CN108630566A - 基板保持旋转装置及具备该装置的基板处理装置及方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 436
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 189
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 182
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 58
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 42
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 26
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 120
- 230000009471 action Effects 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004890 Hydrophobing Agent Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008232 de-aerated water Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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Abstract
基板保持旋转装置中,第一销组所含的各可动销的支撑部设为,能够在保持位置所含的第一和第二保持位置之间移动,且能够在第一和第二保持位置与远离旋转轴线的开放位置之间移动,第一保持位置是接近旋转轴线的规定的位置,第二保持位置在周方向的一方与第一保持位置相隔离;第二销组所含的各可动销的支撑部被设为,能够在接近旋转轴线的保持位置与远离旋转轴线的开放位置之间移动;在第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置,且第二销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的情况下,能够由第一销组所含的各可动销支撑基板;第一销组所含的各可动销的支撑部,一边维持位于保持位置的状态一边在第一保持位置与第二保持位置之间沿周方向移动。
Description
技术领域
本发明涉及基板保持旋转装置以及具备该基板保持旋转装置的基板处理装置、基板处理方法。保持对象或处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中,对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等的基板,使用处理液进行处理。逐张(一张一张)对基板进行处理的单张式的基板处理装置例如具有:旋转卡盘,一边将基板保持为水平一边使该基板旋转;处理液供给单元,对保持在旋转卡盘上的基板的上表面供给处理液。有时会采用夹持式的卡盘来作为旋转卡盘,该夹持式的卡盘使多个夹持构件与基板的周缘部接触,从而在水平方向上夹住该基板,由此来保持基板。
在夹持式的卡盘中,在基板的外周形状所对应的圆周上,隔出恰当的间隔来设置有多个夹持构件。如果使多个夹持构件始终与基板接触,则在基板的周缘部上的夹持构件的接触支撑位置,有可能发生处理不良。具体而言,在基板的周缘部上的接触支撑位置,处理液不会完全扩散,随之会产生处理残留部分,相反,很多处理液会顺着夹持构件而绕到相反侧,其结果,相反侧的面的周缘部的处理宽度有可能会发生紊乱等。
为了解决这样的问题,在美国专利申请第2004/0159343A1(US UnexaminedPatent Application Publication No.2004/0159343A1)公报上公开了一种旋转卡盘,包括:旋转基座;第一开闭机构,使在旋转基座的周缘部竖立设置的6个夹持构件中的3个夹持构件,在夹持位置与非夹持位置之间移位,由此来开闭该夹持构件;第二开闭机构,使6个夹持构件中的剩下的3个夹持构件,在夹持位置与非夹持位置之间移位,由此来开闭该夹持构件。在这样的旋转卡盘中,在保持基板持续旋转的状态下,从由第一夹持构件组夹持基板且第二夹持构件组不夹持基板的第一夹持状态,经过由第一以及第二夹持构件组夹持基板的中间状态,转移至由第二夹持构件组夹持基板且第一夹持构件组不夹持基板的第二夹持状态。因此,在使用了处理液的处理中,交替由互不相同的多个夹持构件来保持基板,即,通过切换与基板的周缘部接触的夹持构件,从而将使用了处理液的处理中夹持构件所带来的处理影响抑制到最小限度。
发明内容
然而,基板的周缘部上的夹持构件的接触支撑位置是不变的,因此,即使如专利文献1那样通过夹持构件来交替保持基板,在该接触支撑位置虽少但也有可能会发生处理不良。在此情况下,基板的周缘部的接触支撑位置中的处理的进展,有可能会比周缘部的其它区域慢。
对基板的周缘部的各部位,需要进行均匀的处理。因此优选一边旋转基板,一边沿着圆周来挪动(移动)基板的周缘部上的接触支撑位置。即,需要一边通过基板保持旋转装置(旋转卡盘)良好地保持基板,一边在使基板旋转的期间,改变基板的周缘部上的可动销(夹持构件)的接触支撑位置。
因此,作为本发明的目的之一,提供一种基板保持旋转装置,能够在良好地保持基板的同时,改变基板的周缘部上的接触支撑位置。另外,本发明的其它目的在于,提供一种能够良好地对基板的周缘部的全域进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明提供一种基板保持旋转装置,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线旋转,该基板保持旋转装置包括:多个可动销,沿着以所述旋转轴线为中心的圆周排列,并且分别具有支撑部,所述支撑部通过与基板的周缘部接触来支撑基板;旋转单元,使所述多个可动销围绕所述旋转轴线旋转。所述多个可动销包括:第一销组,至少包括3个可动销;第二销组,至少包括3个可动销。所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在保持位置所包括的第一保持位置和所述保持位置所包括的第二保持位置之间移动,并且能够在所述第一和第二保持位置与远离所述旋转轴线的开放位置之间移动,所述第一保持位置是接近所述旋转轴线的规定的位置,所述第二保持位置接近所述旋转轴线并且在周方向的一方与所述第一保持位置相隔离;所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在接近所述旋转轴线的所述保持位置与远离所述旋转轴线的所述开放位置之间移动;在所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第一销组所含的各可动销支撑基板;所述基板保持旋转装置还包括第一移动单元,所述第一移动单元使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,一边维持位于所述保持位置的状态一边在所述第一保持位置与所述第二保持位置之间沿周方向移动。
根据该结构,在第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第二销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态下,由第一销组所含的各可动销支撑基板。在该状态下,通过使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第一保持位置移动到第二保持位置,从而能够使基板围绕旋转轴线转动。由此,能够一边良好地水平保持基板,一边改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
在本发明的一个实施方式中,所述第一移动单元包括第一周方向移动单元,所述第一周方向移动单元使所述第一销组所含的各可动销,在第一周方向位置与第二周方向位置之间移动,所述第二周方向位置在周方向的所述一方与所述第一周方向位置相隔离;所述第一保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第一周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置;所述第二保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第二周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置。
根据该结构,使第一销组所含的各可动销在第一周方向位置与在周方向的一方与第一周方向位置相隔离的第二周方向位置之间移动。将位于第一周方向位置时的第一销组所含的各可动销的支撑部的保持位置设为第一保持位置,并且将位于第二周方向位置时的第一销组所含的各可动销的支撑部的保持位置设为第二保持位置,由此,能够以比较简单的结构来实现如下结构:将第一销组所含的各可动销的支撑部设为能够在第一保持位置与第二保持位置之间移动的结构。
所述基板保持旋转装置也可以被设为,还包括:旋转基座,与所述旋转单元相连结;销支撑构件,对所述第一销组所含的各可动销进行支撑,能够随着所述旋转基座一起旋转,并且能够相对于所述旋转基座相对转动。此时,所述第二销组所含的各可动销也可以能够随着所述旋转基座一起旋转;所述第一周方向移动单元还包括转动单元,所述转动单元使所述销支撑构件相对于所述旋转基座而围绕所述旋转轴线相对转动。
根据该结构,基板保持旋转装置还包括:旋转基座,与所述旋转单元相连结;销支撑构件,对所述第一销组所含的各可动销进行支撑,能够随着所述旋转基座一起旋转,并且能够相对于所述旋转基座相对转动。能够将第一销组所含的各可动销设为能够随着销支撑构件一起旋转,将第二销组所含的各可动销设为能够随着旋转基座一起旋转。由此,能够以比较简单的结构来实现如下结构:使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上移动的结构(第一周方向移动单元)。
也可以在所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第二销组所含的各可动销支撑基板。此时,所述基板保持旋转装置也可以还包括:第二移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在所述开放位置与所述保持位置之间移动;控制装置,用于对所述第一移动单元以及所述第二移动单元进行控制。此时,所述控制装置也可以执行如下工序:第一周方向移动工序,在所述第一销组所含的各可动销位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销位于所述开放位置的状态下,通过所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第一保持位置移动到所述第二保持位置;第一移动工序,在所述第一周方向移动工序结束后,通过所述第二移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述保持位置。
根据该结构,在第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第二销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态下,由第一销组所含的各可动销支撑基板。在该状态下,如果使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第一保持位置移动到第二保持位置,则随着支撑部的移动,基板围绕旋转轴线转动。另外,第一销组所含的各可动销的支撑部到达第二保持位置以后,使第二销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。其结果,基板不仅被第一销组所含的各可动销保持,还被第二销组所含的各可动销保持。即,一边仅由第一销组所含的各可动销支撑基板,一边使该各可动销在周方向上移动,由此能够使基板围绕旋转轴线转动。由此,能够一边良好地水平保持基板,一边改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
另外,所述控制装置还可以执行如下工序:第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,控制所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置;第三移动工序,在所述第二移动工序之后,控制所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
根据该结构,在使第二销组所含的各可动销的支撑部移动到保持位置以后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从第二保持位置移动到开放位置,然后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动到第一保持位置。由此,能够使通过第一周方向移动工序而移动到第二保持位置的、第一销组所含的各可动销的支撑部,回到第一保持位置。
另外,所述控制装置还可以执行第四移动工序,在所述第四移动工序中,从所述第一和第二销组所含的各可动销的所述支撑部配置在所述保持位置的状态开始,在所述第一周方向移动工序开始之前,控制所述第一移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述保持位置移动到所述开放位置。
根据该结构,在第一周方向移动工序开始之前,从第一以及第二销组所含的各可动销的支撑部被配置在保持位置的状态,使第二销组所含的各可动销的支撑部从保持位置移动到所述开放位置。由此,能够实现第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第二销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态,能够在该状态下开始执行第一周方向移动工序。
另外,所述控制装置还可以执行旋转工序。在所述旋转工序中,控制所述旋转单元,使所述多个可动销围绕所述旋转轴线旋转;所述控制装置,还可以与所述旋转工序并行地,执行所述第一周方向移动工序以及所述第一移动工序。
根据该结构,在第一销组所含的各可动销以及第二销组所含的各可动销旋转,而且第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第二销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态下,使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第一保持位置移动到第二保持位置。另外,第一销组所含的各可动销的支撑部到达第二保持位置以后,使第二销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。由此,能够在使基板旋转的期间,改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
另外,所述第二销组所含的各可动销的支撑部,能够在所述保持位置所含的规定的第三保持位置与所述保持位置所含的在周方向的所述一方与所述第三保持位置隔离的第四保持位置之间移动,并且能够在与开放位置之间移动。所述基板保持旋转装置还可以包括:第三移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,一边维持位于所述保持位置的状态一边在所述第三保持位置与所述第四保持位置之间移动;第四移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在所述开放位置与所述保持位置之间移动。所述控制装置还可以执行如下工序:第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,控制所述第四移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置;第二周方向移动工序,在所述第二移动工序之后,控制所述第三移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第三保持位置移动到所述第四保持位置;第三移动工序,在所述第二周方向移动工序结束后,控制所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
根据该结构,在第一移动工序结束后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从第二保持位置移动到开放位置。由此,成为第二销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第一销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态。该状态下,第二销组所含的各可动销支撑基板。在该状态下,如果使第二销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第三保持位置移动到第四保持位置,则随着支撑部的移动,基板围绕旋转轴线转动。另外,在第二销组所含的各可动销的支撑部到达第四保持位置以后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。其结果,基板不仅被第二销组所含的各可动销保持,还被第一销组所含的各可动销保持。即,一边仅由第二销组所含的各可动销支撑基板,一边使该各可动销在周方向上移动,由此能够使基板围绕旋转轴线转动。由此,能够一边良好地水平保持基板,一边改变基板的周缘部上的接触支撑位置。因此,通过一系列的交替保持动作,能够使基板进行两阶段的转动。因此,能够大为改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
另外,所述第二移动单元还可以包括:第一环状磁铁,围绕所述旋转轴线而成为圆环;第一切换机构,具有第一驱动用磁铁,所述第一驱动用磁铁被设置为能够伴随所述第一销组所包括的各可动销旋转,所述第一切换机构在所述保持位置与所述开放位置之间切换所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部;第一升降磁铁,与所述第一环状磁铁的下方相向,具有与所述第一驱动用磁铁之间相互作用排斥力或吸引力的磁极方向;第一升降单元,使所述第一升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第一升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第一升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置。此时,所述第四移动单元还可以包括:第二环状磁铁,围绕所述旋转轴线而成为圆环;第二切换机构,具有第二驱动用磁铁,所述第二驱动用磁铁被设置为能够随着所述第二销组所包括的各可动销一起旋转,所述第二切换机构在所述保持位置与所述开放位置之间切换所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部;第二升降磁铁,与所述第二环状磁铁的下方相向,具有与所述第二驱动用磁铁之间相互作用排斥力或吸引力的磁极方向;第二升降单元,使所述第二升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第二升降磁铁与所述第二驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第二升降磁铁与所述第二驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置。
根据该结构,能够通过第一升降磁铁的升降,使第一环状磁铁进行升降。能够通过第一升降磁铁的升降,使第一销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动。
根据该结构,能够通过第二升降磁铁的升降,使第二环状磁铁进行升降。能够通过第二升降磁铁的升降,使第二销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动。
并且,由于第一环状磁铁以及第二环状磁铁分别为圆环状,因此在使基板旋转的期间,能够使第一销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动,由于图第二环状磁铁为圆环状,因此在使基板旋转的期间,能够使第二销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动。
另外,所述第二移动单元还可以包括:第一施力单元,对所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,向所述开放位置以及所述保持位置中的一方施力;第一驱动用磁铁,设置为能够随着所述第一销组所含的各可动销一起旋转,具有彼此相同的磁极方向;第三升降磁铁,具有在与沿着所述旋转轴线的轴线正交的方向上与所述第一驱动用磁铁之间作用排斥力或吸引力的磁极方向,通过该排斥力或该吸引力,对所述第一销组的所述支撑部,施加向所述开放位置以及所述保持位置的另一方的力;第一升降移动单元,使所述第三升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第三升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第三升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置。此时,所述第四移动单元还可以包括:第二施力单元,对所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,向所述开放位置以及所述保持位置中的一方施力;第二驱动用磁铁,设置为能够随着所述第二销组所含的各可动销一起旋转,具有彼此相同且与所述第一驱动用磁铁相反的磁极方向;第四升降磁铁,具有在与沿着所述旋转轴线的轴线正交的方向上与所述第一驱动用磁铁之间作用排斥力或吸引力的磁极方向,通过该排斥力或该吸引力,对所述第二销组的所述支撑部,施加向所述开放位置以及所述保持位置的另一方的力;第二升降移动单元,使所述第四升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第四升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第四升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置。
根据该结构,通过第三升降磁铁的升降,能够使第一驱动用磁铁围绕沿着旋转轴线延伸的轴线转动。因此,通过第三升降磁铁的升降,能够使第一销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动。第一驱动用磁铁具有与第一驱动用磁铁相反的磁极方向,因此能够在不使第二销组所含的各可动销的支撑部移动的状态下,使第一销组所含的各可动销的支撑部移动。
根据该结构,通过第四升降磁铁的升降,能够使第一驱动用磁铁围绕沿着旋转轴线延伸的轴线转动。因此,通过第四升降磁铁的升降,能够使第四销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动。第一驱动用磁铁具有与第一驱动用磁铁相反的磁极方向,因此能够在不使第一销组所含的各可动销的支撑部移动的状态下,使第二销组所含的各可动销的支撑部移动。
另外,所述第三升降磁铁以及所述第四升降磁铁也可以分别设置为多个,且两者的数目相同;多个所述第三升降磁铁以及多个所述第四升降磁铁,在基板的旋转方向上交替配置,并且整体形成为与所述旋转轴线同轴的圆环状。
根据该结构,多个第三升降磁铁以及多个第四升降磁铁,在基板的旋转方向上交替配置。另外,多个第三升降磁铁以及多个第四升降磁铁,全部(整体)被配置为与所述旋转轴线同轴的圆环状。在此情况下,如果着眼于各个升降磁铁(第三升降磁铁或第四移动磁铁),则该升降磁铁在旋转轴线的同轴圆周上,在基板的旋转方向上间歇性(隔开间隔)配置。在该情况下,也能够利用旋转台的旋转速度的大小以及/或各升降磁铁的周方向长度的大小,来将磁场产生区域设为圆环状。因此,在使基板旋转的期间,能够使第一销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动,另外,在使基板旋转的期间,能够使第二销组所含的各可动销的支撑部在保持位置与开放位置之间移动。
另外,所述第三移动单元,也可以使所述第二销组所含的各可动销,在第三周方向位置与第四周方向位置之间移动,所述第四周方向位置在周方向的所述一方与所述第三周方向位置相隔离。此时,所述第三保持位置,也可以是所述第二销组所含的各可动销位于所述第三周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置;所述第四保持位置,也可以是所述第二销组所含的各可动销位于所述第四周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置。
根据该结构,使第二销组所含的各可动销的支撑部,在第三周方向位置与第四周方向位置之间移动,第四周方向位置在周方向的一方与第三周方向位置相隔离。将位于第三周方向位置时的第二销组所含的各可动销的支撑部的保持位置设为第三保持位置;并且将位于第四周方向位置时的第二销组所含的各可动销的支撑部的保持位置设为第四保持位置,由此,能够以比较简单的结构来实现如下结构:将第二销组所含的各可动销的支撑部设为能够在第三保持位置与第四保持位置之间移动的结构。
所述基板保持旋转装置还可以包括:旋转基座,与所述旋转单元连结;第一销支撑构件,对所述第一销组所含的各可动销进行支撑,能够随着所述旋转基座一起旋转,并且能够相对于所述旋转基座相对转动;第二销支撑构件,是所述第一销支撑构件之外的构件,对所述第二销组所含的各可动销进行支撑,能够随着所述旋转基座一起旋转,并且能够相对于所述旋转基座相对转动。此时,所述第一移动单元可以包括第一周方向移动单元,所述第一周方向移动单元使所述第一销组所含的各可动销在第一周方向位置与第二周方向位置之间移动,所述第二周方向位置在周方向的所述一方与所述第一周方向位置相隔离;所述第一保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第一周方向位置时的所述支持部的所述保持位置;所述第二保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第二周方向位置时的所述支持部的所述保持位置。另外,所述第一周方向移动单元还可以包括第一转动单元以及第二转动单元中的一方,所述第一转动单元用于使所述第一销支撑构件相对于所述旋转基座而围绕所述旋转轴线相对转动,所述第二转动单元用于使所述第二销支撑构件相对于所述旋转基座而围绕所述旋转轴线相对转动。并且,所述第二周方向移动单元,还可以包括所述第一转动单元以及所述第二转动单元的另一方。
根据该结构,基板保持旋转装置包括:旋转基座,与所述旋转单元连结;第一销支撑构件,被设为能够随着所述旋转基座一起旋转;第二销支撑构件,被设为能够随着所述旋转基座一起旋转。另外,第一以及第二销支撑构件,被设为能够相对于旋转基座进行相对转动。进而,第一以及第二销组中的一组所含的各可动销,被设为能够随着第一销支撑构件一起旋转;第一以及第二销组的另一组所含的各可动销,被设为能够随着第二销支撑构件一起旋转。由此,能够使第一销组所含的各可动销的支撑部与第二销组所含的各可动销的支撑部,独立地相对于旋转基座而在周方向上移动,能够分别以比较简单的结构来实现如下结构:使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上移动的结构(第一周方向移动单元),使第二销组所含的各可动销的支撑部在周方向上移动的结构(第二周方向移动单元)。
本发明提供一种基板处理装置,包括基板保持旋转装置和处理液供给单元。所述基板保持旋转装置,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线旋转,所述基板保持旋转装置包括:多个可动销,沿着以所述旋转轴线为中心的圆周排列,并且分别具有支撑部,所述支撑部通过与基板的周缘部接触来支撑基板;旋转单元,使所述多个可动销围绕所述旋转轴线旋转。所述多个可动销包括:第一销组,至少包括3个可动销;第二销组,至少包括3个可动销。所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在保持位置所包括的第一保持位置和所述保持位置所包括的第二保持位置之间移动,并且能够在所述第一和第二保持位置与远离所述旋转轴线的开放位置之间移动,所述第一保持位置是接近所述旋转轴线的规定的位置,所述第二保持位置接近所述旋转轴线并且在周方向的一方与所述第一保持位置相隔离;所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在接近所述旋转轴线的所述保持位置与远离所述旋转轴线的所述开放位置之间移动;在所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第一销组所含的各可动销支撑基板;所述基板保持旋转装置还包括第一移动单元,所述第一移动单元使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,一边维持位于所述保持位置的状态一边在所述第一保持位置与所述第二保持位置之间沿周方向移动。所述处理液供给单元,对保持在所述基板保持旋转装置上的基板的主面,供给处理液。
根据该结构,通过对保持在基板保持旋转装置的基板的主面供给处理液,从而利用处理液对该基板的主面进行处理。基板保持旋转装置,在第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第二销组所含的各可动销位于开放位置的状态下,由第一销组所含的各可动销支撑基板。在该状态下,如果使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第一保持位置移动到第二保持位置,则随着支撑部的移动,基板围绕旋转轴线转动。另外,在第一销组所含的各可动销的支撑部到达第二保持位置以后,使第二销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。其结果,基板不仅被第一销组所含的各可动销保持,还被第二销组所含的各可动销保持。由此,能够一边良好地水平保持基板,一边改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
在本发明的一个实施方式中,还包括控制装置,所述控制装置对所述旋转单元以及所述处理液供给单元进行控制;所述控制装置执行处理液处理工序,在处理液处理工序中,一边通过所述旋转单元使保持在所述基板保持旋转装置上的基板围绕所述旋转轴线旋转,一边通过所述处理液供给单元对该基板的主面供给处理液,从而处理所述基板。
根据该结构,通过对保持在基板保持旋转装置的基板的主面供给处理液,从而利用处理液对该基板的主面进行处理。在前述的基板保持旋转装置中,能够一边良好地水平保持基板,一边改变基板的周缘部上的接触支撑位置,由此,能够良好地对基板的周缘部的整个区域进行处理。
另外,在所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第二销组所含的各可动销支撑基板;所述基板保持旋转装置还包括第二移动单元,所述第二移动单元使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在所述开放位置与所述保持位置之间移动;所述控制装置,还对所述第一移动单元以及所述第二移动单元进行控制。所述控制装置还可以与所述处理液处理工序并行地执行如下工序:第一周方向移动工序,在所述第一销组所含的各可动销位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销位于所述开放位置的状态下,通过所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第一保持位置移动到所述第二保持位置;第一移动工序,在所述第一周方向移动工序结束后,通过所述第二移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述保持位置。。
根据该结构,在第一销组所含的各可动销以及第二销组所含的各可动销旋转,而且第一销组所含的各可动销位于保持位置并且第二销组所含的各可动销位于开放位置的状态下,使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第一保持位置移动到第二保持位置。另外,在第一销组所含的各可动销的支撑部到达第二保持位置以后,使第二销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。由此,能够在使基板旋转的期间,改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
本发明提供一种基板处理方法,在基板处理装置中执行,所述基板处理装置包括基板保持旋转装置;所述基板保持旋转装置,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线旋转;所述基板保持旋转装置包括多个可动销,所述多个可动销沿着以沿着铅垂方向延伸的所述旋转轴线为中心的圆周排列,并且分别具有支撑部,所述支撑部通过与基板的周缘部接触来支撑基板。所述多个可动销包括:第一销组,至少包括3个可动销;第二销组,至少包括3个可动销。在所述第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于开放位置的情况下,能够由所述第一销组所含的各可动销支撑基板;在所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第二销组所含的各可动销支撑基板。所述基板处理方法包括:基板保持工序,将基板以水平姿势保持在所述基板保持旋转装置上;处理液处理工序,一边使保持在所述基板保持旋转装置上的基板围绕所述旋转轴线旋转,一边对该基板的主面供给处理液来处理所述基板;第一周方向移动工序,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述保持位置所包括的第一保持位置移动到所述保持位置所包括的第二保持位置,所述第一保持位置是接近所述旋转轴线的规定的位置,所述第二保持位置接近所述旋转轴线并且在周方向的一方与所述第一保持位置相隔离;第一移动工序,在所述第一周方向移动工序结束后,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述保持位置。
根据该方法,通过对保持在基板保持旋转装置的基板的主面供给处理液,从而利用处理液对该基板的主面进行处理。基板保持旋转装置,在第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第二销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态下,由第一销组所含的各可动销支撑基板。在该状态下,如果使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第一保持位置移动到第二保持位置,则随着支撑部的移动,基板围绕旋转轴线转动。另外,在第一销组所含的各可动销的支撑部到达第二保持位置以后,使第二销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。其结果,基板不仅被第一销组所含的各可动销保持,还被第二销组所含的各可动销保持。即,一边仅由第一销组所含的各可动销支撑基板,一边使该各可动销在周方向上移动,由此能够使基板围绕旋转轴线转动。由此,能够一边良好地水平保持基板,一边改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
所述基板处理方法还可以还包括:第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置;第三移动工序,在所述第二移动工序之后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
根据该方法,在使第二销组所含的各可动销的支撑部移动到保持位置以后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从第二保持位置移动到开放位置,然后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动到第一保持位置。由此,能够使通过第一周方向移动工序而移动到第二保持位置的、第一销组所含的各可动销的支撑部,回到第一保持位置。
所述基板处理方法还可以包括:第四移动工序,在所述第四移动工序中,从所述第一和第二销组所含的各可动销的所述支撑部配置在所述保持位置的状态开始,在所述第一周方向移动工序开始之前,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述保持位置移动到所述开放位置。
根据该方法,在第一周方向移动工序开始之前,从第一以及第二销组所含的各可动销的支撑部被配置在保持位置的状态,使第二销组所含的各可动销的支撑部从保持位置移动到所述开放位置。由此,能够实现使第一销组所含的各可动销位于保持位置并且第二销组所含的各可动销位于开放位置的状态,从而能够在该状态下开始执行第一周方向移动工序。
在所述基板保持旋转装置中,所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在所述保持位置所含的规定的第三保持位置与所述保持位置中的第四保持位置之间移动,并且能够在与开放位置之间移动,所述第四保持位置在周方向的所述一方与所述第三保持位置相隔离。所述基板处理方法还可以包括如下工序:第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置;第二周方向移动工序,在所述第二移动工序之后,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第三保持位置移动到所述第四保持位置;第三移动工序,在所述第二周方向移动工序结束后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
根据该方法,在第一移动工序结束后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从第二保持位置移动到开放位置。由此,成为第二销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第一销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态。该状态下,由第二销组所含的各可动销支撑基板。在该状态下,如果使第二销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第三保持位置移动到第四保持位置,则随着支撑部的移动,基板围绕旋转轴线转动。另外,在第二销组所含的各可动销的支撑部到达第四保持位置以后,使第一销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。其结果,基板不仅被第二销组所含的各可动销保持,还被第一销组所含的各可动销保持。即,一边仅由第二销组所含的各可动销支撑基板,一边使该各可动销在周方向上移动,由此能够使基板围绕旋转轴线转动。由此,能够一边良好地水平保持基板,一边改变基板的周缘部上的接触支撑位置。因此,通过一系列的交替保持动作,能够使基板进行两阶段的转动。因此,能够大为改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
还可以与所述处理液处理工序并行地执行所述第一周方向移动工序以及第一移动工序。
根据该方法,在第一销组所含的各可动销以及第二销组所含的各可动销旋转,而且第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置并且第二销组所含的各可动销的支撑部位于开放位置的状态下,使第一销组所含的各可动销的支撑部在周方向上从第一保持位置移动到第二保持位置。另外,在第一销组所含的各可动销的支撑部到达第二保持位置以后,使第二销组所含的各可动销的支撑部从开放位置移动至保持位置。由此,能够在使基板旋转的期间,改变基板的周缘部上的接触支撑位置。
通过参照附图来在下面阐述的实施方式的说明,能够使本发明中的上述目的或另外的其他目的、特征以及效果更加清楚。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置内部的布局的俯视图。
图2是用于以图解形式说明所述基板处理装置所具备的处理单元的结构例的剖视图。
图3是用于说明所述处理单元所具备的旋转卡盘的更具体的结构的侧视图。
图4是用于说明所述旋转卡盘的更具体的结构的俯视图。
图5A、5B是放大表示第一可动销的附近的结构的剖视图。
图6A、6B是放大表示第二可动销的附近的结构的剖视图。
图7A是用于说明第一可动销的支撑部上的第一和第二保持位置以及第一和第二开放位置的俯视图。
图7B是用于说明第二可动销的支撑部上的第三和第四保持位置以及第三和第四开放位置的俯视图。
图8是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图9是用于说明所述处理单元所执行的基板处理的一例的流程图。
图10A~10F是用于说明基板转动工序的动作的示意俯视图。
图11A~11F是用于说明本发明的第二实施方式的基板转动工序的动作的示意俯视图。
图12是用于以图解形式说明本发明的第三实施方式的处理单元的结构例的剖视图。
图13是用于说明所述处理单元所具备的旋转卡盘的更具体的结构的俯视图。
图14A、14B是放大表示第一可动销的附近的结构的剖视图。
图15A、15B是放大表示第一可动销的附近的结构的剖视图。在图15A中,示出了第一支撑部位于保持位置的状态。
图16A~16C是放大表示第一可动销以及第二可动销的状态的示意图。
图17A~17C是放大表示第一可动销以及第二可动销的状态的示意图。
图18是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
具体实施方式
下面,参照附图来详细说明本发明的实施方式。
图1是用于以图解形式说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的俯视图。
基板处理装置1,是通过处理液、处理气体对半导体晶片等的圆板状的基板W逐张(一张一张)进行处理的单张式的装置。基板处理装置1包括:多个处理单元2,用处理液处理基板W;装载口LP,载置有托架(carrier)C,所述托架C收纳要由处理单元2处理的待处理的多张基板W;搬送机器人IR以及CR,在装载口LP与处理单元2之间搬送基板W;控制装置3,控制基板处理装置1。搬送机器人IR,在托架C与搬送机器人CR之间用机械手H1搬送基板W。搬送机器人CR,在搬送机器人IR与处理单元2之间用机械手H2搬送基板W。多个处理单元2例如具有相互同样的结构。
图2是用于以图解形式说明处理单元2的结构例的剖视图。处理单元2包括:箱形的腔室4,具有内部空间;旋转卡盘(基板保持旋转装置)5,在腔室4内以水平姿势保持一张基板W,使基板W围绕通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转;药液供给单元(处理液供给单元)6,用于对保持在旋转卡盘5上的基板W的上表面供给药液;漂洗液供给单元(处理液供给单元)7,用于对基板W的上表面供给漂洗液;筒状的处理罩(未图示),包围旋转卡盘5。
图3是用于说明旋转卡盘5的更具体的结构的侧视图。图4是用于说明所述旋转卡盘5的更具体的结构的俯视图。图5A、5B是放大表示第一可动销10A的附近的结构的剖视图。图6A、6B是放大表示第二可动销10B的附近的结构的剖视图。图3是从剖切线III-III观察图4的图。
如图2以及图3所示,旋转卡盘5包括:旋转基座8,能够围绕沿着铅垂方向延伸的旋转轴线A1旋转;多根(在该实施方式中为6根)可动销10,它们在旋转基座8的上表面的周缘部,沿着周方向大致隔开等间隔而设置;旋转轴11,固定在旋转基座8的旋转中心的下表面;旋转马达(旋转单元)12,使旋转轴11围绕旋转轴线A1旋转。旋转卡盘5所具备的用于保持的销,全都是与基板W的周缘部接触的支撑部(第一支撑部42、第二支撑部52)可动的可动销。旋转基座8的周方向Y,包括第一周方向Y1和与第一周方向Y1相反的第二周方向Y2。
如图4所示,在旋转基座8的上表面的周缘部,在以旋转轴线A1为中心的圆周上,隔开大致等间隔配置有各可动销10。在6个可动销10中,将每互不相邻的3个可动销10设定为同时开闭的一个组。换言之,6个可动销10,包括第一销组所含的3个可动销10A和第二销组所含的3个可动销10B。下面,将第一销组所含的可动销称为第一可动销10A,将第二销组所含的可动销称为第二可动销10B。第一可动销10A与第二可动销10B相对于旋转基座8的周方向Y而交替配置。如果着眼于第一销组,则3个第一可动销10A以等间隔(120°间隔)配置。另外,如果着眼于第二销组,则3个第二可动销10B以等间隔(120°间隔)配置。
3个第一可动销10A被设置为,能够彼此同时相对于旋转基座8而围绕旋转轴线A1转动。具体而言,旋转卡盘5还包括第一销支撑构件16,第一销支撑构件16一并支撑3个第一可动销10A。第一销支撑构件16是板状构件,从配置在旋转轴线A1上的中心,以等间隔向3个方向以放射状延伸。第一销支撑构件16被设置为,能够相对于旋转基座8而围绕旋转轴线A1转动。旋转卡盘5具有第一转动限制构造17(在图2中未图示。参照图3以及图4),第一转动限制构造17用于将第一销支撑构件16相对于旋转基座8的转动范围限制在规定角度范围内。第一转动限制构造17例如包括:第一长孔18(在图2中未图示。参照图3以及图4),形成在第一销支撑构件16上,并且沿周方向Y延伸;第一插通销19(在图2中未图示。参照图3以及图4),在旋转基座8上竖立设置,并且插通第一长孔18。第一插通销19通过与第一长孔18的周方向的端部接触,来限制第一销支撑构件16的转动。在该实施方式中,第一销支撑构件16相对于旋转基座8的转动范围为几度(°)(例如约5°)。
3个第二可动销10B被设置为,能够彼此同时相对于旋转基座8而围绕旋转轴线A1转动。具体而言,旋转卡盘5还包括第二销支撑构件21,第二销支撑构件21一并支撑3个第二可动销10B。在该实施方式中,第二销支撑构件21配置在旋转基座8与第一销支撑构件16之间。
第二销支撑构件21是板状构件,从配置在旋转轴线A1上的中心,以等间隔向3个方向以放射状延伸。在该实施方式中,第一销支撑构件16与第二销支撑构件21围绕旋转轴线A1的相位约错开60°。
第二销支撑构件21被设置为,能够相对于旋转基座8而围绕旋转轴线A1转动。旋转卡盘5具有第二转动限制构造22(在图2中未图示。参照图3以及图4),第二转动限制构造22用于将第二销支撑构件21相对于旋转基座8的转动范围限制在规定角度范围内。第二转动限制构造22例如包括:第二长孔23(在图2中未图示。参照图3以及图4),形成在第二销支撑构件21上,并且沿周方向Y延伸;第二插通销24(在图2中未图示。参照图3以及图4),在旋转基座8上竖立设置,并且插通第二长孔23。第二插通销24通过与第二长孔23的周方向的端部接触,来限制第二销支撑构件21的转动。在该实施方式中,第二销支撑构件21相对于旋转基座8的转动范围为几度(°)(例如约5°)。
如图2所示,旋转卡盘5还包括:第一转动单元(第一周方向移动单元)26,使第一销支撑构件16相对于旋转基座8而围绕旋转轴线相对转动;第二转动单元(第二周方向移动单元)27,使第二销支撑构件21相对于旋转基座8而围绕旋转轴线相对转动。第一转动单元26与第一销支撑构件16结合,第二转动单元27与第二销支撑构件21结合。第一转动单元26以及第二转动单元27例如分别为电动马达。电动马达被设定为能够正反旋转。
如果第一转动单元26向正方向旋转,则第一销支撑构件16相对于旋转基座8而向第一周方向(周方向的一方)Y1转动。另外,如果第一转动单元26向反方向旋转,则第一销支撑构件16相对于旋转基座8而向第二周方向Y2转动。第一转动单元26被设置为,能够使第一销支撑构件16相对于旋转基座8,在第一周方向位置P51(参照图7A)与第二周方向位置P52(参照图7A)之间转动,所述第二周方向位置P52比第一周方向位置向第一周方向Y1错开规定角度(几度(°)(例如约5°))。
如果第二转动单元27向正方向旋转,则第二销支撑构件21相对于旋转基座8而向第一周方向Y1转动。另外,如果第二转动单元27向反方向旋转,则第二销支撑构件21相对于旋转基座8而向第二周方向Y2转动。第二转动单元27被设置为,能够使第二销支撑构件21相对于旋转基座8,在第三周方向位置P53(参照图7B)与第四周方向位置P54(参照图7B)之间转动,所述第四周方向位置P54比第三周方向位置P53向第一周方向Y1错开规定角度(几度(°)(例如约5°))。
如图2以及图3所示,在第一销支撑构件16上,一体地设有第一开闭用磁铁(第一环状磁铁)28。第一开闭用磁铁28是永磁铁,具有以旋转轴线A1为中心的圆环状。第一开闭用磁铁28的磁极方向是沿着上下方向的方向。第一开闭用磁铁28被设置为能够升降。针对3个第一可动销10A,一一对应地设有第一连杆机构(第一切换机构)29,各第一连杆机构29与第一开闭用磁铁28连接。第一连杆机构29是包括连杆、凸轮随动件(cam follower)等的结构。基于第一开闭用磁铁28的升降,能够使第一可动销10A的第一支撑部42在保持位置与开放位置之间移位。
如图2以及图3所示,在第二销支撑构件21上,一体地设有第二开闭用磁铁(第二环状磁铁)30。第二开闭用磁铁30是永磁铁,具有以旋转轴线A1为中心的圆环状。第二开闭用磁铁30的磁极方向是沿着上下方向的方向。第二开闭用磁铁30被设置为能够升降。针对3个第二可动销10B,一一对应地设有第二连杆机构(第二切换机构)31,各第二连杆机构31与第二开闭用磁铁30连接。第二连杆机构31是包括连杆、凸轮随动件(cam follower)等的结构。基于第二开闭用磁铁30的升降,能够使第二可动销10B的第二支撑部52在保持位置与开放位置之间移位。在该实施方式中,第二开闭用磁铁30是对第一开闭用磁铁28的外周进行包围的大直径的环。
如图2以及图3所示,在旋转基座8的下方,设有第一升降磁铁33以及第二升降磁铁34。
第一升降磁铁33与第一开闭用磁铁28的下方相向。第一升降磁铁33是永磁铁,具有以旋转轴线A1为中心的圆环状。第一升降磁铁33的磁极方向是沿着上下方向的方向,第一升降磁铁33的上表面具有与第一开闭用磁铁28的下表面相同的极性。
第一升降磁铁33与第一升降单元(第二移动单元)35相结合,该第一升降单元35用于使第一升降磁铁33升降。第一升降单元35例如是包括被设为能够在上下方向伸缩的缸体的结构。另外,第一升降单元35也可以利用电动马达构成。
在第一实施方式中,由第一开闭用磁铁28、第一连杆机构29、第一升降磁铁33以及第一升降单元35构成第二移动单元。
第二升降磁铁34与第二开闭用磁铁30的下方相向。第二升降磁铁34是永磁铁,具有以旋转轴线A1为中心的圆环状。第二升降磁铁34的磁极方向是沿着上下方向的方向,第二升降磁铁34的上表面具有与第二开闭用磁铁30的下表面相同的极性。
第二升降磁铁34与第二升降单元36相结合,该第二升降单元36用于使第二升降磁铁34升降。第二升降单元36例如是包括被设为能够在上下方向伸缩的缸体的结构。另外,第二升降单元36也可以利用电动马达构成。
在第一实施方式中,由第二开闭用磁铁30、第二连杆机构31、第二升降磁铁34以及第二升降单元36构成第四移动单元。
如图5A、5B所示,各第一可动销10A包括:第一轴部41,结合在第一销支撑构件16上;第一支撑部42,一体地形成在第一轴部41的上端。第一轴部41以及第一支撑部42分别形成为圆柱形状。第一支撑部42被设为从第一轴部41的中心轴线相偏离(偏心)。用于连接第一轴部41的上端与第一支撑部42的下端之间的部分的表面形成为第一锥面43,该第一锥面43从第一支撑部42向第一轴部41的周面下降。
如图5A、5B所示,各第一可动销10A,以使第一轴部41能够围绕与其中心轴线同轴的转动轴线A2旋转的方式,结合在第一销支撑构件16上。更详细而言,在第一轴部41的下端部设有第一支撑轴45,该第一支撑轴45经由第一轴承44来被第一销支撑构件16支撑。
如图5A、5B所示,第一可动销10A具有第一支撑部42,该第一支撑部42位于从转动轴线A2偏离(偏心)的位置。即,第一支撑部42的中心轴线与转动轴线A2错开。因此,通过第一轴部41的旋转,能够使第一支撑部42在其中心轴线距离旋转轴线A1远的开放位置(图5B所示的位置)和其中心轴线距离旋转轴线A1近的保持位置(图5A所示的位置)之间移位。第一可动销10A在位于开放位置的状态下,与基板W的周端面间形成规定的间隙。
在图5A中,示出了第一升降磁铁33位于下方位置的状态,在图5B中,示出了第一升降磁铁33位于上方位置的状态。如图5A所示,在第一升降磁铁33位于下方位置的状态下,来自第一升降磁铁33的磁力不会作用到第一开闭用磁铁28上。因此,第一开闭用磁铁28位于下方位置。在第一开闭用磁铁28位于下方位置的状态下,第一连杆机构29将第一可动销10A的第一支撑部42配置在保持位置。因此,在第一升降磁铁33位于下方位置的状态下,第一可动销10A的第一支撑部42被配置在保持位置。
从图5A所示的状态开始,使第一升降磁铁33上升,将其配置在上方位置。由于第一升降磁铁33的上表面接近第一开闭用磁铁28,因此在第一开闭用磁铁28上产生排斥(远离)磁力,使得第一开闭用磁铁28被配置在上方位置。在第一开闭用磁铁28位于上方位置的状态下,第一连杆机构29将第一可动销10A的第一支撑部42配置在开放位置。因此,在第一升降磁铁33位于上方位置的状态下,第一可动销10A的第一支撑部42被配置在开放位置。
如图6A、6B所示,各第二可动销10B包括:第二轴部51,结合在第二销支撑构件21上;第二支撑部52,一体地形成在第二轴部51的上端。第二轴部51以及第二支撑部52分别形成为圆柱形状。第二支撑部52被设为从第二轴部51的中心轴线相偏离(偏心)。用于连接第二轴部51的上端与第二支撑部52的下端之间的部分的表面形成为第二锥面53,该第二锥面53从第二支撑部52向第二轴部51的周面下降。
如图6A、6B所示,各第二可动销10B,以使第二轴部51能够围绕与其中心轴线同轴的转动轴线A3旋转的方式,结合在第二销支撑构件21上。更详细而言,在第二轴部51的下端部设有第二支撑轴55,该第二支撑轴55经由第二轴承54来被第二销支撑构件21支撑。
如图6A、6B所示,第二可动销10B具有第二支撑部52,该第二支撑部52位于从转动轴线A3偏离(偏心)的位置。即,第二支撑部52的中心轴线与转动轴线A3错开。因此,通过第二轴部51的旋转,能够使第二支撑部52在其中心轴线距离旋转轴线A1远的开放位置(图6B所示的位置)和其中心轴线距离旋转轴线A1近的保持位置(图6A所示的位置)之间移位。第二可动销10B在位于开放位置的状态下,与基板W的周端面间形成规定的间隙。
在图6A中,示出了第二升降磁铁34位于下方位置的状态,在图6B中,示出了第二升降磁铁34位于上方位置的状态。如图6A所示,在第二升降磁铁34位于下方位置的状态下,来自第二升降磁铁34的磁力不会作用到第二开闭用磁铁30上。因此,第二开闭用磁铁30位于下方位置。在第二开闭用磁铁30位于下方位置的状态下,第二连杆机构31将第二可动销10B的第二支撑部52配置在保持位置。因此,在第二升降磁铁34位于下方位置的状态下,第二可动销10B的第二支撑部52被配置在保持位置。
从图6A所示的状态开始,使第二升降磁铁34上升,将其配置在上方位置。由于第二升降磁铁34的上表面接近第二开闭用磁铁30,因此在第二开闭用磁铁30上产生排斥(远离)磁力,使得第二开闭用磁铁30被配置在上方位置。在第二开闭用磁铁30位于上方位置的状态下,第二连杆机构31将第二可动销10B的第二支撑部52配置在开放位置。因此,在第二升降磁铁34位于上方位置的状态下,第二可动销10B的第二支撑部52被配置在开放位置。
因此,在第一实施方式的旋转卡盘5中,在第一可动销10A以及第二可动销10B围绕旋转轴线A1旋转的过程中,能够个别地使3个第一可动销10A与3个第二可动销10B开闭。
而且,各第一可动销10A在相对于旋转基座8而位于从第一周方向位置P51(参照图7A)到第二周方向位置P52(参照图7A)为止的任意位置的情况下,都能够使各第一可动销10A开闭。另外,各第二可动销10B相对于旋转基座8而位于从第三周方向位置P53(参照图7B)到第四周方向位置P54(参照图7B)为止的任意位置的情况下,都能够使各第二可动销10B开闭。
图7A是用于说明第一支撑部42的保持位置以及开放位置的俯视图。
将第一销支撑构件16位于第一周方向位置时的第一支撑部42的位置,设为第一周方向位置P51。将该状态下的第一支撑部42的保持位置,称为第一保持位置P1;将该状态下的第一支撑部42的开放位置,称为第一开放位置P6。另外,将第一销支撑构件16位于第二周方向位置时的第一支撑部42的位置,设为第二周方向位置P52。将该状态下的第一支撑部42的保持位置,称为第二保持位置P2;将该状态下的第一支撑部42的开放位置,称为第二开放位置P7。
图7B是用于说明第二支撑部52的保持位置以及开放位置的俯视图。
将第二销支撑构件21位于第三周方向位置时的第二支撑部52的位置,设为第三周方向位置P53。将该状态下的第二支撑部52的保持位置,称为三保持位置P11;将该状态下的第二支撑部52的开放位置,称为第三开放位置P16。另外,将第二销支撑构件21位于第四周方向位置时的第二支撑部52的位置,设为第四周方向位置P54。将该状态下的第二支撑部52的保持位置,称为第四保持位置P12;将该状态下的第二支撑部52的开放位置,称为第四开放位置P17。
如图2所示,药液供给单元6包括药液喷嘴71。药液喷嘴71例如是直管喷嘴(Straight Nozzle),以连续流的状态喷出液体;在旋转卡盘5的上方,药液喷嘴71以使其喷出口朝向基板W的上表面的旋转中心附近的方式固定配置。在药液喷嘴71上,连接有从蚀刻液供给源供给药液的药液配管72。在药液配管72上安装有药液阀73,药液阀73用于切换从药液喷嘴71供给或停止供给蚀刻液。被供给至药液喷嘴71的药液例如是含有硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氟酸、氨水,过氧化氢水(双氧水)、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如,TMAH(四甲基氢氧化铵等))、疏水剂(例如TMS(四甲基硅烷),HMDS(六甲基二硅氮烷)等)、有机溶剂(例如,IPA(异丙醇)等)以及界面活性剂、防腐剂中的至少一种的液体。药液供给单元6也可以具备药液喷嘴移动装置,该药液喷嘴移动装置通过移动药液喷嘴71,来使针对基板W的上表面的药液的着落位置在基板W的面内扫描。
如图2所示,漂洗液供给单元7包括漂洗液喷嘴76。漂洗液喷嘴76例如是直管喷嘴(Straight Nozzle),以连续流的状态喷出液体;在旋转卡盘5的上方,漂洗液喷嘴76以使其喷出口朝向基板W的上表面的旋转中心附近的方式固定配置。在漂洗液喷嘴76上,连接有从漂洗液供给源供给漂洗液的漂洗液配管77。在漂洗液配管77上安装有漂洗液阀78,漂洗液阀78用于切换从漂洗液喷嘴76供给或停止供给漂洗液。作为被供给到漂洗液喷嘴76的水,可以举出DIW(去离子水),但也可以是碳酸水、电解离子水、氢化水(Hydrogen Water,又名“富氢水”)、臭氧水、稀释浓度(例如,10~100ppm程度)的盐酸水、还原水(氢化水)、脱气水等。漂洗液供给单元7也可以具备漂洗液喷嘴移动装置,该漂洗液喷嘴移动装置通过移动漂洗液喷嘴76,来使针对基板W的上表面的漂洗液的着落位置在基板W的面内扫描。
图8是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。
控制装置3例如用微型计算机构成。控制装置3具有:CPU等的计算单元;固定存储设备、硬盘驱动器等的存储单元;以及输入输出单元。在存储单元中,存储有由计算单元执行的程序。
另外,在控制装置3上,作为控制对象而连接有旋转马达12、第一转动单元26、第二转动单元27、药液阀73、漂洗液阀78、第一升降单元35、第二升降单元36等。控制装置3按照预先设定的程序,控制旋转马达12、第一转动单元26、第二转动单元27、第一升降单元35、第二升降单元36等的动作。进而,控制装置3按照预先设定的程序,开闭药液阀73、漂洗液阀78等。
图9是用于说明处理单元2所执行的基板处理的一例的流程图。图10A~10F是用于说明在药液处理工序(S4)以及漂洗液处理工序(S5)中执行的基板转动工序的示意俯视图。下面,参照图2~图4、图7A、7B、图8以及图9来说明基板转动工序。对于图10A~10F,可以适当参照。
由处理单元2执行的基板处理,是漂洗处理或蚀刻处理。将保持在旋转卡盘5上的基板W的上表面作为处理对象。下面,参照图2~图4、图8以及图9,来说明基板处理的一例。
在通过处理单元2对基板W实施基板处理时,未处理的基板W被搬入至腔室4的内部(图9的步骤S1)。
具体而言,控制装置3,使保持着基板W的基板搬送机器人CR的机械手H2进入腔室4的内部。由此,基板W在其表面朝向上方的状态下,被交接至旋转卡盘5。然后,控制装置3握持基板W(图9的步骤S2:夹持基板W)。具体而言,控制装置3控制第一和第二升降单元35、36,将至此之前处于上方位置的第一和第二开闭用磁铁28、30配置在下方位置,来将第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42以及第二支撑部(第二可动销10B的支撑部)52分别配置在保持位置。由此,3个第一可动销10A以及3个第二可动销10B各自与基板W的周缘部接触,从而由6个可动销10保持基板W。
由6个可动销10握持基板W后,控制装置3通过旋转马达12使基板W开始旋转(图9的步骤S3)。使基板W的转速上升至预先设定的液处理速度(在几十~一千几百rpm的范围内,例如约1000rpm),并保持该液体处理速度。
接下来,控制装置3进行利用药液对基板W的上表面进行处理的药液处理工序(图9的步骤S4)。具体而言,控制装置3控制旋转马达12,一边使旋转基座8以及第一和第二可动销10A、10B围绕旋转轴线A1而向旋转方向Dr1以液处理速度旋转,一边通过打开药液阀73,使得药液喷嘴71向基板W的上表面的中央部喷出药液。被供给到基板W的上表面的中央部的药液,受到因基板W的旋转而发生的离心力,在基板W的上表面上流向基板W的周缘部。由此,药液扩散遍及到基板W的整个上表面,通过药液对基板W的整个上表面进行处理。
在药液处理工序(S4)中,执行使基板W相对于旋转基座8转动的基板转动工序。在药液处理工序(S4)开始时,如图10A所示,基板W的周缘部,被第一支撑部42配置在第一保持位置P1的3个第一可动销10A,和第二支撑部52配置在第四保持位置P12的3个第二可动销10B,接触支撑。
在药液处理工序(S4)中,如果到达执行基板转动工序的时机(时刻),则控制装置3,从图10A所示的状态,控制第二升降单元36,将至此之前位于下方位置的第二开闭用磁铁30配置在上方位置,来将各第二支撑部(第二可动销10B的支撑部)52从第四保持位置P12移动到第四开放位置P17(第四移动工序)。由此,如图10B所示,第一支撑部42配置在第一保持位置P1,并且第二支撑部52配置在第四开放位置P17。3个第二支撑部52从基板W的周缘部离开,其结果,基板W处于仅由3个第一可动销10A握持的状态。
接下来,控制装置3控制第一转动单元26,使3个第一可动销10A相对于旋转基座8向第一周方向Y1相对移动。由此,各第一支撑部42一边维持位于保持位置的状态,一边从第一保持位置P1向第二保持位置P2移动(第一周方向移动工序)。随着这些各第一支撑部42的相对移动,如图10C中的空心箭头所示,基板W围绕旋转轴线A1相对于旋转基座8而向转动方向Dr2(与第一周方向Y1相同的方向)相对转动。与第一支撑部42从第一保持位置P1向第二保持位置P2移动一次相伴的基板W的转动角,例如为几度(°)(例如约5°左右)。在该实施方式中,第一可动销10A沿着周方向Y的移动方向(即第一周方向Y1),是与旋转方向Dr1相反的方向。因此,基板W的转动方向Dr2成为与旋转方向Dr1相反的方向。
另外,与各第一支撑部42向第二保持位置P2的移动并行地,控制装置3控制第二转动单元27,使3个第二可动销10B相对于旋转基座8而向第二周方向Y2移动。由此,至此之前位于第四开放位置P17的各第二支撑部52,如图10C所示,被配置在第三开放位置P16。
接下来,控制装置3控制第二升降单元36,将至此之前处于上方位置的第二开闭用磁铁30配置在下方位置,如图10D所示,使得各第二支撑部(第二可动销10B的支撑部)52从第三开放位置P16移动到第三保持位置P11(第四移动工序)。由此,配置在第三保持位置P11的3个第二支撑部52与基板W的周缘部接触,其结果,处于由3个第一可动销10A以及3个第二可动销10B握持基板W的状态。
接下来,控制装置3控制第一升降单元35,将至此之前位于下方位置的第一开闭用磁铁28配置在上方位置,来将各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42从第二保持位置P2移动到第二开放位置P7。由此,如图10D所示,各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42被配置在第二开放位置P7。3个第一支撑部42从基板W的周缘部离开,其结果,处于仅由3个第二可动销10B握持基板W的状态。
接下来,控制装置3控制第二转动单元27,使3个第二可动销10B相对于旋转基座8向第一周方向Y1相对移动。由此,各第二支撑部52一边维持位于保持位置的状态,一边从第三保持位置P11向第四保持位置P12移动(第二周方向移动工序)。随着这些各第二支撑部52的相对移动,如图10E中的空心箭头所示,基板W围绕旋转轴线A1相对于旋转基座8而向转动方向Dr2相对转动。与第二支撑部52从第三保持位置P11向第四保持位置P12移动一次相伴的基板W的转动角,例如为几度(°)(例如约5°左右)。
另外,与各第二支撑部52向第四保持位置P12的移动并行地,控制装置3控制第一转动单元26,使3个第二可动销10A相对于旋转基座8而向第二周方向Y2移动。由此,至此之前位于第二开放位置P7的各第一支撑部42,如图10E所示,被配置在第一开放位置P6。(第二移动工序)。
接下来,控制装置3控制第一升降单元35,将至此之前处于上方位置的第一开闭用磁铁28配置在下方位置,来将各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42从第一开放位置P6移动到第一保持位置P1。由此,如图10F所示,使各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42返回至第一保持位置P1(第三移动工序)。3个第一支撑部42与基板W的周缘部接触,其结果,处于由3个第一可动销10A以及3个第二可动销10B握持基板W的状态。
由此,在一次基板转动动作(一系列的交替保持动作)中,能够使基板W转动两次(合计约10°)。因此,在一次基板转动动作(一系列的交替保持动作)中,能够使基板W的周缘部上的接触支撑位置发生很大改变。在药液处理工序(S4)中,每隔规定时间来间歇性地执行这样的基板转动动作。
如果从喷出药液开始经过了预先设定的时间,则控制装置3关闭药液阀73,停止从药液喷嘴71喷出药液。由此,药液处理工序(S4)结束。
接下来,控制装置3进行对附着在基板W的上表面的药液进行冲洗的漂洗液处理工序(图9中的步骤S5)。具体而言,控制装置3,一边控制旋转马达12,使旋转基座8以及第一和第二可动销10A、10B围绕旋转轴线A1而向旋转方向Dr1以液处理速度旋转,一边通过打开漂洗液阀78来从漂洗液喷嘴76向基板W的上表面的中央部喷出漂洗液。被供给到基板W的上表面的中央部的漂洗液,受到因基板W的旋转而发生的离心力,在基板W的上表面上流向基板W的周缘部。由此,漂洗液扩散遍及到基板W的整个上表面,从而在基板W的整个上表面上,冲洗掉附着在基板W的上表面的药液。
在漂洗液处理工序(S5)中,执行使基板W相对于旋转基座8转动的基板转动工序。在漂洗液处理工序(S5)中执行的基板转动工序,是与在药液处理工序(S4)中执行的基板转动工序同样的工序,因此省略其详细说明。在漂洗液处理工序(S5)中,每隔规定时间来间歇性地执行这样的基板转动动作。
如果从喷出漂洗液开始经过了预先设定的时间,则控制装置3关闭漂洗液阀78,停止从漂洗液喷嘴76喷出漂洗液。由此,漂洗液处理工序(S5)结束。
接下来,进行使基板W干燥的旋转脱水(图9中的步骤S6)。具体而言,控制装置3控制旋转马达12,将基板W加速到比S4、S5的各处理工序中的旋转速度大的干燥旋转速度(例如几千rpm。例如二千rpm以上),并以该干燥旋转速度使基板W旋转。由此,对基板W上的液体施加到大的离心力,附着在基板W的周缘部的液体被甩向基板W的周围。这样一来,从基板W的周缘部除去液体,从而能够干燥基板W的周缘部。
如果从基板W开始高速旋转经过了规定时间,则控制装置3通过控制旋转马达12,来停止通过旋转卡盘5来使基板W旋转(图9中的步骤S7)。
然后,控制装置3,解除对基板W的握持(图9中的步骤S8:解除夹持)。具体而言,控制装置3控制第一和第二升降单元35、36,将至此之前位于下方位置的第一和第二开闭用磁铁28、30配置在上方位置,从而将第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42以及第二支撑部(第二可动销10B的支撑部)52分别配置在开放位置。由此,3个第一支撑部42以及3个第二支撑部52各自从基板W的周缘部离开,基板W的握持被解除。然后,处理完的W被基板搬送机器人CR的机械手H2从腔室4内搬出(图9中的步骤S9)。
如上所述,根据第一实施方式,在各第一支撑部42位于第一保持位置P1且各第二支撑部52位于开放位置的状态下,仅由各第一可动销10A支撑基板W。在该状态下,如果使各第一支撑部42,一边维持位于保持位置的状态一边从第一保持位置P1向第一周方向Y1移动到第二保持位置P2,则随着第一支撑部42的移动,基板W相对于旋转基座8而围绕旋转轴线A1向转动方向Dr2相对转动。另外,在各第一支撑部42到达第二保持位置P2之后,使各第二支撑部52从第三开放位置P16移动到第三保持位置P11。其结果,基板W不仅被各第一可动销10A保持,还被各第二可动销10B保持。即,能够一边仅由各第一可动销10A支撑基板W,一边使该各第一可动销10A向第一周方向Y1移动,从而使基板W相对于旋转基座8向转动方向Dr2相对转动。由此,能够一边良好地水平保持基板W,一边使基板W的周缘部上的接触支撑位置向转动方向Dr2相对变化。
另外,在第二支撑部52向第三保持位置P11的移动结束之后,使各第一支撑部42从第二保持位置P2移动到第二开放位置P7。由此,处于各第二支撑部52位于第三保持位置P11且各第一可动销10A位于第二开放位置P7的状态。在该状态下,仅由各第二可动销10B支撑基板W。在该状态下,如果使各第二支撑部52,一边维持位于保持位置的状态一边从第三保持位置P11向第一周方向Y1移动到第四保持位置P12,则随着第二支撑部52的移动,基板W相对于旋转基座8而围绕旋转轴线A1向转动方向Dr2相对转动。另外,在各第二支撑部52到达第四保持位置P12之后,将各第一支撑部42从第一开放位置P6移动到第一保持位置P1。其结果,基板W不仅被各第二可动销10B保持,还被各第一可动销10A保持。即,能够一边仅由各第二可动销10B支撑基板W,一边使该各第二可动销10B向第一周方向Y1移动,从而使基板W向转动方向Dr2相对转动。由此,能够一边良好地水平保持基板W,一边使基板W的周缘部上的接触支撑位置变化。
接下来,说明第二实施方式。
第二实施方式的旋转卡盘,与第一实施方式的旋转卡盘5的结构的差异在于:第二销支撑构件21被设为不能相对于旋转基座8进行相对转动。即,第二可动销10B被设为不能相对于旋转基座8进行相对转动。第一转动单元26,发挥使销支撑构件(第一销支撑构件16)转动的转动单元的功能。由于第二销支撑构件21不相对于旋转基座8转动,因此也没有设置第二转动单元27。在其他点上,第二实施方式的旋转卡盘与第一实施方式的旋转卡盘5的结构相同。
在第二实施方式中,第二支撑部52所处的位置,仅为第三保持位置P11(参照图7B)或第三开放位置P16(参照图7B)。即,作为第二支撑部52所处的位置,不存在第四保持位置P12(参照图7B)以及第四开放位置P17(参照图7B)。
在第二实施方式的处理单元中,也执行与图9所示的处理同样的处理。在药液处理工序(图9中的S4)以及漂洗液处理工序(图9中的S5)中,执行使基板W相对于旋转基座8转动的基板转动工序。
图11A~11F是用于说明在第二实施方式的药液处理工序(S4)以及漂洗液处理工序(S5)中执行的基板转动工序的示意俯视图。在药液处理工序(S4)或漂洗液处理工序(S5)开始时,如图11A所示,基板W的周缘部,被第一支撑部42配置在第一保持位置P1的3个第一可动销10A,和第二支撑部52配置在第三保持位置P11的3个第二可动销10B,接触支撑。
在药液处理工序(S4)或漂洗液处理工序(S5)中,如果到达执行基板转动工序的时机(时刻),则控制装置3,从图11A所示的状态,控制第二升降单元36,将至此之前位于下方位置的第二开闭用磁铁30配置在上方位置,来将各第二支撑部(第二可动销10B的支撑部)52从第三保持位置P11移动到第三开放位置P16(第四移动工序)。由此,如图11B所示,第一支撑部42配置在第一保持位置P1,并且第二支撑部52配置在第三开放位置P16。3个第二支撑部52从基板W的周缘部离开,其结果,基板W处于仅由3个第一可动销10A握持的状态。
接下来,控制装置3控制第一转动单元26,使3个第一可动销10A相对于旋转基座8向第一周方向Y1相对移动。由此,各第一支撑部42,一边维持位于保持位置的状态一边从第一保持位置P1向第二保持位置P2移动(第一周方向移动工序)。随着这些各第一支撑部42的相对移动,如图11C中的空心箭头所示,基板W围绕旋转轴线A1相对于旋转基座8向转动方向Dr2(与第一周方向Y1相同的方向)相对转动。与第一支撑部42从第一保持位置P1向第二保持位置P2移动一次相伴的基板W的转动角,例如为几度(°)(例如约5°左右)。
接下来,控制装置3控制第二升降单元36,将至此之前处于上方位置的第二开闭用磁铁30配置在下方位置,如图11D所示,使得各第二支撑部(第二可动销10B的支撑部)52从第三开放位置P16移动到第三保持位置P11(第一移动工序)。由此,配置在第三保持位置P11的3个第二支撑部52与基板W的周缘部接触,其结果,处于由3个第一可动销10A以及3个第二可动销10B握持基板W的状态。
接下来,控制装置3控制第一升降单元35,将至此之前位于下方位置的第一开闭用磁铁28配置在上方位置,来将各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42从第二保持位置P2移动到第二开放位置P7。由此,如图11D所示,各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42被配置在第二开放位置P7。3个第一支撑部42从基板W的周缘部离开,其结果,处于仅由3个第二可动销10B握持基板W的状态。
接下来,控制装置3控制第一转动单元26,使3个第一可动销10A相对于旋转基座8向第二周方向Y2移动。由此,如图11E所示,至此之前位于第二开放位置P7的各第一支撑部42,被配置在第一开放位置P6(第二移动工序)。
接下来,控制装置3控制第一升降单元35,将至此之前处于上方位置的第一开闭用磁铁28配置在下方位置,来将各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42从第一开放位置P6移动到第一保持位置P1。由此,如图11F所示,使各第一支撑部(第一可动销10A的支撑部)42返回至第一保持位置P1(第三移动工序)。3个第一支撑部42与基板W的周缘部接触,其结果,处于由3个第一可动销10A以及3个第二可动销10B握持基板W的状态。
就该基板转动动作(一系列的交替保持动作)而言,在一次基板转动动作中,虽然仅能够使基板W转动1次,但也能够改变基板W的周缘部上的接触支撑位置。在药液处理工序(S4)以及漂洗液处理工序(S5)中,每隔规定时间来间歇性地执行这样的基板转动动作。
如上所述,根据第二实施方式,在各第一可动销10A位于第一保持位置P1且各第二可动销10B位于第三开放位置P16的状态下,由各第一可动销10A支撑基板W。在该状态下,如果使各第一支撑部42,一边维持位于保持位置的状态一边从第一保持位置P1向第一周方向Y1移动到第二保持位置P2(执行第一周方向移动工序),则随着第一支撑部42的移动,基板W围绕旋转轴线A1而向转动方向Dr2转动。另外,在各第一支撑部42到达第二保持位置P2之后,使各第二支撑部52从第三开放位置P16移动到第三保持位置P11。其结果,基板W不仅被各第一可动销10A保持,还被各第二可动销10B保持。即,能够一边仅由各第一可动销10A支撑基板W,一边使该各第一可动销10A向第一周方向Y1移动,从而使基板W向转动方向Dr2相对转动。由此,能够一边良好地水平保持基板W,一边使基板W的周缘部上的接触支撑位置向转动方向Dr2相对变化。
图12是用于以图解形式说明本发明的第三实施方式的基板处理装置301的处理单元的结构例的剖视图。图13是用于说明所述处理单元所具备的旋转卡盘305的更具体的结构的俯视图。在第三实施方式中,对于与前述的第一实施方式(如图1~图10所示的实施方式)相同的部分,标注与图1~图10相同的参照用附图标记,并省略其说明。
第三实施方式的旋转卡盘305,与第一实施方式的旋转卡盘5的不同点主要在于:将来自第三和第四升降磁铁333、334的磁力,分别作用于在第一可动销10A以及第二可动销10B上分别设置的第一驱动用磁铁311以及第二驱动用磁铁312,由此分别开闭第一和第二可动销10A、10B。更具体而言在于:作为第二移动单元,设有第一驱动用磁铁311、第一施力用磁铁313、第三升降磁铁333以及第三升降单元335,而取代第一开闭用磁铁28(参照图3)、第一连杆机构29(参照图3)、第一升降磁铁33(参照图3)以及第一升降单元35(参照图3)。另外还在于:作为第四移动单元,设有第二驱动用磁铁312、第二施力用磁铁314、第四升降磁铁334以及第四升降单元336,而取代第二开闭用磁铁30(参照图3)、第二连杆机构31(参照图3)、第二升降磁铁34(参照图3)以及第二升降单元36(参照图3)。
如图12以及图13所示,对应于各第一可动销10A,分别设有一个第一驱动用磁铁311。第一驱动用磁铁311是永磁铁,在水平方向上以直线状延伸。在没有对第一可动销10A施加外力的状态下,多个(例如3个)第一可动销10A所对应的3个第一驱动用磁铁311的磁极方向,在基板W的旋转半径方向上是相同的。
如图12以及图13所示,对应于各第二可动销10B,分别设有一个第二驱动用磁铁312。第二驱动用磁铁312是永磁铁,在水平方向上以直线状延伸。在没有对第二可动销10B施加外力的状态下,多个(例如3个)第二可动销10B所对应的3个第二驱动用磁铁312的磁极方向,在基板W的旋转半径方向上相同。第一驱动用磁铁311的磁极方向与第二驱动用磁铁312的磁极方向,在基板W的旋转半径方向上相异。
在旋转卡盘305的旋转基座8上设有与可动销10的数目相同的(6个)作为施力单元的施力用磁铁。施力用磁铁与可动销10一对一对应地设置,并且与所对应的可动销10相邻地配置。在该实施方式中,如图13所示,施力用磁铁在所对应的可动销10的周围,设置在比俯视时的可动销10的中心位置更靠外侧的位置,该外侧是指从旋转轴线A1远离的方向。多个施力用磁铁包括:3个第一施力用磁铁313,它们对应于第一可动销10A而设,与第一驱动用磁铁311之间存在磁力影响;3个第二施力用磁铁314,它们对应于第二可动销10B而设,与第二驱动用磁铁312之间存在磁力影响。第一施力用磁铁313以及第二施力用磁铁314,在旋转基座8的周方向Y上交替设置,并且不能相对于旋转基座8升降。
在旋转基座8的下方,设有第三升降磁铁333以及第四升降磁铁334。第三升降磁铁333以及第四升降磁铁334的磁极方向,都是沿着上下方向的方向,但互为相反方向。在第三升降磁铁333的上表面例如是N极的情况下,第四升降磁铁334的上表面具有相反极性的S极。
在该实施方式中,如图13所示,分别设有各3个第三升降磁铁333以及第四升降磁铁334。在俯视时,3个第三升降磁铁333以及3个第四升降磁铁334在周方向Y上交替配置。
3个第三升降磁铁333,构成为以旋转轴线A1为中心的圆弧状,位于彼此相同的高度位置且在周方向Y上隔开间隔配置。3个第三升降磁铁333,在与旋转轴线A1同轴的圆周上,在周方向Y上隔开等间隔配置。在第三升降磁铁333上,连接有一并使该多个第三升降磁铁333升降的第三升降单元335。第三升降单元335例如是包括被设为能够在上下方向上伸缩的缸体的结构。另外,第三升降单元335也可以利用电动马达构成。另外,第三升降单元335也可以是包括单个地使第三升降磁铁333升降的多个单个升降单元的结构。
在第三实施方式中,由第一驱动用磁铁311、第一施力用磁铁313、第三升降磁铁333以及第三升降单元335构成第二移动单元。
3个第四升降磁铁334,构成为以旋转轴线A1为中心的圆弧状,位于彼此相同的高度位置且在周方向Y上隔开间隔配置。3个第四升降磁铁334,在与旋转轴线A1同轴的圆周上,在周方向Y上隔开等间隔配置。在第四升降磁铁334上,连接有一并使该多个第四升降磁铁334升降的第四升降单元336。第四升降单元336例如是包括被设为能够在上下方向上伸缩的缸体的结构。另外,第四升降单元336也可以利用电动马达构成。另外,第四升降单元336也可以是包括单个地使第四升降磁铁334升降的多个单个升降单元的结构。
在第三实施方式中,由第二驱动用磁铁312、第二施力用磁铁314、第四升降磁铁334以及第四升降单元336构成第四移动单元。
如图14A、14B所示,第一驱动用磁铁311结合在各第一可动销10A的第一支撑轴45的下端。
在图14A中,示出了第三升降磁铁333位于下方位置的状态;在图14B中,示出了第三升降磁铁333位于上方位置的状态。即使第三升降磁铁333与第一驱动用磁铁311的周方向Y上的位置对齐,如图14A所示,在第三升降磁铁333位于下方位置的状态下,来自第三升降磁铁333的磁力也不会作用到第一驱动用磁铁311。因此,第一可动销10A的第一支撑部42位于保持位置。在该状态下,第一驱动用磁铁311例如这样配置:其N极朝向旋转基座8的径方向上的内方,并且S极朝向旋转基座8的径方向上的外方。
从图14A所示的状态开始,使第三升降磁铁333上升,使其配置在上方位置。因第三升降磁铁333的上表面接近第一驱动用磁铁311,因此对第一驱动用磁铁311产生吸引磁力,在第一驱动用磁铁311与第三升降磁铁333之间产生吸引力。在第三升降磁铁333被配置在上方位置的状态下,对第一驱动用磁铁311发挥作用的吸引磁力的大小,远超过来自第一施力用磁铁313的吸引磁力,由此第一支撑部42从接近旋转轴线A1的保持位置,向远离旋转轴线A1(参照图12)的开放位置移动。由此,对第一支撑部42施加向开放位置的力。在该状态下,如图14B所示,例如第一驱动用磁铁311的S极朝向旋转基座8的径方向上的内方,并且N极朝向旋转基座8的径方向上的外方。
在图15A中,示出了第四升降磁铁334位于下方位置的状态;在图15B中,示出了第四升降磁铁334位于上方位置的状态。即使第四升降磁铁334与第二驱动用磁铁312的周方向Y上的位置对齐,如图15A所示,在第四升降磁铁334位于下方位置的状态下,来自第四升降磁铁334的磁力也不会作用到第二驱动用磁铁312。因此,第二可动销10B的第二支撑部52位于保持位置。在该状态下,第二驱动用磁铁312例如这样配置:其S极朝向旋转基座8的径方向上的内方,并且N极朝向旋转基座8的径方向上的外方。
从图15A所示的状态开始,使第四升降磁铁334上升,使其配置在上方位置。因第四升降磁铁334的上表面接近第二驱动用磁铁312,因此对第二驱动用磁铁312产生吸引磁力,在第二驱动用磁铁312与第四升降磁铁334之间产生吸引力。在第四升降磁铁334被配置在上方位置的状态下,对第二驱动用磁铁312发挥作用的吸引磁力的大小,远超过来自第二施力用磁铁314的吸引磁力,由此第二支撑部52从接近旋转轴线A1的保持位置,向远离旋转轴线A1(参照图12)的开放位置移动。由此,对第二支撑部52施加向开放位置的力。在该状态下,如图15B所示,例如第二驱动用磁铁312的N极朝向旋转基座8的径方向上的内方,并且S极朝向旋转基座8的径方向上的外方。
图16A~16C以及图17A~17C是表示第一可动销10A以及第二可动销10B的状态的示意图。在图16A、16B、17A、17B中,示出了第三和第四升降磁铁333、334的状态;在图16C以及图17C中,示出了各可动销10的支撑部(第一支撑部42以及第二支撑部52)的开闭状況。
第三和第四升降磁铁333、334,在旋转基座8的周方向上以60°的等间隔配置,另外,可动销10也以60°等间隔配置。因此,如图16A以及图17A所示,能够置于这样的初始状态:各第三升降磁铁333与各第一驱动用磁铁311的角度位置对齐,并且各第四升降磁铁334与各第二驱动用磁铁312的角度位置对齐。
在图16A~16C中,示出了第三升降磁铁333配置在上方位置且第四升降磁铁334配置在下方位置的状态。在此情况下,如图16A所示,旋转基座8处于所述初始状态且静止的状态下,3个第一可动销10A的第一支撑部42配置在开放位置(open),并且3个第二可动销10B的第二支撑部52配置在保持位置(close)。
考虑一下从图16A所示的状态开始使旋转基座8旋转的状态。将旋转基座8的旋转速度置为液处理速度(在几十~一千几百rpm的范围内,例如约为1000rpm)。在旋转基座8旋转的状态下,沿着随旋转基座8的旋转而旋转的第一驱动用磁铁311以及第二驱动用磁铁312所通过的环状区域,会形成磁场产生区域315(参照图16B)。该磁场产生区域315的周方向Y上的长度(角度),比所对应的第三升降磁铁333的周方向上的长度(角度)更长。第三升降磁铁333的周方向上的长度(角度)约为50~55°,而且在旋转基座8的周方向Y上设有3个第三升降磁铁333,因此在使基板W以液处理速度旋转时,沿着随旋转基座8的旋转而旋转的第一驱动用磁铁311以及第二驱动用磁铁312所通过的环状区域,会形成全周环状的磁场产生区域315(参照图16B)。
由于磁场产生区域315(参照图16B)呈全周环状,因此不管旋转基座8的旋转姿势如何,来自第三升降磁铁333的吸引磁力都会作用到第一驱动用磁铁311上。因此,在旋转基座8旋转的状态下,如图16C所示,3个第一可动销10A的第一支撑部42配置在开放位置(open)。3个第二可动销10B的第二支撑部52当然配置保持位置(close)。此时,基板W被3个第二可动销10B支撑,良好地旋转。另外,在图16C中,第一支撑部42配置在第一和第二开放位置P6、P7中的任意一个位置(一并参照图7A),另外,第二支撑部52配置在第三和第四保持位置P11、P12中的任意一个位置(一并参照图7B)。在图16C中,用粗线表示能够配置第一和第二支撑部42、52的位置。
在图17A~17C中,示出了第四升降磁铁334配置在上方位置且第三升降磁铁333配置在下方位置的状态。在此情况下,如图17A所示,旋转基座8处于所述初始状态且静止的状态下,3个第二可动销10B的第二支撑部52配置在开放位置(open),并且3个第一可动销10A的第二支撑部42配置在保持位置(close)。
考虑一下从图17A所示的状态开始使旋转基座8旋转的状态。将旋转基座8的旋转速度置为液处理速度(在几十~一千几百rpm的范围内,例如约为1000rpm)。在旋转基座8旋转的状态下,沿着随旋转基座8的旋转而旋转的第一驱动用磁铁311以及第二驱动用磁铁312所通过的环状区域,会形成磁场产生区域316(参照图17B)。该磁场产生区域316的周方向Y上的长度(角度),比所对应的第四升降磁铁334的周方向上的长度(角度)更长。第四升降磁铁334的周方向上的长度(角度)约为50~55°,而且在旋转基座8的周方向Y上设有3个第四升降磁铁334,因此在使基板W以液处理速度旋转时,沿着随旋转基座8的旋转而旋转的第一驱动用磁铁311以及第二驱动用磁铁312所通过的环状区域,会形成全周环状的磁场产生区域316(参照图17B)。
由于磁场产生区域316(参照图17B)呈全周环状,因此不管旋转基座8的旋转姿势如何,来自第四升降磁铁334的吸引磁力都会作用到第二驱动用磁铁312上。因此,在旋转基座8旋转的状态下,如图17C所示,3个第二可动销10B的第二支撑部52配置在开放位置(open)。3个第一可动销10A的第一支撑部42当然配置保持位置(close)。此时,基板W被3个第一可动销10A支撑,良好地旋转。另外,在图17C中,第二支撑部52配置在第三和第四开放位置P16、P17中的任意一个位置(一并参照图7B),另外,第一支撑部42配置在第一和第二保持位置P1、P2中的任意一个位置(一并参照图7A)。在图17C中,用粗线表示能够配置第一和第二支撑部42、52的位置。
这样,在基板W旋转的状态下,通过置为如下状态,即,将第三升降磁铁333配置在上方位置且将第四升降磁铁334配置在下方位置的状态(参照图16A~16C),能够实现仅由3个第二可动销10B支撑基板W的状态。另外,通过置为如下状态,即,第四升降磁铁334配置在上方位置并且第三升降磁铁333配置在下方位置的状态(参照图17A~17C),能够切换为仅由3个第一可动销10A支撑基板W的状态。
图18是用于说明基板处理装置301的主要部分的电气结构的框图。在控制装置3上,作为控制对象而还连接有第三升降单元335、第四升降单元336等。控制装置3按照预先设定的程序,还控制第三升降单元335、第四升降单元336等的动作。
在第三实施方式的旋转卡盘305中,在第一可动销10A以及第二可动销10B围绕旋转轴线A1进行旋转的过程中,能够个别地对3个第一可动销10A和3个第二可动销10B进行开闭。
而且,即使各第一可动销10A相对于旋转基座8而位于从第一周方向位置P51(参照图7A)到第二周方向位置P52(参照图7A)之间的任意位置,也都能够开闭各第一可动销10A。另外,即使各第二可动销10B相对于旋转基座8而位于从第三周方向位置P53(参照图7B)到第四周方向位置P54(参照图7B)之间的任意位置,也都能够开闭各第二可动销10B。
在第三实施方式的处理单元中,也执行与图9所示的处理同样的处理。在药液处理工序(图9中的S4)以及漂洗液处理工序(图9中的S5)中,执行使基板W相对于旋转基座8转动的基板转动工序(参照图10A~图10F)。
以上,说明了本发明的3个实施方式,但本发明还能够以其它方式来进行实施。
例如,在第一以及第三实施方式中,作为基板转动工序,也可以执行如图11A~11F所示的工序。即,可以不执行使用了第一可动销10A的基板转动工序以及使用了第二可动销10B的基板转动工序这两者,而是仅执行使用了第一可动销10A的基板转动工序以及使用了第二可动销10B的基板转动工序中的一者。
另外,也可以组合第二实施方式和第三实施方式。在此情况下,第二销支撑构件21被设置为不能相对于旋转基座8相对转动,因此第二可动销10B被设置为不能相对于旋转基座8相对转动。由于第二销支撑构件21不相对于旋转基座8转动,因此也没有设置第二转动单元27。在此情况下,作为基板转动工序而执行图11A~11F所示的工序。
另外,在第一~第三实施方式中,也可以不在药液处理工序(S4)以及漂洗液处理工序(S5)中都执行基板转动工序,而仅在药液处理工序(S4)以及漂洗液处理工序(S5)的一者(例如药液处理工序(S4))中执行基板转动工序。
另外,在第一~第三实施方式中,在药液处理工序(S4)以及/或漂洗液处理工序(S5)中执行的基板转动工序,也可以连续执行多次。
另外,在第一~第三实施方式中,也可以将基板转动工序中的基板W的转动方向,设定为与药液处理工序以及漂洗液处理工序中的基板W的旋转方向相同的方向,而不是与药液处理工序(S4)以及漂洗液处理工序(S5)中的基板W的旋转方向相反的方向。
另外,在第二实施方式中,也可以将第一销支撑构件16设置为不能相对于旋转基座8相对转动,而不是将第二销支撑构件21设置为不能相对于旋转基座8相对转动。即,虽然说明了第二可动销10B不能在周方向Y上移动而第一可动销10A能够在周方向Y上移动的情况,但与此相反,也可以是第一可动销10A不能在周方向Y上移动而第二可动销10B能够在周方向Y上移动的结构。
另外,在第一~第三实施方式中,虽然举例说明了将第一和第二可动销10A、10B设为3对(共计6个)的结构,但第一和第二可动销10A、10B的数量也可以设为4对以上。
另外,在第一~第三实施方式中,也可以对保持在旋转卡盘5、305上的基板W的下表面供给处理液(药液或漂洗液)。在此情况下,在基板W的周缘部的基板支撑位置,容许从基板W的下表面绕到基板W的上表面,从而能够使用处理液来处理无残留部分地良好地处理基板W的周缘部。
另外,在第一~第三实施方式中,也可以是如下结构:在旋转卡盘5、305中,不是可动销(第一以及/或第二可动销10A、10B)在周方向Y上动,而仅是支撑部(第一支撑部42以及/或第二支撑部52)进行移动。
另外,作为各可动销10的开放位置而设置了2个位置(第一和第二开放位置P6、P7,或第三和第四开放位置P16,P17),但是作为各可动销10的开放位置,也可以仅设置一个位置。
另外,在第一~第三实施方式中,也可以在进行旋转脱水(图9中的步骤S6)的过程中,执行基板转动工序。基板转动工序包括交替保持动作,即,交替用第一可动销10A和第二可动销10B来保持基板W,所以通过在进行使基板W以二千rpm以上进行旋转的旋转脱水(S6)的过程中执行基板转动工序,能够解决第一可动销10A以及第二可动销10B上残留液体的问题。
在第一~第三实施方式中,说明了在基板W进行旋转的期间执行基板转动工序的情况,但也可以在基板W停止旋转的期间执行基板转动工序。
另外,说明了基板处理装置1、301是对圆板状的半导体基板进行处理的装置的情况,但基板处理装置1、301也可以是对液晶显示装置用玻璃基板等的多边形的基板进行处理的装置。
此外,在专利权利要求书中记载的事项的范围内,可以实施各种设计变更。
虽然详细说明了本发明的实施方式,但这些只不过是为了明确本发明的技术内容而采用的具体例子,不可将本发明限定解释为这些具体例子,本发明的范围仅由所附的权利要求书来限定。
本申请对应于2017年3月24日向日本国特许厅提交的日本特愿2017-60022号申请,该申请的全部内容通过引用而包含在本申请中。
Claims (21)
1.一种基板保持旋转装置,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线旋转,其特征在于,包括:
多个可动销,沿着以所述旋转轴线为中心的圆周排列,并且分别具有支撑部,所述支撑部通过与基板的周缘部接触来支撑基板,
旋转单元,使所述多个可动销围绕所述旋转轴线旋转;
所述多个可动销包括:
第一销组,至少包括3个可动销,
第二销组,至少包括3个可动销;
所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在保持位置所包括的第一保持位置和所述保持位置所包括的第二保持位置之间移动,并且能够在所述第一和第二保持位置与远离所述旋转轴线的开放位置之间移动,所述第一保持位置是接近所述旋转轴线的规定的位置,所述第二保持位置接近所述旋转轴线并且在周方向的一方与所述第一保持位置相隔离,
所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在接近所述旋转轴线的所述保持位置与远离所述旋转轴线的所述开放位置之间移动,
在所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第一销组所含的各可动销支撑基板,
所述基板保持旋转装置还包括第一移动单元,所述第一移动单元使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,一边维持位于所述保持位置的状态一边在所述第一保持位置与所述第二保持位置之间沿周方向移动。
2.如权利要求1所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述第一移动单元包括第一周方向移动单元,所述第一周方向移动单元使所述第一销组所含的各可动销,在第一周方向位置与第二周方向位置之间移动,所述第二周方向位置在周方向的所述一方与所述第一周方向位置相隔离,
所述第一保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第一周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置,
所述第二保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第二周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置。
3.如权利要求2所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述基板保持旋转装置还包括:
旋转基座,与所述旋转单元相连结,
销支撑构件,对所述第一销组所含的各可动销进行支撑,能够随着所述旋转基座一起旋转,并且能够相对于所述旋转基座相对转动;
所述第二销组所含的各可动销能够随着所述旋转基座一起旋转,
所述第一周方向移动单元还包括转动单元,所述转动单元使所述销支撑构件相对于所述旋转基座而围绕所述旋转轴线相对转动。
4.如权利要求1所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
在所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第二销组所含的各可动销支撑基板,
所述基板保持旋转装置还包括:
第二移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在所述开放位置与所述保持位置之间移动,
控制装置,用于对所述第一移动单元以及所述第二移动单元进行控制;
所述控制装置执行如下工序:
第一周方向移动工序,在所述第一销组所含的各可动销位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销位于所述开放位置的状态下,通过所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第一保持位置移动到所述第二保持位置,
第一移动工序,在所述第一周方向移动工序结束后,通过所述第二移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述保持位置。
5.如权利要求4所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述控制装置还执行如下工序:
第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,控制所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置,
第三移动工序,在所述第二移动工序之后,控制所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
6.如权利要求4或5所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述控制装置还执行第四移动工序,
在所述第四移动工序中,从所述第一和第二销组所含的各可动销的所述支撑部配置在所述保持位置的状态开始,在所述第一周方向移动工序开始之前,控制所述第一移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述保持位置移动到所述开放位置。
7.如权利要求4或5所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述控制装置还执行旋转工序,
在所述旋转工序中,控制所述旋转单元,使所述多个可动销围绕所述旋转轴线旋转,
所述控制装置,与所述旋转工序并行地,执行所述第一周方向移动工序以及所述第一移动工序。
8.如权利要求4或5所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述第二销组所含的各可动销的支撑部,能够在所述保持位置所包括的规定的第三保持位置与所述保持位置所包括的第四保持位置之间移动,并且能够在所述第三和第四保持位置与所述开放位置之间移动,所述第四保持位置在周方向的所述一方与所述第三保持位置相隔离,
所述基板保持旋转装置还包括:
第三移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,一边维持位于所述保持位置的状态一边在所述第三保持位置与所述第四保持位置之间移动,
第四移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在所述开放位置与所述保持位置之间移动;
所述控制装置还执行如下工序:
第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,控制所述第四移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置,
第二周方向移动工序,在所述第二移动工序之后,控制所述第三移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第三保持位置移动到所述第四保持位置,
第三移动工序,在所述第二周方向移动工序结束后,控制所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
9.如权利要求8所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述第二移动单元包括:
第一环状磁铁,围绕所述旋转轴线而成为圆环,
第一切换机构,具有第一驱动用磁铁,所述第一驱动用磁铁被设置为能够伴随所述第一销组所包括的各可动销旋转,所述第一切换机构在所述保持位置与所述开放位置之间切换所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,
第一升降磁铁,与所述第一环状磁铁的下方相向,具有与所述第一驱动用磁铁之间相互作用排斥力或吸引力的磁极方向,
第一升降单元,使所述第一升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第一升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第一升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置;
所述第四移动单元包括:
第二环状磁铁,围绕所述旋转轴线而成为圆环,
第二切换机构,具有第二驱动用磁铁,所述第二驱动用磁铁被设置为能够随着所述第二销组所包括的各可动销一起旋转,所述第二切换机构在所述保持位置与所述开放位置之间切换所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,
第二升降磁铁,与所述第二环状磁铁的下方相向,具有与所述第二驱动用磁铁之间相互作用排斥力或吸引力的磁极方向,
第二升降单元,使所述第二升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第二升降磁铁与所述第二驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第二升降磁铁与所述第二驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置。
10.如权利要求8所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述第二移动单元包括:
第一施力单元,对所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,向所述开放位置以及所述保持位置中的一方施力,
第一驱动用磁铁,设置为能够随着所述第一销组所含的各可动销一起旋转,具有彼此相同的磁极方向,
第三升降磁铁,具有在与沿着所述旋转轴线的轴线正交的方向上与所述第一驱动用磁铁之间作用排斥力或吸引力的磁极方向,通过该排斥力或该吸引力,对所述第一销组的所述支撑部,施加向所述开放位置以及所述保持位置的另一方的力,
第一升降移动单元,使所述第三升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第三升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第三升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置;
所述第四移动单元包括:
第二施力单元,对所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,向所述开放位置以及所述保持位置中的一方施力,
第二驱动用磁铁,被设置为能够随着所述第二销组所含的各可动销一起旋转,具有彼此相同且与所述第一驱动用磁铁相反的磁极方向,
第四升降磁铁,具有在与沿着所述旋转轴线的轴线正交的方向上与所述第二驱动用磁铁之间作用排斥力或吸引力的磁极方向,通过该排斥力或该吸引力,对所述第二销组的所述支撑部,施加向所述开放位置以及所述保持位置的另一方的力,
第二升降移动单元,使所述第四升降磁铁在这样的两个位置之间升降,即,该第四升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用所述排斥力或所述吸引力的上方位置,以及所述第四升降磁铁与所述第一驱动用磁铁之间相互作用的所述排斥力或所述吸引力比位于上方位置时小的下方位置。
11.如权利要求10所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述第三升降磁铁以及所述第四升降磁铁分别设置为多个,且两者的数目相同,
多个所述第三升降磁铁以及多个所述第四升降磁铁,在基板的旋转方向上交替配置,并且整体形成为与所述旋转轴线同轴的圆环状。
12.如权利要求8所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述第三移动单元,使所述第二销组所含的各可动销,在第三周方向位置与第四周方向位置之间移动,所述第四周方向位置在周方向的所述一方与所述第三周方向位置相隔离,
所述第三保持位置,是所述第二销组所含的各可动销位于所述第三周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置,
所述第四保持位置,是所述第二销组所含的各可动销位于所述第四周方向位置时的所述支撑部的所述保持位置。
13.如权利要求12所述的基板保持旋转装置,其特征在于,
所述基板保持旋转装置还包括:
旋转基座,与所述旋转单元连结,
第一销支撑构件,对所述第一销组所含的各可动销进行支撑,能够随着所述旋转基座一起旋转,并且能够相对于所述旋转基座相对转动,
第二销支撑构件,是所述第一销支撑构件之外的构件,对所述第二销组所含的各可动销进行支撑,能够随着所述旋转基座一起旋转,并且能够相对于所述旋转基座相对转动;
所述第一移动单元包括第一周方向移动单元,所述第一周方向移动单元使所述第一销组所含的各可动销在第一周方向位置与第二周方向位置之间移动,所述第二周方向位置在周方向的所述一方与所述第一周方向位置相隔离,
所述第一保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第一周方向位置时的所述支持部的所述保持位置,
所述第二保持位置,是所述第一销组所含的各可动销位于所述第二周方向位置时的所述支持部的所述保持位置,
所述第一周方向移动单元包括第一转动单元以及第二转动单元中的一方,所述第一转动单元用于使所述第一销支撑构件相对于所述旋转基座而围绕所述旋转轴线相对转动,所述第二转动单元用于使所述第二销支撑构件相对于所述旋转基座而围绕所述旋转轴线相对转动,
所述第二周方向移动单元,包括所述第一转动单元以及所述第二转动单元的另一方。
14.一种基板处理装置,其特征在于,
包括基板保持旋转装置和处理液供给单元;
所述基板保持旋转装置,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线旋转,
所述基板保持旋转装置包括:
多个可动销,沿着以所述旋转轴线为中心的圆周排列,并且分别具有支撑部,所述支撑部通过与基板的周缘部接触来支撑基板,
旋转单元,使所述多个可动销围绕所述旋转轴线旋转;
所述多个可动销包括:
第一销组,至少包括3个可动销,
第二销组,至少包括3个可动销;
所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在保持位置所包括的第一保持位置和所述保持位置所包括的第二保持位置之间移动,并且能够在所述第一和第二保持位置与远离所述旋转轴线的开放位置之间移动,所述第一保持位置是接近所述旋转轴线的规定的位置,所述第二保持位置接近所述旋转轴线并且在周方向的一方与所述第一保持位置相隔离,
所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在接近所述旋转轴线的所述保持位置与远离所述旋转轴线的所述开放位置之间移动,
在所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第一销组所含的各可动销支撑基板,
所述基板保持旋转装置还包括第一移动单元,所述第一移动单元使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,一边维持位于所述保持位置的状态一边在所述第一保持位置与所述第二保持位置之间沿周方向移动;
所述处理液供给单元,对保持在所述基板保持旋转装置上的基板的主面,供给处理液。
15.如权利要求14所述的基板处理装置,其特征在于,
还包括控制装置,所述控制装置对所述旋转单元以及所述处理液供给单元进行控制,
所述控制装置执行处理液处理工序,在处理液处理工序中,一边通过所述旋转单元使保持在所述基板保持旋转装置上的基板围绕所述旋转轴线旋转,一边通过所述处理液供给单元对该基板的主面供给处理液,从而处理所述基板。
16.如权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第二销组所含的各可动销支撑基板,
所述基板保持旋转装置还包括第二移动单元,所述第二移动单元使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在所述开放位置与所述保持位置之间移动,
所述控制装置,还对所述第一移动单元以及所述第二移动单元进行控制;
所述控制装置与所述处理液处理工序并行地执行如下工序:
第一周方向移动工序,在所述第一销组所含的各可动销位于所述保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销位于所述开放位置的状态下,通过所述第一移动单元,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第一保持位置移动到所述第二保持位置,
第一移动工序,在所述第一周方向移动工序结束后,通过所述第二移动单元,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述保持位置。
17.一种基板处理方法,在基板处理装置中执行,
所述基板处理装置包括基板保持旋转装置,
所述基板保持旋转装置,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕沿着铅垂方向延伸的规定的旋转轴线旋转,
所述基板保持旋转装置包括多个可动销,所述多个可动销沿着以沿着铅垂方向延伸的所述旋转轴线为中心的圆周排列,并且分别具有支撑部,所述支撑部通过与基板的周缘部接触来支撑基板,
所述多个可动销包括:
第一销组,至少包括3个可动销,
第二销组,至少包括3个可动销;
在所述第一销组所含的各可动销的支撑部位于保持位置,并且所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于开放位置的情况下,能够由所述第一销组所含的各可动销支撑基板,
在所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述保持位置,并且所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部位于所述开放位置的情况下,能够由所述第二销组所含的各可动销支撑基板;
所述基板处理方法的特征在于,包括:
基板保持工序,将基板以水平姿势保持在所述基板保持旋转装置上,
处理液处理工序,一边使保持在所述基板保持旋转装置上的基板围绕所述旋转轴线旋转,一边对该基板的主面供给处理液来处理所述基板,
第一周方向移动工序,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述保持位置所包括的第一保持位置移动到所述保持位置所包括的第二保持位置,所述第一保持位置是接近所述旋转轴线的规定的位置,所述第二保持位置接近所述旋转轴线并且在周方向的一方与所述第一保持位置相隔离,
第一移动工序,在所述第一周方向移动工序结束后,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述保持位置。
18.如权利要求17所述的基板处理方法,其特征在于,还包括:
第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置,
第三移动工序,在所述第二移动工序之后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
19.如权利要求17或18所述的基板处理方法,其特征在于,还包括:
第四移动工序,在所述第四移动工序中,从所述第一和第二销组所含的各可动销的所述支撑部配置在所述保持位置的状态开始,在所述第一周方向移动工序开始之前,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述保持位置移动到所述开放位置。
20.如权利要求17或18所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述基板保持旋转装置中,所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,能够在所述保持位置所含的规定的第三保持位置与所述保持位置中的第四保持位置之间移动,并且能够在与开放位置之间移动,所述第四保持位置在周方向的所述一方与所述第三保持位置相隔离,
所述基板处理方法还包括如下工序:
第二移动工序,在所述第一移动工序结束后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述第二保持位置移动到所述开放位置,
第二周方向移动工序,在所述第二移动工序之后,使所述第二销组所含的各可动销的所述支撑部,在周方向上从所述第三保持位置移动到所述第四保持位置,
第三移动工序,在所述第二周方向移动工序结束后,使所述第一销组所含的各可动销的所述支撑部,从所述开放位置移动到所述第一保持位置。
21.如权利要求17或18所述的基板处理方法,其特征在于,
与所述处理液处理工序并行地执行所述第一周方向移动工序以及第一移动工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017060022A JP6892774B2 (ja) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
JP2017-060022 | 2017-03-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108630566A true CN108630566A (zh) | 2018-10-09 |
CN108630566B CN108630566B (zh) | 2022-03-29 |
Family
ID=63582913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810114203.1A Active CN108630566B (zh) | 2017-03-24 | 2018-02-05 | 基板保持旋转装置及具备该装置的基板处理装置及方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10998220B2 (zh) |
JP (1) | JP6892774B2 (zh) |
KR (1) | KR102120535B1 (zh) |
CN (1) | CN108630566B (zh) |
TW (1) | TWI686897B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2018-02-13 TW TW107105226A patent/TWI686897B/zh active
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TW201838087A (zh) | 2018-10-16 |
KR20180108435A (ko) | 2018-10-04 |
CN108630566B (zh) | 2022-03-29 |
JP2018163974A (ja) | 2018-10-18 |
US10998220B2 (en) | 2021-05-04 |
TWI686897B (zh) | 2020-03-01 |
KR102120535B1 (ko) | 2020-06-08 |
JP6892774B2 (ja) | 2021-06-23 |
US20180277417A1 (en) | 2018-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |