RU2562740C2 - Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки - Google Patents
Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2562740C2 RU2562740C2 RU2014103408/28A RU2014103408A RU2562740C2 RU 2562740 C2 RU2562740 C2 RU 2562740C2 RU 2014103408/28 A RU2014103408/28 A RU 2014103408/28A RU 2014103408 A RU2014103408 A RU 2014103408A RU 2562740 C2 RU2562740 C2 RU 2562740C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- grade
- mcm
- removal rate
- silicon substrate
- processing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки включает обработку поверхности кремниевых подложек, поверхность подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа: 1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин; 2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин, где глубина нарушенного слоя составляет 0,6 мкм. Технический результат: обеспечение чистой поверхности кремниевых подложек без сколов и царапин и повреждений обрабатываемой поверхности.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способу обработки кремниевых подложек для снятия припуска с помощью полировальной подушки.
Известны различные способы обработки, которые широко применяются для полирования на мягких подложках: из фетра, велюра, или батиста, пропитанных абразивными пастами на жировой основе с крупностью зерен абразива от 3 до 0,25 мкм [1].
Основным недостатком этих способов является то, что при обработке поверхности кремния образуются микротрещины, которые в дальнейшем приводят к созданию сети трещин, и вызывают сколы отдельных участков.
Целью изобретения является обеспечение чистой поверхности кремниевых подложек без сколов и царапин, и повреждений обрабатываемой поверхности.
Поставленная цель достигается использованием полировальных подушек, пропитанныхсуспензией, позволяющей проводить высокоточную и высокоэффективную обработку кремниевых подложек.
Сущность способа заключается в том, что поверхность кремниевой подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки определяется по глубине нарушенного слоя 0,6 мкм.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что полировальная подушка позволяет создать паутину волнообразной структурой, трехмерную направленность, при которой обеспечивается хорошая однородность.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной химической обработкой поверхности кремниевых подложек. Поверхность кремниевой подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 24±2 мкм, скорость удаления 0,5±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 10±1 мкм, скорость удаления 0,7±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 1,0 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 26±2 мкм, скорость удаления 0,7±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 8±1 мкм, скорость удаления 0,9±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 0,8 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 0,6 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами позволяет получить поверхность кремниевых подложек чистой, без сколов и царапин. Полировальные подушки позволяют проводить высокоточное полирование разнообразных полупроводниковых кристаллических материалов, металлов, стекла и др. Подушки полировальные специально разрабатываются для высокоточных отделочных работ, при проведении которых не образуются повреждения и царапины на поверхности обрабатываемой кремниевой подложки.
Литература
1. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. - М.: Высш. шк., 1984. - 288 с.
Claims (1)
- Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки, включающий обработку поверхности кремниевых подложек, отличающийся тем, что поверхность подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа: 1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин; 2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин, где глубина нарушенного слоя составляет 0,6 мкм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014103408/28A RU2562740C2 (ru) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014103408/28A RU2562740C2 (ru) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014103408A RU2014103408A (ru) | 2015-08-10 |
RU2562740C2 true RU2562740C2 (ru) | 2015-09-10 |
Family
ID=53795740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014103408/28A RU2562740C2 (ru) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2562740C2 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2072585C1 (ru) * | 1994-02-08 | 1997-01-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ подготовки полупроводниковых подложек |
RU2098887C1 (ru) * | 1996-07-23 | 1997-12-10 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ обработки кремниевых подложек |
RU2172537C1 (ru) * | 2000-07-07 | 2001-08-20 | Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского | Способ обработки кремниевых подложек |
EP1643544A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Method for producing silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer |
RU2295798C2 (ru) * | 2004-12-27 | 2007-03-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Завод "ПУЛЬСАР" | Способ полирования полупроводниковых материалов |
-
2014
- 2014-01-31 RU RU2014103408/28A patent/RU2562740C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2072585C1 (ru) * | 1994-02-08 | 1997-01-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ подготовки полупроводниковых подложек |
RU2098887C1 (ru) * | 1996-07-23 | 1997-12-10 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ обработки кремниевых подложек |
RU2172537C1 (ru) * | 2000-07-07 | 2001-08-20 | Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского | Способ обработки кремниевых подложек |
EP1643544A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Method for producing silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer |
RU2295798C2 (ru) * | 2004-12-27 | 2007-03-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Завод "ПУЛЬСАР" | Способ полирования полупроводниковых материалов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2014103408A (ru) | 2015-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9991110B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer | |
JP2010283371A5 (ru) | ||
KR102574672B1 (ko) | 피가공물의 가공 방법 | |
TWI732934B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
JP5916513B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP5963537B2 (ja) | シリコンウエーハの加工方法 | |
MY156911A (en) | Insert carrier and method for the simultaneous double-side material-removing processing of semiconductor wafers | |
JP2021503170A5 (ru) | ||
TW201421561A (zh) | 包括同時對基材晶圓之正面及反面拋光之拋光半導體晶圓的方法 | |
JP2018049973A5 (ru) | ||
JP6192778B2 (ja) | シリコンウエーハの加工装置 | |
CN110291618A (zh) | 硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法 | |
TWI679181B (zh) | 強化層疊玻璃製品之邊緣的方法及由該方法形成的層疊玻璃製品 | |
CN204748298U (zh) | 研磨系统及研磨垫的组合件 | |
RU2562740C2 (ru) | Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки | |
JP2017157608A5 (ru) | ||
JP2006303223A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2018518050A5 (ru) | ||
WO2016196216A8 (en) | Methods for processing semiconductor wafers having a polycrystalline finish | |
JP6209097B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR20150140218A (ko) | 적층 웨이퍼 형성 방법 | |
JP6963075B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
TW202042967A (zh) | 被加工物的加工方法 | |
JP6858763B2 (ja) | 多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法 | |
KR20170016284A (ko) | 피가공물의 가공 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160201 |