RU98104458A - Способ просушивания кремния - Google Patents

Способ просушивания кремния

Info

Publication number
RU98104458A
RU98104458A RU98104458/28A RU98104458A RU98104458A RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A RU 98104458/28 A RU98104458/28 A RU 98104458/28A RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A RU 98104458 A RU98104458 A RU 98104458A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
liquid
paragraphs
liquid bath
bath
Prior art date
Application number
RU98104458/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2141700C1 (ru
Inventor
Шелленбергер Вильхельм
Херрманнсдерфер Дитер
Original Assignee
Иктоп Энтвиклунгс ГмбХ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19531031A external-priority patent/DE19531031C2/de
Application filed by Иктоп Энтвиклунгс ГмбХ filed Critical Иктоп Энтвиклунгс ГмбХ
Application granted granted Critical
Publication of RU2141700C1 publication Critical patent/RU2141700C1/ru
Publication of RU98104458A publication Critical patent/RU98104458A/ru

Links

Claims (25)

1. Способ просушивания поверхности подложки (1), включающий погружение подложки в жидкую ванну (2); продувку над поверхностью жидкой ванны газа, который может растворяться в жидкости и который понижает поверхностное натяжение жидкости, будучи растворен в ней; разделение подложки (1) и жидкости (2) с такой скоростью, что разница в поверхностном натяжении между жидкостью, имеющей первую концентрацию растворенного газа рядом с поверхностью подложки и жидкостью с более низкой концентрацией растворенного газа на удалении от поверхности подложки, обеспечивает просушивание подложки в процессе разделения, отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3), а газ содержит смесь O2/O3.
2. Способ просушивания поверхности подложки (1), включающий погружение подложки в жидкую ванну (2); отделение подложки от жидкой ванны (2), отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3), поверхность подложки является гидрофобной при отделении от жидкой ванны, причем поверхность подложки отделяют от ванны со скоростью, позволяющей жидкости ванны стекать с гидрофобной поверхности подложки так, чтобы получить сухую подложку; и газ, который содержит смесь O2/O3, образующую гидрофильную поверхность подложки, направляют на поверхность подложки (1) после отделения подложки (1) от жидкой ванны.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что относительная скорость отделения подложки (1) от поверхности водного раствора HF (3) составляет от приблизительно 0,1 см/сек до приблизительно 20 см/сек.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что относительная скорость отделения подложки (1) от поверхности водного раствора HF (3) составляет от приблизительно 0,5 см/сек до приблизительно 3,0 см/сек.
5. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что жидкость в жидкой ванне (2) содержит водный раствор HF (3) с концентрацией от приблизительно 0,001% до приблизительно 50%.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что концентрация HF в водном растворе составляет от приблизительно 0,01% до приблизительно 0,1%.
7. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка содержит кремний.
8. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка содержит керамический материал или стеклянный материал.
9. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка содержит пластмассовый материал.
10. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка содержит металлический материал.
11. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что подложка образует лазерный диск.
12. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что подложку (1) и жидкую ванну (3) разделяют путем извлечения подложки из жидкой ванны.
13. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что подложку (1) и жидкую ванну разделяют путем слива жидкости из ванны (2).
14. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что жидкая ванна (3) содержит по меньшей мере одну добавку, выбранную из группы, включающей в себя кислоты, органические кислоты, поверхностно-активные вещества и твердые добавки.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанной по меньшей мере одной добавкой является кислота, выбранная из группы, включающей в себя HCl, H3PO4, H2SO4, HClO, HClO2, HClP3, HClO4.
16. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанный водный раствор содержит смесь кислот, выбранных из группы, включающей в себя HCl/H2PO4, H3PO4/HCl, H3PO4/H2SO4 и H3PO4/HCl/H2SO4.
17. Способ по любому из пп. 14-16, отличающийся тем, что указанную кислоту добавляют до концентрации, достигающей 50 вес.%.
18. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанная по меньшей мере одна добавка является органической кислотой, выбранной из группы, включающей в себя муравьиную кислоту, уксусную кислоту и лимонную кислоту.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что указанную органическую кислоту добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 80 вес.%.
20. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанное поверхностно-активное вещество добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 5 вес. %.
21. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанной твердой добавкой является NH4F.
22. Способ по п. 14, отличающийся тем, что указанную твердую добавку добавляют до концентрации, достигающей приблизительно 50 вес.%.
23. Способ по любому из пп. 1-22, отличающийся тем, что способ осуществляют при температуре 0 - 100oC.
24. Способ по п. 23, отличающийся тем, что способ осуществляют при температуре 20 - 50oC.
25. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что содержание O3 в газовой смеси O2/O3 составляет от 0,1 - 0,5 г на литр газовой смеси O2/O3.
RU98104458A 1995-08-23 1996-08-09 Способ просушивания кремния RU2141700C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19531031A DE19531031C2 (de) 1995-08-23 1995-08-23 Verfahren zum Trocknen von Silizium
DE19531031.4 1995-08-23
PCT/EP1996/003541 WO1997008742A1 (en) 1995-08-23 1996-08-09 Procedure for drying silicon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2141700C1 RU2141700C1 (ru) 1999-11-20
RU98104458A true RU98104458A (ru) 2000-01-10

Family

ID=7770207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98104458A RU2141700C1 (ru) 1995-08-23 1996-08-09 Способ просушивания кремния

Country Status (24)

Country Link
EP (2) EP1199740B1 (ru)
JP (1) JP3857314B2 (ru)
KR (1) KR19990037642A (ru)
CN (1) CN1091542C (ru)
AT (2) ATE309613T1 (ru)
AU (1) AU697397B2 (ru)
CA (1) CA2228168A1 (ru)
CZ (1) CZ291335B6 (ru)
DE (3) DE19531031C2 (ru)
DK (2) DK0846334T3 (ru)
ES (2) ES2186800T3 (ru)
HK (2) HK1043661B (ru)
HU (1) HUP9802482A3 (ru)
IL (1) IL123042A (ru)
MX (1) MX9801464A (ru)
NO (1) NO980734D0 (ru)
PL (1) PL183355B1 (ru)
PT (1) PT846334E (ru)
RU (1) RU2141700C1 (ru)
SI (1) SI1199740T1 (ru)
SK (1) SK284835B6 (ru)
TW (1) TW427952B (ru)
UA (1) UA51663C2 (ru)
WO (1) WO1997008742A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19800584C2 (de) * 1998-01-09 2002-06-20 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19613620C2 (de) 1996-04-04 1998-04-16 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19833257C1 (de) * 1998-07-23 1999-09-30 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE19927457C2 (de) * 1999-06-16 2002-06-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Verwendung eines bekannten Verfahrens als Vorbehandlung zur Bestimmung der Diffusionslängen von Minoritätsträgern in einer Halbleiterscheibe
DE10036691A1 (de) * 2000-07-27 2002-02-14 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben
DE10064081C2 (de) * 2000-12-21 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE10360269A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-28 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren zur schnellen Mischung von kleinvolumigen Flüssigkeiten und Kit zu dessen Anwendung
WO2006066115A2 (en) 2004-12-17 2006-06-22 The Procter & Gamble Company Process for extracting liquid from a fabric
KR100897581B1 (ko) 2007-11-14 2009-05-14 주식회사 실트론 웨이퍼 건조 방법
RU2486287C2 (ru) * 2011-04-29 2013-06-27 Антон Викторович Мантузов Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов
CN114993028B (zh) * 2022-06-17 2023-05-30 高景太阳能股份有限公司 一种硅片烘干处理方法及系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2722783A1 (de) * 1977-05-20 1978-11-30 Wacker Chemitronic Verfahren zum reinigen von silicium
US4169807A (en) * 1978-03-20 1979-10-02 Rca Corporation Novel solvent drying agent
DE3317286A1 (de) * 1983-05-11 1984-11-22 Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung
FR2591324B1 (fr) * 1985-12-10 1989-02-17 Recif Sa Appareil pour le sechage unitaire des plaquettes de silicium par centrifugation
JPS62198127A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Sanyo Electric Co Ltd 半導体ウエハの洗浄方法
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
JPH0366126A (ja) * 1989-08-04 1991-03-20 Sharp Corp 絶縁膜の製造方法及びその製造装置
JPH0466175A (ja) * 1990-07-03 1992-03-02 Seiko Epson Corp 水切り乾燥方法
JPH04346431A (ja) * 1991-05-24 1992-12-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体シリコンウェハの洗浄装置
KR100354953B1 (ko) * 1993-09-22 2002-12-11 레가시 시스템즈, 인코포레이티드 반도체웨이퍼건조방법및장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5714203A (en) Procedure for the drying of silicon
RU98104458A (ru) Способ просушивания кремния
US4055458A (en) Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant
US5954885A (en) Cleaning method
US4156619A (en) Process for cleaning semi-conductor discs
KR970077290A (ko) 다공질표면 및 반도체표면의 세정방법
RU2001121140A (ru) Способ получения длинноцепочечной n-ацилированной кислой аминокислоты
DE69119864D1 (de) Wiedergewinnung von Benetzungsmittel aus einem Verfahren zur Papierherstellung
RU2141700C1 (ru) Способ просушивания кремния
JP2001185529A (ja) 半導体ウェハの湿式化学的表面処理法
JPH0714643U (ja) シリコンウエハー洗浄装置
SU1461642A1 (ru) Способ очистки алюминиевой формной пластины офсетной печати от электрографического изображени
JPH054004A (ja) 水切り溶剤組成物を用いた乾燥方法
JP2000068245A5 (ru)
RU93036301A (ru) Способ очистки поверхности изделий из стекла
ATE78797T1 (de) Verfahren zum trennen von alkalimetallbikarbonat- teilchen von einer an ihrer oberflaeche adsorbierten fluessigen schicht von chlorhydrat einer azotierten organischen base und verfahren zur herstellung von alkalimetallbikarbonat.
JPH0839529A (ja) 抄造用フエルトの洗浄方法
RU93019426A (ru) Способ подготовки поверхности пластин кремния