JPH0714643U - シリコンウエハー洗浄装置 - Google Patents

シリコンウエハー洗浄装置

Info

Publication number
JPH0714643U
JPH0714643U JP4563793U JP4563793U JPH0714643U JP H0714643 U JPH0714643 U JP H0714643U JP 4563793 U JP4563793 U JP 4563793U JP 4563793 U JP4563793 U JP 4563793U JP H0714643 U JPH0714643 U JP H0714643U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon wafer
pure water
buffer tank
tank
qdr
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4563793U
Other languages
English (en)
Inventor
司 坂井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
Priority to JP4563793U priority Critical patent/JPH0714643U/ja
Publication of JPH0714643U publication Critical patent/JPH0714643U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は、シリコンウェハーの洗浄工程にて、
純水の溶存酸素を除去するようにした、シリコンウェハ
ーの洗浄装置を提供することを目的とする。 【構成】外部から供給される純水が貯えられるバッファ
タンク13と、該バッファタンクの下方に配設され、純
水洗浄すべきシリコンウェハーが挿入され且つバッファ
タンク下部から純水が散布されるQDR槽14とを含ん
でいる、シリコンウェハー洗浄装置10において、バッ
ファタンク14内に、超音波振動板17と、N2ガス発
泡管18が配設されるように、シリコンウェハー洗浄装
置10を構成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、シリコンウェハー洗浄工程にて、HF処理後に、該シリコンウェハ ー全体を洗浄用純水で洗浄するための洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、IC等の半導体装置を製造する場合、シリコンウェハーの洗浄工程に おいて、シリコンウェハーの洗浄が行なわれる。
【0003】 このシリコンウェハーの洗浄は、先づHF処理によって、表面の酸化膜を除去 して、Siを露出させた後、該シリコンウェハー全体を純水により洗浄し、その 後スピンナーにより乾燥させるようにしている。
【0004】 このようなシリコンウェハー洗浄装置としては、例えば図2に示すように構成 された、所謂QDR(クイック・ダウン・リンス)方式の洗浄装置が知られてい る。即ち、図2において、QDR洗浄装置1は、バルブ2aを有する純水供給管 2を介して純水が供給され、且つバルブ3aを有するN2供給管3からN2ガスが 導入される、バッファタンク4と、該バッファタンク4の下方に配設されたQD R槽5とから構成されている。
【0005】 該QDR槽5は、上縁の周囲にオーバーフロー用の排水溝5aを備えていると 共に、底部に、バルブ6aを介して、排水管6が接続されている。さらに、該排 水管6は、上記排水溝5aにも接続されている。
【0006】 このような構成の洗浄装置1によれば、まづ純水洗浄すべきシリコンウェハー (図示せず)をQDR槽5内に挿入すると共に、バルブ2aを開放して、バッフ ァタンク4内に、純水を導入しておく。この状態から、バルブ3aを開放して、 バッファタンク4内にN2ガスを導入すると共に、バッファタンク4の下部に接 続された散水管4aのバルブを開放する。これにより、バッファタンク4内の純 水は、N2ガスの圧力によって、該散水管4aから、QDR槽5に対して、散布 されることになる。かくして、該QDR槽5内に挿入されたシリコンウェハーの 純水洗浄が行なわれ得る。尚、バッファタンク4内には、純水供給管2を介して 、常に純水が満たされるようになっている。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなシリコンウェハーの洗浄装置1においては、バッフ ァタンク4に導入される純水中には、溶存酸素が含まれている。このため、洗浄 すべきシリコンウェハーの表面が酸化してしまうことになる。従って、シリコン ウェハー表面に対してパターン形成を行なう際に、不良発生の原因になり、該シ リコンウェハーを使用して製造される半導体デバイスの特性劣化が生ずることに なる。かくして、製品歩留まりが低下してしまうという問題があった。
【0008】 本考案は、以上の点に鑑み、シリコンウェハーの洗浄工程にて、純水の溶存酸 素を除去するようにした、シリコンウェハーの洗浄装置を提供することを目的と している。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本考案によれば、外部から供給される純水が貯えられるバッファ タンクと、該バッファタンクの下方に配設され、純水洗浄すべきシリコンウェハ ーが挿入され且つバッファタンク下部から純水が散布されるQDR槽とを含んで いる、シリコンウェハー洗浄装置において、バッファタンク内に、超音波振動板 及び/またはN2ガス発泡管が配設されていることを特徴とする、シリコンウェ ハー洗浄装置により、達成される。
【0010】
【作用】
上記構成によれば、バッファタンク内に貯えられた純水が、超音波振動板によ る超音波発振と、N2ガス発泡管によるN2バブリングによって、溶存酸素が気化 することになる。これにより、バッファタンク下部から取り出されてQDR槽に 散布される純水は、溶存酸素が除去された状態になる。従って、QDR槽内に挿 入されたシリコンウェハーは、溶存酸素が除去された純水によって洗浄され得る ことになる。かくして、シリコンウェハーの表面は、純水洗浄によって酸化して しまうようなことはなく、洗浄され得ることになる。
【0011】
【実施例】
以下、図面に示した実施例に基づいて、本考案を詳細に説明する。 図1は、本考案によるシリコンウェハー洗浄装置の一実施例を示している。図 1において、シリコンウェハー洗浄装置10は、バルブ11aを有する純水供給 管11を介して純水が供給され、且つバルブ12aを有するN2供給管12から N2 ガスが導入される、バッファタンク13と、該バッファタンク13の下方 に配設されたQDR槽14とから構成されている。
【0012】 該QDR槽14は、上縁の周囲にオーバーフロー用の排水溝14aを備えてい ると共に、底部に、バルブ15a,16aを介して、排水管15,16が接続さ れている。さらに、該排水管15は、上記排水溝14aにも接続されている。
【0013】 以上の構成は、図2に示した従来のシリコンウェハー洗浄装置1と同様の構成 であるが、本考案によるシリコンウェハー洗浄装置10においては、さらに、バ ッファタンク13内の底部付近に、超音波振動板17とN2ガス発泡管18とが 配設されている。
【0014】 この超音波振動板17は、図示しない駆動回路によって駆動されることにより 、超音波発振を行なうようになっている。また、N2ガス発泡管18は、バルブ 18aを介して、N2ガス供給管12に接続されている。
【0015】 尚、好ましくは、QDR槽14も、その底部付近に、N2ガス発泡管19を備 えており、該N2ガス発泡管19は、同様にして、バルブ19aを介して、N2ガ ス供給管12に接続されている。
【0016】 本考案実施例によるシリコンウェハー洗浄装置10によれば、まず純水洗浄す べきシリコンウェハー(図示せず)をQDR槽14内に挿入すると共に、バルブ 11aを開放して、バッファタンク13内に、純水を導入しておく。ここで、超 音波振動板17を駆動して、バッファタンク13内の純水を超音波発振させると 共に、バルブ18aを開放することにより、N2ガス発泡管18から、N2ガスの 気泡をバッファタンク13内に放出し、N2バブリングを行なう。これにより、 バッファタンク13内の純水中に含まれる溶存酸素は、気化して、N2ガスと共 に、バッファタンク13から排出される。
【0017】 この状態から、バルブ12aを開放して、バッファタンク13内にN2ガスを 導入すると共に、バッファタンク13の下部に接続された散水管13aのバルブ を開放する。これにより、バッファタンク13内の純水は、N2ガスの圧力によ って、該散水管13aから、QDR槽14に対して、散布されることになる。か くして、該QDR槽14内に挿入されたシリコンウェハーの純水洗浄が行なわれ 得る。尚、バッファタンク13内には、純水供給管11を介して、常に純水が満 たされるようになっている。
【0018】 さらに、この実施例においては、QDR槽14内の洗浄に使用した純水は、一 部が、排水管16を介して排水されると共に、他の一部が、排水管15を介して 回収され、再利用され得るようになっている。このため、QDR槽14内の底部 付近にも、N2ガス発泡管19が備えられていて、QDR槽14内に溜った純水 に対して、N2ガス発泡管19からのN2ガスの気泡によって、N2バブリングが 行なわれ、溶存酸素が除去される。このようにして溶存酸素が除去された純水は 、排水管15を介して回収され、再利用され得るようになっている。
【0019】 尚、上述した実施例においては、バッファタンク13内に、超音波振動板17 及びN2ガス発泡管18が備えられているが、該バッファタンク13内の純水中 の溶存酸素を除去するためには、超音波振動板17及びN2ガス発泡管18の何 れか一方だけでもよく、他方は省略され得る。
【0020】
【考案の効果】
以上述べたように、本考案によれば、シリコンウェハーの洗浄工程にて、純水 の溶存酸素を除去するようにした、シリコンウェハーの洗浄装置が提供され得る ことになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案によるシリコンウェハー洗浄装置の一実
施例を示す概略図である。
【図2】従来のシリコンウェハー洗浄装置の一例を示す
概略図である。
【符号の説明】
10 シリコンウェハー洗浄装置 11 純水供給管 12 N2ガス供給管 13 バッファタンク 14 QDR槽 15 回収用排水管 16 排水管 17 超音波振動板 18 N2ガス発泡管 19 N2ガス発泡管

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部から供給される純水が貯えられるバ
    ッファタンクと、該バッファタンクの下方に配設され、
    純水洗浄すべきシリコンウェハーが挿入され且つバッフ
    ァタンク下部から純水が散布されるQDR槽とを含んで
    いる、シリコンウェハー洗浄装置において、 バッファタンクに、超音波振動板及び/またはN2ガス
    発泡管が配設されていることを特徴とする、シリコンウ
    ェハー洗浄装置。
JP4563793U 1993-07-29 1993-07-29 シリコンウエハー洗浄装置 Pending JPH0714643U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4563793U JPH0714643U (ja) 1993-07-29 1993-07-29 シリコンウエハー洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4563793U JPH0714643U (ja) 1993-07-29 1993-07-29 シリコンウエハー洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0714643U true JPH0714643U (ja) 1995-03-10

Family

ID=12724883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4563793U Pending JPH0714643U (ja) 1993-07-29 1993-07-29 シリコンウエハー洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0714643U (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002093764A (ja) * 2000-09-11 2002-03-29 Nisso Engineering Co Ltd ウエハ洗浄装置
JP2005286105A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi Sci Syst Ltd 微細構造乾燥処理方法及び装置
JP2016187049A (ja) * 2016-06-29 2016-10-27 小林 光 ウェハの洗浄装置および洗浄方法
CN113857140A (zh) * 2021-09-30 2021-12-31 安徽微芯长江半导体材料有限公司 一种多线切割后的碳化硅晶片清洗方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002093764A (ja) * 2000-09-11 2002-03-29 Nisso Engineering Co Ltd ウエハ洗浄装置
JP4565718B2 (ja) * 2000-09-11 2010-10-20 アプリシアテクノロジー株式会社 ウエハ洗浄装置
JP2005286105A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi Sci Syst Ltd 微細構造乾燥処理方法及び装置
JP2016187049A (ja) * 2016-06-29 2016-10-27 小林 光 ウェハの洗浄装置および洗浄方法
CN113857140A (zh) * 2021-09-30 2021-12-31 安徽微芯长江半导体材料有限公司 一种多线切割后的碳化硅晶片清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5849091A (en) Megasonic cleaning methods and apparatus
KR100678467B1 (ko) 기판 건조장치 및 이를 이용한 건조방법
JPH10144650A (ja) 半導体材料の洗浄装置
JP2007012859A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100526192B1 (ko) 웨이퍼 세정장치 및 세정방법
KR100794919B1 (ko) 글라스 식각장치 및 식각방법
JPH0714643U (ja) シリコンウエハー洗浄装置
JP2006013015A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JPH10303171A (ja) 半導体ウェーハのウエット処理方法及びウエット処理装置
JPH10308377A (ja) 基板表面の乾燥方法
JP2001015469A (ja) Wet処理方法と装置
JP2007012860A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH10308378A (ja) 基板表面の乾燥方法
US5937878A (en) Apparatus for removing particles from a wafer and for cleaning the wafer
JPH04124824A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法
JP3866185B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP3099907B2 (ja) 半導体処理装置
JP3068404B2 (ja) 半導体基板洗浄装置
JPH0442530A (ja) 超音波洗浄装置
KR100812096B1 (ko) 글라스 식각장치 및 식각방법
JPH07130694A (ja) 基板洗浄装置
JP2000164547A (ja) 基板洗浄方法
JP3756321B2 (ja) 基板処理装置および方法
JPH10165909A (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
KR200162022Y1 (ko) 질소가스를 이용한 웨이퍼 세정장치