JP2689529B2 - パターンの形成方法 - Google Patents
パターンの形成方法Info
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- JP2689529B2 JP2689529B2 JP25442788A JP25442788A JP2689529B2 JP 2689529 B2 JP2689529 B2 JP 2689529B2 JP 25442788 A JP25442788 A JP 25442788A JP 25442788 A JP25442788 A JP 25442788A JP 2689529 B2 JP2689529 B2 JP 2689529B2
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- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive material
- difference
- material film
- pattern
- spin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 パターンの形成工程における均一なパターンを形成す
る方法の改良に関し、 冷却スピードによる感度の差を有する感光材を用い、
露光、スピン現象及びスピンエッチング等のプロセスに
おいて発生する、中心部と周辺部との寸法差が生じると
いう特性の補正を行うパターンの形成方法の提供を目的
とし、 塗布した感光材膜のプリベーク工程の冷却工程におい
て、部分的に熱容量が異なるクールプレートの表面に、
冷却スピードによる感度の差を有する感光材膜を形成し
た基板を搭載して冷却する工程を含むよう構成する。
る方法の改良に関し、 冷却スピードによる感度の差を有する感光材を用い、
露光、スピン現象及びスピンエッチング等のプロセスに
おいて発生する、中心部と周辺部との寸法差が生じると
いう特性の補正を行うパターンの形成方法の提供を目的
とし、 塗布した感光材膜のプリベーク工程の冷却工程におい
て、部分的に熱容量が異なるクールプレートの表面に、
冷却スピードによる感度の差を有する感光材膜を形成し
た基板を搭載して冷却する工程を含むよう構成する。
本発明は、パターンの形成工程における均一なパター
ンを形成する方法の改良に関するものである。
ンを形成する方法の改良に関するものである。
近年の超高集積半導体装置に用いるマスクや半導体ウ
エーハは、その寸法が大きくなり大形化して８インチに
も達するようになり、形成するパターンの高集積化・微
細化が著しく進行し、広い面積において均一な寸法精度
のパターンを形成することが必要となっている。
エーハは、その寸法が大きくなり大形化して８インチに
も達するようになり、形成するパターンの高集積化・微
細化が著しく進行し、広い面積において均一な寸法精度
のパターンを形成することが必要となっている。
以上のような状況から大形化したマスクや半導体ウエ
ーハの全面に高集積化・微細化した均一な寸法精度のパ
ターンを形成することが可能なパターンの形成方法が要
望されている。
ーハの全面に高集積化・微細化した均一な寸法精度のパ
ターンを形成することが可能なパターンの形成方法が要
望されている。
５インチ角の基板の表面に遮光膜を形成したマスク用
の石英製のブランクスに、感光材として東レ製のEBR−
９を用いた場合について、従来のパターンの形成方法を
第３図により工程順に説明する。
の石英製のブランクスに、感光材として東レ製のEBR−
９を用いた場合について、従来のパターンの形成方法を
第３図により工程順に説明する。
先ず、第３図（ａ）に示すように、感光材の塗布機の
スピンチャック12に基板2aと遮光膜2bからなるブランク
ス２を搭載し、スピンチャック12を1,000rpmで回転させ
ながら感光材滴下ノズル13から感光材を滴下し、スピン
塗布して感光材膜３を形成する。
スピンチャック12に基板2aと遮光膜2bからなるブランク
ス２を搭載し、スピンチャック12を1,000rpmで回転させ
ながら感光材滴下ノズル13から感光材を滴下し、スピン
塗布して感光材膜３を形成する。
つぎに、第３図（ｂ）に示すように、感光材膜３を形
成したブランクス２を均熱装置14内に一定時間保持して
感光材膜３のプリベークを行う。
成したブランクス２を均熱装置14内に一定時間保持して
感光材膜３のプリベークを行う。
ついで、感光材膜３のプリベークを終わったブランク
ス２を均熱装置14から取り出し、冷却時間を短縮するた
めに、第３図（ｃ）に示すようなクールプレート11の表
面に載置して冷却する。
ス２を均熱装置14から取り出し、冷却時間を短縮するた
めに、第３図（ｃ）に示すようなクールプレート11の表
面に載置して冷却する。
通常、このクールプレート11は図示のように均一な厚
さを有しており、ブランクス２の表面に形成された感光
材膜３は、周辺部から冷却され始め順次中心部に向かっ
て冷却が進行する。
さを有しており、ブランクス２の表面に形成された感光
材膜３は、周辺部から冷却され始め順次中心部に向かっ
て冷却が進行する。
このようにしてブランクス２の表面に形成した感光材
膜３を露光し、第３図（ｄ）に示すように、現像装置の
スピンチャック15にブランクス２を搭載し、回転数250r
pmでスピンチャック15を回転しながら、現像液滴下ノズ
ル16から現像液を滴下し、スピン現像を行って感光材膜
３のパターンを形成する。
膜３を露光し、第３図（ｄ）に示すように、現像装置の
スピンチャック15にブランクス２を搭載し、回転数250r
pmでスピンチャック15を回転しながら、現像液滴下ノズ
ル16から現像液を滴下し、スピン現像を行って感光材膜
３のパターンを形成する。
この感光材膜３のパターンをマスクとして第３図
（ｅ）に示すようにエッチング装置のスピンチャック17
にブランクス２を搭載し、回転数250rpmでスピンチャッ
ク17を回転しながら、エッチング液滴下ノズル18からエ
ッチング液を滴下し、スピンエッチングを行った場合、
例えば80mm角のレチクルの領域内の中心部とコーナー部
とでは、最大0.1μｍの寸法差が生じた。
（ｅ）に示すようにエッチング装置のスピンチャック17
にブランクス２を搭載し、回転数250rpmでスピンチャッ
ク17を回転しながら、エッチング液滴下ノズル18からエ
ッチング液を滴下し、スピンエッチングを行った場合、
例えば80mm角のレチクルの領域内の中心部とコーナー部
とでは、最大0.1μｍの寸法差が生じた。
このような寸法差のある寸法精度では、１メガビット
DRAM用の５倍品のレチクルには使用することができな
い。
DRAM用の５倍品のレチクルには使用することができな
い。
この値は、現像時の回転数を変化したり、現像液の圧
送圧力や滴下量や滴下角度などを変化することによって
異なるが、残渣が生じる黒欠陥やピンホールが生じる白
欠陥等の他の欠陥の増減に影響を及ぼすので、あまり変
化させることはできない。
送圧力や滴下量や滴下角度などを変化することによって
異なるが、残渣が生じる黒欠陥やピンホールが生じる白
欠陥等の他の欠陥の増減に影響を及ぼすので、あまり変
化させることはできない。
以上説明した従来のパターンの形成方法におけるスピ
ン現像やスピンエッチングにおいては、ブランクスを数
百rpm〜数千rpmで回転させながら処理を行っているの
で、中心部と周辺部では線速度が著しく異なり、その差
は寸法が大きくなるほど顕著になり、５インチ角のレチ
クルの場合の角部では、中心からの距離がほぼ７インチ
とのるので、回転数が3,000rpmの場合には、周辺部の線
速度が100km/Hに達するために、現像した感光材膜のパ
ターンにおいては、中心部と周辺部とで現像後の感光材
のパターンの寸法値に差が生じ、見かけ上感度が異なっ
ているような現象が生じるという問題点があった。
ン現像やスピンエッチングにおいては、ブランクスを数
百rpm〜数千rpmで回転させながら処理を行っているの
で、中心部と周辺部では線速度が著しく異なり、その差
は寸法が大きくなるほど顕著になり、５インチ角のレチ
クルの場合の角部では、中心からの距離がほぼ７インチ
とのるので、回転数が3,000rpmの場合には、周辺部の線
速度が100km/Hに達するために、現像した感光材膜のパ
ターンにおいては、中心部と周辺部とで現像後の感光材
のパターンの寸法値に差が生じ、見かけ上感度が異なっ
ているような現象が生じるという問題点があった。
本発明は以上のような状況から冷却スピードによる感
度の差を有する感光材を用いて、露光、スピン現像及び
スピンエッチングのプロセスにおいて発生するこのよう
な中心部と周辺部との寸法差が生じるという特性の補正
を行うパターンの形成方法の提供を目的としたものであ
る。
度の差を有する感光材を用いて、露光、スピン現像及び
スピンエッチングのプロセスにおいて発生するこのよう
な中心部と周辺部との寸法差が生じるという特性の補正
を行うパターンの形成方法の提供を目的としたものであ
る。
本発明のパターンの形成方法は、塗布した感光材膜の
プリベーク工程後の冷却工程において、部分適に熱容量
が異なるクールプレートの表面に、冷却スピードによる
感度の差を有する感光材膜を形成した基板を搭載して冷
却する工程を含むよう構成される。
プリベーク工程後の冷却工程において、部分適に熱容量
が異なるクールプレートの表面に、冷却スピードによる
感度の差を有する感光材膜を形成した基板を搭載して冷
却する工程を含むよう構成される。
即ち本発明においては、ブランクスの表面に冷却スピ
ードによる感度の差を有するか光材膜を形成し、部分適
に熱容量が異なるクールプレートの表面にプリベークを
終わったブランクスを搭載するから、クールプレートに
部分的な熱容量の差があるので、冷却スピードが場所に
よって異なり、感光材膜に感光の差が生じる。
ードによる感度の差を有するか光材膜を形成し、部分適
に熱容量が異なるクールプレートの表面にプリベークを
終わったブランクスを搭載するから、クールプレートに
部分的な熱容量の差があるので、冷却スピードが場所に
よって異なり、感光材膜に感光の差が生じる。
したがって、スピン現像やスピンエッチングのプロセ
スの特性の補正が行えるようにクールプレートに熱容量
の差を設けると、寸法差の小さなパターンの形成を行う
ことが可能となる。
スの特性の補正が行えるようにクールプレートに熱容量
の差を設けると、寸法差の小さなパターンの形成を行う
ことが可能となる。
以下５インチ角のマスク用の石英製のブランクスに、
感光材として東レ製のEBR−９を用いた場合の本発明の
一実施例について、第１図〜第２図により説明する。
感光材として東レ製のEBR−９を用いた場合の本発明の
一実施例について、第１図〜第２図により説明する。
本実施例の東レ製のEBR−９の感光材は冷却スピード
が速い程、感度が高くなる性質を有している。
が速い程、感度が高くなる性質を有している。
EBR−９を180〜200℃でプリベークした後、第２図に
示すような直径が200mm,周囲の最大厚みが10mmで、連続
適に厚みが変化し中心では厚さが_mmのアルミニウム製
のクールプレート１の表面に、プリベーク処理を終わっ
たブランクス２を搭載して冷却すると、周囲の熱容量が
大きいので第１図（ａ）に示すようにブランクス２の中
心部の冷却スピードが周辺部の冷却スピードよりも速く
なり、このため第１図（ｂ）に示すように中心部の感度
が高くなる。
示すような直径が200mm,周囲の最大厚みが10mmで、連続
適に厚みが変化し中心では厚さが_mmのアルミニウム製
のクールプレート１の表面に、プリベーク処理を終わっ
たブランクス２を搭載して冷却すると、周囲の熱容量が
大きいので第１図（ａ）に示すようにブランクス２の中
心部の冷却スピードが周辺部の冷却スピードよりも速く
なり、このため第１図（ｂ）に示すように中心部の感度
が高くなる。
したがって、250〜300rpmでスピンチャックを回転さ
せて現像を行うスピン現像においては、第１図（ｃ）に
示すように周辺部の現像スピードが中心部の現像スピー
ドより速くなるので、この現像スピードに補正が加わる
ことになり、従来は80mmの角のレチクルの中心部とコー
ナー部にあった0.1μｍの寸法差が0.03〜0.05μｍに減
少させることが可能となり、４メガビットDRAM用のレチ
クルとして用いることができるようになる。
せて現像を行うスピン現像においては、第１図（ｃ）に
示すように周辺部の現像スピードが中心部の現像スピー
ドより速くなるので、この現像スピードに補正が加わる
ことになり、従来は80mmの角のレチクルの中心部とコー
ナー部にあった0.1μｍの寸法差が0.03〜0.05μｍに減
少させることが可能となり、４メガビットDRAM用のレチ
クルとして用いることができるようになる。
このようなクールプレート１を用いることにより、冷
却スピードを変化させてブランクス２の表面に感度の差
を有する感光材膜を形成するので、中心部と周辺部の現
像スピードに差が生じるスピン現像を行った場合におい
ても、現像のスピードの差によって発生する寸法差を補
正することができ、寸法差の少ないパターンを形成する
ことが可能となる。
却スピードを変化させてブランクス２の表面に感度の差
を有する感光材膜を形成するので、中心部と周辺部の現
像スピードに差が生じるスピン現像を行った場合におい
ても、現像のスピードの差によって発生する寸法差を補
正することができ、寸法差の少ないパターンを形成する
ことが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば冷却ス
ピードによる感度の差を有する感光材を用いることによ
り、スピンプロセスにおいて発生している中心部と周辺
部との現像スピード或いはエッチングスピードの差を補
正することが可能となる等の利点があり、著しい経済適
及び、信頼性向上の効果が期待できるパターンの形成方
法の提供が可能である。
ピードによる感度の差を有する感光材を用いることによ
り、スピンプロセスにおいて発生している中心部と周辺
部との現像スピード或いはエッチングスピードの差を補
正することが可能となる等の利点があり、著しい経済適
及び、信頼性向上の効果が期待できるパターンの形成方
法の提供が可能である。
第１図は本発明の原理図、 第２図は本発明による一実施例を示す図、 第３図は従来のパターンの形成方法を工程順に示す図、 である。 図において、 １はクールプレート、 ２はブランクス、 2aは基板、 2bは遮光膜、 ３は感光材膜、 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−184330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−142743（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−262968（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】塗布した感光材膜のプリベーク工程後の冷
却工程において、部分的に熱容量が異なるクールプレー
ト（１）の表面に、冷却スピードによる感度の差を有す
る感光材膜（３）を形成した基板（2a）を搭載して冷却
する工程を含むことを特徴とするパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25442788A JP2689529B2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25442788A JP2689529B2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101733A JPH02101733A (ja) | 1990-04-13 |
| JP2689529B2 true JP2689529B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17264832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25442788A Expired - Lifetime JP2689529B2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689529B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4631901B2 (ja) | 2007-12-11 | 2011-02-16 | ソニー株式会社 | 再生専用型光ディスク媒体の製造方法、再生専用型光ディスク媒体 |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP25442788A patent/JP2689529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02101733A (ja) | 1990-04-13 |
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