JP7471170B2 - 基板処理方法、及び基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 318
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 196
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 44
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 26
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 20
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
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Description
本開示は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。
特許文献１に記載の基板処理装置は、半導体ウェハなどの基板を水平面内で回転させながら、基板の表裏面に処理を施す。基板は、複数個の基板支持部材により摺動自在に保持されている。複数の基板支持部材は、スピンベースと共に回転する。基板は、一定の加減速又は液体の供給によって、基板支持部材に対して滑り出し、基板とスピンベースの回転数に差が生じて基板がスピンベースに対して相対回転を行う。
本開示の一態様は、基板の処理ムラを抑制し、また、基板と基板を把持する把持部との摩耗を抑制し、摩耗によるパーティクルの発生を抑制する、技術を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転部と、前記保持部で水平に保持されている前記基板に対して液体を供給する液供給部と、前記保持部と前記回転部と前記液供給部とを制御する制御部と、を備える。前記保持部は、前記回転部によって回転させられる回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含む。前記制御部は、前記回転部によって前記保持部を回転させると共に前記保持部に保持されている前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持する。前記保持部は、前記第１把持部を前記把持位置と前記解放位置との間で移動させる駆動部と、前記駆動部の駆動力を前記第１把持部に伝達する伝達部とを含む。前記駆動部と前記伝達部とは、前記回転盤と共に回転させられる。前記駆動部は、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の径方向に移動自在なスライダを含む。前記スライダが前記基板の前記径方向外方に移動させられることで、前記第１把持部が前記解放位置から前記把持位置まで移動する。前記駆動部は、前記スライダを前記基板の前記径方向外方に付勢するバネを含む。
本開示の一態様によれば、基板の処理ムラを抑制でき、また、基板と基板を把持する把持部との摩耗を抑制でき、摩耗によるパーティクルの発生を抑制できる。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
先ず、図１及び図２を参照して、基板処理装置１０について説明する。基板処理装置１０は、基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えばシリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。半導体基板又はガラス基板等の表面には、導電膜又は絶縁膜などが形成される。複数の膜が形成されてもよい。基板Ｗは、その表面に、電子回路等のデバイスを含み、不図示の凹凸パターンを含む。基板処理装置１０は、例えば、保持部２０と、回転部４０と、第１液供給部５０と、第２液供給部６０と、第３液供給部７０と、カップ８０と、制御部９０と、を備える。
保持部２０は、基板Ｗを水平に保持する。基板Ｗは、上面Ｗａと下面Ｗｂとを含む。基板Ｗは、その上面Ｗａに、不図示の凹凸パターンを含む。保持部２０は、図２に示すように、回転部４０によって回転させられる回転盤２１と、基板Ｗの周縁を把持する第１把持部２２Ａと、基板Ｗの周縁を把持する第２把持部２２Ｂと、を含む。第１把持部２２Ａ及び第２把持部２２Ｂは、基板Ｗを把持した状態で、回転盤２１と共に回転させられる。
回転盤２１は、円盤状であって、基板Ｗの下方に水平に配置される。回転盤２１の中央には穴が形成され、その穴には第３液供給部７０の液供給軸７２が配置される。液供給軸７２は、筒状の回転軸４１の内部に配置される。回転軸４１は、回転盤２１の中央から下方に延びる。回転軸４１が、回転盤２１の回転中心線である。
第１把持部２２Ａは、図４及び図５に示すように、基板Ｗの周縁を把持する把持位置と、基板Ｗを解放する解放位置との間で移動させられる。第１把持部２２Ａは、基板Ｗの周縁に沿って間隔をおいて３つ配置される。第１把持部２２Ａの数は、３つ以上であればよく、例えば４つでもよい。３つ以上の第１把持部２２Ａは、基板Ｗの周縁に沿って等間隔で配置される。基板Ｗにかかる荷重を均等に分散できる。
第２把持部２２Ｂは、図４及び図５に示すように、第１把持部２２Ａとは独立に、把持位置と解放位置との間で移動させられる。第２把持部２２Ｂは、基板Ｗの周縁に沿って間隔をおいて３つ配置される。第２把持部２２Ｂの数は、３つ以上であればよく、例えば４つでもよい。３つ以上の第２把持部２２Ｂは、基板Ｗの周縁に沿って等間隔で配置される。基板Ｗにかかる荷重を均等に分散できる。
第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとは、詳しくは後述するが、交互に基板Ｗの周縁を把持する。また、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとは、基板Ｗの持ち替え時に、基板Ｗを落とさないように、両方同時に基板Ｗを把持する。更に、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとは、基板Ｗの搬入出時に、基板Ｗを解放する。
第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとは、基板Ｗの周縁に沿って交互に３つ以上ずつ配置される。第１把持部２２Ａのみで基板Ｗを把持する際にも、第２把持部２２Ｂのみで基板Ｗを把持する際にも、基板Ｗをバランス良く把持でき、基板Ｗの中心がずれるのを抑制できる。
保持部２０は、図２に示すように、第１把持部２２Ａを把持位置と解放位置との間で移動させる第１駆動部２３Ａと、第１駆動部２３Ａの駆動力を第１把持部２２Ａに伝達する第１伝達部２４Ａとを含む。第１駆動部２３Ａと第１伝達部２４Ａは、本実施形態では回転盤２１と共に回転させられる。詳しくは後述するが、遠心力をも、第１把持部２２Ａの駆動に利用できる。第１駆動部２３Ａと第１伝達部２４Ａは、複数ずつ設けられてもよい。複数の第１把持部２２Ａを個別に移動できる。
また、保持部２０は、第１把持部２２Ａとは独立して第２把持部２２Ｂを把持位置と解放位置との間で移動させる第２駆動部２３Ｂと、第２駆動部２３Ｂの駆動力を第２把持部２２Ｂに伝達する第２伝達部２４Ｂとを含む。第２駆動部２３Ｂと第２伝達部２４Ｂは、本実施形態では回転盤２１と共に回転させられる。遠心力をも、第２把持部２２Ｂの駆動に利用できる。第２駆動部２３Ｂと第２伝達部２４Ｂは、複数ずつ設けられてもよい。複数の第２把持部２２Ｂを個別に移動できる。
次に、図３を参照して、第１駆動部２３Ａ及び第１伝達部２４Ａの詳細について説明する。なお、第２駆動部２３Ｂは第１駆動部２３Ａと同様に構成され、第２伝達部２４Ｂは第１伝達部２４Ａと同様に構成される。従って、第２駆動部２３Ｂ及び第２伝達部２４Ｂは、図示及び説明を省略する。
第１駆動部２３Ａは、基板Ｗの径方向に移動自在なスライダ２５を含む。基板Ｗの径方向は、回転盤２１の回転中心線に直交する方向である。スライダ２５は、回転盤２１と共に回転し、遠心力によって基板Ｗの径方向外方に移動する。その結果、第１把持部２２Ａが、解放位置から把持位置まで移動する。スライダ２５に作用する遠心力で、第１把持部２２Ａを基板Ｗの周縁に押し付けることができる。
第１駆動部２３Ａは、スライダ２５を基板Ｗの径方向外方に付勢するバネ２６を含む。バネ２６の復元力によって、第１把持部２２Ａを基板Ｗの周縁に押し付けることができる。バネ２６の復元力の代わりに空気等の流体の圧力を利用する場合とは異なり、基板Ｗの回転中に故障等で圧力の供給が途絶えた場合でも、バネの復元力によって基板Ｗを把持し続けることができ、遠心力によって基板Ｗが飛ぶのを防止できる。
第１駆動部２３Ａは、スライダ２５を移動自在に収容するシリンダ２７を含む。シリンダ２７は、回転盤２１に対して固定され、回転盤２１と共に回転する。シリンダ２７は、基板Ｗの径方向に、スライダ２５をガイドする。スライダ２５は、シリンダ２７の内部空間を第１室Ｒ１と第２室Ｒ２とに区画する。
第１室Ｒ１は、密閉されている。第１室Ｒ１の圧力は、第１圧力調整機構２８によって調整される。第１圧力調整機構２８と第１室Ｒ１とは、第１接続ラインＬ１で接続される。第１接続ラインＬ１は、例えば回転盤２１と回転軸４１に形成され、不図示のロータリージョイントを介して第１圧力調整機構２８と接続される。
第１圧力調整機構２８は、第１室Ｒ１の圧力を上昇させる昇圧ライン２８ａを含む。昇圧ライン２８ａには、開閉弁Ｖ１、流量制御器Ｆ１、及び圧力制御器Ｐ１等が設けられる。開閉弁Ｖ１は、昇圧ライン２８ａの流路を開閉する。流量制御器Ｆ１は、第１室Ｒ１の昇圧時に、第１室Ｒ１に供給される空気等の流体の流量を制御する。圧力制御器Ｐ１は、第１室Ｒ１の昇圧時に、その圧力を制御する。
また、第１圧力調整機構２８は、第１室Ｒ１の圧力を減少させる減圧ライン２８ｂを含む。減圧ライン２８ｂには、開閉弁Ｖ２、流量制御器Ｆ２、及び圧力制御器Ｐ２等が設けられる。開閉弁Ｖ２は、減圧ライン２８ｂの流路を開閉する。流量制御器Ｆ２は、第１室Ｒ１の減圧時に、第１室Ｒ１から排出される空気等の流体の流量を制御する。圧力制御器Ｐ２は、第１室Ｒ１の減圧時に、その圧力を制御する。
第２室Ｒ２は、第１室Ｒ１とは異なり、密閉されておらず、開放されている。第２室Ｒ２の圧力は、外気圧に等しく、一定に保たれる。第２室Ｒ２には、バネ２６が弾性変形した状態で配置され、例えば圧縮した状態で配置される。バネ２６は、その復元力によって、スライダ２５を、基板Ｗの径方向外方に付勢する。スライダ２５は、第１室Ｒ１の体積が小さくなる方向に付勢される。
第１圧力調整機構２８が空気等の流体を第１室Ｒ１に供給し、第１室Ｒ１の圧力を上昇させると、スライダ２５がバネ２６の復元力に抗して移動させられる。その結果、第１把持部２２Ａが把持位置から解放位置に移動させられ、基板Ｗから離れる。その際の応力解放によって基板Ｗにかかる負荷は、流体の供給圧力、及び供給速度等で決まる。制御部９０が、圧力制御器Ｐ１又は流量制御器Ｆ１を制御し、駆動力又は駆動速度を制御すれば、基板Ｗの負荷を抑制できる。
一方、第１圧力調整機構２８が空気等の流体を第１室Ｒ１から排出し、第１室Ｒ１の圧力を減少させると、スライダ２５がバネ２６の復元力によって押し戻される。その結果、第１把持部２２Ａが解放位置から把持位置に移動させられ、基板Ｗに当たる。その際に生じる衝撃は、バネの復元力、並びに流体の排出圧力及び排出速度等で決まる。制御部９０が、圧力制御器Ｐ２又は流量制御器Ｆ２を制御し、駆動力又は駆動速度を制御すれば、衝撃を抑制できる。
本実施形態によれば、第１把持部２２Ａを解放位置から把持位置に移動させるのに、バネ２６の復元力を利用し、流体の圧力を利用しない。利用する場合とは異なり、フェールセーフを実現できる。つまり、基板Ｗの回転中に故障等で圧力の供給が途絶えた場合でも、バネの復元力によって基板Ｗを把持し続けることができ、遠心力によって基板Ｗが飛ぶのを防止できる。
第１駆動部２３Ａは、水平方向にスライダ２５と共に移動させられるロッド２９を含む。ロッド２９は、スライダ２５の片側に配置され、シリンダ２７の第１室Ｒ１を貫通し、シリンダ２７から突出する。ロッド２９の長手方向は、スライダ２５の移動方向である。
第１伝達部２４Ａは、一端がロッド２９に対して回転可能に連結され且つ他端が第１把持部２２Ａに対して回転可能に連結されるリンク３０を含む。リンク３０とロッド２９とは、第１ピン３１を中心に屈伸する。また、リンク３０と第１把持部２２Ａとは、第２ピン３２を中心に屈伸する。第１ピン３１と第２ピン３２は、水平に配置される。リンク３０は、鉛直面内にて揺動し、第１把持部２２Ａを揺動させる。第１把持部２２Ａは、例えばＬ字状の鉛直板である。
第１把持部２２Ａは、回転盤２１に保持される水平な第３ピン３３を中心に揺動させられ、鉛直面内で揺動させられる。従って、第１把持部２２Ａを鉛直方向にも移動できる。その結果、基板Ｗから水平に振り切られる液体の、第１把持部２２Ａに当たる範囲を変更でき、第１把持部２２Ａの広い範囲を液体で洗浄できる。第１把持部２２Ａの洗浄は、第２把持部２２Ｂで基板Ｗを把持した状態で実施される。
図１に示すように、回転部４０は、保持部２０を回転させる。回転部４０は、例えば、保持部２０の回転盤２１の中央から下方に延びる回転軸４１と、回転軸４１を回転させる回転モータ４２と、回転モータ４２の回転駆動力を回転軸４１に伝達するベルト４３と、を含む。回転軸４１は筒状であって、回転軸４１の内部には液供給軸７２が配置される。液供給軸７２は、回転軸４１と共には回転されない。
第１液供給部５０は、保持部２０に保持されている基板Ｗの上面Ｗａに対して、液体を供給する。第１液供給部５０は、例えば、液体を吐出するノズル５１と、ノズル５１を基板Ｗの径方向に移動させる移動機構５２と、ノズル５１に対して液体を供給する供給ライン５３と、を有する。ノズル５１は、保持部２０の上方に設けられ、下向きに液体を吐出する。
移動機構５２は、例えば、ノズル５１を保持する旋回アーム５２ａと、旋回アーム５２ａを旋回させる旋回機構５２ｂと、を有する。旋回機構５２ｂは、旋回アーム５２ａを昇降させる昇降機構を兼ねてもよい。旋回アーム５２ａは、水平に配置され、その長手方向一端部にてノズル５１を保持し、その長手方向他端部から下方に延びる旋回軸を中心に旋回させられる。なお、移動機構５２は、旋回アーム５２ａと旋回機構５２ｂとの代わりに、ガイドレールと直動機構とを有してもよい。ガイドレールは水平に配置され、直動機構がガイドレールに沿ってノズル５１を移動させる。
供給ライン５３は、例えば、共通ライン５３ａと、共通ライン５３ａに接続される複数の個別ライン５３ｂと、を含む。個別ライン５３ｂは、液体の種類毎に設けられる。液体の種類としては、例えば、薬液と、リンス液とが挙げられる。薬液は、酸性、アルカリ性、及び中性のいずれでもよい。酸性の薬液は、例えば、ＤＨＦ（希フッ酸）等である。アルカリ性の薬液は、例えば、ＳＣ１（過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む水溶液）等である。中性の薬液は、例えばオゾン水等の機能水である。リンス液は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。個別ライン５３ｂの途中には、液体の流路を開閉する開閉弁５５と、液体の流量を制御する流量制御器５６とが設けられる。
なお、薬液と、リンス液とは、図１では１つのノズル５１から吐出されるが、異なるノズル５１から吐出されてもよい。ノズル５１の数が複数である場合、ノズル５１ごとに供給ライン５３が設けられる。
第２液供給部６０は、第１液供給部５０と同様に、保持部２０に保持されている基板Ｗの上面Ｗａに対して、液体を供給する。第２液供給部６０は、例えば、液体を吐出するノズル６１と、ノズル６１を基板Ｗの径方向に移動させる移動機構６２と、ノズル６１に対して液体を供給する供給ライン６３と、を有する。ノズル６１は、保持部２０の上方に設けられ、下向きに液体を吐出する。第２液供給部６０のノズル６１と、第１液供給部５０のノズル５１とは、独立に移動させられる。
移動機構６２は、例えば、ノズル６１を保持する旋回アーム６２ａと、旋回アーム６２ａを旋回させる旋回機構６２ｂと、を有する。旋回機構６２ｂは、旋回アーム６２ａを昇降させる昇降機構を兼ねてもよい。旋回アーム６２ａは、水平に配置され、その長手方向一端部にてノズル６１を保持し、その長手方向他端部から下方に延びる旋回軸を中心に旋回させられる。なお、移動機構６２は、旋回アーム６２ａと旋回機構６２ｂとの代わりに、ガイドレールと直動機構とを有してもよい。ガイドレールは水平に配置され、直動機構がガイドレールに沿ってノズル６１を移動させる。
供給ライン６３は、乾燥液をノズル６１に対して供給する。乾燥液は、リンス液に比べて、低い表面張力を有するものが用いられる。乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤である。基板Ｗの上面Ｗａの液膜を、リンス液の液膜から乾燥液の液膜に置換したうえで、基板Ｗを乾燥できる。基板Ｗの乾燥の際に、表面張力による凹凸パターンの倒壊を抑制できる。
凹凸パターンは、基板Ｗの上面Ｗａに予め形成される。凹凸パターンは、基板Ｗの下面Ｗｂには予め形成されてなくてもよい。従って、乾燥液は、基板Ｗの上面Ｗａに供給されればよく、基板Ｗの下面Ｗｂには供給されなくてもよい。供給ライン６３の途中には、乾燥液の流路を開閉する開閉弁６５と、乾燥液の流量を制御する流量制御器６６とが設けられる。
本実施形態では、リンス液の液膜を乾燥液の液膜に置換する際に、液膜が途切れないように、リンス液の供給位置と乾燥液の供給位置とを独立に移動させる。具体的には、乾燥液の供給位置を基板Ｗの上面Ｗａの中心に固定した状態で、リンス液の供給位置を基板Ｗの径方向外方に移動させる。そのために、第２液供給部６０と、第１液供給部５０とは、別々に設けられる。
但し、基板Ｗの凹凸パターンの寸法及び形状、基板Ｗの材質等によっては、乾燥液の供給位置を基板Ｗの上面Ｗａの中心に固定した状態で、リンス液の供給位置を基板Ｗの径方向外方に移動させてなくてもよい場合がある。この場合、第２液供給部６０は無くてもよく、第１液供給部５０のノズル５１が乾燥液を吐出してもよい。
第３液供給部７０は、第１液供給部５０及び第２液供給部６０とは異なり、保持部２０に保持されている基板Ｗの下面Ｗｂに対して、液体を供給する。第３液供給部７０は、図２に示すように、保持部２０で保持されている基板Ｗの下面中央に対向配置される複数のノズル７１Ａ、７１Ｂ、７１Ｃを含む。下面中央とは、例えば下面中心から５０ｍｍ以内の領域である。
複数のノズル７１Ａ、７１Ｂ、７１Ｃは、液供給軸７２の上面に形成され、それぞれ、上方に流体を吐出する。ノズル７１Ａは、例えば、薬液と、リンス液とを上方に吐出する。ノズル７１Ｂは、例えば、リンス液を上方に吐出する。ノズル７１Ｃは、例えばＮ２ガス等のガスを上方に吐出する。
第３液供給部７０は、液供給軸７２を有する。液供給軸７２は、回転軸４１の内部に配置され、回転軸４１と共には回転されない。液供給軸７２には、複数のノズル７１Ａ、７１Ｂ、７１Ｃに接続される複数の供給ライン７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃが設けられる。
供給ライン７３Ａは、ノズル７１Ａに接続され、ノズル７１Ａに、薬液と、リンス液とを供給する。供給ライン７３Ａは、例えば、共通ライン７３Ａａと、共通ライン７３Ａａに接続される複数の個別ライン７３Ａｂと、を含む。個別ライン７３Ａｂは、液体の種類毎に設けられる。個別ライン７３Ａｂの途中には、液体の流路を開閉する開閉弁７５Ａと、及び液体の流量を制御する流量制御器７６Ａとが設けられる。
同様に、供給ライン７３Ｂは、ノズル７１Ｂに接続され、ノズル７１Ｂに、リンス液を供給する。供給ライン７３Ｂの途中には、リンス液の流路を開閉する開閉弁７５Ｂと、リンス液の流量を制御する流量制御器７６Ｂとが設けられる。なお、供給ライン７３Ｂのリンス液の供給源と、供給ライン７３Ａのリンス液の供給源とは、図２では共通のものが１つ設けられるが、別々のものが設けられてもよい。
また、供給ライン７３Ｃは、ノズル７１Ｃに接続され、ノズル７１Ｃに、Ｎ２ガス等のガスを供給する。供給ライン７３Ｃの途中には、ガスの流路を開閉する開閉弁７５Ｃと、ガスの流量を制御する流量制御器７６Ｃとが設けられる。
図１に示すように、カップ８０は、基板Ｗに対して供給された各種の液体を回収する。カップ８０は、円筒部８１と、底蓋部８２と、傾斜部８３と、を含む。円筒部８１は、基板Ｗの直径よりも大きい内径を有し、鉛直に配置される。底蓋部８２は、円筒部８１の下端の開口を塞ぐ。傾斜部８３は、円筒部８１の上端全周に亘って形成され、円筒部８１の径方向内側に向うほど上方に傾斜する。底蓋部８２には、カップ８０の内部に溜まった液体を排出する排液管８４と、カップ８０の内部に溜まった気体を排出する排気管８５とが設けられる。
制御部９０は、保持部２０と、回転部４０と、第１液供給部５０と、第２液供給部６０と、第３液供給部７０とを制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリなどの記憶媒体９２と、を備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１０の動作を制御する。
次に、図６及び図７を参照して、基板処理方法について説明する。図６に示す各ステップＳ１～Ｓ６は、制御部９０による制御下で実施される。なお、ステップＳ２～Ｓ５では、基板Ｗは、水平に保持され、且つ鉛直な回転軸４１を中心に回転させられる。また、ステップＳ２～Ｓ５では、第３液供給部７０のノズル７１Ｃがガスを吐出し続ける。
先ず、ステップＳ１では、不図示の搬送装置が、基板Ｗを基板処理装置１０に搬入する。搬送装置は、保持部２０に基板Ｗを載置した後、基板処理装置１０から退出する。保持部２０は、基板Ｗを搬送装置から受け取り、基板Ｗを保持する。図７に示すように、例えば、第１把持部２２Ａが基板Ｗを把持する。第２把持部２２Ｂは基板Ｗを把持しなくてもよい。
次に、ステップＳ２では、基板Ｗの上面Ｗａと下面Ｗｂの両方に、薬液を供給する。薬液は、第１液供給部５０のノズル５１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面全体を処理する。また、薬液は、第３液供給部７０のノズル７１Ａから基板Ｗの下面中央に供給され、遠心力によって下面全体に濡れ広がり、下面全体を処理する。
上記ステップＳ２では、図７に示すように、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとが、交互に基板Ｗを把持する。例えば、先ず、第１把持部２２Ａのみが基板Ｗを把持した状態で、薬液が基板Ｗに供給され、基板Ｗをエッチングする。基板Ｗから薬液に溶出した成分は、薬液と共に基板Ｗから振り切られ、カップ８０に回収される。
第１把持部２２Ａが基板Ｗに当接しており、第１把持部２２Ａの近傍では、液溜まりが生じ、エッチングが阻害される。そこで、基板Ｗの持ち替えが行われる。先ず、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂの両方が同時に基板Ｗを把持し、続いて、第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持する。
第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持した状態で、基板Ｗに薬液が供給される。第１把持部２２Ａの近傍にて、液溜まりが生じないので、エッチングが進む。従って、エッチングムラを抑制できる。基板Ｗのエッチング中に、第１把持部２２Ａのみで基板Ｗを把持する時間と、第２把持部２２Ｂのみで基板Ｗを把持する時間とは、同程度である。
本実施形態によれば、基板Ｗの処理ムラを抑制すべく、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂで基板Ｗを持ち替える。それゆえ、特許文献１のように基板Ｗと保持部２０の回転数に差を生じさせずに済む。本実施形態によれば、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂは、保持部２０と共に回転させられる。従って、基板Ｗと保持部２０との摩耗を抑制し、摩耗によるパーティクルの発生を抑制できる。また、薬液の供給中に、特許文献１のように保持部２０の回転数を加減速しなくてよく、基板Ｗの回転数を一定に維持できる。
図７に示すように、基板Ｗのエッチングが完了すると、再び、基板Ｗの持ち替えが行われる。具体的には、先ず、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂの両方が同時に基板Ｗを把持し、続いて、第１把持部２２Ａのみが基板Ｗを把持する。基板Ｗにかかる応力分布を、元の分布に戻すことができる。
基板Ｗのエッチングが完了した後も、薬液が基板Ｗに供給される。基板Ｗからの溶出成分等の不純物をほとんど含まない薬液を、第１把持部２２Ａ及び第２把持部２２Ｂにかけ流すことができ、異物を除去できる。但し、第１把持部２２Ａが基板Ｗに当接しており、第１把持部２２Ａの近傍では、液溜まりが生じ、異物の除去が阻害される。
そこで、再び、基板Ｗの持ち替えが行われる。先ず、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂの両方が同時に基板Ｗを把持し、続いて、第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持する。第１把持部２２Ａの近傍にて、液溜まりが生じないので、異物の除去が進む。従って、洗浄ムラを抑制できる。第１把持部２２Ａ及び第２把持部２２Ｂの洗浄中に、第１把持部２２Ａのみで基板Ｗを把持する時間と、第２把持部２２Ｂのみで基板Ｗを把持する時間とは、同程度である。
なお、第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持する間、第１把持部２２Ａは解放位置に一時停止させられるが、解放位置と把持位置との間の中間位置と、解放位置の両方にて一時停止させられてもよい。後者の場合、基板Ｗから水平に振り切られる薬液の、第１把持部２２Ａに当たる範囲を変更できる。従って、第１把持部２２Ａの広い範囲を液体で洗浄できる。
同様に、第１把持部２２Ａのみが基板Ｗを把持する間、第２把持部２２Ｂは解放位置に一時停止させられるが、解放位置と把持位置との間の中間位置と、解放位置の両方にて一時停止させられてもよい。後者の場合、基板Ｗから水平に振り切られる薬液の、第２把持部２２Ｂに当たる範囲を変更できる。従って、第２把持部２２Ｂの広い範囲を液体で洗浄できる。
第１把持部２２Ａ及び第２把持部２２Ｂの洗浄後、図７に示すように、再び、基板Ｗの持ち替えが行われてもよい。ステップＳ３の開始前に、基板Ｗにかかる応力分布を、元の分布に戻すことができる。
次に、ステップＳ３では、基板Ｗの上面Ｗａと下面Ｗｂの両方にリンス液を供給し、上記ステップＳ２で形成された薬液の液膜をリンス液の液膜に置換する。リンス液は、第１液供給部５０のノズル５１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面Ｗａに残る薬液を洗い流し、上面Ｗａにリンス液の液膜を形成する。また、リンス液は、第３液供給部７０のノズル７１Ａから基板Ｗの下面中央に供給され、遠心力によって下面全体に濡れ広がり、下面Ｗｂに残る薬液を洗い流し、下面Ｗｂにリンス液の液膜を形成する。
上記ステップＳ３では、図７に示すように、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとが、交互に基板Ｗを把持する。例えば、先ず、第１把持部２２Ａのみが基板Ｗを把持した状態で、リンス液が基板Ｗに供給され、基板Ｗに残る薬液を洗い流す。
第１把持部２２Ａが基板Ｗに当接しており、第１把持部２２Ａの近傍では、液溜まりが生じ、薬液からリンス液への置換が阻害される。そこで、基板Ｗの持ち替えが行われる。具体的には、先ず、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂの両方が同時に基板Ｗを把持し、続いて、第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持する。
第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持した状態で、基板Ｗにリンス液が供給される。第１把持部２２Ａの近傍にて、液溜まりが生じないので、薬液からリンス液への置換が進む。従って、置換ムラを抑制できる。
その後、図７に示すように、ステップＳ４の開始前に、再び、基板Ｗの持ち替えが行われてもよい。基板Ｗにかかる応力分布を、元の分布に戻すことができる。
次に、ステップＳ４では、基板Ｗの上面Ｗａに、乾燥液を供給し、上記ステップＳ３で形成されたリンス液の液膜を乾燥液の液膜に置換する。乾燥液は、第２液供給部６０のノズル６１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面Ｗａに残るリンス液を洗い流し、上面Ｗａに乾燥液の液膜を形成する。
上記ステップＳ４では、図７に示すように、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとが、交互に基板Ｗを把持する。例えば、先ず、第１把持部２２Ａのみが基板Ｗを把持した状態で、乾燥液が基板Ｗに供給され、基板Ｗに残るリンス液を置換する。
第１把持部２２Ａが基板Ｗに当接しており、第１把持部２２Ａの近傍では、液溜まりが生じ、リンス液から乾燥液への置換が阻害される。そこで、基板Ｗの持ち替えが行われる。具体的には、先ず、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂの両方が同時に基板Ｗを把持し、続いて、第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持する。
第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持した状態で、基板Ｗに乾燥液が供給される。第１把持部２２Ａの近傍にて、液溜まりが生じないので、リンス液から乾燥液への置換が進む。従って、置換ムラを抑制できる。
その後、図７に示すように、ステップＳ５の開始前に、再び、基板Ｗの持ち替えが行われてもよい。基板Ｗにかかる応力分布を、元の分布に戻すことができる。
次に、ステップＳ５では、基板Ｗを水平に保持すると共に回転し、基板Ｗを乾燥させる。基板Ｗに対して液体は供給されず、基板Ｗに残る乾燥液が振り切られ、基板Ｗが乾燥させられる。
上記ステップＳ５では、図７に示すように、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂとが、交互に基板Ｗを把持する。例えば、先ず、第１把持部２２Ａのみが基板Ｗを把持した状態で、基板Ｗが回転させられ、基板Ｗに残る乾燥液が振り切られる。
第１把持部２２Ａが基板Ｗに当接しており、第１把持部２２Ａの近傍では、液溜まりが生じ、乾燥液が残りやすい。そこで、基板Ｗの持ち替えが行われる。具体的には、先ず、第１把持部２２Ａと第２把持部２２Ｂの両方が同時に基板Ｗを把持し、続いて、第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持する。
第２把持部２２Ｂのみが基板Ｗを把持した状態で、基板Ｗが回転させられ、基板Ｗに残る乾燥液が振り切られる。第１把持部２２Ａの近傍にて、液溜まりが生じないので、乾燥が進む。従って、乾燥ムラを抑制できる。
次に、ステップＳ６では、保持部２０が基板Ｗの保持を解除し、続いて不図示の搬送装置が保持部２０から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを基板処理装置１０の外部に搬出する。その後、今回の処理が終了させられる。
次に、図８を参照して、基板Ｗの持ち替え動作の変形例について説明する。上記実施形態では、図７に示すように、制御部９０は、３つの第１把持部２２Ａ－１、２２Ａ－２、２２Ａ－３を同時に移動させる。一方、本変形例では、図８に示すように、制御部９０は、３つの第１把持部２２Ａ－１、２２Ａ－２、２２Ａ－３を予め定めた順番で移動させる。以下、相違点について主に説明する。
例えば、制御部９０は、３つの第２把持部２２Ｂ－１、２２Ｂ－２、２２Ｂ－３で基板Ｗを保持した状態で、３つの第１把持部２２Ａ－１、２２Ａ－２、２２Ａ－３を予め定めた順番で解放位置から把持位置まで移動させる。基板Ｗにかかる総荷重を徐々に増加でき、基板Ｗの破損を抑制できる。
また、制御部９０は、３つの第２把持部２２Ｂ－１、２２Ｂ－２、２２Ｂ－３で基板Ｗを保持した状態で、３つの第１把持部２２Ａ－１、２２Ａ－２、２２Ａ－３を予め定めた順番で把持位置から解放位置まで移動させる。基板Ｗにかかる総荷重を徐々に減少でき、基板Ｗの破損を抑制できる。
なお、図示しないが、制御部９０は、３つの第１把持部２２Ａ－１、２２Ａ－２、２２Ａ－３で基板Ｗを保持した状態で、３つの第２把持部２２Ｂ－１、２２Ｂ－２、２２Ｂ－３を予め定めた順番で解放位置から把持位置まで、又は把持位置から解放位置まで移動させてもよい。
次に、図９を参照して、第１変形例に係る保持部２０について説明する。上記実施形態の第１駆動部２３Ａはバネ２６を含むのに対し、本変形例の第１駆動部２３Ａはバネ２６を含まない。本変形例の第１駆動部２３Ａは、第１把持部２２Ａを解放位置から把持位置まで移動させるのに、バネ２６の復元力の代わりに、空気等の流体の圧力を利用する。以下、相違点について主に説明する。
本変形例の第１駆動部２３Ａは、スライダ２５と、シリンダ２７とを含む。スライダ２５は、シリンダ２７の内部空間を第１室Ｒ１と第２室Ｒ２とに区画する。第１室Ｒ１も第２室Ｒ２も、密閉される。第１室Ｒ１の圧力は、第１圧力調整機構２８によって調整される。一方、第２室Ｒ２の圧力は、第２圧力調整機構３４によって調整される。第２圧力調整機構３４と第２室Ｒ２とは、第２接続ラインＬ２で接続される。第２接続ラインＬ２は、第１接続ラインＬ１とは独立に回転盤２１と回転軸４１に形成され、不図示のロータリージョイントを介して第２圧力調整機構３４と接続される。
第２圧力調整機構３４は、第２室Ｒ２の圧力を上昇させる昇圧ライン３４ａを含む。昇圧ライン３４ａには、開閉弁Ｖ３、流量制御器Ｆ３、及び圧力制御器Ｐ３等が設けられる。開閉弁Ｖ３は、昇圧ライン３４ａの流路を開閉する。流量制御器Ｆ３は、第２室Ｒ２の昇圧時に、第２室Ｒ２に供給される空気等の流体の流量を制御する。圧力制御器Ｐ３は、第２室Ｒ２の昇圧時に、その圧力を制御する。
また、第２圧力調整機構３４は、第２室Ｒ２の圧力を減少させる減圧ライン３４ｂを含む。減圧ライン３４ｂには、開閉弁Ｖ４、流量制御器Ｆ４、及び圧力制御器Ｐ４等が設けられる。開閉弁Ｖ４は、減圧ライン３４ｂの流路を開閉する。流量制御器Ｆ４は、第２室Ｒ２の減圧時に、第２室Ｒ２から排出される空気等の流体の流量を制御する。圧力制御器Ｐ４は、第２室Ｒ２の減圧時に、その圧力を制御する。
第２圧力調整機構３４が第２室Ｒ２の圧力を上昇させ、第１圧力調整機構２８が第１室Ｒ１の圧力を減少させると、スライダ２５が基板Ｗの径方向外方に移動させられる。その結果、第１把持部２２Ａが、解放位置から把持位置に移動させられ、基板Ｗに当たる。その際に生じる衝撃は、流体の圧力及び流量等で決まる。制御部９０が、圧力制御器Ｐ３、Ｐ４又は流量制御器Ｆ３、Ｆ４を制御し、駆動力又は駆動速度を制御すれば、衝撃を抑制できる。
一方、第２圧力調整機構３４が第２室Ｒ２の圧力を減少させ、第１圧力調整機構２８が第１室Ｒ１の圧力を上昇させると、スライダ２５が基板Ｗの径方向内方に移動させられる。その結果、第１把持部２２Ａが、把持位置から解放位置に移動させられ、基板Ｗから離れる。その際の応力解放によって基板Ｗにかかる負荷は、流体の圧力及び流量等で決まる。制御部９０が、圧力制御器Ｐ３、Ｐ４又は流量制御器Ｆ３、Ｆ４を制御し、駆動力又は駆動速度を制御すれば、基板Ｗの負荷を抑制できる。
次に、図１０を参照して、第２変形例に係る保持部２０について説明する。以下、相違点について主に説明する。本変形例の第１駆動部２３Ａは、第１把持部２２Ａとリンク３０との連結部が載置される昇降ロッド３５と、昇降ロッド３５の下端を支持する弾性膜３６と、弾性膜３６が区画する上室Ｒ３と下室Ｒ４とを内部に含むシリンダ３７とを含む。シリンダ３７は、回転盤２１に対して固定される。昇降ロッド３５は、シリンダ３７の上室Ｒ３を貫通し、シリンダ３７の上方に突出する。
シリンダ３７の上室Ｒ３は、密閉されておらず、開放されている。上室Ｒ３の圧力は、外気圧に等しく、一定に保たれる。一方、シリンダ３７の下室Ｒ４は、密閉されている。下室Ｒ４の圧力は、第３圧力調整機構３８によって調整される。第３圧力調整機構３８と下室Ｒ４とは、第３接続ラインＬ３で接続される。第３接続ラインＬ３は、回転盤２１と回転軸４１に形成され、不図示のロータリージョイントを介して第３圧力調整機構３８と接続される。
第３圧力調整機構３８は、下室Ｒ４の圧力を上昇させる昇圧ライン３８ａを含む。昇圧ライン３８ａには、開閉弁Ｖ５、流量制御器Ｆ５、及び圧力制御器Ｐ５等が設けられる。開閉弁Ｖ５は、昇圧ライン３８ａの流路を開閉する。流量制御器Ｆ５は、下室Ｒ４の昇圧時に、下室Ｒ４に供給される空気等の流体の流量を制御する。圧力制御器Ｐ５は、下室Ｒ４の昇圧時に、その圧力を制御する。
また、第３圧力調整機構３８は、下室Ｒ４の圧力を減少させる減圧ライン３８ｂを含む。減圧ライン３８ｂには、開閉弁Ｖ６、流量制御器Ｆ６、及び圧力制御器Ｐ６等が設けられる。開閉弁Ｖ６は、減圧ライン３８ｂの流路を開閉する。流量制御器Ｆ６は、下室Ｒ４の減圧時に、下室Ｒ４から排出される空気等の流体の流量を制御する。圧力制御器Ｐ６は、下室Ｒ４の減圧時に、その圧力を制御する。
第３圧力調整機構３８が空気等の流体を下室Ｒ４に供給し、下室Ｒ４の圧力を上昇させると、弾性膜３６が上に凸の曲面に変形し、第３ピン３３が上昇させられ、スライダ２５がバネ２６の復元力に抗して基板Ｗの径方向内方に移動させられる。その結果、第１把持部２２Ａが把持位置から解放位置に移動させられ、基板Ｗから離れる。その際の応力解放によって基板Ｗにかかる負荷は、流体の供給圧力、及び供給速度等で決まる。制御部９０が、圧力制御器Ｐ５又は流量制御器Ｆ５を制御し、駆動力又は駆動速度を制御すれば、基板Ｗの負荷を抑制できる。
一方、第３圧力調整機構３８が空気等の流体を下室Ｒ４から排出し、下室Ｒ４の圧力を減少させると、弾性膜３６が下に凸の曲面に変形し、それに伴って、第３ピン３３が下降させられる。また、スライダ２５がバネ２６の復元力によって基板Ｗの径方向外方に押し戻される。その結果、第１把持部２２Ａが解放位置から把持位置に移動させられ、基板Ｗに当たる。その際に生じる衝撃は、バネの復元力、並びに流体の排出圧力及び排出速度等で決まる。制御部９０が、圧力制御器Ｐ６又は流量制御器Ｆ６を制御し、駆動力又は駆動速度を制御すれば、衝撃を抑制できる。
以上、本開示に係る基板処理装置及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
例えば、薬液は、上記実施形態ではエッチング液であるが、レジスト液であってもよい。
１０ 基板処理装置
２０ 保持部
２１ 回転盤
２２Ａ 第１把持部
２２Ｂ 第２把持部
２３Ａ 第１駆動部（駆動部）
４０ 回転部
５０ 第１液供給部
６０ 第２液供給部
７０ 第３液供給部
９０ 制御部
２０ 保持部
２１ 回転盤
２２Ａ 第１把持部
２２Ｂ 第２把持部
２３Ａ 第１駆動部（駆動部）
４０ 回転部
５０ 第１液供給部
６０ 第２液供給部
７０ 第３液供給部
９０ 制御部
Claims (10)
- 基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転部と、前記保持部で水平に保持されている前記基板に対して液体を供給する液供給部と、前記保持部と前記回転部と前記液供給部とを制御する制御部と、を備える、基板処理装置であって、
前記保持部は、前記回転部によって回転させられる回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記制御部は、前記回転部によって前記保持部を回転させると共に前記保持部に保持されている前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持し、
前記保持部は、前記第１把持部を前記把持位置と前記解放位置との間で移動させる駆動部と、前記駆動部の駆動力を前記第１把持部に伝達する伝達部とを含み、
前記駆動部と前記伝達部とは、前記回転盤と共に回転させられ、
前記駆動部は、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の径方向に移動自在なスライダを含み、
前記スライダが前記基板の前記径方向外方に移動させられることで、前記第１把持部が前記解放位置から前記把持位置まで移動し、
前記駆動部は、前記スライダを前記基板の前記径方向外方に付勢するバネを含む、基板処理装置。 - 前記駆動部は、前記スライダを前記基板の前記径方向に移動自在に収容するシリンダを含み、
前記シリンダは、前記回転盤に対して固定され、
前記スライダは、前記シリンダの内部空間を第１室と第２室とに区画し、
前記シリンダの前記第１室の圧力を調整する圧力調整機構が設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。 - 基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転部と、前記保持部で水平に保持されている前記基板に対して液体を供給する液供給部と、前記保持部と前記回転部と前記液供給部とを制御する制御部と、を備える、基板処理装置であって、
前記保持部は、前記回転部によって回転させられる回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記制御部は、前記回転部によって前記保持部を回転させると共に前記保持部に保持されている前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持し、
前記保持部は、前記第１把持部を前記把持位置と前記解放位置との間で移動させる駆動部と、前記駆動部の駆動力を前記第１把持部に伝達する伝達部とを含み、
前記駆動部と前記伝達部とは、前記回転盤と共に回転させられ、
前記駆動部は、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の径方向に移動自在なスライダを含み、
前記スライダが前記基板の前記径方向外方に移動させられることで、前記第１把持部が前記解放位置から前記把持位置まで移動し、
前記駆動部は、前記スライダと共に移動させられるロッドを含み、
前記伝達部は、一端が前記ロッドに対して回転可能に連結され且つ他端が前記第１把持部に対して回転可能に連結されるリンクを含み、
前記駆動部は、前記第１把持部と前記リンクとの連結部が載置される昇降ロッドと、前記昇降ロッドの下端を支持する弾性膜と、前記弾性膜が区画する上室と下室とを内部に含むシリンダとを含み、
前記シリンダは、前記回転盤に対して固定され、
前記シリンダの前記下室の圧力を調整する圧力調整機構が設けられる、基板処理装置。 - 前記制御部は、前記駆動部の駆動力、又は駆動速度を制御する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
- 基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転部と、前記保持部で水平に保持されている前記基板に対して液体を供給する液供給部と、前記保持部と前記回転部と前記液供給部とを制御する制御部と、を備える、基板処理装置であって、
前記保持部は、前記回転部によって回転させられる回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記制御部は、前記回転部によって前記保持部を回転させると共に前記保持部に保持されている前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持し、
前記第１把持部は、前記回転盤に保持される水平なピンを中心に揺動させられることで、前記解放位置と前記把持位置との間で移動させられ、
前記制御部は、前記回転部によって前記保持部を回転させると共に前記保持部に保持されている前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第２把持部で前記基板を把持した状態で、前記解放位置と前記把持位置との間の中間位置と、前記解放位置の両方にて前記第１把持部を一時停止させる、基板処理装置。 - 基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転部と、前記保持部で水平に保持されている前記基板に対して液体を供給する液供給部と、前記保持部と前記回転部と前記液供給部とを制御する制御部と、を備える、基板処理装置であって、
前記保持部は、前記回転部によって回転させられる回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記制御部は、前記回転部によって前記保持部を回転させると共に前記保持部に保持されている前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持し、
前記第１把持部と、前記第２把持部とは、前記基板の周縁に沿って、交互に３つ以上ずつ配置され、
前記制御部は、３つ以上の前記第２把持部で前記基板を保持した状態で、３つ以上の前記第１把持部を予め定めた順番で前記解放位置から前記把持位置まで移動させる、基板処理装置。 - 基板を水平に保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転部と、前記保持部で水平に保持されている前記基板に対して液体を供給する液供給部と、前記保持部と前記回転部と前記液供給部とを制御する制御部と、を備える、基板処理装置であって、
前記保持部は、前記回転部によって回転させられる回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記制御部は、前記回転部によって前記保持部を回転させると共に前記保持部に保持されている前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持し、
前記第１把持部と、前記第２把持部とは、前記基板の周縁に沿って、交互に３つ以上ずつ配置され、
前記制御部は、３つ以上の前記第２把持部で前記基板を保持した状態で、３つ以上の前記第１把持部を予め定めた順番で前記把持位置から前記解放位置まで移動させる、基板処理装置。 - 基板を水平に保持する保持部を回転させながら、前記基板に対して液体を供給することを含む、基板処理方法であって、
前記保持部は、回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持することを含み、
前記第１把持部は、前記回転盤に保持される水平なピンを中心に揺動させられることで、前記解放位置と前記把持位置との間で移動させられ、
前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第２把持部で前記基板を把持した状態で、前記第１把持部は、前記解放位置と前記把持位置との間の中間位置と、前記解放位置の両方にて一時停止させられる、基板処理方法。 - 基板を水平に保持する保持部を回転させながら、前記基板に対して液体を供給することを含む、基板処理方法であって、
前記保持部は、回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持することを含み、
前記第１把持部と、前記第２把持部とは、前記基板の周縁に沿って、交互に３つ以上ずつ配置され、
３つ以上の前記第２把持部で前記基板を保持した状態で、３つ以上の前記第１把持部を予め定めた順番で前記解放位置から前記把持位置まで移動させることを含む、基板処理方法。 - 基板を水平に保持する保持部を回転させながら、前記基板に対して液体を供給することを含む、基板処理方法であって、
前記保持部は、回転盤と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記基板の周縁を把持する把持位置と前記基板を解放する解放位置との間で移動させられる第１把持部と、前記回転盤と共に回転させられ且つ前記第１把持部とは独立に前記把持位置と前記解放位置との間で移動させられる第２把持部とを含み、
前記基板に対して前記液体を供給する間に、前記第１把持部と前記第２把持部とで交互に前記基板の周縁を把持することを含み、
前記第１把持部と、前記第２把持部とは、前記基板の周縁に沿って、交互に３つ以上ずつ配置され、
３つ以上の前記第２把持部で前記基板を保持した状態で、３つ以上の前記第１把持部を予め定めた順番で前記把持位置から前記解放位置まで移動させることを含む、基板処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020131883A JP7471170B2 (ja) | 2020-08-03 | 2020-08-03 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
| KR1020210096468A KR20220016780A (ko) | 2020-08-03 | 2021-07-22 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| US17/443,286 US11955365B2 (en) | 2020-08-03 | 2021-07-23 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| CN202110843152.8A CN114068386A (zh) | 2020-08-03 | 2021-07-26 | 基片处理方法和基片处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020131883A JP7471170B2 (ja) | 2020-08-03 | 2020-08-03 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022028467A JP2022028467A (ja) | 2022-02-16 |
| JP7471170B2 true JP7471170B2 (ja) | 2024-04-19 |
Family
ID=80003269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020131883A Active JP7471170B2 (ja) | 2020-08-03 | 2020-08-03 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11955365B2 (ja) |
| JP (1) | JP7471170B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220016780A (ja) |
| CN (1) | CN114068386A (ja) |
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2020
- 2020-08-03 JP JP2020131883A patent/JP7471170B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-22 KR KR1020210096468A patent/KR20220016780A/ko active Search and Examination
- 2021-07-23 US US17/443,286 patent/US11955365B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022028467A (ja) | 2022-02-16 |
| US11955365B2 (en) | 2024-04-09 |
| KR20220016780A (ko) | 2022-02-10 |
| US20220037189A1 (en) | 2022-02-03 |
| CN114068386A (zh) | 2022-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240125 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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