RU98104458A - Способ просушивания кремния - Google Patents
Способ просушивания кремнияInfo
- Publication number
- RU98104458A RU98104458A RU98104458/28A RU98104458A RU98104458A RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A RU 98104458/28 A RU98104458/28 A RU 98104458/28A RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- paragraphs
- liquid bath
- bath
- Prior art date
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 23
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 6
- 230000000996 additive Effects 0.000 claims 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims 4
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N Hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N formic acid Chemical compound OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims 1
- 230000002209 hydrophobic Effects 0.000 claims 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims 1
Claims (25)
1. Способ просушивания поверхности подложки (1), включающий погружение подложки в жидкую ванну (2); продувку над поверхностью жидкой ванны газа, который может растворяться в жидкости и который понижает поверхностное натяжение жидкости, будучи растворен в ней; разделение подложки (1) и жидкости (2) с такой скоростью, что разница в поверхностном натяжении между жидкостью, имеющей первую концентрацию растворенного газа рядом с поверхностью подложки и жидкостью с более низкой концентрацией растворенного газа на удалении от поверхности подложки, обеспечивает просушивание подложки в процессе разделения, отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3), а газ содержит смесь O2/O3.
2. Способ просушивания поверхности подложки (1), включающий погружение подложки в жидкую ванну (2); отделение подложки от жидкой ванны (2), отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3), поверхность подложки является гидрофобной при отделении от жидкой ванны, причем поверхность подложки отделяют от ванны со скоростью, позволяющей жидкости ванны стекать с гидрофобной поверхности подложки так, чтобы получить сухую подложку; и газ, который содержит смесь O2/O3, образующую гидрофильную поверхность подложки, направляют на поверхность подложки (1) после отделения подложки (1) от жидкой ванны.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что относительная скорость отделения подложки (1) от поверхности водного раствора HF (3) составляет от приблизительно 0,1 см/сек до приблизительно 20 см/сек.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что относительная скорость отделения подложки (1) от поверхности водного раствора HF (3) составляет от приблизительно 0,5 см/сек до приблизительно 3,0 см/сек.
5. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3) с концентрацией от приблизительно 0,001% до приблизительно 50%.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что концентрация HF в водном растворе составляет от приблизительно 0,01% до приблизительно 0,1%.
7. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка содержит кремний.
8. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка содержит керамический материал или стеклянный материал.
9. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка содержит пластмассовый материал.
10. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка содержит металлический материал.
11. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка образует лазерный диск.
12. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что подложку (1) и жидкую ванну (3) разделяют путем извлечения подложки из жидкой ванны.
13. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что подложку (1) и жидкую ванну разделяют путем слива жидкости из ванны (2).
14. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что жидкая ванна (3) содержит по меньшей мере одну добавку, выбранную из группы, включающей в себя кислоты, органические кислоты, поверхностно-активные вещества и твердые добавки.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанной по меньшей мере одной добавкой является кислота, выбранная из группы, включающей в себя HCl, H3PO4, H2SO4, HClO, HClO2, HClP3, HClO4.
16. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанный водный раствор содержит смесь кислот, выбранных из группы, включающей в себя HCl/H2PO4, H3PO4/HCl, H3PO4/H2SO4 и H3PO4/HCl/H2SO4.
17. Способ по любому из пп. 14-16, отличающийся тем, что указанную кислоту добавляют до концентрации, достигающей 50 вес.%.
18. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанная по меньшей мере одна добавка является органической кислотой, выбранной из группы, включающей в себя муравьиную кислоту, уксусную кислоту и лимонную кислоту.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что указанную органическую кислоту добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 80 вес.%.
20. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанное поверхностно-активное вещество добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 5 вес. %.
21. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанной твердой добавкой является NH4F.
22. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанную твердую добавку добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 50 вес.%.
23. Способ по любому из пп. 1-22, отличающийся тем, что способ осуществляют при температуре 0 - 100oC.
24. Способ по п. 23, отличающийся тем, что способ осуществляют при температуре 20 - 50oC.
25. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что содержание O3 в газовой смеси O2/O3 составляет от 0,1 - 0,5 г на литр газовой смеси O2/O3.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19531031A DE19531031C2 (de) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Verfahren zum Trocknen von Silizium |
DE19531031.4 | 1995-08-23 | ||
PCT/EP1996/003541 WO1997008742A1 (en) | 1995-08-23 | 1996-08-09 | Procedure for drying silicon |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2141700C1 RU2141700C1 (ru) | 1999-11-20 |
RU98104458A true RU98104458A (ru) | 2000-01-10 |
Family
ID=7770207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98104458A RU2141700C1 (ru) | 1995-08-23 | 1996-08-09 | Способ просушивания кремния |
Country Status (24)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP1199740B1 (ru) |
JP (1) | JP3857314B2 (ru) |
KR (1) | KR19990037642A (ru) |
CN (1) | CN1091542C (ru) |
AT (2) | ATE309613T1 (ru) |
AU (1) | AU697397B2 (ru) |
CA (1) | CA2228168A1 (ru) |
CZ (1) | CZ291335B6 (ru) |
DE (3) | DE19531031C2 (ru) |
DK (2) | DK0846334T3 (ru) |
ES (2) | ES2186800T3 (ru) |
HK (2) | HK1043661B (ru) |
HU (1) | HUP9802482A3 (ru) |
IL (1) | IL123042A (ru) |
MX (1) | MX9801464A (ru) |
NO (1) | NO980734D0 (ru) |
PL (1) | PL183355B1 (ru) |
PT (1) | PT846334E (ru) |
RU (1) | RU2141700C1 (ru) |
SI (1) | SI1199740T1 (ru) |
SK (1) | SK284835B6 (ru) |
TW (1) | TW427952B (ru) |
UA (1) | UA51663C2 (ru) |
WO (1) | WO1997008742A1 (ru) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19800584C2 (de) * | 1998-01-09 | 2002-06-20 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
DE19613620C2 (de) | 1996-04-04 | 1998-04-16 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
DE19833257C1 (de) * | 1998-07-23 | 1999-09-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE19927457C2 (de) * | 1999-06-16 | 2002-06-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verwendung eines bekannten Verfahrens als Vorbehandlung zur Bestimmung der Diffusionslängen von Minoritätsträgern in einer Halbleiterscheibe |
DE10036691A1 (de) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
DE10064081C2 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE10360269A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-28 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren zur schnellen Mischung von kleinvolumigen Flüssigkeiten und Kit zu dessen Anwendung |
WO2006066115A2 (en) | 2004-12-17 | 2006-06-22 | The Procter & Gamble Company | Process for extracting liquid from a fabric |
KR100897581B1 (ko) | 2007-11-14 | 2009-05-14 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 건조 방법 |
RU2486287C2 (ru) * | 2011-04-29 | 2013-06-27 | Антон Викторович Мантузов | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов |
CN114993028B (zh) * | 2022-06-17 | 2023-05-30 | 高景太阳能股份有限公司 | 一种硅片烘干处理方法及系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2722783A1 (de) * | 1977-05-20 | 1978-11-30 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum reinigen von silicium |
US4169807A (en) * | 1978-03-20 | 1979-10-02 | Rca Corporation | Novel solvent drying agent |
DE3317286A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung |
FR2591324B1 (fr) * | 1985-12-10 | 1989-02-17 | Recif Sa | Appareil pour le sechage unitaire des plaquettes de silicium par centrifugation |
JPS62198127A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
US4722752A (en) * | 1986-06-16 | 1988-02-02 | Robert F. Orr | Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers |
US4902350A (en) * | 1987-09-09 | 1990-02-20 | Robert F. Orr | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
NL8900480A (nl) * | 1989-02-27 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. |
JPH0366126A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Sharp Corp | 絶縁膜の製造方法及びその製造装置 |
JPH0466175A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-03-02 | Seiko Epson Corp | 水切り乾燥方法 |
JPH04346431A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体シリコンウェハの洗浄装置 |
KR100354953B1 (ko) * | 1993-09-22 | 2002-12-11 | 레가시 시스템즈, 인코포레이티드 | 반도체웨이퍼건조방법및장치 |
-
1995
- 1995-08-23 DE DE19531031A patent/DE19531031C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-09 ES ES96929234T patent/ES2186800T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 CN CN96196222A patent/CN1091542C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-09 CZ CZ1998517A patent/CZ291335B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 AU AU68720/96A patent/AU697397B2/en not_active Ceased
- 1996-08-09 DE DE69635427T patent/DE69635427T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 DE DE69624830T patent/DE69624830T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 ES ES01130669T patent/ES2250292T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 JP JP50977197A patent/JP3857314B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-09 SK SK212-98A patent/SK284835B6/sk unknown
- 1996-08-09 AT AT01130669T patent/ATE309613T1/de active
- 1996-08-09 DK DK96929234T patent/DK0846334T3/da active
- 1996-08-09 RU RU98104458A patent/RU2141700C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 AT AT96929234T patent/ATE227885T1/de active
- 1996-08-09 DK DK01130669T patent/DK1199740T3/da active
- 1996-08-09 EP EP01130669A patent/EP1199740B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 EP EP96929234A patent/EP0846334B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 KR KR1019980701119A patent/KR19990037642A/ko active Search and Examination
- 1996-08-09 SI SI9630728T patent/SI1199740T1/sl unknown
- 1996-08-09 IL IL12304296A patent/IL123042A/en not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 PL PL96325121A patent/PL183355B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 WO PCT/EP1996/003541 patent/WO1997008742A1/en active IP Right Grant
- 1996-08-09 CA CA002228168A patent/CA2228168A1/en not_active Abandoned
- 1996-08-09 HU HU9802482A patent/HUP9802482A3/hu unknown
- 1996-08-09 PT PT96929234T patent/PT846334E/pt unknown
- 1996-08-20 TW TW085110167A patent/TW427952B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-08 UA UA98020935A patent/UA51663C2/ru unknown
-
1998
- 1998-02-20 NO NO980734A patent/NO980734D0/no unknown
- 1998-02-23 MX MX9801464A patent/MX9801464A/es not_active IP Right Cessation
- 1998-10-14 HK HK02104685.0A patent/HK1043661B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-14 HK HK98111262A patent/HK1010280A1/xx not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5714203A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
RU98104458A (ru) | Способ просушивания кремния | |
US4055458A (en) | Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant | |
US5954885A (en) | Cleaning method | |
US4156619A (en) | Process for cleaning semi-conductor discs | |
KR970077290A (ko) | 다공질표면 및 반도체표면의 세정방법 | |
RU2001121140A (ru) | Способ получения длинноцепочечной n-ацилированной кислой аминокислоты | |
DE69119864D1 (de) | Wiedergewinnung von Benetzungsmittel aus einem Verfahren zur Papierherstellung | |
RU2141700C1 (ru) | Способ просушивания кремния | |
JP2001185529A (ja) | 半導体ウェハの湿式化学的表面処理法 | |
JPH0714643U (ja) | シリコンウエハー洗浄装置 | |
SU1461642A1 (ru) | Способ очистки алюминиевой формной пластины офсетной печати от электрографического изображени | |
JPH054004A (ja) | 水切り溶剤組成物を用いた乾燥方法 | |
JP2000068245A5 (ru) | ||
RU93036301A (ru) | Способ очистки поверхности изделий из стекла | |
ATE78797T1 (de) | Verfahren zum trennen von alkalimetallbikarbonat- teilchen von einer an ihrer oberflaeche adsorbierten fluessigen schicht von chlorhydrat einer azotierten organischen base und verfahren zur herstellung von alkalimetallbikarbonat. | |
JPH0839529A (ja) | 抄造用フエルトの洗浄方法 | |
RU93019426A (ru) | Способ подготовки поверхности пластин кремния |