JP2014115389A - 基板冷却装置及びマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板と接触して、前記基板を冷却するための冷却面を有する冷却プレートと、前記冷却プレートの前記冷却面に対向して配置される冷媒ガス冷却ユニットとを含む基板冷却装置であって、前記冷媒ガス冷却ユニットが、冷媒となる冷媒ガスを一時的に貯留する冷媒ガスチャージ空間と、前記冷媒ガスチャージ空間に前記冷媒ガスを供給する冷媒ガス供給口と、前記冷却プレートに対向する前記冷媒ガス冷却ユニットの表面の少なくとも一部に形成された、前記冷媒ガスチャージ空間まで貫通する複数の貫通孔と、を備えることを特徴とする、基板冷却装置である。
【選択図】 図1
Description
本発明の構成1は、基板と接触して、前記基板を冷却するための冷却面を有する冷却プレートと、前記冷却プレートの前記冷却面に対向して配置される冷媒ガス冷却ユニットとを含む基板冷却装置であって、前記冷媒ガス冷却ユニットが、冷媒となる冷媒ガスを一時的に貯留する冷媒ガスチャージ空間と、前記冷媒ガスチャージ空間に前記冷媒ガスを供給する冷媒ガス供給口と、前記冷却プレートに対向する前記冷媒ガス冷却ユニットの表面の少なくとも一部に形成された、前記冷媒ガスチャージ空間まで貫通する複数の貫通孔と、を備えることを特徴とする、基板冷却装置である。
本発明の構成2は、前記貫通孔の配置が、あらかじめ取得した前記基板の温度分布状況に応じて、より温度の高い前記基板に対応する部分に、より大きな流量の前記冷媒ガスを供給するように形成されることを特徴とする、構成1に記載の基板冷却装置である。
本発明の構成3は、前記基板が、矩形であり、前記冷媒ガス冷却ユニットが、前記冷却プレートの前記冷却面に配置される前記基板の位置に対応する基板対応矩形領域を有し、前記基板対応矩形領域の少なくとも一部のみに、前記貫通孔が配置される貫通孔配置領域を有することを特徴とする、構成1又は2に記載の基板冷却装置である。基板が、一般的なマスクブランクの形状である矩形である場合、貫通孔が、基板対応矩形領域の少なくとも一部のみに配置されることにより、基板の冷却を効率良く行うことができる。
本発明の構成4は、前記貫通孔配置領域の外側境界が、前記基板対応矩形領域の周囲の各辺から、それぞれの辺に垂直の辺の長さの0.05〜0.3倍の距離だけ内側にあることを特徴とする、構成3に記載の基板冷却装置である。
本発明の構成5は、前記貫通孔配置領域が、前記基板対応矩形領域の頂点、前記頂点から伸びる一つの辺の上の点であって、前記頂点から前記一つの辺の長さの0.1〜0.5倍の距離の点、及び前記頂点から伸びる他方の辺の上の点であって、前記頂点から前記他方の辺の長さの0.1〜0.5倍の距離の点で囲まれる三角形を除く領域であることを特徴とする、構成3又は4に記載の基板冷却装置である。
本発明の構成6は、前記貫通孔が、前記貫通孔配置領域の全体にわたり、略等間隔で配置される、構成3〜5のいずれか1項に記載の基板冷却装置である。貫通孔が略等間隔で規則的に配置されることにより、特定の貫通孔から大量に吹きだされる現象を抑制することができる。
本発明の構成7は、前記貫通孔の各々の断面積が、0.18mm2以上4mm2以下であることを特徴とする、構成1〜6のいずれか1項に記載の基板冷却装置である。貫通孔の各々の断面積が所定の範囲であることにより、各貫通孔から吐出する冷媒ガスの圧力をほぼ均一にすることができる。この結果、基板の面内の温度分布を均一にすることができる。
本発明の構成8は、前記貫通孔の断面積の合計が、前記基板の面積に対して0.3%以上20%以下であることを特徴とする、構成1〜7のいずれか1項に記載の基板冷却装置である。基板の面積に対する貫通孔の断面積の合計が所定の範囲であることにより、各貫通孔から吐出する冷媒ガスの圧力をほぼ均一にすることができる。この結果、基板の面内の温度分布を均一にすることができる。
本発明の構成9は、一つの前記貫通孔から吐出する前記冷媒ガスの流量が、1mL/分以上30mL/分以下であることを特徴とする、構成1〜8のいずれか1項に記載の基板冷却装置である。一つの貫通孔から吐出する冷媒ガスの流量が、上述の範囲であることにより、適正な冷媒ガスの消費量により速やかな基板の冷却を行うことができる。
本発明の構成10は、前記冷媒ガスが、窒素、空気及びアルゴンから選択される少なくとも1種の気体であることを特徴とする、構成1〜9のいずれか1項に記載の基板冷却装置である。冷却効率を向上して均一に基板表面を冷却するためには、冷媒ガスとして、窒素、空気及びアルゴンから選択される少なくとも1種の気体であることが好ましい。
本発明の構成11は、前記冷媒ガス供給口が、前記貫通孔が形成されていない領域の方向へ前記冷媒ガスを放出するように構成されることを特徴とする、構成1〜10のいずれか1項に記載の基板冷却装置である。
本発明の構成12は、前記基板が、マスクブランク用基板であることを特徴とする、構成1〜11のいずれか1項に記載の基板冷却装置である。本発明の基板冷却装置を用いるならば、高感度なレジストを用いる場合であっても、マスクブランク用基板に対して均一な現像感度のレジスト層を形成することができる。
本発明の構成13は、構成1〜12のいずれか1項に記載の基板冷却装置を用いるマスクブランクの製造方法であって、前記基板の表面に形成された薄膜の上面に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層が形成された前記基板をアニール処理するアニール処理工程と、前記基板冷却装置の前記冷却プレートの前記冷却面に前記基板を配置して、前記冷却プレート及び前記冷媒ガス冷却ユニットの前記貫通孔から供給される前記冷媒ガスによって、アニール処理後の前記基板を冷却する冷却工程とを含むことを特徴とする、マスクブランクの製造方法である。
また、冷却水は恒温槽を使用して、たとえば24℃に恒温管理した水を循環させて使用することもできる。
0.05≦De/Dsub≦0.3
であることが好ましい。この関係を満たす貫通孔形成領域30は、基板対応矩形領域2’を基準に考えると、4つの周辺部付近33には、貫通孔31が形成されていないことになる。基板の温度測定及びシミュレーションによる解析によると、基板の中心部の温度は、基板表面の周辺部と比べて、一般的に高い。そのため、基板の冷却効率を向上するためには、貫通孔31を、基板表面の所定の距離だけ内側に多く配置することが好ましい。このような配置は、貫通孔31の配置が、あらかじめ取得した基板の温度分布状況に応じて、より温度の高い基板に対応する部分に、より大きな流量の冷媒ガスを供給するように形成されることの一例である。
0.1×Dsub≦Dc≦0.5×Dsub
であることが好ましい。本発明の基板冷却装置1では、この所定の三角形の内部には、貫通孔31を配置しないことが好ましい。この配置では、基板対応矩形領域2’の4つの角部付近32には、貫通孔31が形成されていないことになる。基板の頂点及びその近傍は、冷却速度が大きいため、基板表面の全体にわたって均一な冷却速度を保つためには、基板の頂点及びその近傍には貫通孔31を配置しないことにより、基板の頂点及びその近傍での冷却速度を遅くすることが必要である。このような配置は、貫通孔31の配置が、あらかじめ取得した基板の温度分布状況に応じて、より温度の高い基板に対応する部分に、より大きな流量の冷媒ガスを供給するように形成されることの一例である。
図1〜4に示すような、基板を冷却するための基板冷却装置1を試作した。基板冷却装置1及び基板の寸法等は下記の通りである。
基板:一辺6インチ(Dsub=152mm)の正方形基板。厚さは6.35mm。
冷却プレート10から冷媒ガス冷却ユニット20までの間隔:18mm(図4のH=11.65mm)。
貫通孔31:直径1mmの円形の貫通孔31を方眼点状の規則性を持った配列で形成。各貫通孔31間の間隔は5mm。
貫通孔形成領域30の形状:図3のDsub=152mm、De=20.5mm及びDc=50.5mmである。
冷却前の基板温度:130℃
冷媒ガス種:窒素ガス
冷媒ガスの流量:1.8L/分とした。この時に一つの貫通孔31から流れるガス量は、およそ3.6mL/分(大気圧換算)である。
実施例2では、冷媒ガス流量を2.5L/分とした。この時に一つの貫通孔31から流れるガス流量は、5.1mL/分(大気圧換算)で行ったほかは、実施例1と同一の条件で基板を冷却し、温度均一性を測定した。
その結果、実施例2において、基板が130℃から30℃まで冷却するために必要な時間は、147秒だった。また、基板表面内の最高温度と最低温度との温度差は、2.3℃以下に維持されていたことから、実施例2による基板の冷却の際に、基板表面内での温度均一性が高いことがわかった。
本比較例は、基板の表面に貫通穴が形成されていない空冷式の冷却プレートが対向するように構成された基板冷却装置を用いたほかは実施例1と同一の条件で基板の冷却を行った。
その結果、比較例では、基板温度が130℃から30℃まで冷却される時間は、254秒だった。また、基板上の最高温度と最低温度の温度差が5℃以上の時間が47秒間あり、実施例1及び2と比べて面内での温度均一性が悪いという結果となった。
2 マスクブランク
2’ 基板対応矩形領域
10 冷却プレート
12 冷却水
15、16、17、18 係止溝
20 冷媒ガス冷却ユニット
21、22、23、24 孔部
25、26、27、28 係止部
29 冷媒ガスチャージ空間
30 貫通孔形成領域
31 貫通孔
32 角部付近
33 周辺部付近
41、42、43、44 ガス管
Claims (13)
- 基板と接触して、前記基板を冷却するための冷却面を有する冷却プレートと、
前記冷却プレートの前記冷却面に対向して配置される冷媒ガス冷却ユニットと
を含む基板冷却装置であって、
前記冷媒ガス冷却ユニットが、
冷媒となる冷媒ガスを一時的に貯留する冷媒ガスチャージ空間と、
前記冷媒ガスチャージ空間に前記冷媒ガスを供給する冷媒ガス供給口と、
前記冷却プレートに対向する前記冷媒ガス冷却ユニットの表面の少なくとも一部に形成された、前記冷媒ガスチャージ空間まで貫通する複数の貫通孔と、
を備えることを特徴とする、基板冷却装置。 - 前記貫通孔の配置が、あらかじめ取得した前記基板の温度分布状況に応じて、より温度の高い前記基板に対応する部分に、より大きな流量の前記冷媒ガスを供給するように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の基板冷却装置。
- 前記基板が、矩形であり、
前記冷媒ガス冷却ユニットが、前記冷却プレートの前記冷却面に配置される前記基板の位置に対応する基板対応矩形領域を有し、
前記基板対応矩形領域の少なくとも一部のみに、前記貫通孔が配置される貫通孔配置領域を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板冷却装置。 - 前記貫通孔配置領域の外側境界が、前記基板対応矩形領域の周囲の各辺から、それぞれの辺に垂直の辺の長さの0.05〜0.3倍の距離だけ内側にあることを特徴とする、請求項3に記載の基板冷却装置。
- 前記貫通孔配置領域が、
前記基板対応矩形領域の頂点、
前記頂点から伸びる一つの辺の上の点であって、前記頂点から前記一つの辺の長さの0.1〜0.5倍の距離の点、及び
前記頂点から伸びる他方の辺の上の点であって、前記頂点から前記他方の辺の長さの0.1〜0.5倍の距離の点
で囲まれる三角形を除く領域であることを特徴とする、請求項3又は4に記載の基板冷却装置。 - 前記貫通孔が、前記貫通孔配置領域の全体にわたり、略等間隔で配置される、請求項3〜5のいずれか1項に記載の基板冷却装置。
- 前記貫通孔の各々の断面積が、0.18mm2以上4mm2以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の基板冷却装置。
- 前記貫通孔の断面積の合計が、前記基板の面積に対して0.3%以上20%以下であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板冷却装置。
- 一つの前記貫通孔から吐出する前記冷媒ガスの流量が、1mL/分以上30mL/分以下であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板冷却装置。
- 前記冷媒ガスが、窒素、空気及びアルゴンから選択される少なくとも1種の気体であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の基板冷却装置。
- 前記冷媒ガス供給口が、前記貫通孔が形成されていない領域の方向へ前記冷媒ガスを放出するように構成されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の基板冷却装置。
- 前記基板が、マスクブランク用基板であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の基板冷却装置。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の基板冷却装置を用いるマスクブランクの製造方法であって、
前記基板の表面に形成された薄膜の上面に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層が形成された前記基板をアニール処理するアニール処理工程と、
前記基板冷却装置の前記冷却プレートの前記冷却面に前記基板を配置して、前記冷却プレート及び前記冷媒ガス冷却ユニットの前記貫通孔から供給される前記冷媒ガスによって、アニール処理後の前記基板を冷却する冷却工程と
を含むことを特徴とする、マスクブランクの製造方法。
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