RU93019426A - Способ подготовки поверхности пластин кремния - Google Patents
Способ подготовки поверхности пластин кремнияInfo
- Publication number
- RU93019426A RU93019426A RU93019426/25A RU93019426A RU93019426A RU 93019426 A RU93019426 A RU 93019426A RU 93019426/25 A RU93019426/25 A RU 93019426/25A RU 93019426 A RU93019426 A RU 93019426A RU 93019426 A RU93019426 A RU 93019426A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chemical
- silicon
- substrates
- layer
- wafers
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Цель: снижение концентрации дефектов и примесей вблизи рабочей стороны подложек кремния. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния по известной технологии, включающей резку слитка на пластины, химическое травление и химико-механическое полирование, на рабочей стороне пластин путем анодной обработки в растворе фтористоводородной кислоты формируют слой пористого кремния, толщиной в 2-5 раз превышающей глубину нарушенного слоя от химико-механического полирования, а последующее химико-динамическое полирование проводят в растворе гидроксида калия или натрия на глубину, в 1,5 - 2 раза большую толщины слоя пористого кремния. Положительный эффект: снижение плотности дефектов и примесей в приповерхностных слоях подложек кремния и повышение их процента выхода годных.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93019426A RU2065640C1 (ru) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Способ подготовки поверхности пластин кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93019426A RU2065640C1 (ru) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Способ подготовки поверхности пластин кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2065640C1 RU2065640C1 (ru) | 1996-08-20 |
| RU93019426A true RU93019426A (ru) | 1997-01-20 |
Family
ID=20140313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93019426A RU2065640C1 (ru) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Способ подготовки поверхности пластин кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2065640C1 (ru) |
-
1993
- 1993-04-13 RU RU93019426A patent/RU2065640C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6200878B1 (en) | SOI substrate processing method | |
| US4600469A (en) | Method for polishing detector material | |
| US7829467B2 (en) | Method for producing a polished semiconductor | |
| US4885056A (en) | Method of reducing defects on semiconductor wafers | |
| MY120464A (en) | Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafers produced by the same | |
| TW429465B (en) | Porous region removing method and semiconductor substrate manufacturing method | |
| EP0935280A1 (en) | SOI substrate and method of manufacturing the same | |
| US5756399A (en) | Process for making semiconductor wafer | |
| CA2061264A1 (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution | |
| EP0146427A3 (fr) | Procédé de fabrication de structures intégrées de silicium sur ilots isolés du substrat | |
| DE3871456D1 (de) | Verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle. | |
| JP2003197602A (ja) | ウェーハ製造方法 | |
| US3998653A (en) | Method for cleaning semiconductor devices | |
| RU93019426A (ru) | Способ подготовки поверхности пластин кремния | |
| WO2003046994A1 (fr) | Procede de fabrication d'une tranche collee | |
| JPS6442823A (en) | Flattening of semiconductor device surface | |
| Cohen et al. | Studies of the Relationship Between Megasonics, Surface Etching, and Particle Removal in SC-1 Solutions | |
| RU2090952C1 (ru) | Способ изготовления кремний на изоляторе структур | |
| KR100486144B1 (ko) | 실리콘웨이퍼의 연마 방법 | |
| RU94004599A (ru) | Способ подготовки полупроводниковых подложек | |
| SU1436775A1 (ru) | Способ жидкостного травлени полупроводниковых пластин | |
| JPH0684731A (ja) | 半導体ウェハー | |
| RU2070350C1 (ru) | Способ изготовления кремния на изоляторе структур | |
| RU95120480A (ru) | Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке | |
| JPH031535A (ja) | 半導体ウェハーの加工方法 |