RU2141700C1 - Способ просушивания кремния - Google Patents

Способ просушивания кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2141700C1
RU2141700C1 RU98104458A RU98104458A RU2141700C1 RU 2141700 C1 RU2141700 C1 RU 2141700C1 RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A RU 2141700 C1 RU2141700 C1 RU 2141700C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
liquid
bath
liquid bath
concentration
Prior art date
Application number
RU98104458A
Other languages
English (en)
Other versions
RU98104458A (ru
Inventor
Шелленбергер Вильхельм
Херрманнсдерфер Дитер
Original Assignee
Иктоп Энтвиклунгс ГмбХ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Иктоп Энтвиклунгс ГмбХ filed Critical Иктоп Энтвиклунгс ГмбХ
Application granted granted Critical
Publication of RU2141700C1 publication Critical patent/RU2141700C1/ru
Publication of RU98104458A publication Critical patent/RU98104458A/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

Использование: технология производства микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: пластину погружают в жидкую ванну и отделяют от жидкости, причем жидкость в ванне содержит водный раствор HF с концентрацией от 0,001 до 50 %. За счет добавления газовой смеси O2/O3, сразу после завершения процесса просушивания, происходит гидрофилизация поверхности кремния. За счет добавления газовой смеси, содержащей O2/O3, во время процесса просушивания происходит очистка по мере того, как озон поступает в раствор на поверхности жидкости. Техническим результатом изобретения является эффективное просушивание подложки при одновременной очистке поверхности несложным образом. 2 с. и 23 з.п.ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости.
В процессе производства микроэлектронных устройств кремний, который имеет обычно форму монокристаллических пластин, подвергается сильному загрязнению или повреждениям в результате резания, полировки, лакирования или аналогичных процедур. По этой причине кремний обычно подвергают многоступенчатой очистке, которая обычно осуществляется в жидких ваннах.
Различные виды химической обработки обычно обеспечивают избирательное удаление различных видов загрязнений (т.е. частицы, органические покрытия, функциональные органические группы Si-CR3 или группы металлов, демонстрирующие сходное друг с другом химическое поведение). Операции химической обработки обычно отделяются друг от друга операциями промывки с целью удаления с поверхности кремния химических соединений и избежания образования смесей химических соединений. Для того, чтобы свести к минимуму опасность повторного загрязнения металлами с нейтральной pH, важно обеспечить высокую степень чистоты воды.
Существует опасность повторного загрязнения такими видами загрязнений, как частицы металлов такого типа, который был удален в процессе предыдущей фазы очистки, что связано с их присутствием на последующих стадиях промывки или в химикатах типа стабилизаторов для H2O2 применяемых в последующих операциях очистки. Вся последовательность очистки завершается операцией просушивания.
Известно много различных способов просушивания кремния. Эти способы просушивания включают центрифугирование и просушивание с помощью таких растворителей как трихлорэтанол или метиленхлорид. Кроме того, существуют способы просушивания горячим воздухом, горячей водой или изопропиловым спиртом. Один из недостатков этих распространенных способов просушивания заключается в сильных напряжениях, создаваемых в кремниевой пластинке большими механическими усилиями. В связи с этим оказывается высокой вероятность повреждения кромок и, кроме того, возможно образование частиц, вызванное движениями кремниевых частиц относительно друг друга. В крайнем случае, в особенности, в случае более тонких пластин или после термообработки, это напряжение может привести к разлому пластины, разрушению, таким образом, объекта просушивания и загрязнению окружающих пластин обломками.
Процедура просушивания может также привести к повышению издержек производства за счет применения дорогостоящих химикатов, удаление которых оказывается необходимым. И, наконец, общим недостатком всех упомянутых выше способов является опасность повторного загрязнения металлом очищенных поверхностей в процессе просушивания.
Известные способы просушивания кремния описаны в статье "Ultraclean Marangoli Drying in Gases and Liquids 3" в сборнике "Particles in Gases and Liquids 3: Detection, Characterisation and Control", edited by K.L.Mittal, Plenum Press, New York, 1993, pages 269-282. Процедура, описанная в этой статье, предусматривает погружение кремниевых пластин в водяную ванну и последующее извлечение кремниевых пластин из водяной ванны путем добавления на поверхность ванны смеси изопропилового спирта и азота. Изопропиловый спирт растворим в воде и, будучи растворен в воде, понижает ее поверхностное натяжение.
Известный способ просушивания основывается на т.н. принципе Мараньони или эффекте Мараньони. Этот принцип основывается на том факте, что концентрация изопропилового спирта на слегка искривленном кверху участке между поверхностью кремния и поверхностью воды в процессе извлечения кремниевых пластин из водяной ванны оказывается выше, чем на поверхности воды, расположенной дальше от поверхности кремния. Более высокая концентрация изопропилового спирта на участке между поверхностью кремния и поверхностью воды вызывает понижение поверхностного натяжения по сравнению с остальной поверхностью воды. Такая направленность поверхностного натяжения вызывает отекание воды с поверхности кремния на остальную поверхность воды, что способствует просушиванию поверхности кремния. Недостаток этого способа заключается в загрязнении воды металлами, что вызывает загрязнение металлами и поверхности кремния. Кроме того, возможно появление на поверхности органического остатка, вызванное изопропиловым спиртом. Таким образом, существует потребность в способах просушивания поверхности кремния без появления на ней металлических и/или иных загрязнений.
В патенте ЕР 0385 536-A1 описан способ просушивания подложки с использованием эффекта Мараньони, при котором жидкая ванна, однако, состоит из воды и газа, добавленного по поверхности жидкой ванны в качестве органического растворителя.
Недостатком этого известного способа является то, что загрязнение металлом воды неизбежно ведет к загрязнению металлом поверхности подложки. Кроме того, невозможно исключить появления на поверхности органических загрязнений.
В патенте WO 95/08406 эффект Мараньони не применяется, но относится к очистке и просушиванию пластин в двухслойной ванне, в которой нижний слой состоит из водного раствора, а верхний слой состоит из органического раствора. Озон вдувают в водный раствор, а пластину извлекают из чистящей ванны через два слоя. За операцией очистки может последовать дополнительная операция окисления.
Таким образом, главной целью настоящего изобретения является предложение способа просушивания поверхностей подложки согласно преамбуле пунктов 1 и 2 формулы изобретения, гарантирующего сохранение степени чистоты очищенных поверхностей и эффективное просушивание подложки при одновременной очистке поверхности несложным образом.
Эта цель достигается с помощью операций просушивания поверхностей подложки согласно пунктам 1 и 2.
Предпочтительные варианты настоящего изобретения указаны в подпунктах.
Настоящее изобретение предлагает способы просушивания поверхностей. Способ, являющийся предметом настоящего изобретения, гарантирует сохранение чистоты очищенных поверхностей и эффективное просушивание поверхности. Изобретение может применяться к поверхностям из многих материалов, включая полупроводники, металлы (в особенности алюминий), пластмассы, стекло и керамику. Изобретение в особенности полезно для просушивания и очистки лазерных дисков и полупроводниковых кремниевых пластин. Очевидно, однако, что это изобретение полезно для просушивания подложек в любой подходящей физической форме, в особенности в форме пластин или дисков.
В первом варианте реализации изобретение относится к способу просушивания поверхности подложки, при котором подложку погружают в жидкую ванну, после чего жидкость отделяют путем подачи газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижать поверхностное натяжение жидкости. Так, например, просушивание полупроводниковой кремниевой пластины может осуществляться при извлечении из жидкой ванны, содержащей раствор HF с концентрацией от 0,001 до 50%, при подаче на поверхность водного раствора HF газовой смеси O2/O3.
Во втором варианте реализации изобретение относится к способу просушивания поверхности подложки, при котором подложку погружают в жидкую ванну и затем отделяют от жидкой ванны, а газовую смесь направляют на поверхность подложки после отделения подложки от жидкой ванны. Так, например, полупроводниковая кремниевая пластина может быть погружена в водный раствор HF с концентрацией от 0,001 до 50%, при подаче на поверхность кремниевой пластины после извлечения из водного раствора HF газовой смеси O2/O3.
Далее приведено описание изобретения со ссылкой на чертежи, на которых:
на фиг. 1 показано извлечение кремниевой пластины из ванны с водным раствором HF путем добавления газовой смеси O2/O3;
на фиг. 2 показано извлечение кремниевой пластины из ванны с водным раствором HF без добавления O2/O3;
на фиг. 3a-3c показаны химические процессы очистки или гидрофилизации поверхности кремния с использованием способа, являющегося предметом настоящего изобретения.
Описание предпочтительных вариантов реализации.
В первом варианте реализации газовая смесь, добавленная на поверхность раствора HF, содержит O2/O3, а азот или подобный ему газ может использоваться в качестве газа-носителя. Газ-носитель должен быть химически нейтрален в отношении компонента газовой смеси O2/O3. К подходящим газам относятся воздух (N2, O2, CO2), CO2, He, Ne, Ar, Kr, Xe и Rn. Доля O3 в газовой смеси O2/O3 предпочтительно составляет от 1 мг до 0,5 г на литр газовой смеси O2/O3. Газовая смесь может состоять только из O2/O3. Однако в случае использования газа-носителя доля газовой смеси O2/O3 предпочтительно превышает 10%.
Активные атомы кремния на поверхности переходят в связи Si-H и Si-F. Полученная в результате гидрофобность поверхности допускает просушивание даже при очень низкой температуре. Значение pH <7 раствора HF во время просушивания предупреждает повторное загрязнение металлами. Кроме того, HF удаляет металлические загрязнения в жидкой ванне, присутствующие в ней в окисленной (= ионизированной) форме подобно Fe, и сохраняет их в жидкости в форме комплексных соединений фторида металла. Если в соответствии с первым вариантом реализации изобретения в поверхность водного раствора HF добавить озон, он частично растворяется в водном растворе HF и преобразует сочетания Si-Me с ковалентной связью в ионные сочетания, причем Me означает металлы.
Кроме того, в процессе растворения озона в водном растворе HF в зависимости от концентрации озона наблюдается эффект Мараньони. Поверхность кремния выходит из водного раствора HF гидрофильной, что означает, что она может смачиваться водой или водными растворами.
Что касается способа, являющегося предметом второго варианта реализации настоящего изобретения, то газовую смесь O2/O3 направляют на поверхность кремния только после ее просушивания. Таким образом, превращение поверхности кремния в гидрофильную происходит только после процесса просушивания. Преимущество этого варианта заключается в очень быстром просушивании кремния.
В обоих указанных вариантах реализации настоящего изобретения отделение кремния от водного раствора HF может быть осуществлено или путем извлечения кремния из раствора HF, или путем спуска раствора HF, или путем сочетания обоих этих приемов.
При использовании способа, являющегося предметом первого варианта реализации настоящего изобретения, относительная скорость разделения, которая представляет собой скорость извлечения кремния из раствора или скорость спуска раствора из ванны, составляет примерно 1 - 50 мм/с и предпочтительно примерно 3-10 мм/с. Такая низкая скорость дает преимущество, поскольку эффект Мараньони особенно заметен при низких скоростях. При способе, являющемся предметом второго варианта реализации настоящего изобретения, относительная скорость разделения кремния и поверхности раствора составляет примерно 0,1 - 20 см/с и предпочтительно примерно 0,5-3 см/с, поскольку просушивание может осуществляться очень быстро. Кроме того, водный раствор HF может содержать добавки типа органических соединений (таких как спирт, изопропиловый спирт и этилендиамидтетрауксусная кислота), органических кислот (таких как муравьиная кислота, уксусная кислота и лимонная кислота), кислот (таких как HCl, H3PO4, HClO, HClO2, HClO3 и HClO4), поверхностно-активных веществ (катионных или анионных) или твердые добавки типа NH4F, при условии, что они не нарушают эффекты, описанные выше, и не мешают эффективной очистке и просушиванию кремния. Кислоты добавляют в количестве от 0% до приблизительно 50% по весу, органические соединения добавляют в количестве от 0% до приблизительно 80% по весу, поверхностно-активные вещества добавляют в количестве от 0% до приблизительно 5% по весу и твердые добавки добавляют в количестве от 0% до приблизительно 50% по весу. Возможные конкретные сферы использования, в которых более мощный, чем описанный выше эффект или улучшенная очистка и просушивание могут быть достигнуты путем добавления в водный раствор HF одной или нескольких кислот. Предпочтительными кислотами являются HCl, H2SO4 и H3PO4 или их смеси. Однако возможно добавление одной или нескольких из кислот, перечисленных выше, и в количествах, указанных выше. Предпочтительными смесями кислот являются HF/HCl, HF/HCl/H2SO4, HF/H3PO4, HF/H3PO4/HCl, HF/H3PO4/H2SO4 и HF/H3PO4/HCl/H2SO4. В ином случае раствор HF можно скачать до концентрации с=0 (чистая вода).
Кроме того, обогащение или насыщение водного раствора HF озоном перед погружением в раствор кремния позволяет получить более чистую поверхность кремния. Многочисленные монослои кремния окисляются и затем подвергаются эрозии. Таким образом, очистка оказывается эффективной даже для металлов, находящихся непосредственно под поверхностью (подповерхностное загрязнение).
Концентрация HF составляет предпочтительно от приблизительно 0,01% до приблизительно 0,1%. Диапазон может составлять от 0% (чистая вода) до 90% (концентрированная YF).
Стабильное содержание озона, сопоставимое с состоянием насыщения, может быть достигнуто путем непрерывной подачи в резервуар с раствором HF струи газообразной смеси O2/O3 (например, барботаж). На содержание озона и состояние насыщения оказывают влияние и другие параметры, такие как температура, концентрация HF и добавление присадок (главным образом поверхностно-активных веществ). Успешные очистка и просушивание могут быть достигнуты за счет непрерывной подачи струи газа O2/O3. В предпочтительном варианте реализации расход газа составляет от приблизительно 50 до приблизительно 300 л/ч, а выработка озона составляет от приблизительно 10 до приблизительно 50 г/ч. Согласно оценке концентрация озона в растворе HF составляет от 10 до 80 мг/л.
Другое преимущество изобретения заключается в том, что способ можно применять в диапазоне температуре от 0 до 100oC, причем предпочтительной является температура от 20 до 50oC.
Пример.
На фиг. 1 показана кремниевая пластина 1, которую медленно извлекают из ванны 2 с водным раствором HF 3 после полного погружения в ванну. Направление извлечения кремниевой пластины 1 показано стрелкой, указывающей по вертикали вверх от кремниевой пластины. Скорость извлечения предпочтительно составляет от примерно 3 до примерно 10 мм/с. Стрелка, направленная по диагонали относительно поверхности кремниевой пластины, показывает одновременное добавление газовой смеси O2/O3 над водным раствором возле поверхности пластины.
При медленном извлечении кремниевой пластины 1 из водного раствора HF 3 поверхность водного раствора HF прилипает к поверхности кремния и изгибается по направлению вверх. Это показано обращенной вверх кривой поверхности жидкости на участке между поверхностью раствора и поверхностью кремниевой пластины 1. B точке A растворяется больше озона, чем во всех других местах поверхности раствора, обозначенных точкой B. Поскольку в точке A концентрация озона выше, чем в точке B, поверхностное натяжение в точке A ниже, чем в точке B. Этот градиент поверхностного натяжения вызывает cтекание водного раствора HF из точки A в точку B и, таким образом, просушивание поверхности кремния. На фиг. 2 показана кремниевая пластина 1, которую медленно извлекают из ванны 2 с водным раствором HF 3 после полного погружения в ванну. Направление извлечения показано стрелкой, указывающей вертикально вверх от кремниевой пластины. Из-за гидрофильности кремниевой пластины поверхность жидкости изгибается на поверхности кремния вниз. Гидрофилирование поверхности кремния озоном имеет место только после завершения процесса просушивания.
На фиг. 3 показано, что растворение HF в водном растворе гарантирует разъедание слоев оксида кремния, в которых могут быть погружены ионы металлов, таких как Fe.
Металлические загрязнения типа Cu, которые непосредственно связаны с атомом Si, удаляются процессом Редокса, как показано на фиг. 3b.
На фиг. 3c показано, как озон вызывает окисление поверхности кремния.
Таким образом, кремний покидает сушильную ванну превосходно очищенной.
Специалистам в данной области техники должна быть очевидна возможность других вариантов реализации изобретения. Хотя предпочтительные варианты реализации и примеры описывают просушивание кремниевых пластин, изобретение применимо также к подложкам из многих материалов, кроме кремния, таких, как металлы, пластмассы, стекло и керамика. Термин "подложка" не ограничивается подложками, предназначенными для размещения электронных схем, но относится к любому предмету, поддерживающему поверхность, т.е. имеющему любую определенную физическую форму, такую как форма пластины или диска. Изобретение не ограничивается конкретными примерами и его определение дается пунктами формулы изобретения.

Claims (25)

1. Способ просушивания поверхности подложки (1), включающий: погружение подложки в жидкую ванну (2), продувку над поверхностью жидкой ванны газа, который может растворяться в жидкости и который понижает поверхностное натяжение жидкости, будучи растворен в ней, разделение подложки (1) и жидкости (2) с такой скоростью, что разница в поверхностном натяжении между жидкостью, имеющей первую концентрацию растворенного газа рядом с поверхностью подложки и жидкостью с более низкой концентрацией растворенного газа на удалении от поверхности подложки, обеспечивает просушивание подложки в процессе разделения, отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3), а газ содержит смесь O2/O3.
2. Способ просушивания поверхности подложки (1), включающий: погружение подложки в жидкую ванну (2), отделение подложки от жидкой ванны (2), отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3), поверхность подложки является гидрофобной при отделении от жидкой ванны, причем поверхность подложки отделяют от ванны со скоростью, позволяющей жидкости ванны стекать с гидрофобной поверхности подложки так, чтобы получить сухую подложку, и газ, который содержит смесь O2/O3, образующую гидрофильную поверхность подложки, направляют на поверхность подложки (1) после отделения подложки (1) от жидкой ванны.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что относительная скорость отделения подложки (1) от поверхности водного раствора HF (3) составляет от приблизительно 0,1 до приблизительно 20 см/с.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что относительная скорость отделения подложки (1) от поверхности водного раствора HF (3) составляет от приблизительно 0,5 до приблизительно 3,0 см/с.
5. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3) с концентрацией от приблизительно 0,001 до приблизительно 50%.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что концентрация HF в водном растворе составляет от приблизительно 0,01 до приблизительно 0,1%.
7. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка содержит кремний.
8. Способ по любому из пп.1 - 6, отличающийся тем, что подложка содержит керамический материал или стеклянный материал.
9. Способ по любому из пп.1 - 6, отличающийся тем, что подложка содержит пластмассовый материал.
10. Способ по любому из пп.1 - 6, отличающийся тем, что подложка содержит металлический материал.
11. Способ по любому из пп.1 - 6, отличающийся тем, что подложка образует лазерный диск.
12. Способ по любому из пп.1 - 11, отличающийся тем, что подложку (1) и жидкую ванну (3) разделяют путем извлечения подложки из жидкой ванны.
13. Способ по любому из пп.1 - 11, отличающийся тем, что подложку (1) и жидкую ванну разделяют путем слива жидкости из ванны (2).
14. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что жидкая ванна (3) содержит по меньшей мере одну добавку, выбранную из группы, включающей в себя кислоты, органические кислоты, поверхностно-активные вещества и твердые добавки.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что указанной по меньшей мере одной добавкой является кислота, выбранная из группы, включающей в себя HCl, H3PO4, H2SO4, HClO, HClO2, HClP3, HClO4.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что указанный водный раствор содержит смесь кислот, выбранных из группы, включающей в себя HCl/H2PO4, H3PO4/HCl, H3PO4/H2SO4 и H3PO4/HCl/H2SO4.
17. Способ по любому из пп.14 - 16, отличающийся тем, что указанную кислоту добавляют до концентрации, достигающей 50 вес.%.
18. Способ по п.14, отличающийся тем, что указанная по меньшей мере одна добавка является органической кислотой, выбранной из группы, включающей в себя муравьиную кислоту, уксусную кислоту и лимонную кислоту.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что указанную органическую кислоту добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 80% по весу.
20. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанное поверхностно-активное вещество добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 5% по весу.
21. Способ по п.14, отличающийся тем, что указанной твердой добавкой является NH4F.
22. Способ по п.14, отличающийся тем, что указанную твердую добавку добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 50% по весу.
23. Способ по любому из пп.1 - 22, отличающийся тем, что способ осуществляют при 0 - 100oC.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что способ осуществляют при 20 - 50oC.
25. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что содержание O3 в газовой смеси O2/O3 составляет от 1 мг до 0,5 г на литр газовой смеси O2/O3.
RU98104458A 1995-08-23 1996-08-09 Способ просушивания кремния RU2141700C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19531031A DE19531031C2 (de) 1995-08-23 1995-08-23 Verfahren zum Trocknen von Silizium
DE19531031.4 1995-08-23
PCT/EP1996/003541 WO1997008742A1 (en) 1995-08-23 1996-08-09 Procedure for drying silicon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2141700C1 true RU2141700C1 (ru) 1999-11-20
RU98104458A RU98104458A (ru) 2000-01-10

Family

ID=7770207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98104458A RU2141700C1 (ru) 1995-08-23 1996-08-09 Способ просушивания кремния

Country Status (24)

Country Link
EP (2) EP1199740B1 (ru)
JP (1) JP3857314B2 (ru)
KR (1) KR19990037642A (ru)
CN (1) CN1091542C (ru)
AT (2) ATE309613T1 (ru)
AU (1) AU697397B2 (ru)
CA (1) CA2228168A1 (ru)
CZ (1) CZ291335B6 (ru)
DE (3) DE19531031C2 (ru)
DK (2) DK0846334T3 (ru)
ES (2) ES2186800T3 (ru)
HK (2) HK1043661B (ru)
HU (1) HUP9802482A3 (ru)
IL (1) IL123042A (ru)
MX (1) MX9801464A (ru)
NO (1) NO980734D0 (ru)
PL (1) PL183355B1 (ru)
PT (1) PT846334E (ru)
RU (1) RU2141700C1 (ru)
SI (1) SI1199740T1 (ru)
SK (1) SK284835B6 (ru)
TW (1) TW427952B (ru)
UA (1) UA51663C2 (ru)
WO (1) WO1997008742A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19800584C2 (de) * 1998-01-09 2002-06-20 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19613620C2 (de) 1996-04-04 1998-04-16 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19833257C1 (de) * 1998-07-23 1999-09-30 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE19927457C2 (de) * 1999-06-16 2002-06-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Verwendung eines bekannten Verfahrens als Vorbehandlung zur Bestimmung der Diffusionslängen von Minoritätsträgern in einer Halbleiterscheibe
DE10036691A1 (de) * 2000-07-27 2002-02-14 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben
DE10064081C2 (de) * 2000-12-21 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE10360269A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-28 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren zur schnellen Mischung von kleinvolumigen Flüssigkeiten und Kit zu dessen Anwendung
WO2006066115A2 (en) 2004-12-17 2006-06-22 The Procter & Gamble Company Process for extracting liquid from a fabric
KR100897581B1 (ko) 2007-11-14 2009-05-14 주식회사 실트론 웨이퍼 건조 방법
RU2486287C2 (ru) * 2011-04-29 2013-06-27 Антон Викторович Мантузов Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов
CN114993028B (zh) * 2022-06-17 2023-05-30 高景太阳能股份有限公司 一种硅片烘干处理方法及系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2722783A1 (de) * 1977-05-20 1978-11-30 Wacker Chemitronic Verfahren zum reinigen von silicium
US4169807A (en) * 1978-03-20 1979-10-02 Rca Corporation Novel solvent drying agent
DE3317286A1 (de) * 1983-05-11 1984-11-22 Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung
FR2591324B1 (fr) * 1985-12-10 1989-02-17 Recif Sa Appareil pour le sechage unitaire des plaquettes de silicium par centrifugation
JPS62198127A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Sanyo Electric Co Ltd 半導体ウエハの洗浄方法
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
JPH0366126A (ja) * 1989-08-04 1991-03-20 Sharp Corp 絶縁膜の製造方法及びその製造装置
JPH0466175A (ja) * 1990-07-03 1992-03-02 Seiko Epson Corp 水切り乾燥方法
JPH04346431A (ja) * 1991-05-24 1992-12-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体シリコンウェハの洗浄装置
KR100354953B1 (ko) * 1993-09-22 2002-12-11 레가시 시스템즈, 인코포레이티드 반도체웨이퍼건조방법및장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE19531031C2 (de) 1997-08-21
WO1997008742A1 (en) 1997-03-06
AU697397B2 (en) 1998-10-08
HK1043661B (zh) 2006-03-03
EP1199740B1 (en) 2005-11-09
IL123042A0 (en) 1998-09-24
DE69624830D1 (de) 2002-12-19
ES2250292T3 (es) 2006-04-16
JP3857314B2 (ja) 2006-12-13
JPH11514496A (ja) 1999-12-07
DE69624830T2 (de) 2003-03-27
ES2186800T3 (es) 2003-05-16
PL325121A1 (en) 1998-07-06
HUP9802482A3 (en) 2002-11-28
CA2228168A1 (en) 1997-03-06
DE69635427T2 (de) 2006-07-27
SI1199740T1 (sl) 2006-06-30
CN1192824A (zh) 1998-09-09
EP0846334A1 (en) 1998-06-10
CZ291335B6 (cs) 2003-02-12
ATE309613T1 (de) 2005-11-15
DK1199740T3 (da) 2006-03-27
SK284835B6 (sk) 2005-12-01
EP1199740A2 (en) 2002-04-24
PT846334E (pt) 2003-02-28
KR19990037642A (ko) 1999-05-25
EP1199740A3 (en) 2003-09-03
EP0846334B1 (en) 2002-11-13
NO980734L (no) 1998-02-20
DE19531031A1 (de) 1997-02-27
HUP9802482A2 (hu) 1999-02-01
MX9801464A (es) 1998-11-30
NO980734D0 (no) 1998-02-20
AU6872096A (en) 1997-03-19
PL183355B1 (pl) 2002-06-28
SK21298A3 (en) 1998-10-07
UA51663C2 (ru) 2002-12-16
HK1010280A1 (en) 1999-06-17
CN1091542C (zh) 2002-09-25
CZ51798A3 (cs) 1998-07-15
DK0846334T3 (da) 2003-02-10
DE69635427D1 (de) 2005-12-15
TW427952B (en) 2001-04-01
IL123042A (en) 2001-04-30
HK1043661A1 (en) 2002-09-20
ATE227885T1 (de) 2002-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5714203A (en) Procedure for the drying of silicon
Leenaars et al. Marangoni drying: a new extremely clean drying process
JP3009699B2 (ja) 基板の処理方法
US5954885A (en) Cleaning method
RU2141700C1 (ru) Способ просушивания кремния
JPWO2002050884A1 (ja) 洗浄並びにエッチング方法とその装置
JP2002517090A (ja) エッチング後のアルカリ処理法
US6451124B1 (en) Process for the chemical treatment of semiconductor wafers
JPH118213A (ja) 半導体ウエハの処理方法
KR20090030204A (ko) 반도체 웨이퍼의 세척 방법
KR20050001332A (ko) 반도체 웨이퍼의 습식 화학적 표면 처리 방법
US20080053485A1 (en) Method for cleaning and drying substrate
JP2004510573A (ja) 電子デバイスの清浄方法
JPH056884A (ja) シリコンウエハーの洗浄方法
JP4306217B2 (ja) 洗浄後の半導体基板の乾燥方法
JPH07297162A (ja) 半導体基板洗浄装置
CN116745896A (zh) 单晶片式晶片清洁设备及使用其控制晶片的表面粗糙度的方法
KR20010021793A (ko) 규소 웨이퍼의 세척 방법
KR19990051872A (ko) 반도체장치의 게이트절연막 형성 전의 세정방법
JPH05343380A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2002176025A (ja) 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法
JPH05136115A (ja) 半導体基板の保存方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20060810