CN114068386A - 基片处理方法和基片处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生的基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置包括:用于水平地保持基片的保持部;用于使保持部旋转的旋转部;和控制部。保持部包括:旋转盘,能够由旋转部使旋转盘旋转;第1抓持部,其能够与旋转盘一起旋转,并且能够在抓持基片的周缘的抓持位置与将基片释放的释放位置之间移动;和第2抓持部,其能够与旋转盘一起旋转,并且能够与第1抓持部独立地在抓持位置与释放位置之间移动。控制部能够在由旋转部使保持部旋转并且对被保持部保持的基片供给液体的期间,利用第1抓持部和第2抓持部交替地抓持基片的周缘。

Description

基片处理方法和基片处理装置
技术领域
本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
专利文献1中公开的基片处理装置,一边使半导体晶片等基片在水平面内旋转,一边对基片的正面反面实施处理。基片由多个基片支承部件以可滑动的方式保持。多个基片支承部件与旋转基座一起旋转。基片通过一定的加减速或者液体的供给,相对于基片支承部件滑出,基片与旋转基座的转速产生差异从而使基片相对于旋转基座进行相对旋转。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-93891号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的一个方式提供能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生的技术。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方式的基片处理装置包括:用于水平地保持基片的保持部;用于使所述保持部旋转的旋转部;用于对由所述保持部水平地保持的所述基片供给液体的液体供给部;和用于对所述保持部、所述旋转部和所述液体供给部进行控制的控制部。所述保持部包括:旋转盘,能够由所述旋转部使所述旋转盘旋转;第1抓持部,其能够与所述旋转盘一起旋转,并且能够在抓持所述基片的周缘的抓持位置与将所述基片释放的释放位置之间移动;和第2抓持部,其能够与所述旋转盘一起旋转,并且能够与所述第1抓持部独立地在所述抓持位置与所述释放位置之间移动。所述控制部能够在由所述旋转部使所述保持部旋转并且对被所述保持部保持的所述基片供给液体的期间,利用所述第1抓持部和所述第2抓持部交替地抓持所述基片的周缘。
发明效果
采用本发明的一个方式,能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生。
附图说明
图1是表示一个实施方式的基片处理装置的截面图。
图2是图1的局部放大图。
图3是表示一个实施方式的保持部的截面图,(A)是表示第1抓持部的抓持位置的截面图,(B)是表示第1抓持部的释放位置的截面图。
图4是表示第1抓持部和第2抓持部的移动的一个例子的平面图,(A)是表示两者均位于释放位置的状态的平面图,(B)是表示一者位于抓持位置而另一者位于释放位置的状态的平面图。
图5是表示第1抓持部和第2抓持部的移动的一个例子的平面图,(A)是表示两者均位于抓持位置的状态的平面图,(B)是表示一者位于释放位置而另一者位于抓持位置的状态的平面图。
图6是一个实施方式的基片处理方法的流程图。
图7是表示基片的改换抓持动作的一个例子的时序图。
图8是表示基片的改换抓持动作的另一个例子的时序图。
图9是表示第1变形例的保持部的截面图,(A)是表示第1抓持部的抓持位置的截面图,(B)是表示第1抓持部的释放位置的截面图。
图10是表示第2变形例的保持部的截面图,(A)是表示第1抓持部的抓持位置的截面图,(B)是表示第1抓持部的释放位置的截面图。
附图标记说明
10基片处理装置,20保持部,21旋转盘,22A第1抓持部,22B第2抓持部,23A第1驱动部(驱动部),40旋转部,50第1液体供给部,60第2液体供给部,70第3液体供给部,90控制部。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的实施方式进行说明。在各附图中,有时对相同或相应的构成要素标注相同的附图标记,并省略说明。在本说明书中,X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向,Z轴方向是铅垂方向。
首先,参照图1和图2对基片处理装置10进行说明。基片处理装置10用于对基片W进行处理。基片W例如包括硅晶片或化合物半导体晶片等半导体基片、或者玻璃基片。能够在半导体基片或者玻璃基片等的表面形成导电膜或者绝缘膜等。可以形成多个膜。基片W在其表面包括电子电路等器件,包括未图示的凹凸图案。基片处理装置10例如包括保持部20、旋转部40、第1液体供给部50、第2液体供给部60、第3液体供给部70、杯体80和控制部90。
保持部20用于水平地保持基片W。基片W包括上表面Wa和下表面Wb。基片W在其上表面Wa包括未图示的凹凸图案。如图2所示,保持部20包括:旋转盘21,能够由旋转部40使旋转盘21旋转;用于抓持基片W的周缘的第1抓持部22A;和用于抓持基片W的周缘的第2抓持部22B。第1抓持部22A和第2抓持部22B能够在抓持基片W的状态下,与旋转盘21一起旋转。
旋转盘21为圆盘状,水平地配置在基片W的下方。在旋转盘21的中央形成有孔,在该孔中配置有第3液体供给部70的液体供给轴72。液体供给轴72配置在筒状的旋转轴41的内部。旋转轴41从旋转盘21的中央向下方延伸。旋转轴41为旋转盘21的旋转中心线。
如图4和图5所示,第1抓持部22A能够在抓持基片W的周缘的抓持位置与将基片W释放的释放位置之间移动。第1抓持部22A沿着基片W的周缘隔开间隔配置有3个。第1抓持部22A的数量可以为3个以上,例如可以为4个。3个以上的第1抓持部22A沿着基片W的周缘等间隔地配置。能够使对基片W施加的负荷均等地分散。
如图4和图5所示,第2抓持部22B能够与第1抓持部22A独立地在抓持位置与释放位置之间移动。第2抓持部22B沿着基片W的周缘隔开间隔配置有3个。第2抓持部22B的数量可以为3个以上,例如可以为4个。3个以上的第2抓持部22B沿着基片W的周缘等间隔地配置。能够使对基片W施加的负荷均等地分散。
第1抓持部22A和第2抓持部22B能够交替地抓持基片W的周缘,详细情况将在后面进行说明。而且,第1抓持部22A和第2抓持部22B在基片W的改换抓持时,为了使得基片W不落下,两者同时抓持基片W。另外,第1抓持部22A和第2抓持部22B在基片W的送入送出时,将基片释放。
第1抓持部22A和第2抓持部22B沿着基片W的周缘交替地各配置有3个以上。在仅利用第1抓持部22A抓持基片W时和在仅利用第2抓持部22B抓持基片W时,都能够平衡良好地抓持基片W,能够抑制基片W的中心偏移。
如图2所示,保持部20包括:用于使第1抓持部22A在抓持位置与释放位置之间移动的第1驱动部23A;和用于将第1驱动部23A的驱动力传递至第1抓持部22A的第1传递部24A。第1驱动部23A和第1传递部24A在本实施方式中能够与旋转盘21一起旋转。还能够将离心力用于第1抓持部22A的驱动,详细情况将在后面进行说明。第1驱动部23A和第1传递部24A可以各设置有多个。能够使多个第1抓持部22A单独地移动。
另外,保持部20包括:用于使第2抓持部22B与第1抓持部22A独立地在抓持位置与释放位置之间移动的第2驱动部23B;和用于将第2驱动部23B的驱动力传递至第2抓持部22B的第2传递部24B。第2驱动部23B和第2传递部24B在本实施方式中能够与旋转盘21一起旋转。还能够将离心力用于第2抓持部22B的驱动。第2驱动部23B和第2传递部24B可以各设置有多个。能够使多个第2抓持部22B单独地移动。
接着,参照图3对第1驱动部23A和第1传递部24A的详细情况进行说明。此外,第2驱动部23B与第1驱动部23A同样地构成,第2传递部24B与第1传递部24A同样地构成。因此,第2驱动部23B和第2传递部24B省略图示和说明。
第1驱动部23A包括可在基片W的径向上移动的滑动件25。基片W的径向是与旋转盘21的旋转中心线正交的方向。滑动件25能够与旋转盘21一起旋转,并利用离心力向基片W的径向外侧移动。其结果是,第1抓持部22A从释放位置移动至抓持位置。能够利用作用于滑动件25的离心力,使第1抓持部22A抵靠在基片W的周缘。
第1驱动部23A包括用于对滑动件25向基片W的径向外侧施力的弹簧26。能够利用弹簧26的恢复力,使第1抓持部22A抵靠在基片W的周缘。与使用空气等流体的压力代替弹簧26的恢复力的情况不同,即使在基片W的旋转过程中因故障等而导致压力的供给中断的情况下,也能够利用弹簧的恢复力继续抓持基片W,能够防止因离心力而导致基片W飞出。
第1驱动部23A包括用于将滑动件25以可移动的方式收纳的缸体27。缸体27相对于旋转盘21被固定,能够与旋转盘21一起旋转。缸体27用于在基片W的径向上引导滑动件25。滑动件25将缸体27的内部空间划分为第1室R1和第2室R2。
第1室R1被密闭。第1室R1的压力可由第1压力调节机构28进行调节。第1压力调节机构28和第1室R1通过第1连接线路L1连接。第1连接线路L1例如形成在旋转盘21和旋转轴41中,经由未图示的旋转接头与第1压力调节机构28连接。
第1压力调节机构28包括用于使第1室R1的压力上升的升压线路28a。在升压线路28a中设置有开关阀V1、流量控制器F1和压力控制器P1等。开关阀V1用于将升压线路28a的流路打开和关闭。流量控制器F1用于在第1室R1升压时控制向第1室R1供给的空气等流体的流量。压力控制器P1用于在第1室R1升压时控制其压力。
另外,第1压力调节机构28包括用于使第1室R1的压力减少的减压线路28b。在减压线路28b中设置有开关阀V2、流量控制器F2和压力控制器P2等。开关阀V2用于将减压线路28b的流路打开和关闭。流量控制器F2用于在第1室R1减压时控制从第1室R1排出的空气等流体的流量。压力控制器P2用于在第1室R1减压时控制其压力。
第2室R2与第1室R1不同,没有被密闭,而是开放的。第2室R2的压力与外部气压相等,被保持为一定。在第2室R2中,弹簧26以发生了弹性变形的状态配置,例如以压缩的状态配置。弹簧26能够利用其恢复力,对滑动件25向基片W的径向外侧施力。滑动件25在第1室R1的体积变小的方向上被施力。
当第1压力调节机构28向第1室R1供给空气等流体,使第1室R1的压力上升时,能够使滑动件25对抗弹簧26的恢复力而移动。其结果是,能够使第1抓持部22A从抓持位置向释放位置移动,从基片W离开。通过此时的应力释放而施加于基片W的负荷,由流体的供给压力和供给速度等决定。控制部90如果对压力控制器P1或者流量控制器F1进行控制,对驱动力或者驱动速度进行控制,则能够抑制基片W的负荷。
另一方面,当第1压力调节机构28将空气等流体从第1室R1排出,使第1室R1的压力减少时,能够利用弹簧26的恢复力将滑动件25推回。其结果是,能够使第1抓持部22A从释放位置向抓持位置移动,碰到基片W。此时产生的碰撞,由弹簧的恢复力以及流体的排出压力和排出速度等决定。控制部90如果对压力控制器P2或者流量控制器F2进行控制,对驱动力或者驱动速度进行控制,则能够抑制碰撞。
依照本实施方式,为了使第1抓持部22A从释放位置向抓持位置移动,利用弹簧26的恢复力,而不利用流体的压力。与利用流体的压力的情况不同,能够实现故障安全。即,即使在基片W的旋转过程中因故障等而导致压力的供给中断的情况下,也能够利用弹簧的恢复力继续抓持基片W,能够防止因离心力而导致基片W飞出。
第1驱动部23A包括能够在水平方向上与滑动件25一起移动的杆部件29。杆部件29配置在滑动件25的一侧,贯穿缸体27的第1室R1,从缸体27伸出。杆部件29的长边方向为滑动件25的移动方向。
第1传递部24A包括连杆30,连杆30的一端可旋转地与杆部件29连结,并且连杆30的另一端可旋转地与第1抓持部22A连结。连杆30和杆部件29能够以第1销31为中心进行屈伸。另外,连杆30和第1抓持部22A能够以第2销32为中心进行屈伸。第1销31和第2销32水平地配置。连杆30能够在铅垂面内摆动,从而使第1抓持部22A摆动。第1抓持部22A例如为L字形的铅垂板。
第1抓持部22A能够以被旋转盘21保持的水平的第3销33为中心进行摆动,从而在铅垂面内摆动。因此,也能够使第1抓持部22A在铅垂方向上移动。其结果是,能够改变从基片W被水平地甩开的液体的、碰到第1抓持部22A的范围,能够利用液体对第1抓持部22A的较广的范围进行清洗。第1抓持部22A的清洗能够在由第2抓持部22B抓持基片W的状态下实施。
如图1所示,旋转部40用于使保持部20旋转。旋转部40例如包括:从保持部20的旋转盘21的中央向下方延伸的旋转轴41;用于使旋转轴41旋转的旋转电动机42;和用于将旋转电动机42的旋转驱动力传递至旋转轴41的带(belt)43。旋转轴41为筒状,在旋转轴41的内部配置有液体供给轴72。液体供给轴72不与旋转轴41一起旋转。
第1液体供给部50用于对被保持部20保持的基片W的上表面Wa供给液体。第1液体供给部50例如包括:用于排出液体的喷嘴51;用于使喷嘴51在基片W的径向上移动的移动机构52;和用于对喷嘴51供给液体的供给线路53。喷嘴51设置在保持部20的上方,能够向下排出液体。
移动机构52例如包括:用于保持喷嘴51的旋转臂52a;和用于使旋转臂52a旋转的旋转机构52b。旋转机构52b可以兼作为用于使旋转臂52a升降的升降机构。旋转臂52a水平地配置,能够利用旋转臂52a的长边方向一个端部保持喷嘴51,并且旋转臂52a能够以从旋转臂52a的长边方向另一个端部向下方延伸的旋转轴为中心进行旋转。此外,也可以是移动机构52具有导轨和直动机构来代替旋转臂52a和旋转机构52b。导轨水平地配置,直动机构能够使喷嘴51沿着导轨移动。
供给线路53例如包括:共用线路53a;和与共用线路53a连接的多个单独线路53b。单独线路53b按每个液体的种类设置。作为液体的种类,例如可以列举药液和冲洗液。药液可以为酸性、碱性和中性中的任一者。酸性的药液例如为DHF(稀氟酸)等。碱性的药液例如为SC1(包含过氧化氢和氢氧化铵的水溶液)等。中性的药液例如为臭氧水等功能水。冲洗液例如为DIW(去离子水)。在单独线路53b的中途,设置有用于将液体的流路打开和关闭的开关阀55、和用于控制液体的流量的流量控制器56。
此外,药液和冲洗液在图1中从1个喷嘴51排出,但是,也可以是从不同的喷嘴51排出。在喷嘴51的数量为多个的情况下,可按每个喷嘴51设置供给线路53。
第2液体供给部60与第1液体供给部50同样地,用于对被保持部20保持的基片W的上表面Wa供给液体。第2液体供给部60例如包括:用于排出液体的喷嘴61;用于使喷嘴61在基片W的径向上移动的移动机构62;和用于对喷嘴61供给液体的供给线路63。喷嘴61设置在保持部20的上方,能够向下排出液体。第2液体供给部60的喷嘴61和第1液体供给部50的喷嘴51能够独立地移动。
移动机构62例如包括:用于保持喷嘴61的旋转臂62a;和用于使旋转臂62a旋转的旋转机构62b。旋转机构62b可以兼作为用于使旋转臂62a升降的升降机构。旋转臂62a水平地配置,能够利用旋转臂62a的长边方向一个端部保持喷嘴61,并且旋转臂62a能够以从旋转臂62a的长边方向另一个端部向下方延伸的旋转轴为中心进行旋转。此外,也可以是移动机构62具有导轨和直动机构来代替旋转臂62a和旋转机构62b。导轨水平地配置,直动机构能够使喷嘴61沿着导轨移动。
供给线路63用于对喷嘴61供给干燥液。干燥液可以使用与冲洗液相比具有较低的表面张力的液体。干燥液例如为IPA(异丙醇)等有机溶剂。在将基片W的上表面Wa的液膜从冲洗液的液膜置换为干燥液的液膜之后,能够将基片W干燥。能够抑制在基片W的干燥时由表面张力导致的凹凸图案的崩塌。
凹凸图案预先形成在基片W的上表面Wa。凹凸图案可以不预先形成在基片W的下表面Wb。因此,干燥液只要能够供给到基片W的上表面Wa即可,可以不供给到基片W的下表面Wb。在供给线路63的中途,设置有用于将干燥液的流路打开和关闭的开关阀65、和用于控制干燥液的流量的流量控制器66。
在本实施方式中,能够使冲洗液的供给位置和干燥液的供给位置独立地移动,使得在将冲洗液的液膜置换为干燥液的液膜时,液膜不会中断。具体而言,在将干燥液的供给位置固定在基片W的上表面Wa的中心的状态下,使冲洗液的供给位置向基片W的径向外侧移动。为此,分别设置第2液体供给部60和第1液体供给部50。
但是,根据基片W的凹凸图案的尺寸和形状、基片W的材质等,存在下述情况:在将干燥液的供给位置固定在基片W的上表面Wa的中心的状态下,可以不使冲洗液的供给位置向基片W的径向外侧移动。在该情况下,可以没有第2液体供给部60,可以是第1液体供给部50的喷嘴51排出干燥液。
第3液体供给部70与第1液体供给部50及第2液体供给部60不同,用于对被保持部20保持的基片W的下表面Wb供给液体。如图2所示,第3液体供给部70包括与由保持部20保持的基片W的下表面中央相对配置的多个喷嘴71A、71B、71C。下表面中央例如是从下表面中心起50mm以内的区域。
多个喷嘴71A、71B、71C形成在液体供给轴72的上表面,各自能够向上方排出流体。喷嘴71A例如能够向上方排出药液和冲洗液。喷嘴71B例如能够向上方排出冲洗液。喷嘴71C例如能够向上方排出N2气体等气体。
第3液体供给部70具有液体供给轴72。液体供给轴72配置在旋转轴41的内部,不与旋转轴41一起旋转。在液体供给轴72中设置有与多个喷嘴71A、71B、71C连接的多个供给线路73A、73B、73C。
供给线路73A与喷嘴71A连接,用于对喷嘴71A供给药液和冲洗液。供给线路73A例如包括:共用线路73Aa;和与共用线路73Aa连接的多个单独线路73Ab。单独线路73Ab按每个液体的种类设置。在单独线路73Ab的中途,设置有用于将液体的流路打开和关闭的开关阀75A、和用于控制液体的流量的流量控制器76A。
同样地,供给线路73B与喷嘴71B连接,用于对喷嘴71B供给冲洗液。在供给线路73B的中途,设置有用于将冲洗液的流路打开和关闭的开关阀75B、和用于控制冲洗液的流量的流量控制器76B。此外,供给线路73B的冲洗液的供给源和供给线路73A的冲洗液的供给源在图2中是设置1个共用的供给源,但是,也可以设置不同的供给源。
另外,供给线路73C与喷嘴71C连接,用于对喷嘴71C供给N2气体等气体。在供给线路73C的中途,设置有用于将气体的流路打开和关闭的开关阀75C、和用于控制气体的流量的流量控制器76C。
如图1所示,杯体80用于回收对基片W供给的各种液体。杯体80包括圆筒部81、底盖部82和倾斜部83。圆筒部81具有比基片W的直径大的内径,铅垂地配置。底盖部82将圆筒部81的下端的开口封闭。倾斜部83形成在圆筒部81的上端整周,并且越向圆筒部81的径向内侧去越向上方倾斜。在底盖部82上设置有:用于将积存在杯体80的内部的液体排出的排液管84;和用于将积存在杯体80的内部的气体排出的排气管85。
控制部90用于对保持部20、旋转部40、第1液体供给部50、第2液体供给部60和第3液体供给部70进行控制。控制部90例如为计算机,包括CPU(Central Processing Unit:中央处理器)91和存储卡等存储介质92。存储介质92存储有用于对基片处理装置10中执行的各种处理进行控制的程序。控制部90通过使CPU 91执行存储介质92中存储的程序,来控制基片处理装置10的动作。
接着,参照图6和图7对基片处理方法进行说明。图6所示的各步骤S1~S6可在控制部90的控制下实施。此外,在步骤S2~S5中,基片W被水平地保持,并且能够以铅垂的旋转轴41为中心进行旋转。另外,在步骤S2~S5中,第3液体供给部70的喷嘴71C持续排出气体。
首先,在步骤S1中,未图示的输送装置将基片W送入基片处理装置10。输送装置在将基片W载置在保持部20上之后,从基片处理装置10退出。保持部20从输送装置接收基片W,并保持基片W。如图7所示,例如第1抓持部22A抓持基片W。第2抓持部22B可以不抓持基片W。
接着,在步骤S2中,对基片W的上表面Wa和下表面Wb两者供给药液。药液从第1液体供给部50的喷嘴51供给到基片W的上表面中央,利用离心力润湿扩展至整个上表面,对整个上表面进行处理。另外,药液从第3液体供给部70的喷嘴71A供给到基片W的下表面中央,利用离心力润湿扩展至整个下表面,对下表面整体进行处理。
在上述步骤S2中,如图7所示,第1抓持部22A和第2抓持部22B交替地抓持基片W。例如,首先,在仅第1抓持部22A抓持基片W的状态下,将药液供给到基片W,对基片W进行蚀刻。从基片W溶出到药液中的成分,与药液一起从基片W被甩掉,并被杯体80回收。
第1抓持部22A与基片W抵接,在第1抓持部22A的附近,会产生积液,阻碍蚀刻。因此,进行基片W的改换抓持。首先,第1抓持部22A和第2抓持部22B两者同时抓持基片W,接着,仅第2抓持部22B抓持基片W。
在仅第2抓持部22B抓持基片W的状态下,对基片W供给药液。在第1抓持部22A的附近,不会产生积液,因此,蚀刻能够进行。因此,能够抑制蚀刻不均匀。在基片W的蚀刻过程中,仅第1抓持部22A抓持基片W的时间和仅第2抓持部22B抓持基片W的时间为相同程度。
依照本实施方式,为了抑制基片W的处理不均匀,利用第1抓持部22A和第2抓持部22B改换抓持基片W。因此,不用像专利文献1那样使基片W和保持部20的转速产生差异。依照本实施方式,第1抓持部22A和第2抓持部22B能够与保持部20一起旋转。因此,能够抑制基片W与保持部20的摩损,抑制由摩损导致的颗粒的产生。另外,在药液的供给过程中,可以不像专利文献1那样对保持部20的转速进行加减速,能够将基片W的转速维持为一定。
如图7所示,当基片W的蚀刻完成时,再次进行基片W的改换抓持。具体而言,首先,第1抓持部22A和第2抓持部22B两者同时抓持基片W,接着,仅第1抓持部22A抓持基片W。能够使施加在基片W上的应力分布恢复到原来的分布。
在基片W的蚀刻完成后,也对基片W供给药液。能够利用几乎不包含来自基片W的溶出成分等杂质的药液冲洗第1抓持部22A和第2抓持部22B,能够除去异物。但是,第1抓持部22A与基片W抵接,在第1抓持部22A的附近,会产生积液,阻碍异物的除去。
因此,再次进行基片W的改换抓持。首先,第1抓持部22A和第2抓持部22B两者同时抓持基片W,接着,仅第2抓持部22B抓持基片W。在第1抓持部22A的附近,不会产生积液,因此,异物的除去能够进行。因此,能够抑制清洗不均匀。在第1抓持部22A和第2抓持部22B的清洗过程中,仅第1抓持部22A抓持基片W的时间和仅第2抓持部22B抓持基片W的时间为相同程度。
在仅第2抓持部22B抓持基片W期间,可以使第1抓持部22A暂时停止在释放位置,但是,也可以是使第1抓持部22A暂时停止在释放位置与抓持位置之间的中间位置和释放位置两者。在后者的情况下,能够改变从基片W被水平地甩掉的药液的、碰到第1抓持部22A的范围。因此,能够利用液体对第1抓持部22A的较广的范围进行清洗。
同样地,在仅第1抓持部22A抓持基片W期间,可以使第2抓持部22B暂时停止在释放位置,但是,也可以是使第2抓持部22B暂时停止在释放位置与抓持位置之间的中间位置和释放位置两者。在后者的情况下,能够改变从基片W被水平地甩掉的药液的、碰到第2抓持部22B的范围。因此,能够利用液体对第2抓持部22B的较广的范围进行清洗。
在对第1抓持部22A和第2抓持部22B进行清洗后,如图7所示,可以再次进行基片W的改换抓持。能够在步骤S3开始前,使施加在基片W上的应力分布恢复到原来的分布。
接着,在步骤S3中,对基片W的上表面Wa和下表面Wb两者供给冲洗液,将在上述步骤S2中形成的药液的液膜置换为冲洗液的液膜。冲洗液从第1液体供给部50的喷嘴51供给到基片W的上表面中央,利用离心力润湿扩展至整个上表面,洗去残留在上表面Wa的药液,在上表面Wa形成冲洗液的液膜。另外,冲洗液从第3液体供给部70的喷嘴71A供给到基片W的下表面中央,利用离心力润湿扩展至整个下表面,洗去残留在下表面Wb的药液,在上表面Wb形成冲洗液的液膜。
在上述步骤S3中,如图7所示,第1抓持部22A和第2抓持部22B交替地抓持基片W。例如,首先,在仅第1抓持部22A抓持基片W的状态下,对基片W供给冲洗液,洗去残留在基片W上的药液。
第1抓持部22A与基片W抵接,在第1抓持部22A的附近,会产生积液,阻碍从药液向冲洗液的置换。因此,进行基片W的改换抓持。具体而言,首先,第1抓持部22A和第2抓持部22B两者同时抓持基片W,接着,仅第2抓持部22B抓持基片W。
在仅第2抓持部22B抓持基片W的状态下,对基片W供给冲洗液。第1抓持部22A的附近,不会产生积液,因此,从药液向冲洗液的置换能够进行。因此,能够抑制置换不均匀。
之后,如图7所示,可以在步骤S4开始前,再次进行基片W的改换抓持。能够使施加在基片W上的应力分布恢复到原来的分布。
接着,在步骤S4中,对基片W的上表面Wa供给干燥液,将在上述步骤S3中形成的冲洗液的液膜置换为干燥液的液膜。干燥液从第2液体供给部60的喷嘴61供给到基片W的上表面中央,利用离心力润湿扩展至整个上表面,洗去残留在上表面Wa的冲洗液,在上表面Wa形成干燥液的液膜。
在上述步骤S4中,如图7所示,第1抓持部22A和第2抓持部22B交替地抓持基片W。例如,首先,在仅第1抓持部22A抓持基片W的状态下,对基片W供给干燥液,对残留在基片W上的冲洗液进行置换。
第1抓持部22A与基片W抵接,在第1抓持部22A的附近,会产生积液,阻碍从冲洗液向干燥液的置换。因此,进行基片W的改换抓持。具体而言,首先,第1抓持部22A和第2抓持部22B两者同时抓持基片W,接着,仅第2抓持部22B抓持基片W。
在仅第2抓持部22B抓持基片W的状态下,对基片W供给干燥液。在第1抓持部22A的附近,不会产生积液,因此,从冲洗液向干燥液的置换能够进行。因此,能够抑制置换不均匀。
之后,如图7所示,可以在步骤S5开始前,再次进行基片W的改换抓持。能够使施加在基片W上的应力分布恢复到原来的分布。
接着,在步骤S5中,在水平地保持基片W的同时使基片W旋转,使基片W干燥。不对基片W供给液体,残留在基片W上的干燥液被甩掉,能够使基片W干燥。
在上述步骤S5中,如图7所示,第1抓持部22A和第2抓持部22B交替地抓持基片W。例如,首先,在仅第1抓持部22A抓持基片W的状态下,使基片W旋转,残留在基片W上的干燥液被甩掉。
第1抓持部22A与基片W抵接,在第1抓持部22A的附近,会产生积液,干燥液容易残留。因此,进行基片W的改换抓持。具体而言,首先,第1抓持部22A和第2抓持部22B两者同时抓持基片W,接着,仅第2抓持部22B抓持基片W。
在仅第2抓持部22B抓持基片W的状态下,使基片W旋转,残留在基片W上的干燥液被甩掉。在第1抓持部22A的附近,不会产生积液,因此,干燥能够进行。因此,能够抑制干燥不均匀。
接着,在步骤S6中,保持部20解除基片W的保持,接着,未图示的输送装置从保持部20接收基片W,并将接收到的基片W送出到基片处理装置10的外部。之后,本次的处理结束。
下面,参照图8对基片W的改换抓持动作的变形例进行说明。在上述实施方式中,如图7所示,控制部90使3个第1抓持部22A-1、22A-2、22A-3同时移动。而在本变形例中,如图8所示,控制部90使3个第1抓持部22A-1、22A-2、22A-3按照预先确定的顺序移动。下面,主要对不同点进行说明。
例如,控制部90能够在由3个第2抓持部22B-1、22B-2、22B-3保持基片W的状态下,使3个第1抓持部22A-1、22A-2、22A-3按照预先确定的顺序从释放位置移动至抓持位置。能够使施加在基片W上的总负荷逐渐增加,能够抑制基片W的破损。
另外,控制部90能够在由3个第2抓持部22B-1、22B-2、22B-3保持基片W的状态下,使3个第1抓持部22A-1、22A-2、22A-3按照预先确定的顺序从抓持位置移动至释放位置。能够使施加在基片W上的总负荷逐渐减少,能够抑制基片W的破损。
此外,虽然未图示,但是,控制部90也可以在由3个第1抓持部22A-1、22A-2、22A-3保持基片W的状态下,使3个第2抓持部22B-1、22B-2、22B-3按照预先确定的顺序从释放位置移动至抓持位置,或者从抓持位置移动至释放位置。
接下来,参照图9对第1变形例的保持部20进行说明。上述实施方式的第1驱动部23A包括弹簧26,而本变形例的第1驱动部23A不包括弹簧26。本变形例的第1驱动部23A,为了使第1抓持部22A从释放位置移动至抓持位置,利用空气等流体的压力代替弹簧26的恢复力。下面,主要对不同点进行说明。
本变形例的第1驱动部23A包括滑动件25和缸体27。滑动件25将缸体27的内部空间划分为第1室R1和第2室R2。第1室R1和第2室R2均被密闭。第1室R1的压力可由第1压力调节机构28进行调节。另一方面,第2室R2的压力可由第2压力调节机构34进行调节。第2压力调节机构34和第2室R2通过第2连接线路L2连接。第2连接线路L2与第1连接线路L1独立地形成在旋转盘21和旋转轴41中,经由未图示的旋转接头与第2压力调节机构34连接。
第2压力调节机构34包括用于使第2室R2的压力上升的升压线路34a。在升压线路34a中设置有开关阀V3、流量控制器F3和压力控制器P3等。开关阀V3用于将升压线路34a的流路打开和关闭。流量控制器F3用于在第2室R2升压时控制向第2室R2供给的空气等流体的流量。压力控制器P3用于在第2室R2升压时控制其压力。
另外,第2压力调节机构34包括用于使第2室R2的压力减少的减压线路34b。在减压线路34b中设置有开关阀V4、流量控制器F4和压力控制器P4等。开关阀V4用于将减压线路34b的流路打开和关闭。流量控制器F4用于在第2室R2减压时控制从第2室R2排出的空气等流体的流量。压力控制器P4用于在第2室R2减压时控制其压力。
当第2压力调节机构34使第2室R2的压力上升,第1压力调节机构28使第1室R1的压力减少时,能够使滑动件25向基片W的径向外侧移动。其结果是,能够使第1抓持部22A从释放位置向抓持位置移动,碰到基片W。此时产生的碰撞,由流体的压力和流量等决定。控制部90如果对压力控制器P3、P4或者流量控制器F3、F4进行控制,对驱动力或者驱动速度进行控制,则能够抑制碰撞。
另一方面,当第2压力调节机构34使第2室R2的压力减少,第1压力调节机构28使第1室R1的压力上升时,能够使滑动件25向基片W的径向内侧移动。其结果是,能够使第1抓持部22A从抓持位置向释放位置移动,从基片W离开。通过此时的应力释放而施加于基片W的负荷,由流体的压力和流量等决定。控制部90如果对压力控制器P3、P4或者流量控制器F3、F4进行控制,对驱动力或者驱动速度进行控制,则能够抑制基片W的负荷。
接下来,参照图10对第2变形例的保持部20进行说明。下面,主要对不同点进行说明。本变形例的第1驱动部23A包括:升降杆35,其用于载置第1抓持部22A与连杆30连结的连结部;弹性膜36,其用于支承升降杆35的下端;和缸体37,在缸体37的内部包含由弹性膜36划分的上室R3和下室R4。缸体37相对于旋转盘21被固定。升降杆35贯穿缸体37的上室R3,向缸体37的上方伸出。
缸体37的上室R3没有被密闭,而是开放的。上室R3的压力与外部气压相等,被保持为一定。另一方面,缸体37的下室R4被密闭。下室R4的压力可由第3压力调节机构38进行调节。第3压力调节机构38和下室R4通过第3连接线路L3连接。第3连接线路L3形成在旋转盘21和旋转轴41中,经由未图示的旋转接头与第3压力调节机构38连接。
第3压力调节机构38包括用于使下室R4的压力上升的升压线路38a。在升压线路38a中设置有开关阀V5、流量控制器F5和压力控制器P5等。开关阀V5用于将升压线路38a的流路打开和关闭。流量控制器F5用于在下室R4升压时控制向下室R4供给的空气等流体的流量。压力控制器P5用于在下室R4升压时控制其压力。
另外,第3压力调节机构38包括用于使下室R4的压力减少的减压线路38b。在减压线路38b中设置有开关阀V6、流量控制器F6和压力控制器P6等。开关阀V6用于将减压线路38b的流路打开和关闭。流量控制器F6用于在下室R4减压时控制从下室R4排出的空气等流体的流量。压力控制器P6用于在下室R4减压时控制其压力。
当第3压力调节机构38向下室R4供给空气等流体,使下室R4的压力上升时,弹性膜36变形为向上凸的曲面,能够使第3销33上升,能够使滑动件25对抗弹簧26的恢复力而向基片W的径向内侧移动。其结果是,能够使第1抓持部22A从抓持位置向释放位置移动,从基片W离开。通过此时的应力释放而施加于基片W的负荷,由流体的供给压力和供给速度等决定。控制部90如果对压力控制器P5或者流量控制器F5进行控制,对驱动力或者驱动速度进行控制,则能够抑制基片W的负荷。
另一方面,当第3压力调节机构38将空气等流体从下室R4排出,使下室R4的压力减少时,弹性膜36变形为向下凸的曲面,与此相伴,能够使第3销33下降。而且,能够利用弹簧26的恢复力将滑动件25向基片W的径向外侧推回。其结果是,能够使第1抓持部22A从释放位置移动至抓持位置,碰到基片W。此时产生的碰撞,由弹簧的恢复力以及流体的排出压力和排出速度等决定。控制部90如果对压力控制器P6或者流量控制器F6进行控制,对驱动力或者驱动速度进行控制,则能够抑制碰撞。
上面,对本发明的基片处理装置和基片处理方法的实施方式等进行了说明,但是本发明并不限于上述实施方式等。可以在权利要求书记载的范畴内,进行各种改变、修正、替换、附加、删除和组合。这些当然也属于本发明的技术范围。
例如,药液在上述实施方式中为蚀刻液,但是也可以为抗蚀剂液。

Claims (15)

1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
用于水平地保持基片的保持部;
用于使所述保持部旋转的旋转部;
用于对由所述保持部水平地保持的所述基片供给液体的液体供给部;和
用于对所述保持部、所述旋转部和所述液体供给部进行控制的控制部,
所述保持部包括:旋转盘,能够由所述旋转部使所述旋转盘旋转;第1抓持部,其能够与所述旋转盘一起旋转,并且能够在抓持所述基片的周缘的抓持位置与将所述基片释放的释放位置之间移动;和第2抓持部,其能够与所述旋转盘一起旋转,并且能够与所述第1抓持部独立地在所述抓持位置与所述释放位置之间移动,
所述控制部能够在由所述旋转部使所述保持部旋转并且对被所述保持部保持的所述基片供给液体的期间,利用所述第1抓持部和所述第2抓持部交替地抓持所述基片的周缘。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述保持部包括:驱动部,其用于使所述第1抓持部在所述抓持位置与所述释放位置之间移动;和传递部,其用于将所述驱动部的驱动力传递至所述第1抓持部,
所述驱动部和所述传递部能够与所述旋转盘一起旋转。
3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述驱动部包括能够与所述旋转盘一起旋转并且可在所述基片的径向上移动的滑动件,
能够通过使所述滑动件向所述基片的所述径向外侧移动,来使所述第1抓持部从所述释放位置移动至所述抓持位置。
4.如权利要求3所述的基片处理装置,其特征在于:
所述驱动部包括用于对所述滑动件向所述基片的所述径向外侧施力的弹簧。
5.如权利要求3或4所述的基片处理装置,其特征在于:
所述驱动部包括用于将所述滑动件以可在所述基片的所述径向上移动的方式收纳的缸体,
所述缸体相对于所述旋转盘被固定,
所述滑动件将所述缸体的内部空间划分为第1室和第2室,
设置有用于对所述缸体的所述第1室的压力进行调节的压力调节机构。
6.如权利要求3或4所述的基片处理装置,其特征在于:
所述驱动部包括能够与所述滑动件一起移动的杆部件,
所述传递部包括连杆,所述连杆的一端可旋转地与所述杆部件连结,并且所述连杆的另一端可旋转地与所述第1抓持部连结,
所述驱动部包括:升降杆,其用于载置所述第1抓持部与所述连杆连结的连结部;弹性膜,其用于支承所述升降杆的下端;和缸体,在所述缸体的内部包含由所述弹性膜划分的上室和下室,
所述缸体相对于所述旋转盘被固定,
设置有用于对所述缸体的所述下室的压力进行调节的压力调节机构。
7.如权利要求2~6中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述控制部能够对所述驱动部的驱动力或者驱动速度进行控制。
8.如权利要求1~7中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述第1抓持部能够以被所述旋转盘保持的水平的销为中心进行摆动,从而在所述释放位置与所述抓持位置之间移动。
9.如权利要求8所述的基片处理装置,其特征在于:
所述控制部能够在由所述旋转部使所述保持部旋转并且对被所述保持部保持的所述基片供给所述液体的期间,在由所述第2抓持部抓持所述基片的状态下,使所述第1抓持部在所述释放位置与所述抓持位置之间的中间位置和所述释放位置两者暂时停止。
10.如权利要求1~9中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述第1抓持部和所述第2抓持部沿着所述基片的周缘交替地各配置有3个以上。
11.如权利要求10所述的基片处理装置,其特征在于:
所述控制部能够在由3个以上的所述第2抓持部保持所述基片的状态下,使3个以上的所述第1抓持部按照预先确定的顺序从所述释放位置移动至所述抓持位置。
12.如权利要求10或11所述的基片处理装置,其特征在于:
所述控制部能够在由3个以上的所述第2抓持部保持所述基片的状态下,使3个以上的所述第1抓持部按照预先确定的顺序从所述抓持位置移动至所述释放位置。
13.一种基片处理方法,其包括一边使水平地保持基片的保持部旋转,一边对所述基片供给液体的步骤,所述基片处理方法的特征在于:
所述保持部包括:旋转盘;第1抓持部,其能够与所述旋转盘一起旋转,并且能够在抓持所述基片的周缘的抓持位置与将所述基片释放的释放位置之间移动;和第2抓持部,其能够与所述旋转盘一起旋转,并且能够与所述第1抓持部独立地在所述抓持位置与所述释放位置之间移动,
所述基片处理方法包括:在对所述基片供给所述液体的期间,利用所述第1抓持部和所述第2抓持部交替地抓持所述基片的周缘的步骤。
14.如权利要求13所述的基片处理方法,其特征在于:
所述第1抓持部能够以被所述旋转盘保持的水平的销为中心进行摆动,从而在所述释放位置与所述抓持位置之间移动,
在对所述基片供给所述液体的期间,在由所述第2抓持部抓持所述基片的状态下,所述第1抓持部能够在所述释放位置与所述抓持位置之间的中间位置和所述释放位置两者暂时停止。
15.如权利要求13或14所述的基片处理方法,其特征在于:
所述第1抓持部和所述第2抓持部沿着所述基片的周缘交替地各配置有3个以上,
所述基片处理方法包括:在由3个以上的所述第2抓持部保持所述基片的状态下,使3个以上的所述第1抓持部按照预先确定的顺序从所述释放位置移动至所述抓持位置的步骤。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4095236B2 (ja) 2000-09-14 2008-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US6827092B1 (en) * 2000-12-22 2004-12-07 Lam Research Corporation Wafer backside plate for use in a spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same
JP4031724B2 (ja) 2002-07-26 2008-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2005285927A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007103730A (ja) 2005-10-05 2007-04-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd スピン処理装置
JP4814731B2 (ja) * 2006-08-30 2011-11-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板保持装置、検査または処理の装置、基板保持方法、検査または処理の方法および検査装置
KR20110106178A (ko) * 2010-03-22 2011-09-28 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6091060B2 (ja) 2011-12-02 2017-03-08 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP6181438B2 (ja) * 2013-06-24 2017-08-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および基板洗浄装置
JP6211424B2 (ja) * 2014-01-28 2017-10-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
WO2018006283A1 (en) * 2016-07-06 2018-01-11 Acm Research (Shanghai) Inc. Substrate supporting apparatus
TWI733875B (zh) * 2016-08-10 2021-07-21 美商維克儀器公司 雙層式的膠帶框架的清洗組件
JP6892774B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-23 株式会社Screenホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
JP6887280B2 (ja) * 2017-03-27 2021-06-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体
JP7020986B2 (ja) * 2018-04-16 2022-02-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板保持装置
JP7203593B2 (ja) * 2018-12-25 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7370270B2 (ja) * 2020-02-07 2023-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板保持機構及び基板処理装置

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