WO2014069187A1 - ウエハ回転装置及びウエハ回転方法 - Google Patents

ウエハ回転装置及びウエハ回転方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014069187A1
WO2014069187A1 PCT/JP2013/077360 JP2013077360W WO2014069187A1 WO 2014069187 A1 WO2014069187 A1 WO 2014069187A1 JP 2013077360 W JP2013077360 W JP 2013077360W WO 2014069187 A1 WO2014069187 A1 WO 2014069187A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wafer
cradle
guide
processing liquid
held
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/077360
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘明 石森
栖原　英治
Original Assignee
倉敷紡績株式会社
エコー技研株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 倉敷紡績株式会社, エコー技研株式会社 filed Critical 倉敷紡績株式会社
Priority to KR1020157012274A priority Critical patent/KR102111951B1/ko
Publication of WO2014069187A1 publication Critical patent/WO2014069187A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Definitions

  • the present invention relates to a wafer rotating apparatus and a wafer rotating method for rotating a wafer immersed in a wafer processing tank such as a wafer cleaning apparatus or an etching processing apparatus in the processing tank.
  • a cleaning process technique in a semiconductor manufacturing process is an indispensable process technique for maintaining the cleanliness of a wafer.
  • semiconductor manufacturing processes have been required to have higher accuracy, and the required particle removal performance has become increasingly severe.
  • the ultrasonic cleaning method is widely used as one of such cleaning process techniques.
  • the ultrasonic cleaning method is an important technique for improving the cleaning efficiency by removing the contaminants by irradiating the contaminants on the wafer surface with ultrasonic waves and using them together with a chemical cleaning method such as acid or alkali.
  • a portion that is a shadow of the member that supports the wafer in the traveling direction of the oscillated ultrasonic wave has a portion where the support member becomes an obstacle and the ultrasonic wave does not reach, or the ultrasonic generator Due to the difference in the degree of cleaning due to the difference in distance from the wafer, there is a problem in that cleaning unevenness occurs and uniform contaminant removal performance within the wafer surface cannot be obtained.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2006-324495
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2011-165694
  • the cleaning device of Patent Document 1 includes both a wafer guide and a wafer chuck in a cleaning tank, and changes the shadowed portion of the wafer support member by switching the holding of the wafer during cleaning of the wafer. It is intended to eliminate cleaning unevenness.
  • the cleaning apparatus of Patent Document 2 eliminates the unirradiated areas of the ultrasonic waves as a whole of the plurality of cleaning tanks by changing the positions of the receiving grooves that support the wafers in the plurality of cleaning tanks. That's what it meant.
  • the non-irradiated area itself can be eliminated by changing the member that supports the wafer, but it is difficult to eliminate the uneven quality of cleaning for each part of the wafer.
  • the distance from the ultrasonic generator and the temperature and concentration of the cleaning liquid in the tank are not uniform, which has led to the problem that quality differences in cleaning occur. Yes.
  • the semiconductor cleaning process is aimed at removing minute impurities, and the use of a complicated mechanism that generates minute debris such as belts and gears in the cleaning tank has severe particle removal conditions. Then it is virtually impossible.
  • Patent Document 2 is premised on the presence of a plurality of cleaning tanks, and there is a problem that cleaning unevenness cannot be solved with a single cleaning tank.
  • an object of the present invention is to solve the above-described problems, and generate minute dust in order to eliminate processing unevenness due to a failure of a wafer support member, a difference in ultrasonic irradiation distance, a non-uniform distribution of processing liquid, and the like. It is an object of the present invention to provide a wafer rotating apparatus and a wafer rotating method that can rotate a wafer in a processing tank without causing the wafer to rotate.
  • a processing liquid tank that can store a processing liquid and immerse a wafer in the processing liquid
  • a wafer cradle configured to hold a lower peripheral middle portion of the wafer in the processing liquid tank and swingable in a direction along the surface of the wafer; It is arranged so as to sandwich the wafer cradle in the processing liquid tank, and moves in the vertical direction relative to the wafer cradle so that it is closer to the end than the holding portion by the wafer cradle at the lower peripheral edge of the wafer
  • a set of wafer guides configured to be able to hold the portion of The wafer guide is positioned so as to be close to the peripheral edge of the wafer when the wafer cradle swings in the first direction, and the wafer cradle is held in the second direction while the wafer is being held. After swinging, the wafer is moved up and down relative to the wafer cradle, and the wafer
  • the wafer rotating apparatus according to the first aspect, wherein the wafer guide is configured to be movable up and down, and the wafer returns to the wafer cradle when the wafer guide is lowered. provide.
  • the wafer rotating apparatus according to the first aspect, wherein the wafer pedestal is configured to swing around a center axis of the wafer to be supported.
  • each of the wafer guides includes two guide bodies disposed in the thickness direction of the wafer, and a support disposed so as to be suspended between the two guide bodies.
  • a wafer rotating apparatus according to a first aspect, comprising a member.
  • the lower intermediate portion of the wafer is held in the processing liquid tank that can store the processing liquid and immerse the wafer in the processing liquid, and the direction along the surface of the wafer And a pair of wafer guides configured to be able to hold both lower end portions of the wafer by moving in a vertical direction relative to the wafer receiver.
  • a wafer rotating device comprising By swinging the wafer pedestal while the wafer is held by the wafer guide and then moving the wafer pedestal and the wafer guide relatively up and down to return to the wafer pedestal, Provided is a wafer rotation method in which the wafer is rotated with different wafer support portions in the wafer cradle.
  • a wafer rotation method according to a fifth aspect is provided, wherein the wafer is returned to the wafer cradle by lowering the wafer guide.
  • the wafer pedestal can be swung and the vertical position relative to the wafer guide can be changed, so that the wafer can be delivered to the wafer pedestal and the wafer guide. it can. Further, by changing the tilt angle of the wafer pedestal while the wafer guide is supporting the wafer, the wafer can be held in the circumferentially rotated state, so that the unevenness of the part due to the vertical position of the wafer can be maintained. Can be eliminated.
  • the wafer pedestal is configured to swing around the center axis position of the wafer to be supported, so that the wafer can be delivered without causing a positional shift or the like.
  • FIG. 4 is a diagram showing each of the subsequent steps shown in FIG. 3 of the operation procedure of the wafer rotating apparatus in FIG. 1.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a wafer cleaning apparatus using a wafer rotating apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional perspective view schematically showing the internal configuration of the wafer rotating apparatus of FIG. 1, and the propagation water tank 4 is omitted.
  • the wafer cleaning apparatus 100 using the wafer rotating apparatus 1 includes a cleaning tank (inner tank) 2 that stores a cleaning liquid, and includes an outer tank 3 outside the cleaning tank 2.
  • the cleaning liquid in the cleaning tank 2 overflows and flows into the outer tank 3, and a propagation water tank 4 filled with propagation water is provided outside the outer tank 3.
  • An ultrasonic transmission unit 5 is provided on the outer surface of the bottom wall of the water tank 4.
  • the wafers W to be cleaned are arranged in the cleaning tank 2 so that a plurality of wafers W are parallel to each other at a predetermined interval.
  • the wafer W is held by the wafer cradle 6.
  • the wafer cradle 6 includes a pair of cradle body portions 11 disposed substantially parallel to the wafer and a receiving member 12 provided on the lower end side of the cradle body portion 11.
  • a total of three receiving members 12 are provided, one at the central portion of the wafer and two within a range of a central angle of about 10 to 45 ° from the central portion, and support the central portion on the lower surface of the wafer at three points. As a result, the wafer W is held.
  • the main body 11 covers the lower middle portion of the wafer W and is shaped so that both end sides of the wafer are exposed to the outside. Further, the main body 11 is provided outside the cleaning tank 2 by a connecting leg 13 extending upward. Removably connected to the swinging leg 14 extending downward. When the wafer is put into the cleaning tank 2, the wafer holder 6 holds the wafer and is immersed in the tank from the upper side of the cleaning tank 2 to connect the connecting leg 13 and the swing leg 14.
  • the swing leg 14 is supported by the outer surface of the propagation water tank 4 and is rotated along the main surface of the wafer W by the swing device 15 that rotates relative to the fixed shaft, as indicated by an arrow 90 in FIG. Swing in the direction.
  • the swing center C of the swing leg 14 is preferably configured to be positioned on the center axis of the wafer W when connected to the wafer cradle 6.
  • a pair of wafer guides 7 are provided on both sides of the wafer cradle 6.
  • the wafer guide 7 is provided so as to be vertically movable as indicated by an arrow 91 by an elevating device 16 provided outside the cleaning tank 2.
  • the lifting device is constituted by a cylinder, and the wafer cradle 6 is detachably fixed to a connecting portion 16b provided at the tip of the cylinder rod 16a.
  • the elevation position 16 of the wafer guide 7 may be configured to be able to stop at an arbitrary position, or may be configured to be able to move between a plurality of predetermined positions such as an upper stage, a middle stage, and a lower stage. Good.
  • the wafer guide 7 includes a pair of guide main body portions 17 arranged side by side in the thickness direction of the wafer W, and a support member 18 disposed so as to be suspended between the two guide main body portions 17.
  • the support member 18 is provided at a position where the lower left and right end portions of the wafer can be held.
  • the wafer cradle 6 is swung so as to be inclined, and the wafer guide 7 is lowered to move the wafer W to the wafer cradle 6.
  • the drive control of the wafer cradle 6 and the wafer guide 7 can be automatically performed by controlling the operations of the swing device 15 and the lifting device 16 by a drive control means (not shown).
  • the drive portions of the wafer cradle 6 and the wafer guide 7 are both provided outside the cleaning tank 2, and there is no possibility that fine dust or the like is generated from the drive portions.
  • FIGS. 3 and 4 are diagrams showing each step of the operation procedure of the wafer rotating apparatus according to the present embodiment.
  • an arrow is attached to the same part of the wafer W to display the state of rotation of the wafer in an easy-to-understand manner.
  • FIG. 3A shows a process of putting the wafer held on the wafer cradle 6 into the cleaning tank 2.
  • the wafer guide 7 is positioned at the lower stage, and as shown by an arrow 92, the holder cradle 6 is lowered into the cleaning tank 2 by a transfer robot (not shown). And put it in.
  • the support member 18 of the wafer guide 7 does not contact the wafer W and holds the wafer W only by the holder cradle 6.
  • the ultrasonic wave does not reach the portion where the receiving member 12 of the holder receiving base 6 is located, and cleaning unevenness occurs.
  • the holding part of the wafer W is changed.
  • the wafer guide 7 is raised to the middle as shown by the arrow 93 while the wafer cradle 6 is kept neutral.
  • the support members 18 of the wafer guide 7 are in close proximity to the left and right sides of the wafer W, but the wafer W is still held on the wafer cradle 6.
  • the wafer cradle 6 is tilted as indicated by an arrow 94.
  • the inclination angle is approximately 15 °.
  • the wafer W is held on the wafer holder 6 as described above, the wafer W is inclined according to the inclination of the wafer holder 6. Further, since the support member 18 of the wafer guide 7 is close to the left and right ends of the wafer W, the wafer W is prevented from falling due to the tilting operation of the wafer cradle 6.
  • the wafer guide 7 is raised to the upper stage as indicated by an arrow 95 to bring the wafer W into a state of being lifted from the wafer cradle 6.
  • the wafer W is held only by the wafer guide 7, and the guide cradle 6 can freely rotate.
  • the wafer cradle 6 is inclined approximately 15 ° in the reverse direction.
  • the inclination of the wafer receiving base 6 does not affect the inclination of the wafer W.
  • the contact between the wafer W and the wafer cradle 6 can be shifted by 30 °.
  • the wafer guide 7 is lowered to the middle stage and the wafer W is placed on the wafer cradle 6.
  • the wafer cradle 6 is inclined approximately 15 ° as indicated by an arrow 98.
  • the wafer W is held on the wafer pedestal 6 as described above, the wafer W is tilted according to the tilt of the wafer pedestal 6 and rotated by 30 °.
  • the support member 18 of the wafer guide 7 is close to the left and right ends of the wafer W, the wafer W is prevented from falling by the tilting operation of the wafer cradle 6.
  • the wafer guide 7 is raised to the upper level as indicated by an arrow 99 to bring the wafer W into a state of being lifted from the wafer cradle 6. In this state, the wafer W is held only by the wafer guide 7, and the guide cradle 6 can freely rotate.
  • the wafer W can be rotated by 30 °.
  • the wafer cleaning apparatus As described above, according to the wafer cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention, there is no region that is not irradiated with ultrasonic waves, and the wafer W is rotated so that its vertical position is switched. Therefore, it is possible to solve the problem that the cleaning quality difference is caused by the distance from the ultrasonic generator 5 and the temperature and concentration distribution of the cleaning liquid in the tank.
  • this invention is not limited to the said embodiment, It can implement in another various aspect.
  • the present embodiment has been described with reference to a wafer cleaning apparatus, it can also be used in an etching processing apparatus.
  • the mode of rotation of the wafer W is not limited to the process shown in FIGS. 3 and 4, and the wafer W is transferred between the wafer guide 7 and the wafer cradle 6 and held by the wafer guide 7.
  • the contact procedure between the wafer W and the wafer cradle 6 is made different, and as a result, the operation procedure for rotating the wafer W is widely included.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

　ウエハの処理ムラをなくすために、微小ゴミを発生させることなく、処理槽内でウエハを回転させることができるウエハ回転装置を提供する。処理液を収容し、処理液内にウエハを浸漬することができる処理液槽（２）と、処理液槽（２）内で前記ウエハ（Ｗ）の下部中間部分を保持し、ウエハの面に沿った方向に揺動可能に構成されているウエハ受台（６）と、処理液槽２内のウエハ受台（６）を挟むように配置され、ウエハ受台（６）に対し相対的に上下方向に移動することでウエハの下部両端部分を保持可能に構成されている１組のウエハガイド（７）と、ウエハ（Ｗ）を、ウエハガイド（７）に保持させた状態でウエハ受台（６）を揺動させた後ウエハ受台（６）とウエハガイド（７）とを相対的に上下方向に移動させてウエハ受台（６）に戻すことで、ウエハ受台（６）におけるウエハＷの支持部分を異ならせてウエハを回転させる。

Description

ウエハ回転装置及びウエハ回転方法
　本発明は、ウエハ洗浄装置やエッチング処理装置などのウエハ処理槽中に浸漬されたウエハを処理槽内で回転させるウエハ回転装置及びウエハ回転方法に関するものである。
　従来から、半導体製造プロセスにおける洗浄プロセス技術は、ウエハの清浄性を保つ上で欠かせないプロセス技術である。近年、半導体製造プロセスはより高い精度がもとめられており、要求されるパーティクル除去性能もますます厳しくなっている。
　超音波洗浄法は、このような洗浄プロセス技術の１つとして広く使用されている。超音波洗浄法は、ウエハ表面の汚染物質に超音波を照射することで汚染物質を除去し、酸やアルカリなどの化学洗浄法と併用することにより洗浄効率を向上させる重要な技術である。
　超音波洗浄装置では、発振した超音波の進行方向に対してウエハを支持する部材の影になる部分には、この支持部材が障害になり超音波が届かない部分が出る、あるいは超音波発生装置からの距離の違いによる洗浄の程度に差が出ることにより、洗浄ムラが発生してウエハ面内における均一な汚染物質除去性能を得られないという問題があった。
　この問題を解消するため、例えば、特許文献１（特開２００６－３２４４９５号公報）及び特許文献２（特開２０１１－１６５６９４号公報）などにおいて、洗浄ムラを抑制することができる、ウエハ洗浄装置が提案されている。
　特許文献１の洗浄装置は、洗浄槽中に、ウエハガイドとウエハチャックとを双方備え、ウエハの洗浄中にこれらによるウエハの保持を切り替えることによって、ウエハ支持部材の影になる部分を異ならせることで洗浄ムラを解消しようとするものである。
　また、特許文献２の洗浄装置は、複数の洗浄槽において、それぞれの洗浄槽でウエハを支持する受け溝の位置を異ならせることで、複数の洗浄槽全体としての超音波の未照射領域をなくすこととしたものである。
特開２００６－３２４４９５号公報 特開２０１１－１６５６９４号公報
　しかし、特許文献１の装置では、ウエハを支持する部材を異ならせることで未照射領域自体はなくすことができるが、ウエハの部位ごとの洗浄の品質ムラを解消することは困難であった。特に近年、ウエハの大径化が進められているところ、超音波発生装置からの距離及び槽内の洗浄液の温度や濃度が不均一であるため、洗浄の品質差が生じるという問題が表面化してきている。
　また、半導体の洗浄工程は、微小な不純物を取り除くことが目的であり、洗浄槽にベルトや歯車などの微小ゴミを発生させるような複雑な機構を使うことはパーティクル除去条件が厳しくなっている現在では実質不可能となっている。
　また、特許文献２の装置は、複数の洗浄槽の存在を前提とするものであり、単一の洗浄槽では洗浄ムラを解消することはできないという問題があった。
　従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、ウエハ支持部材の障害、超音波照射距離の違い、処理液の不均一分布などによる処理ムラをなくすために、微小ゴミを発生させることなく、処理槽内でウエハを回転させることができるウエハ回転装置及びウエハ回転方法を提供することにある。
　本発明は、上記目的を達成するため、以下のように構成している。
　本発明の第１態様によれば、処理液を収容し、前記処理液内にウエハを浸漬することができる処理液槽と、
　前記処理液槽内で前記ウエハの周縁下部中間部分を保持し、ウエハの面に沿った方向に揺動可能に構成されているウエハ受台と、
　前記処理液槽内の前記ウエハ受台を挟むように配置され、前記ウエハ受台に対し相対的に上下方向に移動することで前記ウエハの周縁下部の前記ウエハ受台による保持部分よりも端側の部分を保持可能に構成されている１組のウエハガイドと、を備え、
　前記ウエハガイドは、前記ウエハ受台が第１の方向に揺動する時に前記ウエハの周縁に近接するよう位置すると共に、前記ウエハが保持している状態で前記ウエハ受台を第２の方向に揺動させた後、前記ウエハ受台に対し相対的に上下方向に移動して前記ウエハ受台に前記ウエハを戻すことで、前記ウエハ受台におけるウエハの支持部分を異ならせて前記ウエハを回転させるウエハ回転装置を提供する。
　本発明の第２態様によれば、前記ウエハガイドは、上下移動可能に構成されており、前記ウエハガイドが下降することで、前記ウエハ受台にウエハが戻る、第１態様のウエハ回転装置を提供する。
　本発明の第３態様によれば、前記ウエハ受台は、支持する前記ウエハの中心軸を回転中心として揺動するように構成されている、第１態様のウエハ回転装置を提供する。
　本発明の第４態様によれば、前記ウエハガイドは、それぞれ、前記ウエハの厚み方向に配置された２本のガイド本体と、前記２本のガイド本体間に懸架されるように配置された支持部材とを備える、第１態様のウエハ回転装置を提供する。
　本発明の第５態様によれば、処理液を収容し、前記処理液内にウエハを浸漬することができる処理液槽内で前記ウエハの下部中間部分を保持し、ウエハの面に沿った方向に揺動可能に構成されているウエハ受台と、前記ウエハ受台に対し相対的に上下方向に移動することで前記ウエハの下部両端部分を保持可能に構成されている１組のウエハガイドと、を備えるウエハ回転装置を用い、
　前記ウエハを、前記ウエハガイドに保持させた状態で前記ウエハ受台を揺動させた後前記ウエハ受台とウエハガイドとを相対的に上下方向に移動させて前記ウエハ受台に戻すことで、前記ウエハ受台におけるウエハの支持部分を異ならせて前記ウエハを回転させる、ウエハ回転方法を提供する。
　本発明の第６態様によれば、前記ウエハ受台とウエハガイドとの間のウエハの受け渡しは、前記ウエハガイドが上昇することで、前記ウエハ受台からウエハガイドに前記ウエハが保持され、前記ウエハガイドが下降することで前記ウエハ受台にウエハが戻る、第５態様のウエハ回転方法を提供する。
　本発明によれば、ウエハ受台を揺動可能で、ウエハガイドに対して相対的な上下位置を変更可能に構成することで、ウエハ受台とウエハガイドへのウエハの受け渡しを実現することができる。また、ウエハガイドがウエハを支持している状態でウエハ受台の傾斜角度を変更することで、ウエハを周方向に回転した状態に保持することができるので、ウエハの上下方向位置による部位のムラをなくすことができる。
　また、ウエハ受台は、支持するウエハの中心軸の位置を回転中心として揺動するように構成することで、位置ずれなどを起こすことなくウエハの受け渡しをすることができる。
本発明の実施形態にかかるウエハ回転装置を用いたウエハ洗浄装置の構成を示す模式図である。 図１のウエハ回転装置の内部構成を模式的に示す一部断面斜視図である。 図１のウエハ回転装置の動作手順の各工程を示す図である。 図１のウエハ回転装置の動作手順の図３に示した続きの各工程を示す図である。
　本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。以下、図面を参照して本発明における第１実施形態を詳細に説明する。
　図１は、本発明の実施形態にかかるウエハ回転装置を用いたウエハ洗浄装置の構成を示す模式図である。図２は、図１のウエハ回転装置の内部構成を模式的に示す一部断面斜視図であり、伝播用水槽４を省略している。
　本実施形態にかかるウエハ回転装置１を用いたウエハ洗浄装置１００は、洗浄液を収容する洗浄槽（内槽）２を備えており、当該洗浄槽２の外側に外槽３を備えている。洗浄槽２内の洗浄液は、オーバーフローして外槽３に流れるように構成されており、さらに外槽３の外側には、伝播水で満たされた伝播用水槽４が設けられている。水槽４の底壁外面には、超音波発信部５が設けられている。
　洗浄対象となるウエハＷは、図２に示すように、複数枚のウエハＷが所定の間隔をおいて互いに平行になるように洗浄槽２内に配置される。ウエハＷは、ウエハ受台６により保持される。
　ウエハ受台６は、図２に示すように、ウエハに略平行に配置される１組の受台本体部１１と受台本体部１１の下端側に設けられる受け部材１２とを備える。受け部材１２は、ウエハの中心部分に１本及び中心部分から中心角が１０～４５°程度の範囲内に２本の合計３本設けられており、３点でウエハの下面中央部分を支持することでウエハＷを保持する。
　本体１１は、ウエハＷの下側中間部分を被覆すると共に、ウエハの両端側は外部に露出するような形状であり、さらに、上側に延びた連結脚１３により、洗浄槽２外に設けられ、下方へ延びる揺動脚１４に脱着可能に連結する。洗浄槽２内にウエハを投入する場合は、ウエハ受台６にウエハを保持させた後、洗浄槽２の上側から槽内に浸漬させ、連結脚１３と揺動脚１４とを連結する。
　揺動脚１４は、伝播用水槽４の外面に軸支されており固定軸に対して回転を与える揺動装置１５により、図１の矢印９０に示すように、ウエハＷの主面に沿った方向に揺動する。なお、揺動脚１４の揺動中心Ｃは、ウエハ受台６との連結時にウエハＷの中心軸上に位置するように構成されることが好ましい。
　ウエハ受台６の両サイドには、一対のウエハガイド７が設けられている。ウエハガイド７は、洗浄槽２の外側に設けられる昇降装置１６によって、矢印９１に示すように上下移動可能に設けられる。本実施形態では昇降装置はシリンダにより構成されており、シリンダロッド１６ａの先端に設けられた連結部１６ｂにウエハ受台６が脱着可能に固定されている。
　ウエハガイド７の昇降位置１６は、任意の位置に停止可能に構成されていてもよいし、上段、中段、下段など、予め決められた複数の位置の間を移動できるように構成されていてもよい。
　ウエハガイド７は、それぞれウエハＷの厚み方向に並べて配置された１組のガイド本体部１７と、２本のガイド本体部１７の間に懸架されるように配置された支持部材１８とを備える。支持部材１８は、ウエハの下部左右両端部分を保持可能な位置に設けられており、昇降装置１６によりウエハガイド７が上昇すると、ウエハＷの下部両端部分が支持部材１８に係止されてウエハガイド７によってウエハＷが保持され、ウエハ受台６はウエハＷを保持しない状態となる。
　この状態において、ウエハ受台６を揺動させて傾斜状態とし、さらにウエハガイド７を下降させてウエハ受台６にウエハＷを移動させることにより、ウエハ受台６によるウエハＷの保持部分を異ならせることができる。なお、ウエハ受台６及びウエハガイド７の駆動制御は、図示しない駆動制御手段により、揺動装置１５及び昇降装置１６の動作を制御することによって自動的に行うことができる。
　したがって、超音波が照射されない領域がなくなり、さらに、ウエハＷが回転することで、その上下位置の入れ替えが行われる。よって、超音波発生装置５からの距離及び槽内の洗浄液の温度や濃度分布の差によって洗浄の品質差が生じるという問題を解消することができる。
　また、本実施形態において、ウエハ受台６及びウエハガイド７の駆動部分は、いずれも洗浄槽２の外部に設けられることとなり、駆動部分から微小ゴミなどが発生するおそれがない。
　次に、本実施形態にかかるウエハ回転装置の動作について説明する。以下の説明においては、ウエハを回転させる機構を中心として説明する。
　図３及び図４は、本実施形態にかかるウエハ回転装置の動作手順の各工程を示す図である。なお、図３及び図４においては、ウエハＷの同一部位に矢印を付して、ウエハの回転の様子を分かりやすく表示している。
　図３（ａ）は、ウエハ受台６に保持されたウエハを洗浄槽２内に投入する工程を示している。図３（ａ）に示すように、ウエハの投入時には、ウエハガイド７は下段に位置しており、矢印９２に示すように、図示しない搬送ロボットによりホルダ受台６を洗浄槽２内に下降させて投入する。ウエハガイド７が下段に位置している状態では、ウエハガイド７の支持部材１８は、ウエハＷに接触することなく、ホルダ受台６のみでウエハＷを保持する。この状態において、洗浄槽２内でウエハＷの洗浄を行うと、ホルダ受台６の受け部材１２が位置する部分は、超音波が届かず、洗浄ムラが生じることになるため、次の手順によりウエハＷの保持部分の変更を行う。
　図３（ｂ）に示す状態は、ウエハ受台６を中立に維持したまま、矢印９３に示すようにウエハガイド７を中段へ上昇させる。この状態では、ウエハガイド７の支持部材１８は、ウエハＷの左右両側にごく近接した状態となっているが、ウエハＷの依然としてウエハ受台６に保持されている。
　次いで、図３（ｃ）に示すように、ウエハ受台６を矢印９４に示すように傾斜させる。本実施形態では、傾斜角度は、概ね１５°程度としている。この状態では、上記の通りウエハＷはウエハ受台６に保持されているため、ウエハ受台６の傾斜に応じてウエハＷが傾斜する。また、ウエハガイド７の支持部材１８が、ウエハＷの左右両端側に近接しているため、ウエハ受台６の傾斜動作に伴う、ウエハＷの落下を防止する。
　次に、図３（ｄ）においてウエハガイド７を矢印９５に示すように上段まで上昇させ、ウエハＷをウエハ受台６より浮かした状態とする。この状態では、ウエハＷはウエハガイド７のみによって保持されており、ガイド受台６が自由に回転することも可能である。
　図４（ｅ）に矢印９６に示すように、ウエハ受台６を逆方向へ概ね１５°程度傾斜させる。この状態では、上記の通りウエハＷはウエハガイド７に保持されているため、ウエハ受台６の傾斜がウエハＷの傾斜に影響を与えることがない。結果として、ウエハＷとウエハ受台６の接点を３０°ずらすことができる。
　次に図４（ｆ）の矢印９７に示すように、ウエハガイド７を中段に下降させ、ウエハＷをウエハ受台６に載せる。図４（ｇ）に示すように、ウエハ受台６を矢印９８に示すように概ね１５°程度傾斜させる。この状態では、上記の通りウエハＷはウエハ受台６に保持されているため、ウエハ受台６の傾斜に応じてウエハＷが傾斜し、３０°回転したこととなる。また、ウエハガイド７の支持部材１８が、ウエハＷの左右両端側に近接しているため、ウエハ受台６の傾斜動作によって、ウエハＷの落下が防止される。
　次に、図４（ｈ）においてウエハガイド７を矢印９９に示すように上段まで上昇させ、ウエハＷをウエハ受台６より浮かした状態とする。この状態では、ウエハＷはウエハガイド７のみによって保持されており、ガイド受台６が自由に回転することも可能である。
　以下、図４（ｅ）から図４（ｈ）の動作を繰り返すことで、ウエハＷを３０°ずつ回転させることができる。
　以上説明したように、本発明の実施形態にかかるウエハ洗浄装置によれば、超音波が照射されない領域がなくなり、さらに、ウエハＷが回転することで、その上下位置の入れ替えが行われる。よって、超音波発生装置５からの距離及び槽内の洗浄液の温度や濃度分布の差によって洗浄の品質差が生じるという問題を解消することができる。
　また、ウエハ受台６及びウエハガイド７の駆動機構は、いずれも洗浄槽２内に存在しないため、これらの駆動部材の動作によって微小ゴミが生じることがなく、洗浄液を汚染することがない。
　なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施可能である。例えば、本実施形態は、ウエハ洗浄装置について説明したが、エッチング処理装置にも用いることが可能である。
　また、ウエハＷの回転の態様については、図３及び図４の工程に限定されるものではなく、ウエハガイド７とウエハ受台６との間でウエハＷを受け渡ししつつ、ウエハガイド７に保持させているタイミングでウエハ受台６の傾斜角度を異ならせることで、ウエハＷとウエハ受台６の接触位置を異ならせ、結果としてウエハＷが回転するような動作手順を広く含む。
　なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
　本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
　１　ウエハ回転装置
　２　洗浄槽
　３　外槽
　４　伝播用水槽
　５　超音波発信部
　６　ウエハ受台
　７　ウエハガイド
１１　受台本体部
１２　受け部材
１３　連結脚
１４　揺動脚
１５　揺動装置
１６　昇降装置
１７　ガイド本体部
１８　支持部材
１００　ウエハ洗浄装置
　Ｃ　回転中心
　Ｗ　ウエハ
 
 
 
 

Claims (6)

  1. 　処理液を収容し、前記処理液内にウエハを浸漬することができる処理液槽と、
    　前記処理液槽内で前記ウエハの周縁下部中間部分を保持し、ウエハの面に沿った方向に揺動可能に構成されているウエハ受台と、
    　前記処理液槽内の前記ウエハ受台を挟むように配置され、前記ウエハ受台に対し相対的に上下方向に移動することで前記ウエハの周縁下部の前記ウエハ受台による保持部分よりも端側の部分を保持可能に構成されている１組のウエハガイドと、を備え、
    　前記ウエハガイドは、前記ウエハ受台が第１の方向に揺動する時に前記ウエハの周縁に近接するよう位置すると共に、前記ウエハが保持している状態で前記ウエハ受台を第２の方向に揺動させた後、前記ウエハ受台に対し相対的に上下方向に移動して前記ウエハ受台に前記ウエハを戻すことで、前記ウエハ受台におけるウエハの支持部分を異ならせて前記ウエハを回転させる、ウエハ回転装置。
  2. 　前記ウエハガイドは、上下移動可能に構成されており、前記ウエハガイドが下降することで、前記ウエハ受台にウエハが戻る、請求項１に記載のウエハ回転装置。
  3. 　前記ウエハ受台は、支持する前記ウエハの中心軸を回転中心として揺動するように構成されている、請求項１に記載のウエハ回転装置。
  4. 　前記ウエハガイドは、それぞれ、前記ウエハの厚み方向に配置された２本のガイド本体と、前記２本のガイド本体間に懸架されるように配置された支持部材とを備える、請求項１に記載のウエハ回転装置。
  5. 　処理液を収容し、前記処理液内にウエハを浸漬することができる処理液槽内で前記ウエハの周縁下部中間部分を保持し、ウエハの面に沿った方向に揺動可能に構成されているウエハ受台と、前記ウエハ受台に対し相対的に上下方向に移動することで前記ウエハの周縁下部の前記ウエハ受台による保持部分よりも端側の部分を保持可能に構成されている１組のウエハガイドと、を備えるウエハ回転装置を用い、
    　前記ウエハを、前記ウエハガイドに保持させた状態で前記ウエハ受台を揺動させた後前記ウエハ受台とウエハガイドとを相対的に上下方向に移動させて前記ウエハ受台に戻すことで、前記ウエハ受台におけるウエハの支持部分を異ならせて前記ウエハを回転させる、ウエハ回転方法。
  6. 　前記ウエハ受台とウエハガイドとの間のウエハの受け渡しは、前記ウエハガイドが上昇することで、前記ウエハ受台からウエハガイドに前記ウエハが保持され、前記ウエハガイドが下降することで前記ウエハ受台にウエハが戻る、請求項５に記載のウエハ回転方法。
     
     
PCT/JP2013/077360 2012-11-02 2013-10-08 ウエハ回転装置及びウエハ回転方法 WO2014069187A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020157012274A KR102111951B1 (ko) 2012-11-02 2013-10-08 웨이퍼 회전 장치 및 웨이퍼 회전 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-242437 2012-11-02
JP2012242437A JP5312662B1 (ja) 2012-11-02 2012-11-02 ウエハ回転装置及びウエハ回転方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014069187A1 true WO2014069187A1 (ja) 2014-05-08

Family

ID=49529573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/077360 WO2014069187A1 (ja) 2012-11-02 2013-10-08 ウエハ回転装置及びウエハ回転方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5312662B1 (ja)
KR (1) KR102111951B1 (ja)
TW (1) TWI584365B (ja)
WO (1) WO2014069187A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6399372B1 (ja) * 2017-10-30 2018-10-03 株式会社Ｅｃｐ ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
CN111640692A (zh) * 2020-04-26 2020-09-08 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置
CN113063272A (zh) * 2021-04-14 2021-07-02 创微微电子(常州)有限公司 晶圆烘干槽、晶圆烘干方法和晶圆烘干装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110911302A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 胜高股份有限公司 晶片清洗装置及清洗方法
KR20230159179A (ko) * 2022-05-13 2023-11-21 에스케이실트론 주식회사 기판 세정 장치 및 세정 방법
KR102598146B1 (ko) * 2022-11-15 2023-11-06 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092281A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 M Fsi Kk 基板の支持固定具、及びこれを用いた基板表面の乾燥方法
JP2005317907A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012151320A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Sumco Corp ウェーハ洗浄装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01304733A (ja) * 1988-06-01 1989-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置
JPH0870031A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Sony Corp 基板保持具、基板の処理槽、及び基板の洗浄・乾燥方法及び同装置
JP3831877B2 (ja) * 1997-02-21 2006-10-11 株式会社丸和製作所 半導体基体の製造方法
JP2000129471A (ja) * 1998-10-22 2000-05-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100677965B1 (ko) * 1999-11-01 2007-02-01 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법 및 기판처리장치
JP2005116871A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 液中処理方法及び液中処理装置
JP2004158882A (ja) * 2004-02-12 2004-06-03 Canon Inc 半導体基体の製造方法
JP2006324495A (ja) 2005-05-19 2006-11-30 Sharp Corp 超音波洗浄装置
JP2011165694A (ja) 2010-02-04 2011-08-25 Sumco Corp ウェーハの超音波洗浄方法および超音波洗浄装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092281A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 M Fsi Kk 基板の支持固定具、及びこれを用いた基板表面の乾燥方法
JP2005317907A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012151320A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Sumco Corp ウェーハ洗浄装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6399372B1 (ja) * 2017-10-30 2018-10-03 株式会社Ｅｃｐ ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
KR20190049475A (ko) * 2017-10-30 2019-05-09 가부시키가이샤 이씨피 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법
JP2019083302A (ja) * 2017-10-30 2019-05-30 株式会社Ｅｃｐ ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
KR102011303B1 (ko) 2017-10-30 2019-08-16 가부시키가이샤 이씨피 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법
CN111640692A (zh) * 2020-04-26 2020-09-08 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置
CN111640692B (zh) * 2020-04-26 2023-10-10 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置
CN113063272A (zh) * 2021-04-14 2021-07-02 创微微电子(常州)有限公司 晶圆烘干槽、晶圆烘干方法和晶圆烘干装置
CN113063272B (zh) * 2021-04-14 2023-11-17 创微微电子(常州)有限公司 晶圆烘干槽、晶圆烘干方法和晶圆烘干装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014093388A (ja) 2014-05-19
KR20150082303A (ko) 2015-07-15
TW201426847A (zh) 2014-07-01
KR102111951B1 (ko) 2020-05-18
TWI584365B (zh) 2017-05-21
JP5312662B1 (ja) 2013-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014069187A1 (ja) ウエハ回転装置及びウエハ回転方法
JP6399372B1 (ja) ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
JP4744426B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100917304B1 (ko) 기판처리장치
JP5696491B2 (ja) ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法
JP2008166368A (ja) 基板処理装置
JP5637974B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR20230159179A (ko) 기판 세정 장치 및 세정 방법
JP2011165694A (ja) ウェーハの超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
KR102343633B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN110911302A (zh) 晶片清洗装置及清洗方法
KR102188353B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP6994242B2 (ja) 半導体ウェハ処理装置
JP2013069978A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102598146B1 (ko) 웨이퍼 세정 장치
JP2008004890A (ja) 超音波洗浄装置
KR100744101B1 (ko) 웨이퍼 표면연마장비의 플래튼 구동 시스템
JP2008198883A (ja) 基板処理装置
KR100782541B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102310461B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP5605207B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
KR20220112438A (ko) 배치식 웨이퍼 세정 장치
KR101409723B1 (ko) 슬림 에칭장치
KR102288983B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2002184737A (ja) 半導体ウェハ洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13850080

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157012274

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13850080

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1