
タンク１０４、ガス開閉弁１０７、洗浄開閉弁１０８、
パージ開閉弁１０９、排気開閉弁１１０およびモータ１
１１を備えている。
【００３０】図１に示すように、半導体ウエハ等の基板
１００は水平姿勢で保持台１０１に保持され、保持台１
０１はモータ１１１により回転駆動される。そして、ガ
スタンク１０３は、ガス開閉弁１０７を介して溶解モジ
ュール１に接続されており、洗浄液タンク１０４は、洗
浄開閉弁１０８を介して溶解モジュール１に接続されて
いる。また、溶解モジュール１には、パージ開閉弁１０
９および排気開閉弁１１０が設けられている。
１００は水平姿勢で保持台１０１に保持され、保持台１
０１はモータ１１１により回転駆動される。そして、ガ
スタンク１０３は、ガス開閉弁１０７を介して溶解モジ
ュール１に接続されており、洗浄液タンク１０４は、洗
浄開閉弁１０８を介して溶解モジュール１に接続されて
いる。また、溶解モジュール１には、パージ開閉弁１０
９および排気開閉弁１１０が設けられている。
【００３１】図２は図１の基板洗浄処理装置に用いられ
る溶解モジュール１の主要部の構造を示す斜視図であ
る。また、図３は図１の基板洗浄処理装置に用いられる
溶解モジュール１の構造の一部を示す断面模式図であ
る。
る溶解モジュール１の主要部の構造を示す斜視図であ
る。また、図３は図１の基板洗浄処理装置に用いられる
溶解モジュール１の構造の一部を示す断面模式図であ
る。
【００３２】図２に示すように、溶解モジュール１は、
複数の多孔性チューブ１ａ、筒状のハウジング１ｂおよ
び蓋部材１ｃを備えている。複数の多孔性チューブ１ａ
の集合体が筒状のハウジング１ｂ内に収容されている。
複数の多孔性チューブ１ａの両端は開口している。
複数の多孔性チューブ１ａ、筒状のハウジング１ｂおよ
び蓋部材１ｃを備えている。複数の多孔性チューブ１ａ
の集合体が筒状のハウジング１ｂ内に収容されている。
複数の多孔性チューブ１ａの両端は開口している。
【００３３】また、図３に示すように、複数の多孔性チ
ューブ１ａ間の空間の両端部は、封止材１ｄ，１ｅによ
り封止されている。筒状のハウジング１ｂには、図１の
ガスタンク１０３に接続されるガス注入口１０３ａおよ
び排気開閉弁１１０に接続される排気口１１０ａが設け
られている。ガス注入口１０３ａにはパージ開閉弁１０
９も接続されている。また、蓋部材１ｃには、洗浄液タ
ンク１０４に接続される洗浄液注入口１０４ａが設けら
れている。ガス注入口１０３ａおよび排気口１１０ａ
は、筒状のハウジング１ｂ内で、複数の多孔性チューブ
１ａ間の空間に連通しており、洗浄液注入口１０４ａ
は、複数の多孔性チューブ１ａの内部の空間に連通して
いる。
ューブ１ａ間の空間の両端部は、封止材１ｄ，１ｅによ
り封止されている。筒状のハウジング１ｂには、図１の
ガスタンク１０３に接続されるガス注入口１０３ａおよ
び排気開閉弁１１０に接続される排気口１１０ａが設け
られている。ガス注入口１０３ａにはパージ開閉弁１０
９も接続されている。また、蓋部材１ｃには、洗浄液タ
ンク１０４に接続される洗浄液注入口１０４ａが設けら
れている。ガス注入口１０３ａおよび排気口１１０ａ
は、筒状のハウジング１ｂ内で、複数の多孔性チューブ
１ａ間の空間に連通しており、洗浄液注入口１０４ａ
は、複数の多孔性チューブ１ａの内部の空間に連通して
いる。
【００３４】ここで、図２の複数の多孔性チューブ１ａ
は、例えばＰＦＡ（四フッ化エチレン樹脂）等のフッ素
樹脂からなる。また、この複数の多孔性チューブ１ａ
は、分子構造の大きな洗浄液（液体）は透過させない
が、分子構造の小さいガス（気体）は透過させる特性を
持つものである。
は、例えばＰＦＡ（四フッ化エチレン樹脂）等のフッ素
樹脂からなる。また、この複数の多孔性チューブ１ａ
は、分子構造の大きな洗浄液（液体）は透過させない
が、分子構造の小さいガス（気体）は透過させる特性を
持つものである。
【００３５】ガスタンク１０３からは、例えばオゾン
（Ｏ3 ）、水素（Ｈ2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、フッ
素（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、または二酸化炭素（ＣＯ
2 ）等のガスが供給される。洗浄液タンク１０４から
は、例えば純水（Ｈ2 Ｏ）、アンモニア水（ＮＨ3 ＋Ｈ
2 Ｏ）、塩酸水溶液（ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ）、またはフッ酸
水溶液（ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ）等の洗浄液が供給される。
（Ｏ3 ）、水素（Ｈ2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、フッ
素（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、または二酸化炭素（ＣＯ
2 ）等のガスが供給される。洗浄液タンク１０４から
は、例えば純水（Ｈ2 Ｏ）、アンモニア水（ＮＨ3 ＋Ｈ
2 Ｏ）、塩酸水溶液（ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ）、またはフッ酸
水溶液（ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ）等の洗浄液が供給される。
【００３６】また、溶解モジュール１の開口端側の面積
は、基板１００の表面の面積とほぼ同等である。さら
に、溶解モジュール１の複数の多孔性チューブ１ａの開
口端と基板１００とが平行にかつ溶解モジュール１の複
数の多孔性チューブ１ａの開口端と基板１００との距離
Ｌ（図１参照）が１５ｍｍ以下となるように設けられ
る。
は、基板１００の表面の面積とほぼ同等である。さら
に、溶解モジュール１の複数の多孔性チューブ１ａの開
口端と基板１００とが平行にかつ溶解モジュール１の複
数の多孔性チューブ１ａの開口端と基板１００との距離
Ｌ（図１参照）が１５ｍｍ以下となるように設けられ
る。
【００３７】本実施の形態では、複数の多孔性チューブ
１ａが複数の多孔性管に相当し、ハウジング１ｂが包囲
部材に相当し、保持台１０１が支持手段に相当し、ガス
注入口１０３ａが気体供給手段に相当し、洗浄液注入口
１０４ａが液体供給手段に相当し、排気開閉弁１１０が
排気手段に相当し、モータ１１１が回転駆動手段に相当
する。
１ａが複数の多孔性管に相当し、ハウジング１ｂが包囲
部材に相当し、保持台１０１が支持手段に相当し、ガス
注入口１０３ａが気体供給手段に相当し、洗浄液注入口
１０４ａが液体供給手段に相当し、排気開閉弁１１０が
排気手段に相当し、モータ１１１が回転駆動手段に相当
する。
【００３８】次に、図１、図２および図３に示す基板洗
浄処理装置の動作を説明する。本例では、洗浄液を純水
とし、ガスをオゾンガスとする。
浄処理装置の動作を説明する。本例では、洗浄液を純水
とし、ガスをオゾンガスとする。
【００３９】図１に示すように、基板１００が、保持台
１０１に水平姿勢で保持され、水平面において鉛直軸の
周りにモータ１１１により回転駆動される。一方、ガス
開閉弁１０７を開放することにより、ガスタンク１０３
からオゾンガスが溶解モジュール１に与えられる。ま
た、洗浄開閉弁１０８を開放することにより、洗浄液タ
ンク１０４から純水が溶解モジュール１に与えられる。
１０１に水平姿勢で保持され、水平面において鉛直軸の
周りにモータ１１１により回転駆動される。一方、ガス
開閉弁１０７を開放することにより、ガスタンク１０３
からオゾンガスが溶解モジュール１に与えられる。ま
た、洗浄開閉弁１０８を開放することにより、洗浄液タ
ンク１０４から純水が溶解モジュール１に与えられる。
【００４０】図３に示すように、ガスタンク１０３から
与えられたオゾンガスは、ガス注入口１０３ａを介して
ハウジング１ｂ内で複数の多孔性チューブ１ａの外側に
注入される。一方、洗浄液タンク１０４から与えられた
純水は、洗浄液注入口１０４ａを介して、複数の多孔性
チューブ１ａの各々の内部に注入される。
与えられたオゾンガスは、ガス注入口１０３ａを介して
ハウジング１ｂ内で複数の多孔性チューブ１ａの外側に
注入される。一方、洗浄液タンク１０４から与えられた
純水は、洗浄液注入口１０４ａを介して、複数の多孔性
チューブ１ａの各々の内部に注入される。
【００４１】ここで、複数の多孔性チューブ１ａの外側
に注入されたオゾンガスは、複数の多孔性チューブ１ａ
を透過し内部を流れる純水に溶解される。また、溶解さ
れずに残ったオゾンガスは、図２に示す排気口１１０ａ
および排気開閉弁１１０を介して排出される。
に注入されたオゾンガスは、複数の多孔性チューブ１ａ
を透過し内部を流れる純水に溶解される。また、溶解さ
れずに残ったオゾンガスは、図２に示す排気口１１０ａ
および排気開閉弁１１０を介して排出される。
【００４２】このようにして、溶解モジュール１では、
純水にオゾンガスが溶解されたオゾン水溶液が生成され
る。そして、溶解モジュール１により生成されたオゾン
水溶液は、所定の回転数で回転する基板１００上に供給
され、基板１００の表面の洗浄処理が行われる。
純水にオゾンガスが溶解されたオゾン水溶液が生成され
る。そして、溶解モジュール１により生成されたオゾン
水溶液は、所定の回転数で回転する基板１００上に供給
され、基板１００の表面の洗浄処理が行われる。
【００４３】基板１００の表面の洗浄処理後、ガス開閉
弁１０７を閉じることによりオゾンガスの注入を停止さ
せる。そして、溶解モジュール１内に残存しているオゾ
ンガスを排出するため、パージ開閉弁１０９から窒素
（Ｎ2 ）を供給する。次に、洗浄液タンク１０４から純
水のみを溶解モジュール１に与えて基板１００の表面の
後処理を行う。
弁１０７を閉じることによりオゾンガスの注入を停止さ
せる。そして、溶解モジュール１内に残存しているオゾ
ンガスを排出するため、パージ開閉弁１０９から窒素
（Ｎ2 ）を供給する。次に、洗浄液タンク１０４から純
水のみを溶解モジュール１に与えて基板１００の表面の
後処理を行う。
【００４４】基板１００の後処理後、洗浄開閉弁１０８
を閉じることにより純水の注入を停止させて基板１００
の乾燥を行う。基板１００の乾燥は、モータ１１１によ
り基板１００および保持台１０１を所定の回転数で回転
させて行う。基板１００の表面の乾燥が終了した後、基
板１００が取り出される。
を閉じることにより純水の注入を停止させて基板１００
の乾燥を行う。基板１００の乾燥は、モータ１１１によ
り基板１００および保持台１０１を所定の回転数で回転
させて行う。基板１００の表面の乾燥が終了した後、基
板１００が取り出される。
【００４５】以上のことから、溶解モジュール１内で生
成されたオゾン水溶液が長い供給配管を経由することな
く複数の多孔性チューブ１ａの開口端から基板１００の
表面に直接供給されるので、オゾン水溶液のオゾンガス
が抜け出ることが防止され、オゾン水溶液の濃度を維持
しつつ基板１００に供給でき、基板１００の洗浄処理を
効率よく行うことができる。
成されたオゾン水溶液が長い供給配管を経由することな
く複数の多孔性チューブ１ａの開口端から基板１００の
表面に直接供給されるので、オゾン水溶液のオゾンガス
が抜け出ることが防止され、オゾン水溶液の濃度を維持
しつつ基板１００に供給でき、基板１００の洗浄処理を
効率よく行うことができる。
【００４６】さらに、複数の多孔性チューブ１ａを用い
ることにより、純水とオゾンガスとの接触面積が増加す
ることから、濃度の高いオゾン水溶液を容易に生成する
ことができる。
ることにより、純水とオゾンガスとの接触面積が増加す
ることから、濃度の高いオゾン水溶液を容易に生成する
ことができる。
【００４７】また、複数の多孔性チューブ１ａの開口端
と基板１００の表面との面積がほぼ同等になっているこ
とから、基板１００の表面のほぼ全域にオゾン水溶液を
均一かつ短時間に供給することができる。したがって、
基板１００の均一かつ短時間の処理が可能となる。
と基板１００の表面との面積がほぼ同等になっているこ
とから、基板１００の表面のほぼ全域にオゾン水溶液を
均一かつ短時間に供給することができる。したがって、
基板１００の均一かつ短時間の処理が可能となる。
【００４８】さらに、複数の多孔性チューブ１ａの開口
端と基板１００との表面が平行になっているので、基板
１００の表面に均一な濃度のオゾン水溶液を供給するこ
とができ、基板１００の均一な処理が可能となる。
端と基板１００との表面が平行になっているので、基板
１００の表面に均一な濃度のオゾン水溶液を供給するこ
とができ、基板１００の均一な処理が可能となる。
【００４９】そして、複数の多孔性チューブ１ａの開口
端と基板１００の表面との距離Ｌが１５ｍｍ以下に設定
されているので、複数の多孔性チューブ１ａの開口端と
基板１００の表面との間に連続するオゾン水溶液の層を
形成することが可能となり、オゾン水溶液の濃度の低下
を十分に防止することができる。
端と基板１００の表面との距離Ｌが１５ｍｍ以下に設定
されているので、複数の多孔性チューブ１ａの開口端と
基板１００の表面との間に連続するオゾン水溶液の層を
形成することが可能となり、オゾン水溶液の濃度の低下
を十分に防止することができる。
【００５０】なお、溶解モジュール１にモータを取り付
け、溶解モジュール１自体を回転させることにより溶解
モジュール１の乾燥を行うこともできる。
け、溶解モジュール１自体を回転させることにより溶解
モジュール１の乾燥を行うこともできる。
【００５１】また、上記実施の形態では、基板処理装置
の一例として基板洗浄処理装置について説明したが、こ
れに限らず、本発明は、液体に気体を溶解させた気体溶
存液を用いて基板処理を行う他の基板処理装置にも適用
することができる。
の一例として基板洗浄処理装置について説明したが、こ
れに限らず、本発明は、液体に気体を溶解させた気体溶
存液を用いて基板処理を行う他の基板処理装置にも適用
することができる。
【図１】本発明の一実施の形態における基板洗浄処理装
置の構成を示す模式図である。
置の構成を示す模式図である。
【図２】図１の基板洗浄処理装置に用いられる溶解モジ
ュールの主要部の構造を示す斜視図である。
ュールの主要部の構造を示す斜視図である。
【図３】図１の基板洗浄処理装置に用いられる溶解モジ
ュールの構造の一部を示す断面模式図である。
ュールの構造の一部を示す断面模式図である。
【図４】従来の基板洗浄処理装置の構造を示す模式図で
ある。
ある。
１ 溶解モジュール １ａ 複数の多孔性チューブ １ｂ ハウジング １００ 基板 １０１ 保持台 １０２ 吐出ノズル １０３ ガスタンク １０３ａ ガス注入口 １０４ 洗浄液タンク １０４ａ 洗浄液注入口 １０５ 溶解モジュール １０６ 供給配管 １０７ ガス開閉弁 １０８ 洗浄開閉弁 １０９ パージ開閉弁 １１０ 排気開閉弁 １１０ａ 排気口 １１１ モータ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に気体溶存液を用いた処理を行う基
板処理装置であって、 基板を支持する支持手段と、 開口端を有する複数の多孔性管の集合体および前記複数
の多孔性管の開口端が露出するように前記集合体の周囲
を包囲する包囲部材を備える溶解モジュールと、 前記溶解モジュールの前記複数の多孔性管の内部に液体
を供給する液体供給手段と、 前記溶解モジュールの前記包囲部材内で前記複数の多孔
性管の外部に気体を供給する気体供給手段とを備え、 前記溶解モジュールは、前記複数の多孔性管の開口端が
前記支持手段に支持された基板の表面に対向するように
配置され、前記複数の多孔性管の開口端から前記基板の
表面に気体溶存液を供給することを特徴とする基板処理
装置。 - 【請求項２】 前記集合体の前記開口端が前記支持手段
に支持された基板の表面のほぼ全域に対向することを特
徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記溶解モジュールの前記複数の多孔性
管の開口端と前記支持手段に支持された基板の表面とが
ほぼ平行であることを特徴とする請求項１または２記載
の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記溶解モジュールの前記複数の多孔性
管の開口端と前記支持手段に支持された基板の表面との
距離が１５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記溶解モジュールの前記包囲部材内の
気体を外部に排出する排気手段をさらに備えたことを特
徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装
置。 - 【請求項６】 前記支持手段に支持された基板を回転さ
せる回転駆動手段をさらに備えたことを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001084872A JP3810278B2 (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001084872A JP3810278B2 (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289567A true JP2002289567A (ja) | 2002-10-04 |
| JP3810278B2 JP3810278B2 (ja) | 2006-08-16 |
Family
ID=18940481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001084872A Expired - Fee Related JP3810278B2 (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 基板処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3810278B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095550A1 (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Sekisui Chemical Co. Ltd. | 有機物除去装置、有機物除去方法、オゾン水噴射ノズル、及び、マスク基板用有機物除去装置 |
| JP2006196478A (ja) * | 2003-04-21 | 2006-07-27 | Sekisui Chem Co Ltd | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
| CN102139270A (zh) * | 2010-12-23 | 2011-08-03 | 西安隆基硅材料股份有限公司 | 硅片清洗烘干器及多线切割中的断线硅片清洗烘干方法 |
| CN108435628A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-24 | 温州职业技术学院 | 一种计算机显示器边缘化灰尘吸附清理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541369A (ja) * | 1991-01-28 | 1993-02-19 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH08186079A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Nissan Motor Co Ltd | 基板表面処理装置 |
| JPH10116808A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の処理方法 |
| JPH118213A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Komatsu Ltd | 半導体ウエハの処理方法 |
| JP2000070884A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-07 | Ultla Clean Technology Kaihatsu Kenkyusho:Kk | 基板洗浄装置 |
-
2001
- 2001-03-23 JP JP2001084872A patent/JP3810278B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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| CN102139270B (zh) * | 2010-12-23 | 2013-01-23 | 西安隆基硅材料股份有限公司 | 硅片清洗烘干器及多线切割中的断线硅片清洗烘干方法 |
| CN108435628A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-24 | 温州职业技术学院 | 一种计算机显示器边缘化灰尘吸附清理装置 |
| CN108435628B (zh) * | 2018-02-02 | 2020-09-08 | 温州职业技术学院 | 一种计算机显示器边缘化灰尘吸附清理装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3810278B2 (ja) | 2006-08-16 |
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