JPH076986A - 半導体基板研削方法 - Google Patents
半導体基板研削方法Info
- Publication number
- JPH076986A JPH076986A JP14477393A JP14477393A JPH076986A JP H076986 A JPH076986 A JP H076986A JP 14477393 A JP14477393 A JP 14477393A JP 14477393 A JP14477393 A JP 14477393A JP H076986 A JPH076986 A JP H076986A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- wafer
- protective film
- grinding
- resist
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体基板表面の保護を十分にできる加工精
度の高い半導体基板の研削方法を提供する。 【構成】 シリコンウエハ１に形成したパターン面２に
スピンコート法を用いてネガ型レジスト３を均一に成膜
する。ポストベークでレジスト中の溶剤成分を除去す
る。その後、ウエハチャック上にウエハ１をパターン面
２を下にして置き固定する。カップ型砥石を用いて回転
研削する。この時、パターン面２はネガ型レジスト３に
より保護される。
度の高い半導体基板の研削方法を提供する。 【構成】 シリコンウエハ１に形成したパターン面２に
スピンコート法を用いてネガ型レジスト３を均一に成膜
する。ポストベークでレジスト中の溶剤成分を除去す
る。その後、ウエハチャック上にウエハ１をパターン面
２を下にして置き固定する。カップ型砥石を用いて回転
研削する。この時、パターン面２はネガ型レジスト３に
より保護される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の研削方法
に関し、特に、基板表面にパターンを形成後に半導体基
板裏面を研削する場合に用いると好適なものに関する
に関し、特に、基板表面にパターンを形成後に半導体基
板裏面を研削する場合に用いると好適なものに関する
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体圧力センサの製造工程にお
いて、半導体基板のパターンを形成した後に基板の裏面
を研削し、所望の厚さにするようにしている。そして、
この半導体基板の研削において、半導体基板を固定する
台の半導体基板表面と接触する面（以下、これをチェッ
ク面と呼ぶ。）から基板表面のパターン面を保護するた
めに、パターン面に表面保護テープを貼ったり、レジス
トを塗布するようにしている。
いて、半導体基板のパターンを形成した後に基板の裏面
を研削し、所望の厚さにするようにしている。そして、
この半導体基板の研削において、半導体基板を固定する
台の半導体基板表面と接触する面（以下、これをチェッ
ク面と呼ぶ。）から基板表面のパターン面を保護するた
めに、パターン面に表面保護テープを貼ったり、レジス
トを塗布するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
圧力センサにおいては、研削による半導体基板の加工精
度がセンサ感度に影響を及ぼしてしまう。そして、この
加工精度は、表面保護テープやレジスト等の表面保護膜
の厚さ精度に大きく影響を受ける。例えば、表面保護テ
ープでは、厚さ精度が±６μｍと非常に大きく、これに
よる半導体基板の厚さ精度も、図２に示すように半導体
基板の面内厚さむらが１．０μｍ〜２．０μｍ程度とな
ってしまう。この厚さむらでは、高感度のセンサが得ら
れない。また、レジストにおいては特開平２−１０５５
２６号公報にてポジ型レジストＦＨ−ＰＣ１２０ｃｐを
５μｍの厚さに塗布するとされているが、厚さ精度は不
明であり、高精度加工が可能な保護膜といえず、ポジ型
レジストにおいてはその主成分がフェノール樹脂などの
材料により構成されているため、保護膜強度や耐ウェッ
トエッチング性が悪いといった問題がある。
圧力センサにおいては、研削による半導体基板の加工精
度がセンサ感度に影響を及ぼしてしまう。そして、この
加工精度は、表面保護テープやレジスト等の表面保護膜
の厚さ精度に大きく影響を受ける。例えば、表面保護テ
ープでは、厚さ精度が±６μｍと非常に大きく、これに
よる半導体基板の厚さ精度も、図２に示すように半導体
基板の面内厚さむらが１．０μｍ〜２．０μｍ程度とな
ってしまう。この厚さむらでは、高感度のセンサが得ら
れない。また、レジストにおいては特開平２−１０５５
２６号公報にてポジ型レジストＦＨ−ＰＣ１２０ｃｐを
５μｍの厚さに塗布するとされているが、厚さ精度は不
明であり、高精度加工が可能な保護膜といえず、ポジ型
レジストにおいてはその主成分がフェノール樹脂などの
材料により構成されているため、保護膜強度や耐ウェッ
トエッチング性が悪いといった問題がある。
【０００４】従って、本発明は上記問題点に鑑み、半導
体基板表面の保護が十分できる加工精度の高い半導体基
板の研削方法を提供することを目的とする。
体基板表面の保護が十分できる加工精度の高い半導体基
板の研削方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】従って、上記問題点を解
決するためになされた本発明は、半導体基板表面に形成
したパターン面に保護膜を成膜し、該保護を成膜した前
記半導体基板表面を台座に密着させ半導体基板の裏面を
研削する方法において、前記保護膜は環化ゴムを主成分
とした膜からなり、該保護膜をスピンコート法により成
膜することを特徴としている。
決するためになされた本発明は、半導体基板表面に形成
したパターン面に保護膜を成膜し、該保護を成膜した前
記半導体基板表面を台座に密着させ半導体基板の裏面を
研削する方法において、前記保護膜は環化ゴムを主成分
とした膜からなり、該保護膜をスピンコート法により成
膜することを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明によると、半導体基板に形成したパター
ン面を保護する保護膜に環化ゴムを主成分とした膜を用
いているため、機械的強度の高い保護膜が得られる。ま
た、前記保護膜をスピンコート法により成膜しているた
め、前記半導体基板表面上に均一な膜厚となるように塗
布することができる。
ン面を保護する保護膜に環化ゴムを主成分とした膜を用
いているため、機械的強度の高い保護膜が得られる。ま
た、前記保護膜をスピンコート法により成膜しているた
め、前記半導体基板表面上に均一な膜厚となるように塗
布することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１に本発明の一実施例を示す。まず、図１
（ｂ）に示すようにシリコンウエハ１にパターン面２を
形成する。次に、図１（ｃ）に示すようにパターン面保
護膜として、シリコンウエハ１のパターン面２上に、レ
ジスト３（東京応化製のＯＭＲ−８３−２００ＣＰ）を
３５００ｒｐｍでスピンコート法により３．２μｍの厚
さに均一に塗布する。その後、ポストベークとして、１
００〜２００℃の窒素または大気雰囲気中のベーク炉で
１０〜２０分間の加熱処理を行い、レジスト中の溶剤成
分を蒸発させて、裏面研削用の厚膜レジスト３を形成す
る。
明する。図１に本発明の一実施例を示す。まず、図１
（ｂ）に示すようにシリコンウエハ１にパターン面２を
形成する。次に、図１（ｃ）に示すようにパターン面保
護膜として、シリコンウエハ１のパターン面２上に、レ
ジスト３（東京応化製のＯＭＲ−８３−２００ＣＰ）を
３５００ｒｐｍでスピンコート法により３．２μｍの厚
さに均一に塗布する。その後、ポストベークとして、１
００〜２００℃の窒素または大気雰囲気中のベーク炉で
１０〜２０分間の加熱処理を行い、レジスト中の溶剤成
分を蒸発させて、裏面研削用の厚膜レジスト３を形成す
る。
【０００８】ここで用いるレジストの種類としては、機
械的強度や耐ウエットエッチング性に優れるネガ型レジ
ストを用いる。図２にウエハ回転数とレジスト膜厚、厚
さばらつきの関係を示す。ウエハ回転数２０００ｒｐｍ
以上にすると、ＯＭＲ８３−２００では３〜４μｍ、Ｆ
ＭＲ−Ｎ−５００（富士薬品製）では６〜８μｍの膜厚
で、厚さ精度が±０．２μｍ以下という高精度な保護膜
が形成できる。
械的強度や耐ウエットエッチング性に優れるネガ型レジ
ストを用いる。図２にウエハ回転数とレジスト膜厚、厚
さばらつきの関係を示す。ウエハ回転数２０００ｒｐｍ
以上にすると、ＯＭＲ８３−２００では３〜４μｍ、Ｆ
ＭＲ−Ｎ−５００（富士薬品製）では６〜８μｍの膜厚
で、厚さ精度が±０．２μｍ以下という高精度な保護膜
が形成できる。
【０００９】次に、図１（ｄ）に示すようにシリコンウ
エハ１の裏面を機械的に所定の厚さに研削して、研削裏
面を形成する。このシリコンウエハの裏面研削方法を詳
細に説明すると、図４に示すようにセラミック製のウエ
ハチャック２０上に、ウエハ１をパターン面２を下にし
て置き、多孔質部を真空にすると、ウエハ１はセラミッ
クチャック上に固定される。
エハ１の裏面を機械的に所定の厚さに研削して、研削裏
面を形成する。このシリコンウエハの裏面研削方法を詳
細に説明すると、図４に示すようにセラミック製のウエ
ハチャック２０上に、ウエハ１をパターン面２を下にし
て置き、多孔質部を真空にすると、ウエハ１はセラミッ
クチャック上に固定される。
【００１０】また、シリコン研削用のカップ型砥石３０
を回転軸３１に接続固定される。このときの砥石サイズ
は、ウエハ１より大きいものを使用し、両者の位置関係
は砥石の端がウエハ１の中心にあり、かつカップ型砥石
３０はウエハ１より若干上に位置している。その後、チ
ャックテーブル２０を中心軸２１を中心とし、またカッ
プ型砥石３０は中心軸３１を中心として、２０００〜４
０００ｒｐｍで回転させ、ウエハ裏面２０上に純水を適
量かけながら、回転しているカップ型砥石３０を回転軸
３１とともに降下させ、ウエハの裏面１０上に押しつけ
る。この半導体ウエハのパターン面２側にホトレジスト
３が形成されているので、研削加工により傷付くことは
ない。
を回転軸３１に接続固定される。このときの砥石サイズ
は、ウエハ１より大きいものを使用し、両者の位置関係
は砥石の端がウエハ１の中心にあり、かつカップ型砥石
３０はウエハ１より若干上に位置している。その後、チ
ャックテーブル２０を中心軸２１を中心とし、またカッ
プ型砥石３０は中心軸３１を中心として、２０００〜４
０００ｒｐｍで回転させ、ウエハ裏面２０上に純水を適
量かけながら、回転しているカップ型砥石３０を回転軸
３１とともに降下させ、ウエハの裏面１０上に押しつけ
る。この半導体ウエハのパターン面２側にホトレジスト
３が形成されているので、研削加工により傷付くことは
ない。
【００１１】続いて、図１（ｅ）に示すように１１０℃
に加熱した有機溶剤系のレジスト剥離液にウエハを浸漬
し、レジストを除去し、最後にイソプロピルアルコール
に浸漬してウエハを洗浄、またイソプロピルアルコール
のベーパによってウエハを乾燥させる。なお、ホトレジ
ストは有機溶剤により簡単に除去できるので、ウエハ表
面上にレジストなどの異物は残らない。
に加熱した有機溶剤系のレジスト剥離液にウエハを浸漬
し、レジストを除去し、最後にイソプロピルアルコール
に浸漬してウエハを洗浄、またイソプロピルアルコール
のベーパによってウエハを乾燥させる。なお、ホトレジ
ストは有機溶剤により簡単に除去できるので、ウエハ表
面上にレジストなどの異物は残らない。
【００１２】図面はＯＭＲ−８３−２００ｃｐを用い、
厚さ３±０．２μｍの保護膜をウエハパターン面２に塗
布し、研削した場合の厚さ精度と、保護膜の無いウエハ
を研削した場合の厚さ精度を比較したものである。この
保護膜では、加工精度をほとんど劣化させることなく加
工することができる。従来のテープ保護に比べても格段
に良い。これにより非常に感度の良い圧力センサを保護
することができる。図３はこの保護膜を用いて研削した
場合の、ウエハパターン面の傷発生状態を評価したもの
である。膜厚が３μｍ以上あれば、傷の発生率は０．２
％以下であり、この保護膜の保護効果は実用上問題無
い。
厚さ３±０．２μｍの保護膜をウエハパターン面２に塗
布し、研削した場合の厚さ精度と、保護膜の無いウエハ
を研削した場合の厚さ精度を比較したものである。この
保護膜では、加工精度をほとんど劣化させることなく加
工することができる。従来のテープ保護に比べても格段
に良い。これにより非常に感度の良い圧力センサを保護
することができる。図３はこの保護膜を用いて研削した
場合の、ウエハパターン面の傷発生状態を評価したもの
である。膜厚が３μｍ以上あれば、傷の発生率は０．２
％以下であり、この保護膜の保護効果は実用上問題無
い。
【００１３】なお、この例では保護膜としてＯＭＲ−８
３−２００を使用したが、レジストは半導体ウエハとの
密着性及び剥離性がよく、パターン面の保護効果と加工
精度に影響しない厚さ精度を得られれば、これに限定さ
れるものではない。
３−２００を使用したが、レジストは半導体ウエハとの
密着性及び剥離性がよく、パターン面の保護効果と加工
精度に影響しない厚さ精度を得られれば、これに限定さ
れるものではない。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によると、半導体基
板に形成したパターン面を保護する保護膜に機械的強度
が高い環化ゴムを主成分とした膜を用いているため、該
保護膜を成膜した面を台座に密着させて前記半導体基板
を研削する場合には十分な保護効果が得られる。また、
スピンコート法により前記保護膜を均一に成膜できるた
め、前記半導体基板を研削した際には、非常に加工精度
が高くなる。
板に形成したパターン面を保護する保護膜に機械的強度
が高い環化ゴムを主成分とした膜を用いているため、該
保護膜を成膜した面を台座に密着させて前記半導体基板
を研削する場合には十分な保護効果が得られる。また、
スピンコート法により前記保護膜を均一に成膜できるた
め、前記半導体基板を研削した際には、非常に加工精度
が高くなる。
【図１】本発明の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】研削後のウエハの厚さ精度を示す図である。
【図３】表面パターンの傷発生率を示す図である。
【図４】ウエハ研削方法を表す図である。
１ シリコンウエハ ２ パターン面 ３ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板表面に形成したパターン面に
保護膜を成膜し、該保護膜を成膜した前記半導体基板表
面を台座と密着させ、該半導体基板の裏面を研削する方
法において、 前記保護膜は環化ゴムを主成分とした膜からなり、該保
護膜をスピンコート法により成膜することを特徴とする
半導体基板研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14477393A JPH076986A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 半導体基板研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14477393A JPH076986A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 半導体基板研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076986A true JPH076986A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15370096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14477393A Withdrawn JPH076986A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 半導体基板研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076986A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003094295A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Sony Corp | 半導体ウエーハ研削方法、半導体ウエーハおよび半導体ウエーハの表面保護材料 |
| JP2006261370A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US8093137B2 (en) | 2008-04-21 | 2012-01-10 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| US8206902B2 (en) | 2003-12-25 | 2012-06-26 | Riken | Method of amplifying nucleic acid and method of detecting mutated nucleic acid using the same |
| JP2012521098A (ja) * | 2009-03-17 | 2012-09-10 | スス マイクロテク リソグラフィー，ゲーエムベーハー | 無機基板用のマイクロ電子仮支持体の高速製作 |
| US9586987B2 (en) | 2011-09-08 | 2017-03-07 | Kabushiki Kaisha Dnaform | Primer set for isothermal amplication of a target nucleic acid sequence |
| US11231414B2 (en) | 2016-09-01 | 2022-01-25 | Tohoku University | Magnetic composite particles, method for manufacturing the same, and immunoassay particles |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP14477393A patent/JPH076986A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003094295A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Sony Corp | 半導体ウエーハ研削方法、半導体ウエーハおよび半導体ウエーハの表面保護材料 |
| US8206902B2 (en) | 2003-12-25 | 2012-06-26 | Riken | Method of amplifying nucleic acid and method of detecting mutated nucleic acid using the same |
| JP2006261370A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US8093137B2 (en) | 2008-04-21 | 2012-01-10 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| JP2012521098A (ja) * | 2009-03-17 | 2012-09-10 | スス マイクロテク リソグラフィー，ゲーエムベーハー | 無機基板用のマイクロ電子仮支持体の高速製作 |
| US9586987B2 (en) | 2011-09-08 | 2017-03-07 | Kabushiki Kaisha Dnaform | Primer set for isothermal amplication of a target nucleic acid sequence |
| US11231414B2 (en) | 2016-09-01 | 2022-01-25 | Tohoku University | Magnetic composite particles, method for manufacturing the same, and immunoassay particles |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |