JPH031535A - 半導体ウェハーの加工方法 - Google Patents
半導体ウェハーの加工方法Info
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- JPH031535A JPH031535A JP1134608A JP13460889A JPH031535A JP H031535 A JPH031535 A JP H031535A JP 1134608 A JP1134608 A JP 1134608A JP 13460889 A JP13460889 A JP 13460889A JP H031535 A JPH031535 A JP H031535A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、強度の向上した半導体ウェハーおよびその加
工方法に関するものである。
工方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、シリコン、 ＧａＡｓ等の化合物の半導体ウェハ
ーを割れに（くする目的でその周辺部分の面取り加工が
行なわれてきた。その面取り加工工程において行なわれ
てきた方法は、ダイヤモンドホイールによる切削研磨と
、その後に行なわれるエツチングが主流であった。
ーを割れに（くする目的でその周辺部分の面取り加工が
行なわれてきた。その面取り加工工程において行なわれ
てきた方法は、ダイヤモンドホイールによる切削研磨と
、その後に行なわれるエツチングが主流であった。
しかしながら、従来の方法では加工変質層は除去したも
のの、その材料のもつ結晶異方性によるマイクロラフネ
スの除去については不充分であった。この結果、デバイ
ス加工工程中で微小な欠けやマイクロクラックが発生し
、他のウェハーや工程へのコンタミネイションやウェハ
ー割れの原因となっていた。
のの、その材料のもつ結晶異方性によるマイクロラフネ
スの除去については不充分であった。この結果、デバイ
ス加工工程中で微小な欠けやマイクロクラックが発生し
、他のウェハーや工程へのコンタミネイションやウェハ
ー割れの原因となっていた。
［発明の解決しようとする課題］
従来の加工法では、研削後あるいはエツチング後に結晶
自体が有する結晶異方性の為にかえって面取り部分のマ
イクロラフネスを大きくしてしまっていた。つまり微視
的には数多くの小さな突起を面取り部分に生じさせてい
たわけである。したがって、外部との接触においては、
その微小突起部分に応力集中が生じＧａＡｓ自体の有し
ている脆性もあって欠は易くなってしまっていたのであ
る。
自体が有する結晶異方性の為にかえって面取り部分のマ
イクロラフネスを大きくしてしまっていた。つまり微視
的には数多くの小さな突起を面取り部分に生じさせてい
たわけである。したがって、外部との接触においては、
その微小突起部分に応力集中が生じＧａＡｓ自体の有し
ている脆性もあって欠は易くなってしまっていたのであ
る。
本発明は、従来技術が有していた前述の欠点を解消しよ
うとするものである。
うとするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前述の問題点を解消しようとするものであり
、半導体ウェハーの周囲の面取り部の粗さを、該面取り
部に生起する凹凸の平均表面粗さＲａ、最大表面粗さＲ
ｔを５００Å以下としたことを特徴とする半導体ウェハ
ー、および半導体ウェハーの周囲を機械的に研磨し面取
りを行う第１の工程と、その面取り部をエツチング溶液
でエツチングする第２の工程と、該面取り部をポリッシ
ュ液と研磨布を用いてメカノケミカルポリッシュを行う
第３の工程とからなる半導体ウェハーの加工方法を提供
するものである。
、半導体ウェハーの周囲の面取り部の粗さを、該面取り
部に生起する凹凸の平均表面粗さＲａ、最大表面粗さＲ
ｔを５００Å以下としたことを特徴とする半導体ウェハ
ー、および半導体ウェハーの周囲を機械的に研磨し面取
りを行う第１の工程と、その面取り部をエツチング溶液
でエツチングする第２の工程と、該面取り部をポリッシ
ュ液と研磨布を用いてメカノケミカルポリッシュを行う
第３の工程とからなる半導体ウェハーの加工方法を提供
するものである。
本発明の加工方法は、（１）面取り時の研削と（２）エ
ツチング及び（３）エツジつまりは面取り部分のメカノ
ケミカルポリッシュという３工程からなっている。まず
（１）の工程では一般にダイヤモンドホイールが使用さ
れているが、使用番手としては＃５００〜＃８００ 、
好ましくは＃８００〜譚１０００特に１）０００以上が
（２） （３）の工程において時間の短縮という意味で
好ましい。（２）のエツチングにおいては、ＧａＡｓ自
体を化学的にエツチングできる薬品ならば適当で、一般
に使用されているアルカリ系のアンモニア過水でも良い
が、好ましくは結晶方位選択性の少ないエッチャントの
硫酸通水等が（３）の工程の為に好ましい。（３）のメ
カノケミカルポリッシュについてはＧａＡｓの場合、酸
化力の強いポリッシュ剤、例えば次亜塩素酸系ポリッシ
ュ剤を用いてポリウレタン系の研磨布と併用する。研磨
布としては、ウレタン系の不織布タイプ、発泡ポリウレ
タン系のスェードタイプが使用でき、特にマイクロラフ
ネスを最小限に抑えるためには、研磨布にスェードタイ
プのもの、たとえば、ロゾール社製の「ポリテックス」
や第一レース社製の「サーフィンＸＸＸ Ｊ等を用いる
のが好ましい。
ツチング及び（３）エツジつまりは面取り部分のメカノ
ケミカルポリッシュという３工程からなっている。まず
（１）の工程では一般にダイヤモンドホイールが使用さ
れているが、使用番手としては＃５００〜＃８００ 、
好ましくは＃８００〜譚１０００特に１）０００以上が
（２） （３）の工程において時間の短縮という意味で
好ましい。（２）のエツチングにおいては、ＧａＡｓ自
体を化学的にエツチングできる薬品ならば適当で、一般
に使用されているアルカリ系のアンモニア過水でも良い
が、好ましくは結晶方位選択性の少ないエッチャントの
硫酸通水等が（３）の工程の為に好ましい。（３）のメ
カノケミカルポリッシュについてはＧａＡｓの場合、酸
化力の強いポリッシュ剤、例えば次亜塩素酸系ポリッシ
ュ剤を用いてポリウレタン系の研磨布と併用する。研磨
布としては、ウレタン系の不織布タイプ、発泡ポリウレ
タン系のスェードタイプが使用でき、特にマイクロラフ
ネスを最小限に抑えるためには、研磨布にスェードタイ
プのもの、たとえば、ロゾール社製の「ポリテックス」
や第一レース社製の「サーフィンＸＸＸ Ｊ等を用いる
のが好ましい。
［作用］
本発明の加工法により、ＧａＡｓウェハーの面取り部分
のマイクロラフネスの平均表面粗さ及び最大表面粗さの
平均値が数μｍ〜数百μｍのオーダーから５００人（０
，０５μｍ）以下のオーダーまで改善され、加工変質層
も殆ど除去される。
のマイクロラフネスの平均表面粗さ及び最大表面粗さの
平均値が数μｍ〜数百μｍのオーダーから５００人（０
，０５μｍ）以下のオーダーまで改善され、加工変質層
も殆ど除去される。
平均粗さＲａ、最大表面粗さＲｔはより好ましくはＲａ
５３０人、 Ｒｔ≦１５０人とするのが良い。この結果
、面取り部分が外部からの衝撃に強（なり、ウェハーの
微小欠けによるデバイス加工工程でのコンタミネイショ
ン及びウェハー自体の割れの可能性が極端に減少し得る
ものである。
５３０人、 Ｒｔ≦１５０人とするのが良い。この結果
、面取り部分が外部からの衝撃に強（なり、ウェハーの
微小欠けによるデバイス加工工程でのコンタミネイショ
ン及びウェハー自体の割れの可能性が極端に減少し得る
ものである。
Ｒａ、 Ｒｔが５００人より大きくなると、面取り部分
が鏡面とはならず、上記効果を奏さなくなる。
が鏡面とはならず、上記効果を奏さなくなる。
［実施例］
スライス後のＧａＡｓ半導体ウェハーを、番手材５００
と ”２０００のダイヤモンドホイールを用いて２段階
に面取り研削加工を行った。その後アルカリ系のエッチ
ャント（アンモニア通水）でエツチングし、面取り研削
加工時に発生した加工変質層を除去した。さらに、次亜
塩素酸系の薬品をポリッシュ液として、ポリウレタン系
の不織研磨布（ロゾール社製の商品名ｒ ５ｕｂａｌＶ
Ｊを用いて、面取り部分に２０分間メカノケミカルボ
リッシェ加工を施した。加工後の面取り部分を４点選び
その平均表面粗さＲａと最大表面粗さＲｔを、タリステ
ップを用いて測定したところ、その４点の平均値がＲａ
＝ ２４．３人、Ｒｔ＝ １３３．３人であった。
と ”２０００のダイヤモンドホイールを用いて２段階
に面取り研削加工を行った。その後アルカリ系のエッチ
ャント（アンモニア通水）でエツチングし、面取り研削
加工時に発生した加工変質層を除去した。さらに、次亜
塩素酸系の薬品をポリッシュ液として、ポリウレタン系
の不織研磨布（ロゾール社製の商品名ｒ ５ｕｂａｌＶ
Ｊを用いて、面取り部分に２０分間メカノケミカルボ
リッシェ加工を施した。加工後の面取り部分を４点選び
その平均表面粗さＲａと最大表面粗さＲｔを、タリステ
ップを用いて測定したところ、その４点の平均値がＲａ
＝ ２４．３人、Ｒｔ＝ １３３．３人であった。
上記４点の測定点は任意にまず１点を選び、次にそれに
対向する１点、さらに前記２点を結ぶ線の垂直２等分線
上の２点を選んで測定したものであるが、測定点のとり
方及び個数についてはこれに限定するものではない。そ
のウェハーを３点曲げ法により強度を測定したところ、
従来の約３倍の値を示した。
対向する１点、さらに前記２点を結ぶ線の垂直２等分線
上の２点を選んで測定したものであるが、測定点のとり
方及び個数についてはこれに限定するものではない。そ
のウェハーを３点曲げ法により強度を測定したところ、
従来の約３倍の値を示した。
［発明の効果］
本発明の加工法により、半導体ウェハーの強度が２００
％（３倍）も上がった。さらに輸送中あるいはデバイス
加工工程中で考えられるエツジの微小欠けによるウェハ
ー自身及び工程内のコンタミネイションの可能性、加え
てウェハー自身の割れの可能性が殆どなくなった。
％（３倍）も上がった。さらに輸送中あるいはデバイス
加工工程中で考えられるエツジの微小欠けによるウェハ
ー自身及び工程内のコンタミネイションの可能性、加え
てウェハー自身の割れの可能性が殆どなくなった。
Claims (2)
- （１）半導体ウェハーの周囲の面取り部の粗さを、該面
取り部に生起する凹凸の平均表面粗さＲａ、最大表面粗
さＲｔを５００Å以下としたことを特徴とする半導体ウ
ェハー。 - （２）半導体ウェハーの周囲を機械的に研磨し面取りを
行う第１の工程と、その面取り部を エッチング溶液でエッチングする第２の工程と、該面取
り部をポリッシュ液と研磨布を用いてメカノケミカルポ
リッシュを行う第３の工程とからなる半導体ウェハーの
加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134608A JP2893717B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 半導体ウェハーの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134608A JP2893717B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 半導体ウェハーの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031535A true JPH031535A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2893717B2 JP2893717B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=15132380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1134608A Expired - Lifetime JP2893717B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 半導体ウェハーの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2893717B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291215A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-05 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハ |
| EP0684634A2 (en) * | 1994-05-18 | 1995-11-29 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
| WO2001035450A1 (fr) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur |
| US7195545B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1134608A patent/JP2893717B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291215A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-05 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハ |
| EP0684634A2 (en) * | 1994-05-18 | 1995-11-29 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
| US5571373A (en) * | 1994-05-18 | 1996-11-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
| EP0684634A3 (en) * | 1994-05-18 | 1998-11-11 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
| WO2001035450A1 (fr) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur |
| US7195545B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
| KR100713039B1 (ko) * | 2003-04-02 | 2007-05-02 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화물 반도체 기판의 엣지 가공 방법 |
| KR100736278B1 (ko) * | 2003-04-02 | 2007-07-06 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 엣지 연마한 질화물 반도체 기판 및 엣지 연마한 ＧａＮ자립 기판 |
| US7550780B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
| US8022438B2 (en) | 2003-04-02 | 2011-09-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
| US8482032B2 (en) | 2003-04-02 | 2013-07-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2893717B2 (ja) | 1999-05-24 |
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