JPH0684731A - 半導体ウェハー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェハー裏面からの不純物等による汚染とこす
れによるごみの発生を防止する。 【構成】ウェハーの裏面をエッチングして溝２を形成
し、凹型形状とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハーに関し、
特に半導体ウェハーの形状に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体ウェハーは、棒状のシリコ
ン単結晶を円板状に切断して研磨したものであり、ウェ
ハーの裏面は平坦な構造となっていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
ウェハーは、その裏面が平坦な構造となっているため、
半導体装置を製造する場合、製造装置との接触面積は大
きなものであった。このため、半導体ウェハーの加工工
程において裏面から汚染されやすく、またこすれてごみ
が発生しやすいため、半導体装置の歩留りが低下すると
いう欠点があった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハー
は、その裏面が凹型に形成されているものである。

【０００５】

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の下面
図及びＡ−Ａ線断面図である。

【０００６】図１（ａ），（ｂ）に示すように、第１の
実施例のシリコンウェハー１は、エッチング液（例えば
ＨＦ：ＨＮＯ３＝１：２０）を使用してエッチングし、
深さ０．１〜０．５ｍｍ程度の円形の溝２を形成するこ
とにより凹型形状に加工してある。

【０００７】このように構成された第１の実施例によれ
ば、ウェハーの裏面が凹型になっているため、半導体装
置を製造する場合、製造装置との接触面積が少くなるた
め、裏面からの汚染及びごみの発生を少くすることがで
きる。

【０００８】図２は本発明の第２の実施例の下面図であ
る。本第２の実施例ではその裏面に四角形の溝２Ａを形
成し、凹型形状に加工してある。溝２Ａの形状が四角形
であるため、第１の実施例に比べ、マスク等の製作が容
易である。

【０００９】尚、上記実施例では溝の形を１個の円形又
は四角形とした場合について説明したが、２個以上で他
の形であってもよいことは勿論である。

【００１０】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハー
の裏面を凹型形状にしておくことにより、半導体装置の
製造装置との接触面積を低減させることができるため、
半導体ウェハーの加工工程において裏面からの汚染及び
こすれによるごみの発生を防止し、半導体装置の歩留り
を向上させることができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の下面図及び断面図。

【図２】本発明の第２の実施例の下面図

【符号の説明】

１，１Ａ シリコンウェハー ２，２Ａ 溝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハー裏面が凹型形状に形成されてい
   ることを特徴とする半導体ウェハー。