RU94004599A - Способ подготовки полупроводниковых подложек - Google Patents
Способ подготовки полупроводниковых подложекInfo
- Publication number
- RU94004599A RU94004599A RU94004599/25A RU94004599A RU94004599A RU 94004599 A RU94004599 A RU 94004599A RU 94004599/25 A RU94004599/25 A RU 94004599/25A RU 94004599 A RU94004599 A RU 94004599A RU 94004599 A RU94004599 A RU 94004599A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- mechanical polishing
- substrates
- working side
- semiconductor substrates
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims 1
- 231100000488 structural defect Toxicity 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (1)
- Спocoб может быть использован в производстве подложек для изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Цель способа - повышение качества подложек за счет снижения концентрации структурных дефектов. Способ подготовки полупроводниковых подложек включает механическое полирование и очистку поверхности с использованием ультразвука, химико-механическое полирование рабочей стороны подложек. После механического полирования и очистки поверхности на рабочей стороне подложек путем селективного или анизотропного химического травления на глубину нарушенного полированием слоя формируют микрорельеф и обрабатывают подложки ультразвуком в течение 2,5-3,0 ч в деионизованной воде, а затем не позднее, чем через сутки, проводят химико-механическое полирование для удаления микрорельефа на рабочей стороне подложек.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94004599A RU2072585C1 (ru) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Способ подготовки полупроводниковых подложек |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94004599A RU2072585C1 (ru) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Способ подготовки полупроводниковых подложек |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU94004599A true RU94004599A (ru) | 1996-01-20 |
| RU2072585C1 RU2072585C1 (ru) | 1997-01-27 |
Family
ID=20152325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU94004599A RU2072585C1 (ru) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Способ подготовки полупроводниковых подложек |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2072585C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2457574C1 (ru) * | 2011-02-18 | 2012-07-27 | Учреждение Российской Академии Наук Научно-Технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Ран | Способ полирования полупроводниковых материалов |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD360Z (ru) * | 2010-09-23 | 2011-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ формирования микроструктурных поверхностей кремниевых подложек |
| RU2537743C1 (ru) * | 2013-10-03 | 2015-01-10 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки |
| RU2562740C2 (ru) * | 2014-01-31 | 2015-09-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки |
-
1994
- 1994-02-08 RU RU94004599A patent/RU2072585C1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2457574C1 (ru) * | 2011-02-18 | 2012-07-27 | Учреждение Российской Академии Наук Научно-Технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Ран | Способ полирования полупроводниковых материалов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY133080A (en) | Post-lapping cleaning process for silicon wafers | |
| EP0928017A3 (en) | Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafers produced by the same | |
| TW328140B (en) | The semiconductor apparatus and its manufacturing method | |
| KR960026336A (ko) | 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법 | |
| JP2001345294A5 (ru) | ||
| ATE293284T1 (de) | Verfahren zur entfernung einer porösen halbleiterzone und verfahren zur herstellung eines halbleitenden substrats | |
| RU94004599A (ru) | Способ подготовки полупроводниковых подложек | |
| JPH1064870A (ja) | 多孔質表面の洗浄方法および半導体表面の洗浄方法 | |
| WO2001024234A3 (en) | A method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing | |
| JP2002009033A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
| JPH09227170A (ja) | ガラス基板の洗浄方法 | |
| JP3350627B2 (ja) | 半導体素子の異物除去方法及びその装置 | |
| JP2000040684A5 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| JPS6442823A (en) | Flattening of semiconductor device surface | |
| JPH1060150A (ja) | Ｐｖａスポンジ | |
| JPH03109732A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
| JP2004087522A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH04225231A (ja) | シリコンウエハのエッチング方法及びその装置 | |
| JPS6467922A (en) | Method of gettering semiconductor device | |
| RU93019426A (ru) | Способ подготовки поверхности пластин кремния | |
| KR960042993A (ko) | 반도체 장치의 세정방법 | |
| JPH10270393A (ja) | ウエハ洗浄方法及び装置 | |
| KR940008005A (ko) | 반도체 웨이퍼 크리닝 방법 | |
| RU2166423C2 (ru) | Способ полирования пластин из керамических материалов | |
| JP2000210852A (ja) | 研磨装置 |