JPH05335401A - 半導体ウエハ用移送装置 - Google Patents

半導体ウエハ用移送装置

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JPH05335401A
JPH05335401A JP13703192A JP13703192A JPH05335401A JP H05335401 A JPH05335401 A JP H05335401A JP 13703192 A JP13703192 A JP 13703192A JP 13703192 A JP13703192 A JP 13703192A JP H05335401 A JPH05335401 A JP H05335401A
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JP
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wafer
holder
transfer device
equipment
etching
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JP13703192A
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Motonori Yanagi
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ処理槽間の移送時間を短縮して各処理
液による過度の処理を防止する。 【構成】 複数のウエハ11の各周縁部に係合してこれ
らのウエハ11を保持するウエハホルダー12と、この
ウエハホルダー12を複数並設されたウエハ処理槽13
の上方で移動させて各ウエハ処理槽13へウエハホルダ
ー12を移送するホルダー移送装置14と、このホルダ
ー移送装置14によって移送されたウエハホルダー12
に対して昇降し、ウエハホルダー12で保持されたウエ
ハ11を支承棒151で支承してウエハ処理槽13内へ
移送する昇降装置15とを備え、上記昇降装置15をウ
エハ処理装置13間で移動可能に構成し、この昇降装置
15によってウエハ11を各ウエハ処理槽13へ移送す
るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程にお
いて半導体ウエハに所定の処理を施すウエハ処理槽へ半
導体ウエハを移送する半導体ウエハ用移送装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の装置としては特開平3−
116731号公報に記載されたものが知られている。
この装置を図3〜図5を参照しながら説明する。図3、
図4において、1は半導体ウエハ(以下、単に「ウエ
ハ」と称す。)、2、2は複数のウエハ1の周縁部に溝
2Aで係合してウエハ1を略垂直状態且つ所定間隔で保
持する一対のウエハホルダー、3は各ウエハホルダー
2、2にロッド4、4を介して連結され且つウエハホル
ダー2、2をそれぞれの下方に複数並設されたウエハ処
理槽5間を行き来してウエハホルダー2、2を各ウエハ
処理槽5へ移送するホルダー移送装置で、このホルダー
移送装置3は、上記各ロッド4、4を介してウエハホル
ダー2、2を回転駆動させる回転駆動機構(図示せず)
と、上記各ウエハ処理槽5間で移動させる歯車31とを
備えている。
【0003】また、6は上記ウエハ処理槽5を介して上
記ホルダー移送装置3の反対側に配設され、上記ウエハ
ホルダー2、2からウエハ1を受け取ってウエハ処理槽
5内へ移送する昇降装置で、この昇降装置6は、ウエハ
処理槽5の下方に配設された昇降駆動機構61とこの昇
降駆動機構61に連結され且つ側面形状が略コ字状に形
成されて上記ウエハ処理槽5の内部に延設されたアーム
62と、このアーム62の延設端に連結され且つ上記ウ
エハ処理槽5の一側面から他側面へ延びて複数のウエハ
1を支承する複数の溝63Aを有する3本の支承棒63
とを備えている。そして、各支承棒63の溝63Aはそ
れぞれ上記ウエハホルダー2、2の各溝2A、2Aと同
一間隔で形成されている。
【0004】また、7は上記ホルダー移送装置3及び上
記昇降駆動機構61に電気的に連結されこれらを駆動制
御する制御装置である。
【0005】次に、ウエハに所定の処理(例えば、ウエ
ットエッチング処理及び水洗処理)を施す場合について
図5を参照しながら説明する。所定枚数のウエハ1を図
示しないウエハ供給装置からウエハ1の供給を受けたホ
ルダー移送装置3は、制御装置7によってそのウエハホ
ルダー2、2を回転駆動させて同図(a)に示すように
正面形状が逆ハ字状にして所定枚数のウエハ1をそれぞ
れの溝2A、2Aで保持した状態で受け取り、次いで上
記制御装置7によって歯車31の回転駆動によって同図
(a)に示すように所定のウエハ処理槽5へ移動する。
引き続いて、昇降装置6の昇降駆動機構61が制御装置
7によって駆動してウエハ処理槽5内から上昇してウエ
ハホルダー2、2で保持されたウエハ1の下側周縁部に
3本の支承棒63の溝63Aを係合させると、制御装置
7によってホルダー移送装置3が駆動し、ロッド4、4
を介してウエハホルダー2、2をそれぞれの上端を内側
に向けて回転させてこれら両者2、2を同図(b)に示
すように平行状態にして開放させる。この状態で昇降装
置6の昇降駆動機構61が駆動して各支承棒63を更に
上昇させてた後、制御装置7によって昇降駆動機構61
を介して各支承棒63を同図(c)の位置から下降駆動
に切り替え、同図(d)に示すように各支承棒63をウ
エハ処理槽5の底部まで下降させてウエハ1をウエハ処
理槽5内に設置してウエハ1をエッチング液Eのウエッ
トエッチングに供する。
【0006】そして、ウエハ1に対するウエットエッチ
ングを終了した後ウエハ1を次工程の水洗工程へ移送す
る場合には、上述の場合とは逆に図5(d)に示す状態
から昇降駆動機構61によって各支承棒63を同図
(c)で示す位置へ上昇させ、次いで、ホルダー移送装
置3を駆動させて開放状態の各ウエハホルダー2、2を
同図(b)に示すように移動させて各支承棒63の真下
で停止させる。然る後、昇降駆動機構61によって各支
承棒63を下降させてウエハホルダー2、2でウエハ1
を保持できる位置で各支承棒63の下降を停止させ、こ
の停止位置に各支承棒63が達した時にホルダー移送装
置3を駆動させてウエハホルダー2、2の下端をそれぞ
れ内側へ回転駆動させて各ウエハホルダー2、2を逆ハ
字状にしてそれぞれの溝2A、2Aをウエハ1に係合さ
せて各ウエハホルダー2、2でウエハ1を保持する。そ
の後、昇降駆動機構61を駆動させてホルダー移送装置
3の水平移動を干渉しない位置まで各支承棒63を下降
させて停止させ、この時点で歯車31を回転させてホル
ダー移送装置3を水平移動させて次の水洗処理用のウエ
ハ処理槽5へウエハ1を移送して上述の下降動作を繰り
返して水洗処理を行なう。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハ用移送装置では、例えば、エッチング用の
ウエハ処理槽5から水洗用のウエハ処理槽5へ移送する
場合には20秒程度を必要とするが、エッチング処理の
終了後、ウエハ1を水洗処理用のウエハ処理槽5へ移し
替える間、図6に示すようにウエハ1にはエッチング液
Eが付着しているため、図7に示すようにウエハ1の表
面に形成された膜(例えばTEOS膜)1Aに所定形状
のパターンを有する被膜1Bを介してTEOS膜1Aに
エッチングを行なうと、TEOS膜1Aのエッチング処
理部にエッチング液Eが残留し、このエッチング液Eに
よって移送する間に20秒程度のエッチングが進行して
TEOS膜1Aに規定値以上のエッチングが部分的に進
行してしまい、膜に均一なエッチングを行なうことが難
しいという課題があった。
【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ウエハ処理槽間の移送時間を短縮して各処
理液による過度の処理を防止することができる半導体ウ
エハ用移送装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハ用
移送装置は、複数の半導体ウエハの各周縁部に係合して
これらの半導体ウエハを保持するウエハホルダーと、こ
のウエハホルダーを複数並設されたウエハ処理槽の上方
で移動させて各ウエハ処理槽へホルダーを移送するホル
ダー移送装置と、このホルダー移送装置によって移送さ
れたウエハホルダーに対して昇降し、ウエハホルダーで
保持された半導体ウエハをウエハ支承部で支承して上記
ウエハ処理槽内へ移送する昇降装置とを備え、上記昇降
装置を上記ウエハ処理装置間で移送可能にしたものであ
る。
【0010】
【作用】本発明によれば、半導体ウエハをウエハホルダ
ーで保持した後、このウエハホルダーをホルダー移送装
置によって所定のウエハ処理槽へ移送し、この位置でウ
エハホルダーで保持されたウエハを昇降装置の支承部で
支承して半導体ウエハをウエハホルダーから受け取った
後、昇降装置がウエハ支承部を所定のウエハ処理槽内に
下降させてウエハをその内部に設置して所定の処理を行
ない、所定の処理後、昇降装置がウエハ支承部を上昇さ
せて半導体ウエハをそのウエハ処理槽から引き上げ、然
る後、昇降装置が駆動して次のウエハ処理槽へ移動した
後、同様に昇降してそのウエハ処理槽での処理に半導体
ウエハを供し、この間にホルダー移送装置を介すること
なく昇降装置のみで各ウエハ処理槽間で半導体ウエハを
直接移送することができる。
【0011】
【実施例】以下、図1、図2に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。尚、各図中、図1は本発明の半導体ウ
エハ用移送装置の一実施例の動作を示すライン方向の断
面図、図2は図1に示す半導体ウエハ用移送装置のライ
ンに直交する方向の断面図である。
【0012】本実施例の半導体ウエハ用移送装置10
は、図1、図2に示すように、複数のウエハ11の各周
縁部に係合してこれらのウエハ11を保持する一対のウ
エハホルダー12、12と、このウエハホルダー12を
複数並設されたウエハ処理槽13の上方で水平移動させ
て各ウエハ処理槽13へウエハホルダー12を移送する
ホルダー移送装置14と、このホルダー移送装置14に
よって移送されたウエハホルダー12に対して昇降し、
ウエハホルダー12で保持されたウエハ11をウエハ支
承部(3本の支承棒)151で支承して上記ウエハ処理
装置13内へ移送する昇降装置15とを備えて構成され
ている。そして、上記ホルダー移送装置14及び上記昇
降装置15はいずれも制御装置16の制御下にある。ま
た、図2において141は歯車で、この歯車141の回
転によってホルダー移送装置14が複数のウエハ処理槽
13間を移動するように構成されている。尚、15Aは
従来と同様に構成されて固定型の昇降装置で、ウエハ処
理槽13間を移動できないように構成されている。
【0013】また、図1において、左側のウエハ処理槽
13にはBHF液Eがエッチング液として、また、中央
のウエハ処理槽13には超純水Wが洗浄液として満たさ
れており、これら両処理槽でウエハ11をエッチングす
るように構成されている。この際に用いられるウエハ1
1は、図7に示すようにその表面がTEOS膜11Aで
被覆され、このTEOS膜11Aの表面が所定形状のパ
ターンを有する被膜11Bで被覆されている。
【0014】また、上記ウエハホルダー12、12は、
互いに対向した状態でロッド17、17を介してホルダ
ー移送装置14にそれぞれ連結され、このホルダー移送
装置14の駆動でロッド17、17を介して回転してウ
エハ11を保持、解放するように構成されている。そし
て、各ウエハホルダー12、12には複数のウエハ11
の周縁部に係合する溝12Aが多数形成され、各溝12
Aで複数のウエハ11の左右両側の周縁部に係合してウ
エハ11を略垂直且つ所定間隔で保持するように構成さ
れている。
【0015】また、上記昇降装置15は、上記ウエハ処
理槽13を介して上記ホルダー移送装置14の反対側に
配設され、上記ウエハホルダー12、12からウエハ1
1を受け取ってウエハ処理槽13内へ移送するように構
成されている。これを更に詳述すると、この昇降装置1
5は、ウエハ処理槽13の下方に配設された昇降駆動機
構152と、この昇降駆動機構152に連結され且つ側
面形状が略コ字状に形成されて上記ウエハ処理槽13も
内部に延設されたアーム153と、このアーム153の
延設端に連結され且つ上記ウエハ処理槽13の一側面か
ら他側面へ延びて複数のウエハ1を支承する複数の溝1
51Aを有する上記3本の支承棒151とを備えてい
る。そして、3本の支承棒151は、ウエハ11の周縁
部に係合するように上記アーム153から延設され、そ
れぞれの溝151Aは上記ウエハホルダー12、12の
各溝12A、12Aに対応させた同一間隔で形成されて
いる。
【0016】更にまた、上記昇降装置15は、その昇降
駆動機構152のライン方向の面にウエハ処理槽13の
下方に配設されたスライダー18の溝18Aに係合する
摺動体154と、上記スライダー18の上面に形成され
たラック歯18Bに噛合するピニオン155と、このピ
ニオン155を回転駆動させるモータ156とを備え、
このモータ156の駆動によってライン方向で往復動す
るように構成されている。そして、上記モータ156は
上記制御装置16の制御下にある。
【0017】次に、動作について説明する。本実施例の
半導体ウエハ用移送装置は、上述のように、図1におけ
る左側のウエハ処理槽13でBHF液によるエッチング
を行ない、次いで中央のウエハ処理槽13で超純水Wに
よる洗浄処理を行なう場合について適用される。そし
て、左側のウエハ処理槽13へウエハ11を供給する場
合及び中央のウエハ処理槽13から他のウエハ処理槽1
3へウエハ11を移送する場合には従来と同様にホルダ
ー移送装置14を介してウエハ11を移送するようにし
ている。従って、ここではホルダー移送装置14による
ウエハ11の移送については従来と同様であるためその
説明は省略する。
【0018】ウエハ11にエッチングを行なうには、ま
ず従来と同様にホルダー移送装置14を用いてウエハ処
理槽13内にウエハ11を収納する。そして、このウエ
ハ処理槽13でエッチングを終了すれば、昇降装置15
の昇降駆動装置152を駆動させてアーム153を上昇
させてウエハ処理槽13の上端から例えば3〜5cm上
方の位置でアーム153を停止させる。引き続きモータ
156を駆動させるとピニオン155がラック歯18B
に従って回転し、昇降装置15が摺動体154、スライ
ダー18の溝18Aを介して右方向へ移動し、超純水W
の入った中央のウエハ処理槽13の上方の所定位置で停
止した後、昇降駆動機構152が駆動してアーム153
を下降させ、支承棒151がウエハ処理槽13の底部に
達した位置でアーム153の下降動作を停止してウエハ
11を超純水W内に浸漬した状態でウエハ11の洗浄が
行なわれる。ウエハ11の洗浄後は、昇降駆動機構15
2が駆動してウエハ処理槽13からウエハ11を引き上
げ、所定位置でアーム153の上昇動作を停止すると、
従来と同様、ホルダー移送装置14が駆動してウエハ1
1を昇降装置15から受け取り、このホルダー移送装置
14を介して他のウエハ処理槽13へウエハ11を移送
する。
【0019】即ち、エッチング用のウエハ処理槽13で
は図7に示すようにウエハ11の被膜11Bのパターン
に従ってTEOS膜11Aを等方向にエッチングして断
面形状が円弧状の凹部を形成し、エッチング終了後、こ
のウエハ処理槽13からウエハ11を引き上げると、ウ
エハ11の表面にBHF液Eが付着して図6で示すよう
にウエハ11の下方へ垂れ、ウエハ11の被膜11Bの
パターンに従ってエッチングしたTEOS膜11Aの除
去部分である凹部内にBHF液Eが残留し、更に昇降装
置15の支承棒151とウエハ11の接触部分にBHF
液Eが残留して当該部分を規定値以上にエッチングして
全体的にエッチング後の膜厚にバラツキが生じることに
なる。例えば、上記BHF液Eではエッチング速度が1
500/minになるが、このエッチング液によるエッチ
ング前の膜の均一性が±1%であったものが、従来の半
導体ウエハ用移送装置を用いたエッチングではホルダー
移送装置14を介してウエハ11をエッチング液から洗
浄液へ移し替えるため、その移送に20秒程度を要して
エッチングが進行し、その膜厚が±10%以内のバラツ
キを生じて均一性が悪化していたが、本実施例の半導体
ウエハ用移送装置を用いたエッチングではホルダー移送
装置14が介在せず、昇降装置15によって直接ウエハ
11を移送するようにしたため、移送時間が2秒程度の
短時間で済み、その間のエッチングの進行が格段に抑制
されてエッチング後の膜厚が±3%以内のバラツキに改
善された。
【0020】以上説明したように本実施例によれば、ウ
エットエッチング用のウエハ処理槽13から水洗用のウ
エハ処理槽13へウエハ11を移送する間に、ホルダー
移送装置14が介在せず、昇降装置15によって直接ウ
エハ11を移送するようにしたため、その移送に要する
時間が従来の場合と比較して2秒程度と短く、従来の1
/10の時間で移送するとができ、この間のエッチング
の進行を格段に抑制するとができるため、過度のエッチ
ングを防止して均一なエッチングを行なうことができ
る。
【0021】尚、上記実施例では、エッチング処理と洗
浄処理との組み合わせについてのみ説明したが、本発明
は上記実施例に何等制限されるものではなく、エッチン
グ処理のようにウエハを移送する間にウエハに付着した
処理液による処理が進行するような工程には本発明を適
用することができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、昇
降装置をウエハ処理装置間で移動可能にしてこの昇降装
置によってウエハを各ウエハ処理槽へ移送できるように
したため、ウエハ処理槽間の移送時間を短縮して各処理
液による過度の処理を防止することができる半導体ウエ
ハ用移送装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体ウエハ用移送装置の一実施例の
動作を示すライン方向の断面図である。
【図2】図1に示す半導体ウエハ用移送装置のラインに
直交する方向の断面図である。
【図3】従来の半導体ウエハ用移送装置の一例を示す斜
視図である。
【図4】図3に示す半導体ウエハ用移送装置のラインに
直交する方向の断面図である。
【図5】図3に示す半導体ウエハ用移送装置の動作を説
明する説明図で、同図(a)はウエハホルダーの下方へ
昇降装置が移動した状態を示す図、同図(b)はウエハ
ホルダーから昇降装置がウエハを受け取った状態を示す
図、同図(c)は昇降装置からホルダー移送装置が離れ
た状態を示す図、同図(d)は昇降装置が支承部でウエ
ハを支承した状態でウエハ処理装置でウエハを処理する
状態を示す図である。
【図6】各ウエハ処理槽間を移送する間のウエハを示す
断面図である。
【図7】図6に示すウエハの一部を拡大して示す部分断
面図である。
【符号の説明】
11 ウエハ 12 ウエハホルダー 13 ウエハ処理槽 14 ホルダー移送装置 15 昇降装置 151 支承棒(ウエハ支承部)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の半導体ウエハの各周縁部に係合し
    てこれらの半導体ウエハを保持するウエハホルダーと、
    このウエハホルダーを複数並設されたウエハ処理槽の上
    方で移動させて各ウエハ処理槽へホルダーを移送するホ
    ルダー移送装置と、このホルダー移送装置によって移送
    されたウエハホルダーに対して昇降し、ウエハホルダー
    で保持された半導体ウエハをウエハ支承部で支承して上
    記ウエハ処理装置内へ移送する昇降装置とを備え、上記
    昇降装置を上記ウエハ処理槽間で移動可能に構成し、上
    記昇降装置によって上記ウエハを上記各ウエハ処理槽へ
    移送するようにしたことを特徴とする半導体ウエハ用移
    送装置。
JP13703192A 1992-05-28 1992-05-28 半導体ウエハ用移送装置 Pending JPH05335401A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337030B1 (en) 1997-02-04 2002-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
US6391067B2 (en) 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus
JP2007258512A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN115116908A (zh) * 2022-08-22 2022-09-27 四川洪芯微科技有限公司 一种晶圆片沟槽腐蚀装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63111637A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送処理装置
JPH0276227A (ja) * 1988-09-12 1990-03-15 Sugai:Kk 基板の洗浄乾燥方法及びその装置
JPH03188631A (ja) * 1989-12-18 1991-08-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63111637A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送処理装置
JPH0276227A (ja) * 1988-09-12 1990-03-15 Sugai:Kk 基板の洗浄乾燥方法及びその装置
JPH03188631A (ja) * 1989-12-18 1991-08-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337030B1 (en) 1997-02-04 2002-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
US6391067B2 (en) 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus
JP2007258512A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN115116908A (zh) * 2022-08-22 2022-09-27 四川洪芯微科技有限公司 一种晶圆片沟槽腐蚀装置
CN115116908B (zh) * 2022-08-22 2023-01-10 四川洪芯微科技有限公司 一种晶圆片沟槽腐蚀装置

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