KR970077290A - 다공질표면 및 반도체표면의 세정방법 - Google Patents

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Abstract

캐비테이션이나 공명에 의한 다공질구조의 붕괴를 일으킴이 없는 다공질반도체기판의 적절한 세정방법의 제공을 목적으로 한다. 그 구체구성은, 적어도 표면에 다공질구조를 지닌 반도체기판의 다공질표면의 세정방법에 있어서, 기판의 다공질표면에 부착한 먼지입자를 제거하기 위한 세정이, 600KHz∼2MHz범위의 주파수를 지닌 고주파가 중첩된 순수에 의해 행해지는 것을 특징으로 한다.

Description

다공질표면 및 반도체표면의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 초음파세정주파수와 제거해야할 입자의 크기와의 관계를 표시함과 동시에 본 발명의 주파수범위를 표시한 그래프.

Claims (22)

  1. 적어도 표면에 다공질구조를 지닌 기판의 다공질표면의 세정방법에 있어서, 기판의 다공질표면에 부착한 먼지입자를 제거하기 위한 세정이, 600KHz∼2MHz범위의 주파수를 지닌 고주파를 중첩된 순수에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 세정해야할 기판의 표면은, 다수의 구멍의 개구가 노출된 구조를 지니며, 이 구멍의 내벽면은 다공질의 재료가 노출되어 있거나 또는 상이한 종류의 재료로 덮여있는 구조를 지니는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판을 순수욕중에 침지하고, 그 위에 상기 고주파를 중첩함으로써 세정을 행하는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 순수욕중에 침지된 상기 기판의 다공질표면과 평행하게 상기 고주파를 중첩함으로써 세정을 행하는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 순수욕중에 침지된 채로 고주파세정중인 상기 기판을 액밖으로 간헐적으로 끌어올리는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 순수욕중에 침지된 채로 고주파세정중인 상기 기판을 액밖으로 간헐적으로 끌어올리는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판을 회전시키면서 해당 기판의 다공질표면에 대해서, 순수상에 고주파를 중첩한 상태에서 순수샤워를 불어넣음으로써 세정을 행하는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  8. 기판의 표면에 부착된 먼지입자를 제거하기 이한 세정은, 용해된 가스의 농도가 5ppm이하로 될 때까지 해당 용해된 가스를 탈기시킨 동시에 초음파를 중첩한 순수중에서 행하는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기순수는, 용해된 가스의 농도가 5ppm이하로 될 때까지 해당 용해된 가스를 탈기시킨 순수인 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판은, 상기 용해된 가스의 농도가5ppm이하로 될 때까지 해당 용해된 가스를 탈기시킨 순수를 지닌 순수욕중에 해당 기판을 침지시키고, 그 위에 상기 고주파초음파를 중첩함으로써 세정되는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 기판을 회전시키면서 해당 기판의 다공질표면에 대해서, 상기 용해된 가스의 농도가 5ppm 이하로 될 때까지 해당 용해된 가스를 탈기시킨 순수샤워를 불어넣고, 그 위에 상기 고주파초음파를 중첩함으로써 세정을 행하는 것을 특징으로 다공질표면의 세정방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 기판의 다공질표면은 친수성 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  13. 적어도 표면에 다공질구조를 지닌 기판의 다공질표면을 세정하는 다공질표면의 세정방법에 있어서, 상기 기판의 표면에 부착된 먼지입자를 제거하기 위한 세정은, 상기 기판의 다공질 표면을 친수성처리하고 다공질표면세정용 액체에 대해 600KHz∼2MHz범위의 주파수를 지닌 고주파초음파를 중첩함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 다공질표면의 친수성처리는, 기판표면위 및 다공질구조의 구멍의 내벽 위에 산화막을 형성하는 처리인 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 다공질표면의 친수성처리는 순수에 오존이 용해되어 있는 오준순수중에 상기 기판을 침지하는 처리인 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 다공질표면의 친수성처리는, 순수로 회석된 과산화수소수용액중에 상기 기판을 침지하는 처리인 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  17. 제13항에 상기 액체는 순수에 오존이 용해되어 있는 오존순수인 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  18. 제13항에 상기 액체는 순수로 희석된 과산화수소수용액인 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 다공질표면의 친수성 처리는, 기판표면위 및 다공질 구조의 구멍의 내벽 위에 산화막을 형성하는 처리이고, 적어도 상기 기판표면위의 산화막은 상기 기판의 다공질표면의 세정후 제거되는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  20. 제12항, 제13항 및 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다공질표면의 친수성 처리는, 기판표면위 및 다공질구조의 구멍의 내벽 위에 산화막을 형성하는 처리이고, 적어도 상기 기판표면위의 산화막은 상기 기판의 다공질표면의 세정후 제거되는 것을 특징으로 하는 다공질표면의 세정방법.
  21. 비다공성실리콘단일결정영역과 다공실리콘단일결정층으로 이루어진 실리콘기판을 세정하는 단계와; 상기 실리콘기판을 산소분위기에서 가열하여 다공성실리콘단일결정층의 구멍의 내부벽과 다공성실리콘단일결정층의 표면에 각각 산화막을 형성하는 단계와; 상기 다공성실리콘단일결정층의 표면상의 산화막을 제거하는 단계와; 상기 다공성실리콘단일결정층위에 에피택셜성장하여 비다공성실리콘단일결정층을 형성하는 단계와; 상기 비다공성실리콘단일결정층을 부분적으로 산화하여 절연층인 산화막을 형성하는 단계와; 상기 절연층의 상부에 다른 실리콘기판을 놓고, 이들의 접촉면을 서로 고착한 다음에 열처리하여 표면을 고착함으로써 다층구조를 형성하는 단계와; 상기 다층구조로부터 비다공성실리콘단결정영역을 소정의 방법으로 제거함으로써, 절연층을 개재하여 얇은 비다공성단결정층을 가지는 SOI기판을 실리콘기판위에 형성하는 단계와; 상기 SOI기판을 수소분위기에서 열처리하여 비다공성실리콘결정층의 표면을 한층더 평탄하게 형성하는 단계와; 상기 SOI기판을 수소분위기에서 열처리하여 비다공성실리콘결정층의 표면을 한층더 평탄하게 하는 단계를 구비한 반도체제조방법에 있어서, 상기 세정단계는 청구항 1내지 청구항 20에 기재된 다공질표면의 세정방법에 의해 세정되는 것을 특징으로 하는 반도체제조방법.
  22. 비다공성실리콘단일결정영역과 다공실리콘단일결정층으로 이루어진 제1기판을 세정하는 단계와; 상기 제1기판을 산소분위기에서 가열하여 다공성실리콘단일결정층의 구멍의 내부벽과 다공성실리콘단일결정층의 표면에 각각 산화막을 형성하는 단계와; 상기 다공성실리콘단일결정층의 표면상의 산화막을제거하는 단계와; 상기 다공성실리콘단일결정층위에 에피택셜성장하여 비다공성실리콘단일결정층을 형성하는 단계와; 상기 절연층의 상부에 광투과가능한 기판을 놓고, 이들의 접촉면을 서로 고착한 다음에 열처리하여 표면을 고착함으로써 다층구조를 형성하는 단계와 , 상기 다층구조로부터 비다공성실리콘단결정영역을 소정의 방법으로 제거함으로써, 비다공성단결정층을 노출하는 단계와; 다공성실리콘단결정층을 에칭에 의해 제거함으로써, 절연층을 개재하여 얇은 비다공성실리콘단결정층을 가지는 SOI기판을 광투과가능한 기판위에 형성하는 단계와;를 구비한 반도체제조방법에 있어서, 상기 세정단계는 청구항 1 내지 청구항 20에 기재된 다공질표면의 세정방법에 의해 세정되는 것을 특징으로 하는 반도체제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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