KR101597368B1

KR101597368B1 - 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템

Info

Publication number: KR101597368B1
Application number: KR1020100013952A
Authority: KR
Inventors: 미쯔떼루 야노; 유우이찌 도오끼; 히로시 도미따
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2009-02-18
Filing date: 2010-02-17
Publication date: 2016-02-24
Also published as: CN101807536B; US8403601B2; CN101807536A; KR20100094390A; US20100211215A1; JP2010192684A; JP4751460B2

Abstract

본 발명의 과제는 기판의 반송을 행하는 데 있어서, 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제하여, 기판의 처리 시스템에서 제조되는 제품의 수율을 향상시키는 것이다.
기판 반송 장치는, 내부에 기판을 수용하고, 측면에 기판의 반입출구(98)가 형성된 기판 수용 용기(91)와, 기판 수용 용기 내(91)의 기판(W)의 이면을 향해 소정의 가스를 분사하는 가스 분사부(92)와, 가스 분사부(92)로부터 공급되는 상기 소정의 가스의 공급량을 조정하여 상기 기판 수용 용기 내(91)의 기판(W)을 소정의 높이로 제어하는 제어부(93)를 갖고 있다.

Description

기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템{SUBSTRATE CONVEYING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기판의 반송 장치 및 당해 기판 반송 장치를 갖는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.

예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 처리에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기판 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등의 각종 처리가 행해지고 있다.

이들의 일련의 처리는, 통상, 도포 현상 처리 시스템을 사용하여 행해진다. 도포 현상 처리 시스템은, 예를 들어 카세트 단위로 기판을 반입출하기 위한 카세트 스테이션과, 각종 처리를 행하는 복수의 처리 장치가 배치된 처리 스테이션과, 인접하는 노광 장치와 처리 스테이션 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 인터페이스 스테이션 등을 갖고 있다. 또한, 처리 스테이션 내에는 각 처리 장치로의 기판의 반송을 행하는 기판 반송 장치가 설치되어 있다.

종래의 기판 반송 장치에는, 예를 들어 대략 원환 형상으로 형성된 본체부와, 당해 본체부의 내측으로 돌출되어 기판의 하면을 보유 지지하는 보유 지지부를 구비한 반송 아암이 사용되고 있다. 반송 아암은 연직 방향 및 수평 방향으로 이동 가능한 동시에, 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 기판 반송 장치는 각 처리 장치로 기판을 반송할 수 있다(특허 문헌 1).

일본특허출원공개평8-46010호공보

그러나, 예를 들어 특허 문헌 1에 개시된 바와 같은 반송 아암에 있어서는, 기판 반송 시에, 반송 아암과 기판의 접촉면에 있어서 파티클이 부착되어 버린다. 그리고, 이 파티클이, 기판 처리 시스템에 의해 제조되는 제품의 수율 저하의 요인으로 되고, 특히 선폭의 미세화가 진행됨에 따라서 무시할 수 없는 문제가 되고 있다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 반송을 행하는 데 있어서, 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제하여, 기판의 처리 시스템에서 제조되는 제품의 수율을 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판의 반송 장치이며, 내부에 기판을 수용하고, 측면에 기판의 반입출구가 형성된 기판 수용 용기와, 상기 기판 수용 용기 내의 기판의 이면을 향해 소정의 가스를 분사하는 가스 분사부와, 상기 가스 분사부로부터 공급되는 상기 소정의 가스의 공급량을 조정하여, 상기 기판 수용 용기 내의 기판을 소정의 높이로 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.

본 발명에 따르면, 가스 분사부로부터 공급하는 가스의 유량을 제어부에 의해 제어함으로써, 기판의 이면에 있어서의 당해 가스의 유속을 제어할 수 있다. 이로 인해, 가스의 유속을 증가시킴으로써 기판을 상승시키고, 가스의 유속을 감소시킴으로써 기판을 하강시키는 것이 가능해져, 기판 수용 용기에 있어서, 기판을 뜨게 한 상태로 당해 기판을 상승시켜 반송할 수 있다. 그 결과, 종래 기판 반송 시에 발생하고 있던, 기판의 이면으로의 파티클의 부착이 억제된다. 이에 의해, 기판의 처리 시스템에서 제조되는 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

상기 기판 수용 용기 내의 기판의 높이를 측정하는 위치 측정부를 갖고, 상기 제어부는 상기 위치 측정부에서 측정된 기판의 높이에 기초하여, 당해 기판을 소정의 높이로 이동시키도록 상기 소정의 가스의 공급량을 조정해도 좋다.

상기 가스 분사부는 상기 기판 수용 용기의 내측면으로부터 경사 상방으로 소정의 가스를 분사하는 가스 분사구를 갖고 있어도 좋고, 상기 가스 분사구는 상기 기판 수용 용기의 내측면의 전체 둘레에 걸쳐서 복수 형성되어 있어도 좋다. 또한, 상기 가스 분사구는 연직 방향으로 복수 형성되어 있어도 좋다.

상기 제어부는 상기 각 가스 분사구로부터 공급되는 상기 소정의 가스의 공급량을 각각 조정해도 좋다.

상기 복수의 가스 분사구에는 당해 복수의 가스 분사구에 상기 소정의 가스를 공급하는 가스 공급관이 접속되고, 상기 가스 공급관은 상기 기판 수용 용기의 내부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있어도 좋다. 또한, 상기 복수의 가스 분사구에는 당해 복수의 가스 분사구에 상기 소정의 가스를 공급하는 가스 공급관이 접속되고, 상기 가스 공급관은 상기 기판 수용 용기의 외부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있어도 좋다. 또한, 상기 복수의 가스 분사구에는 당해 복수의 가스 분사구에 상기 소정의 가스를 공급하는 가스 공급관이 접속되고, 상기 가스 공급관은 상기 기판 수용 용기의 측벽 내부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있어도 좋다.

상기 반입출구는 상기 기판 수용 용기의 측면에 연직 방향으로 복수 형성되어 있어도 좋고, 상기 반입출구에는 당해 반입출구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있어도 좋다.

상기 기판 수용 용기를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구를 갖고 있어도 좋고, 상기 수평 이동 기구의 구동원은 리니어 모터라도 좋다.

다른 관점에 의한 본 발명은 상기 기판 반송 장치와, 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 장치를 갖는 기판 처리 시스템이며, 상기 처리 장치는 당해 처리 장치와 상기 기판 보유 지지부 사이에서 기판의 전달을 행하는 기판 반송 기구를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.

또한, 상기 반입출구는 상기 처리 장치에 대응하는 높이에 형성되어 있어도 좋다.

또한, 상기 기판 반송 기구는 한 쌍의 아암부와, 상기 아암부에 설치되어, 기판을 지지하는 지지부를 구비한 반송 아암과, 상기 한 쌍의 아암부의 간격을 조정하는 동시에, 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖고 있어도 좋고, 상기 기판 반송 기구는 기판의 외주에 적합한 형상을 갖는 아암부와, 상기 아암부에 설치되어, 기판을 지지하는 지지부를 구비한 반송 아암과, 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖고 있어도 좋다.

상기 아암 이동 기구는 상기 반송 아암을 연직 방향으로 이동시켜도 좋다.

상기 기판 반송 기구는 기판을 보유 지지하여 반송하는 반송 아암을 갖고, 상기 반송 아암은 굴곡 가능하게 연결된 복수의 아암부와, 선단의 상기 아암부에 설치되어, 기판을 지지하는 지지부를 갖고 있어도 좋다.

또한, 상기 기판 반송 기구는 상기 반송 아암을 연직 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖고 있어도 좋고, 상기 기판 반송 기구는 상기 반송 아암을 복수 갖고 있어도 좋다.

본 발명에 따르면, 기판의 반송을 행하는 데 있어서, 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제하여, 기판의 처리 시스템에서 제조되는 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템 내부 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 2는 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 3은 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 4는 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 사시도.
도 5는 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 6은 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 7은 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 8은 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 9는 레지스트 도포 장치의 기판 반송 기구가 기판을 반송하는 모습을 도시하는 설명도.
도 10은 열처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 11은 열처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 12는 기판 처리의 각 공정을 도시한 흐름도.
도 13은 다른 실시 형태에 관한 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 사시도.
도 14는 다른 실시 형태에 관한 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 15는 다른 실시 형태에 관한 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 16은 다른 실시 형태에 관한 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 17은 다른 실시 형태에 관한 기판 수용 용기의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 18은 다른 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 19는 다른 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들어 외부와의 사이에서 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 기판(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 기판(W)으로서, 예를 들어 반도체 웨이퍼가 사용된다.

카세트 스테이션(10)에는 카세트 적재대(30)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(30)에는 복수, 예를 들어 4개의 카세트 적재판(31)이 설치되어 있다. 카세트 적재판(31)은 수평 방향인 X방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 카세트 적재판(31)에는 도포 현상 처리 장치(10)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입출할 때에 카세트(C)를 적재할 수 있다.

카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 X방향으로 연장되는 반송로(40) 상을 이동 가능한 기판 반송체(41)가 설치되어 있다. 기판 반송체(41)는 상하 방향 및 연직축 주위(θ방향)로도 이동 가능하고, 각 카세트 적재판(31) 상의 카세트(C)와, 후술하는 제3 처리 장치군(G3)의 전달 장치(70 내지 76) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다.

처리 스테이션(11)에는 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 4개의 처리 장치군(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들어, 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X방향 부방향측)에는 제1 처리 장치군(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X방향 정방향측)에는 제2 처리 장치군(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y방향 부방향측)에는 제3 처리 장치군(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y방향 정방향측)에는 제4 처리 장치군(G4)이 설치되어 있다.

예를 들어, 제1 처리 장치군(G1)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예를 들어 기판(W)을 현상 처리하는 현상 처리 장치(50), 기판(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(51), 기판(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(52), 기판(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(53)가 하부로부터 차례로 4단으로 포개어져 있다. 또한, 현상 처리 장치(50), 하부 반사 방지막 형성 장치(51), 레지스트 도포 장치(52) 및 상부 반사 방지막 형성 장치(53)의 수나 배치는 임의로 선택할 수 있다.

예를 들어, 제1 처리 장치군(G1)의 각 장치(50 내지 53)는 처리 시에 기판(W)을 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 갖고, 복수의 기판(W)을 병행하여 처리할 수 있다.

예를 들어, 제2 처리 장치군(G2)에는, 도 3에 도시한 바와 같이 기판(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(60)나, 기판(W)을 소수화 처리하는 어드히젼 장치(61), 기판(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(62)가 상하 방향과 수평 방향으로 나란히 설치되어 있다. 열처리 장치(60)는 기판(W)을 적재하여 가열하는 열판과, 기판(W)을 적재하여 냉각하는 냉각판을 갖고, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽을 행할 수 있다. 또한, 열처리 장치(60), 어드히젼 장치(61) 및 주변 노광 장치(62)의 수나 배치는 임의로 선택할 수 있다.

예를 들어, 제3 처리 장치군(G3)에는 복수의 전달 장치(70, 71, 72, 73, 74, 75, 76)가 하부로부터 차례로 설치되어 있다. 또한, 제4 처리 장치군(G4)에는 복수의 전달 장치(80, 81, 82)가 하부로부터 차례로 설치되어 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 처리 장치군(G1) 내지 제4 처리 장치군(G4)으로 둘러싸인 영역에는 기판 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 기판 반송 영역(D)에는, 예를 들어 기판 반송 장치(90)가 배치되어 있다.

기판 반송 장치(90)는, 예를 들어 Y방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 기판 반송 장치(90)는 기판 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제1 처리 장치군(G1), 제2 처리 장치군(G2), 제3 처리 장치군(G3) 및 제4 처리 장치군(G4) 내의 소정의 장치로 기판(W)을 반송할 수 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 제3 처리 장치군(G3)의 X방향 정방향측의 옆에는 기판 반송체(110)가 설치되어 있다. 기판 반송체(110)는, 예를 들어 전후 방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 기판 반송체(110)는 기판(W)을 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 처리 장치군(G3) 내의 각 전달 장치로 기판(W)을 반송할 수 있다.

인터페이스 스테이션(13)에는 기판 반송체(120)와 전달 장치(121)가 설치되어 있다. 기판 반송체(120)는, 예를 들어 전후 방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 기판 반송체(120)는, 예를 들어 반송 아암에 기판(W)을 지지하여, 제4 처리 장치군(G4) 내의 각 전달 장치와 전달 장치(121)로 기판(W)을 반송할 수 있다.

다음에, 기판 반송 장치(90)의 구성에 대해 설명한다. 기판 반송 장치(90)는, 예를 들어 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 상방이 개방된 중공의 통 형상의 기판 수용 용기(91)와, 기판(W)의 이면을 향해 질소나 공기 등의 소정의 가스를 분사하는 가스 분사부(92)와, 가스 분사부(92)로부터 분사되는 가스의 공급량을 조정하여, 기판 수용 용기(91) 내의 기판(W)의 높이를 제어하는 제어부(93)와, 기판 수용 용기(91)를 상면으로 지지하고, 기판 반송 영역(D) 내를 수평 방향(도 1의 Y방향)으로 연장하는 궤도(94)를 따라서 기판 수용 용기(91)를 수평 이동시키는 수평 이동 기구(95)를 갖고 있다.

기판 수용 용기(91)는, 예를 들어 도 6에 도시한 바와 같이, 평면에서 볼 때에 있어서 기판(W)의 외주 형상에 적합한 원형 형상이며, 기판(W)의 외주 측면과 기판 수용 용기(91)의 내측면 사이에 소정 간격의 간극(d)이 확보되는 크기의 원형 형상을 갖고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 기판 수용 용기(91)의 평면 형상은 원형이지만, 예를 들어 기판(W)이 직사각형인 경우에는, 직사각형의 기판(W)의 외주 형상에 적합하도록 평면 형상은 직사각형으로 형성된다.

가스 분사부(92)는, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이 기판 수용 용기(91)의 저면과 내측면에 형성된 복수의 가스 분사구(96)와, 당해 복수의 가스 분사구(96)에 접속되어, 가스 공급원(도시하지 않음)으로부터 공급되는 가스를 가스 분사구(96)에 공급하는 가스 공급관(92a)과, 가스 공급관(92a)에 설치된 유량 조정 기구(92b)를 갖고 있다.

기판 수용 용기(91)의 내측면에 형성된 가스 분사구(96)는, 예를 들어 기판 수용 용기(91)의 내면의 경사 상방을 향해 개방되어 있어, 가스를 경사 상방으로 분사하도록 형성되어 있다. 또한, 기판 수용 용기(91)의 내측면에 형성된 가스 분사구(96)는, 수평 방향으로 기판 수용 용기(91)의 내측면의 전체 둘레에 걸쳐서 형성되어 있고, 또한 연직 방향으로 다단으로 복수 형성되어 있다.

또한, 가스 분사구(96)는 기판(W)의 하면에 대해 균등하게 가스를 분사할 수 있으면 좋고, 예를 들어 기판 수용 용기(91)의 저면에만 형성해도 좋고, 또한 기판 수용 용기(91)의 내측면에만 형성해도 좋지만, 도 5에 도시한 바와 같이, 저면과 내측면의 양쪽에 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 가스 분사구(96)의 형상은, 예를 들어 수평 방향으로 기판 수용 용기(91)의 내측면의 전체 둘레에 걸쳐서 개방된 슬릿 형상의 개구라도 좋고, 수평 방향으로 등간격으로 배열된 개별의 개구라도 좋다. 또한, 도 6에 있어서 가스 분사구(96)는 등간격으로 배열된 개별의 개구의 경우를 도시하고 있다.

가스 공급관(92a)은, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 수용 용기(91)의 측벽 및 저판의 내부에 설치되어 있다. 즉, 가스 공급관(92a)은 기판 수용 용기(91)의 측벽 내부에 있어서 연직 방향으로 연신되고, 저판 내부에 있어서 수평 방향으로 연신되어 설치되어 있다.

기판 수용 용기(91)의 내부에 수용되는 기판(W)은 가스 분사구(96)로부터 기판(W)의 이면으로 소정의 유량의 가스를 분사함으로써, 기판 수용 용기(91) 내에서 뜬 상태로 수용되어 있다. 또한, 가스 분사구(96)로부터 분사된 가스의 일부는 기판(W)과 기판 수용 용기(91) 사이의 간극(d)을 통해 기판 수용 용기(91)의 상방으로 빠지는 상승류를 형성하고, 당해 상승류에 의해 기판(W)은 기판 수용 용기(91)의 내측면과 접촉하는 일이 없다.

또한, 기판 수용 용기(91)에 보유 지지되는 기판(W)은 제어부(93)에 의해 가스 분사부(92)로부터의 가스의 공급량을 조정하여, 기판 수용 용기(91) 내의 상승류의 유속을 증감시킴으로써, 기판 수용 용기(91) 내에서 상승시킬 수 있다.

다음에, 제어부(93)에 의해 제어되는, 기판(W)의 기판 수용 용기(91) 내에서의 승강 동작에 대해 서술한다. 예를 들어, 도 5에 도시하는 가스 분사구(96a)의 상방 근방에 위치하는 기판(W)을, 그 상방에 위치하는 가스 분사구(96b)의 위치까지 상승시키는 경우, 우선 제어부(93)에 의해 유량 조정 기구(92b)에 대해, 가스 분사구(96)로의 가스의 공급량을 늘리는 지시 신호가 출력된다. 지시 신호를 받은 유량 조정 기구(92b)는 가스의 공급량을 증가시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 이면을 향해 흐르는 가스의 유속이 증가하여 기판(W)이 상승한다. 계속해서, 기판(W)이, 예를 들어 가스 분사구(96a)의 상방에 위치하는 가스 분사구(96b)보다 상방까지 상승한 것을 제어부(93)가 검지하면, 제어부(93)에 의해 가스의 분사량을 기판(W)의 상승 개시 전의 유량으로 복귀시키는 지시 신호가 유량 조정 기구(92b)에 다시 출력된다. 또한, 기판(W)의 연직 방향의 위치의 측정은, 예를 들어 기판 수용 용기(91)의 상단부에 설치되어, 제어부(93)에 접속된 위치 측정부(97)에 의해 행해진다. 기판(W)을 하강시키는 경우에는, 제어부(93)에 의해 가스 분사구(96)로부터의 가스의 분사량을 줄인다. 이에 의해, 기판(W)의 이면을 향해 흐르는 가스의 유속이 감소하여 기판(W)이 하강한다. 그 후, 기판(W)이 소정의 높이로 하강한 것이 위치 측정부(97)에 검출되면, 제어부(93)는 가스의 공급량을 기판(W)의 하강 개시 전의 유량으로 복귀시켜, 기판(W)이 가스 분사구(96a)에 대응하는 높이에서 보유 지지된다. 이와 같이 함으로써, 각 가스 분사부(92)에 대응하는 위치 사이에서 기판(W)의 승강을 행할 수 있다.

기판 수용 용기(91)의, 예를 들어 각 처리 장치군(G1 내지 G4)의 각 처리 장치의 후술하는 반입출부(131, 161)에 대응하는 높이이며, 각 처리 장치에 대향하는 면에는, 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 슬릿 형상의 개구인 반입출구(98)가 형성되어 있다. 기판 수용 용기(91) 내의 기판(W)은 이 반입출구(98)를 통해, 후술하는 각 처리 장치의 기판 반송 기구(150, 190)에 의해, 기판 수용 용기(91)와 각 처리 장치 사이에서의 기판(W)의 반입출이 행해진다. 또한, 이 반입출구(98)는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 반송 장치(91)를 사이에 두고 각 처리 장치가 배치되어 있는 경우에는, 기판 수용 용기(91)의 측면에 대향하도록 2군데에 형성되지만, 예를 들어, 도 1에 있어서 처리 장치군(G1)의 위치에 처리 장치가 존재하지 않는 경우에는, 1군데에만 반입출구(98)를 형성하면 충분하다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 가스 분사구(96)는 적어도 반입출구(98)의 하방 근방에 형성되어 있다. 이와 같이 함으로써, 기판(W)의 반입출 시에, 보다 고정밀도로 기판(W)을 반입출구(98)에 대응하는 높이로 유지할 수 있다. 가스 분사구(96)로부터의 가스 흐름은 가스 분사구(96)에 가까울수록 안정되어 있고, 제어부(93)에 의한 가스 유량의 제어에 대한 응답이 양호하기 때문이다.

수평 이동 기구(95)는, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 궤도(94)의 상면에 설치되어 궤도(94) 상을 이동하는 구동부(도시하지 않음)를 내장하고 있다. 수평 이동 기구(95)의 구동부에는 리니어 모터가 사용된다. 이 경우, 예를 들어 수평 이동 기구(95)의 하면측은 리니어 모터의 자석측, 궤도(94)의 상면측은 이동 자계측을 형성하고 있다. 또한, 리니어 모터의 종류로서는, 유도형, 동기형, 혹은 펄스형 등으로부터 용도에 따라서 선정되고, 그 형식은 특별히 한정되는 것은 아니다.

다음에, 레지스트 도포 장치(52)의 구성에 대해 설명한다. 도 7은 레지스트 도포 장치(52)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이고, 도 8은 레지스트 도포 장치(52)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.

레지스트 도포 장치(62)는, 도 7에 도시한 바와 같이 내부를 폐쇄 가능한 처리 용기(130)를 갖고 있다. 처리 용기(130)의 기판 수용 용기(91)에 대향하는 면에는 기판(W)의 반입출부(131)가 형성되어 있다.

처리 용기(130) 내에는, 도 8에 도시한 바와 같이 기판(W)을 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(132)이 설치되어 있다. 스핀 척(132)은 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 기판(W)을 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 기판(W)을 스핀 척(132) 상에 흡착 유지할 수 있다.

스핀 척(132)은, 예를 들어 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 구동 기구(133)를 갖고, 이 구동 기구(133)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 구동 기구(133)에는 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀 척(132)은 상하 이동 가능하다.

스핀 척(132)의 주위에는 기판(W)으로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 수용하여 회수하는 컵(F)이 복수 설치되어 있다. 컵(F)의 하면에는 회수한 액체를 배출하는 배출관(135)과, 컵(F) 내의 분위기를 배기하는 배기관(136)이 접속되어 있다.

도 7에 도시한 바와 같이, 컵(F)의 X방향 부방향(도 7의 하방향)측에는 Y방향(도 7의 좌우 방향)을 따라서 연신되는 레일(140)이 형성되어 있다. 레일(140)은, 예를 들어 컵(F)의 Y방향 부방향(도 7의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y방향 정방향(도 7의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(140)에는 아암(141)이 설치되어 있다.

아암(141)에는 각 기판(W)에 레지스트액을 토출하는 도포 노즐(142)이 지지되어 있다. 아암(141)은 노즐 구동부(143)에 의해 레일(140) 상을 이동 가능하다. 또한, 아암(141)은 노즐 구동부(143)에 의해 승강 가능하고, 도포 노즐(142)의 높이를 조절할 수 있다.

처리 용기(130) 내의 스핀 척(132)의 상방에는, 도 8에 도시한 바와 같이 기판 반송 기구(150)가 설치되어 있다. 기판 반송 기구(150)는 기판(W)을 보유 지지하여 반송하는 반송 아암(151)을 갖고 있다. 반송 아암(151)은, 도 7에 도시한 바와 같이 기판(W)의 반송 방향(D1)(도 7중의 X방향)으로 연신되는 한 쌍의 아암부(152, 152)와, 각 아암부(152)를 지지하여 기판(W)의 반송 방향(D1)과 직각 방향(도 7 중 Y방향)으로 연신하는 연결부(153)를 갖고 있다. 각 아암부(152)의 상면에는 기판(W)의 이면을 흡착하여 수평으로 지지하는 지지부로서의 흡착 패드(154)가 설치되어 있다.

반송 아암(151)에는, 도 8에 도시한 바와 같이, 예를 들어 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 아암 이동 기구(155)가 설치되어 있다. 아암 이동 기구(155)는 연결부(153)를 기판(W)의 반송 방향(D1)과 직각 방향으로 이동시켜, 한 쌍의 아암부(152, 152)의 간격을 조정할 수 있다. 또한, 아암 이동 기구(155)는 반송 아암(151)을 연직 방향으로 이동시킬 수도 있다. 이와 같이 반송 아암(151)이 상하 이동함으로써, 반송 아암(151)은 스핀 척(132)으로 기판(W)을 전달하는 동시에, 스핀 척(132)으로부터 기판(W)을 수취할 수 있다.

처리 용기(130)의 내측면에는, 도 7에 도시한 바와 같이 기판(W)의 반송 방향(D1)으로 연신되는 한 쌍의 레일(156, 156)이 설치되어 있다. 아암 이동 기구(155)는, 도 8에 도시한 바와 같이 레일(156)에 설치되어, 레일(156)을 따라서 이동 가능하게 되어 있다. 그리고, 이 아암 이동 기구(155)에 의해, 반송 아암(151)은, 도 9에 도시한 바와 같이 기판(W)을 보유 지지한 상태로, 기판 수용 용기(91)와 레지스트 도포 장치(52) 사이에서 기판(W)의 전달을 행할 수 있다.

또한, 현상 처리 장치(50), 하부 반사 방지막 형성 장치(51) 및 상부 반사 방지막 형성 장치(53)도, 상술한 레지스트 도포 장치(52)와 동일한 구성을 갖고, 기판 반송 기구(150)를 구비하고 있다. 또한, 어드히젼 장치(61)도 마찬가지로, 기판 반송 기구(150)를 구비하고 있다.

다음에, 열처리 장치(60)의 구성에 대해 설명한다. 도 10은 열처리 장치(60)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이고, 도 11은 열처리 장치(60)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.

열처리 장치(60) 내에는, 도 10에 도시한 바와 같이 내부를 폐쇄 가능한 처리 용기(160)가 기판 반송 장치(90)의 궤도(94)를 따라서 수평으로 4개 설치되어 있다. 처리 용기(160)의 기판 반송 장치(90)에 대향하는 측면에는 기판(W)의 반입출부(161)가 형성되어 있다. 반입출부(161)에 대향하는 영역에는 후술하는 반송실(191)이 처리 용기(160)에 인접하여 설치되어 있다. 또한, 열처리 장치(60)는, 도 11에 도시한 바와 같이 처리 용기(160) 내에, 기판(W)을 가열 처리하는 가열부(162)와, 기판(W)을 냉각 처리하는 냉각부(163)를 구비하고 있다.

가열부(162)에는 기판(W)을 적재하여 가열하는 열판(170)이 설치되어 있다. 열판(170)은 두께가 있는 대략 원반 형상을 갖고 있다. 열판(170)은 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 기판(W)을 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 기판(W)을 열판(170) 상에 흡착 유지할 수 있다.

열판(170)의 내부에는 급전에 의해 발열하는 히터(171)가 설치되어 있다. 이 히터(171)의 발열에 의해 열판(170)을 소정의 설정 온도로 조절할 수 있다.

열판(170)에는 상하 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍(172)이 형성되어 있다. 관통 구멍(172)에는 승강 핀(173)이 설치되어 있다. 승강 핀(173)은 실린더 등의 승강 구동 기구(174)에 의해 상하 이동할 수 있다. 승강 핀(173)은 관통 구멍(172) 내를 삽입 관통하여 열판(170)의 상면으로 돌출되고, 기판(W)을 지지하여 승강할 수 있다.

열판(170)에는 당해 열판(170)의 외주부를 보유 지지하는 환 형상의 보유 지지 부재(175)가 설치되어 있다. 보유 지지 부재(175)에는 당해 보유 지지 부재(175)의 외주를 둘러싸고, 승강 핀(173)을 수용하는 통 형상의 서포트 링(176)이 설치되어 있다.

가열부(162)에 인접하는 냉각부(163)에는 기판(W)을 적재하여 냉각하는 냉각판(180)이 설치되어 있다. 냉각판(180)은 두께가 있는 대략 원반 형상을 갖고 있다. 냉각판(180)은 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 기판(W)을 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 기판(W)을 냉각판(180) 상에 흡착 유지할 수 있다.

냉각판(180)의 내부에는, 예를 들어 펠티에 소자 등의 냉각 부재(도시하지 않음)가 내장되어 있어, 냉각판(180)을 소정의 설정 온도로 조정할 수 있다.

냉각부(163)의 그 밖의 구성은 가열부(162)와 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 냉각판(180)에는 상하 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍(181)이 형성되어 있다. 관통 구멍(181)에는 승강 핀(182)이 설치되어 있다. 승강 핀(182)은 실린더 등의 승강 구동 기구(183)에 의해 상하 이동할 수 있다. 승강 핀(182)은 관통 구멍(181) 내를 삽입 관통하여 냉각판(180)의 상면으로 돌출되고, 기판(W)을 지지하여 승강할 수 있다.

냉각판(180)에는 당해 냉각판(180)의 외주부를 보유 지지하는 환 형상의 보유 지지 부재(184)가 설치되어 있다. 보유 지지 부재(184)에는 당해 보유 지지 부재(184)의 외주를 둘러싸고, 승강 핀(182)을 수용하는 통 형상의 서포트 링(185)이 설치되어 있다.

열판(170)과 냉각판(180)의 상방에는 기판 반송 기구(190)가 설치되어 있다. 기판 반송 기구(190)는, 도 10에 도시한 바와 같이 처리 용기(160)의 반입출부(161)에 대향하는 영역에 설치된 Y방향으로 연장되는 반송로(192) 상을 이동 가능한 반송 아암(193)을 갖고 있다. 반송 아암(193)은 기판(W)의 외주에 적합한 형상, 예를 들어 대략 3/4 원환 형상으로 구성된 아암부(194)와, 아암부(194)에 설치되어 기판(W)의 외주부를 직접 지지하는 지지부(195)가, 예를 들어 3군데 설치되어 있다. 지지부(195)는 아암부(194)의 내측 원주에 등간격으로 설치되어, 아암부(194)의 내측으로 돌출되어 있다.

반송 아암(193)은 승강 기구(196), 수평 이동 기구(197), 회전 기구(198)에 의해, 연직 방향, X방향 및 연직축 주위로도 이동 가능하여, 각 처치 용기(160) 내의 각 열판(170), 냉각판(180) 및 기판 반송 장치(90) 사이에서 기판(W)의 전달을 행할 수 있다.

이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 장치(10)에서는, 예를 들어 다음과 같은 기판 처리가 행해진다. 도 12는 이러한 기판 처리의 주된 공정의 예를 도시하는 흐름도이다.

우선, 복수매의 기판(W)을 수용한 카세트(C)가 카세트 스테이션(10)의 소정의 카세트 적재판(31)에 적재된다. 그 후, 기판 반송체(41)에 의해 카세트(C) 내의 각 기판(W)이 순차적으로 취출되어, 처리 스테이션(11)의 제3 처리 장치군(G3)의, 예를 들어 전달 장치(73)로 반송된다.

다음에, 기판(W)은 전달 장치(73)에 의해 기판 수용 용기(91)의 반입출구(98)로부터 기판 수용 용기(91) 내로 전달되어, 그 후 열처리 장치(60)에 대응하는 위치로 반송된다. 기판 수용 용기(91)에 보유 지지되는 기판(W)은 반입출구(98)로부터 기판 수용 용기(91) 내로 진입하는 열처리 장치(60)의 반송 아암(192)에 의해 열처리 장치(60)로 반입되어, 열처리, 온도 조절된다(도 12의 공정 S1). 그 후, 기판(W)은 반송 아암(192)에 의해 기판 수용 용기(91)로 전달되어, 예를 들어 제1 처리 장치군(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(51)에 대응하는 위치로 반송된다. 그 후, 기판(W)은 하부 반사 방지막 형성 장치(51)의 반송 아암(151)에 의해 당해 하부 반사 방지막 형성 장치(51) 내로 반입되고, 기판(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다(도 12의 공정 S2). 그 후, 기판(W)은 반송 아암(151)에 의해 기판 수용 용기(91)로 전달되어, 제2 처리 장치군(G2)의 열처리 장치(60)에 대응하는 위치로 반송된다. 그 후, 열처리 장치(60)의 반송 아암(192)에 의해 열처리 장치(60) 내로 반입되어, 가열, 온도 조절되고, 그 후 반송 아암, 기판 수용 용기(91)를 통해 제3 처리 장치군(G3)의 전달 장치(73)로 복귀된다.

다음에, 기판(W)은 기판 반송체(110)에 의해 동일한 제3 처리 장치군(G3)의 전달 장치(74)로 반송된다. 그 후 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 제2 처리 장치군(G2)의 어드히젼 장치(61)로 반송되어 어드히젼 처리된다(도 12의 공정 S3). 그 후, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 레지스트 도포 장치(52)로 반송되어, 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다(도 12의 공정 S4). 그 후 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 열처리 장치(60)로 반송되어 프리베이크 처리된다(도 12의 공정 S5). 그 후, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 제3 처리 장치군(G3)의 전달 장치(75)로 반송된다.

다음에, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(53)로 반송되어, 기판(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다(도 12의 공정 S6). 그 후 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 열처리 장치(60)로 반송되고, 가열되어 온도 조절된다. 그 후, 기판(W)은 주변 노광 장치(62)로 반송되어 주변 노광 처리된다(도 12의 공정 S7).

그 후, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 제3 처리 장치군(G3)의 전달 장치(76)로 반송된다.

다음에, 기판(W)은 기판 반송체(110)에 의해 전달 장치(72)로 반송되고, 기판 반송 장치(90)에 의해 제4 처리 장치군(G4)의 전달 장치(82)로 반송된다. 그 후, 기판(W)은 인터페이스 스테이션(13)의 기판 반송체(120)에 의해 노광 장치(12)로 반송되어 노광 처리된다(도 12의 공정 S8).

다음에, 기판(W)은 기판 반송체(120)에 의해 제4 처리 장치군(G4)의 전달 장치(80)로 반송된다. 그 후, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 열처리 장치(60)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다(도 12의 공정 S9). 그 후, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 현상 처리 장치(50)로 반송되어 현상된다(도 12의 공정 S10). 현상 종료 후, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 열처리 장치(60)로 반송되어 포스트베이크 처리된다(도 12의 공정 S11).

그 후, 기판(W)은 기판 반송 장치(90)에 의해 제3 처리 장치군(G3)의 전달 장치(70)로 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(10)의 기판 반송체(41)에 의해 소정의 카세트 적재판(31)의 카세트(C)로 반송된다. 이와 같이 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.

이상의 실시 형태에 따르면, 기판 수용 용기(91) 내에 가스 분사부(92)를 설치하여, 제어부(93)에 의해 가스 분사부(92)의 가스 분사구(96)로부터 분사되는 가스의 유량을 제어할 수 있으므로, 기판 수용 용기(91) 내에 있어서, 기판(W)을 뜨게 한 상태로 기판(W)을 승강시킬 수 있다. 또한, 기판 수용 용기(91)는 수평 이동 기구(95)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있으므로, 기판(W)의 반송을 상하 좌우 방향에 대해 행할 수 있다. 이로 인해, 기판 반송 장치(90)는 기판(W)과 접촉하지 않고 기판(W)을 각 처리 장치와의 사이에서 반입출할 수 있다. 그 결과, 종래 기판 반송 시에 발생하고 있던, 기판 이면으로의 파티클의 부착이 억제된다. 따라서, 도포 현상 처리 시스템(1)에서 제조되는 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

또한, 기판 반송 장치(90)는 수평 이동용 구동원으로서 리니어 모터를 사용하고 있으므로, 구동부의 마모에 의한 쓰레기가 발생하는 것을 방지할 수 있는 동시에, 기판 반송 시의 소음을 저감시킬 수 있다. 또한, 종래에는 구동부의 마모에 의해 경시적으로 발생하고 있던, 반송 장치의 반송 오차도 방지할 수 있다.

또한, 이상의 실시 형태에서는, 기판을 비접촉으로 보유 지지할 수 있는 기판 반송 장치(90)를 기판 반송 영역(D)에 배치하고 있었지만, 예를 들어 카세트 스테이션(10)의 기판 반송체(41), 처리 스테이션(11)의 기판 반송체(110) 및 인터페이스 스테이션(13)의 기판 반송체(120) 대신에, 기판 반송 장치(90)를 사용해도 좋다. 이러한 경우, 기판(W)이, 예를 들어 반송용 아암과 접촉하는 기회가 감소하므로, 기판(W)으로의 파티클의 부착을 더욱 저감시킬 수 있다.

이상의 실시 형태에서는, 도포 현상 처리 시스템(1) 내에 하나의 기판 반송 장치(90)를 설치하고 있었지만, 예를 들어 상하에 복수대 배치해도 좋다. 그리고, 이러한 복수의 기판 반송 장치(90)를 사용하여, 각 처리 장치군(G1 내지 G4)의 동일한 정도의 높이의 소정의 처리 장치로 각각 기판(W)을 반송해도 좋다.

또한, 예를 들어, 도 13에 도시한 바와 같이 기판 수용 용기(91)의 각 반입출구(98)에 셔터(91a)를 설치해도 좋다. 그 경우, 이 셔터(91a)를, 기판 수용 용기(91)에 있어서 기판(W)의 반입출을 행하는 경우를 제외하고 폐쇄하도록 하면, 각 반입출구(98)로부터의 기판 수용 용기(91) 외부로의 가스의 누설을 최소한으로 할 수 있다. 따라서, 기판 수용 용기(91) 내에 공급하는 가스의 양을 절약할 수 있다. 또한, 반입출구(98)로부터 가스가 누설됨으로써, 기판 수용 용기(91) 내의 상승류에 난류가 발생하여 보유 지지되어 있는 기판(W)이, 예를 들어 상하 이동할 가능성이 있다. 이에 대해, 본 실시 형태에서는 셔터(91a)를 설치함으로써 기판 수용 용기(91) 외부로의 가스의 누설을 최소한으로 억제할 수 있고, 이에 의해 난류를 억제할 수 있다. 따라서, 기판(W)을 안정적으로 보유 지지하는 것이 가능해진다. 또한, 셔터의 개폐 방향은 임의로 결정이 가능하다.

이상의 실시 형태에서는, 가스 공급관(92a)은 기판 수용 용기(91)의 측벽 내부에 있어서 연직 방향으로 연신되는 배치로 하고 있었지만, 예를 들어 도 14에 도시한 바와 같이, 가스 공급관(92a)은 기판 수용 용기(91)의 내부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 가스 분사구(96)는 기판 수용 용기(91)의 내측에 배치된다. 또한, 도 15에 도시한 바와 같이, 기판 수용 용기(91)의 외부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있어도 좋다.

이상의 실시 형태에서는, 가스 분사부(92)에는 하나의 유량 조정 기구(92b)가 형성되어 있었지만, 도 16에 도시한 바와 같이 각 높이의 가스 분사구(96)에 접속된 가스 공급관(92a)에 개별로 유량 조정 기구(92b)를 설치해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 기판 수용 용기(91) 내에서 기판(W)을 소정의 높이로 보유 지지하는 경우, 당해 기판(W)에 대응하는 높이의 가스 분사구(96)로부터 가스를 분사하면 좋다. 즉, 다른 가스 분사구(96)로부터 가스를 분사할 필요가 없어, 기판 수용 용기(91) 내에 공급하는 가스의 양을 절약할 수 있다.

이상의 실시 형태에서는, 각 높이의 가스 분사구(96)에 유량 조정 기구(92b)를 설치하는 것을 고려하였지만, 예를 들어 도 17에 도시한 바와 같이, 가스 분사구(96)를, 90도의 피치마다 다른 블록으로서 설치하고, 각각 개별로 가스 공급관(92a)에 접속하고, 각각의 가스 공급관(92a)에 유량 조정 기구(92b)를 개별로 설치해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 위치 측정부(97)를, 기판 수용 용기(91)의 상면에 90도의 피치로 4군데에 배치하고, 기판(W)의 외주연부의 높이 방향의 위치를 각 위치 측정부(97)에서 측정함으로써, 기판(W)이 기울어져 있는지 여부를 판정한다. 그리고, 예를 들어 기판(W)이 기울어져 있는 경우에는, 위치 측정부(97)의 측정 결과에 기초하여, 각 유량 조정 기구(92b)로부터의 가스의 분사량을 조정함으로써 기판(W)을 수평으로 유지할 수 있다. 또한, 이와 같이 구성하면, 기판 수용 용기(91)의 내면 형상은 반드시 기판(W)의 형상을 따르고 있을 필요는 없고, 각 블록의 가스 분사구(96)로의 공급량을 제어함으로써 기판의 수평을 유지할 수 있다.

또한, 예를 들어 레지스트 도포 장치(52)는, 상술한 반송 기구(150) 대신에, 도 18 및 도 19에 도시한 바와 같은, 다른 구성의 반송 기구(250)를 갖고 있어도 좋다. 기판 반송 기구(250)는 기판(W)을 보유 지지하여 반송하는 다관절 형상의 반송 아암(251)을, 예를 들어 2개 갖고 있다. 각 반송 아암(251)은 복수, 예를 들어 4개의 아암부(252)를 갖고 있다. 4개의 아암부(252) 중 하나의 아암부(252)는 그 단부에 있어서 다른 아암부(252)에 굴곡 가능하게 연결되어 있다. 각 아암부(252) 사이에는 동력이 전달되어, 반송 아암(251)은 굴신 및 선회 가능하게 되어 있다. 선단의 아암부(252a)에는 기판(W)의 이면을 흡착하여 수평으로 보유 지지하는 보유 지지부로서의 흡착 패드(253)가 설치되어 있다.

기단부의 아암부(252b)의 하면에는 아암 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 아암 이동 기구(254)는 아암부(252b)를 지지하는 샤프트(255)와, 샤프트(255)의 하방에 설치되어, 예를 들어 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 구동 기구(256)를 갖고 있다. 이 아암 이동 기구(254)에 의해, 반송 아암(251)은 연직 방향으로 이동하여 기판(W)을 보유 지지할 때나, 반송 아암(251)이 이동할 때에 서로 간섭하지 않도록 반송 아암(51)의 높이 방향의 위치를 바꿀 수 있다. 그리고, 반송 아암(251)은 복수의 컵(F)과 기판 반송 장치(40) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다.

또한, 상술한 반송 기구(150, 190, 250)와 각 처리 장치의 조합은 본 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 각각 다른 처리 장치에 있어서도 적용이 가능하다.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명에 관한 예로 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 양해된다. 본 발명은 본 예로 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은 기판이 기판 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 처리 장치에서 행해지는 처리가 CVD 처리 이외의 플라즈마 처리, 예를 들어 에칭 처리에도 적용할 수 있고, 또한 플라즈마 처리 이외의 처리에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 본 실시 형태의 반송 아암의 형상으로 한정되지 않고, 다른 다양한 반송 아암에도 적용할 수 있다.

본 발명은 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 장치에 대해 기판의 반송을 행하는 데 유용하다.

1 : 도포 현상 처리 시스템
10 : 카세트 스테이션
11 : 처리 스테이션
12 : 노광 장치
13 : 인터페이스 스테이션
30 : 카세트 적재대
31 : 카세트 적재판
40 : 반송로
41 : 기판 반송체
50 : 현상 처리 장치
51 : 하부 반사 방지막 형성 장치
52 : 레지스트 도포 장치
53 : 상부 반사 방지막 형성 장치
60 : 열처리 장치
61 : 어드히젼 장치
62 : 주변 노광 장치
70 내지 76 : 전달 장치
80 내지 82 : 전달 장치
90 : 기판 반송 장치
91 : 기판 수용 용기
91a : 셔터
92 : 가스 분사부
92a : 가스 공급관
92b : 유량 조정 기구
93 : 제어부
94 : 궤도
95 : 수평 이동 기구
96 : 가스 분사구
97 : 위치 측정부
98 : 반입출구
110 : 기판 반송체
120 : 기판 반송체
121 : 전달 장치
130 : 처리 용기
131 : 반입출부
132 : 스핀 척
133 : 구동 기구
135 : 배출관
136 : 배기관
140 : 레일
141 : 아암
142 : 도포 노즐
143 : 노즐 구동부
150 : 기판 반송 기구
151 : 반송 아암
152 : 아암부
153 : 연결부
154 : 흡착 패드
155 : 아암 이동 기구
156 : 레일
160 : 처리 용기
161 : 반입출부
162 : 가열부
163 : 냉각부
170 : 열판
171 : 히터
172 : 관통 구멍
173 : 승강 핀
174 : 승강 구동 기구
175 : 보유 지지부
176 : 서포트 링
180 : 냉각판
181 : 관통 구멍
182 : 승강 핀
183 : 승강 구동 기구
184 : 보유 지지 부재
185 : 서포트 링
190 : 기판 반송 기구
191 : 반송실
192 : 반송로
193 : 반송 아암
194 : 아암부
195 : 보유 지지부
250 : 기판 반송 기구
251 : 반송 아암
252 : 아암부
252a : 아암부
253 : 흡착 패드
254 : 아암 이동 기구
255 : 샤프트
256 : 구동 기구
F : 컵
C : 카세트

Claims

기판의 반송 장치이며,
내부에 기판을 수용하고, 측면에 기판의 반입출구가 형성된 기판 수용 용기와,
상기 기판 수용 용기 내의 기판의 이면을 향해 소정의 가스를 분사하는 가스 분사부와,
상기 가스 분사부로부터 공급되는 상기 소정의 가스의 공급량을 조정하여, 상기 기판 수용 용기 내의 기판을 소정의 높이로 제어하는 제어부와,
상기 기판 수용 용기 내의 기판의 높이를 측정하는 위치 측정부를 갖고,
상기 제어부는 상기 위치 측정부에서 측정된 기판의 높이에 기초하여, 당해 기판을 소정의 높이로 이동시키도록 상기 소정의 가스의 공급량을 조정하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
삭제
제1항에 있어서, 상기 가스 분사부는 상기 기판 수용 용기의 내측면으로부터 경사 상방으로 소정의 가스를 분사하는 가스 분사구를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제3항에 있어서, 상기 가스 분사구는 상기 기판 수용 용기의 내측면의 전체 둘레에 걸쳐서 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제3항에 있어서, 상기 가스 분사구는 연직 방향으로 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 각 가스 분사구로부터 공급되는 상기 소정의 가스의 공급량을 각각 조정하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제5항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사구에는 당해 복수의 가스 분사구에 상기 소정의 가스를 공급하는 가스 공급관이 접속되고,
상기 가스 공급관은 상기 기판 수용 용기의 내부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제5항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사구에는 당해 복수의 가스 분사구에 상기 소정의 가스를 공급하는 가스 공급관이 접속되고,
상기 가스 공급관은 상기 기판 수용 용기의 외부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제5항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사구에는 당해 복수의 가스 분사구에 상기 소정의 가스를 공급하는 가스 공급관이 접속되고,
상기 가스 공급관은 상기 기판 수용 용기의 측벽 내부에 있어서 연직 방향으로 연신되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제1항에 있어서, 상기 반입출구는 상기 기판 수용 용기의 측면에 연직 방향으로 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제10항에 있어서, 상기 반입출구에는 당해 반입출구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제1항에 있어서, 상기 기판 수용 용기를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제12항에 있어서, 상기 수평 이동 기구의 구동원은 리니어 모터인 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
제1항에 기재된 기판 반송 장치와, 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 장치를 갖는 기판 처리 시스템이며,
상기 처리 장치는 당해 처리 장치와 상기 기판 수용 용기 사이에서 기판의 전달을 행하는 기판 반송 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
제14항에 있어서, 상기 반입출구는 상기 처리 장치에 대응하는 높이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
제14항에 있어서, 상기 기판 반송 기구는, 한 쌍의 아암부와 상기 아암부에 설치되어 기판을 지지하는 지지부를 구비한 반송 아암과, 상기 한 쌍의 아암부의 간격을 조정하는 동시에 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
제14항에 있어서, 상기 기판 반송 기구는, 기판의 외주를 둘러싸는 형상을 갖는 아암부와 상기 아암부에 설치되어 기판을 지지하는 지지부를 구비한 반송 아암과, 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
제16항에 있어서, 상기 아암 이동 기구는 상기 반송 아암을 연직 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
제14항에 있어서, 상기 기판 반송 기구는 기판을 보유 지지하여 반송하는 반송 아암을 갖고, 상기 반송 아암은 굴곡 가능하게 연결된 복수의 아암부와, 선단의 상기 아암부에 설치되어 기판을 지지하는 지지부를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
제19항에 있어서, 상기 기판 반송 기구는 상기 반송 아암을 연직 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
제16항에 있어서, 상기 기판 반송 기구는 상기 반송 아암을 복수 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.