KR20170050061A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170050061A
KR20170050061A KR1020150151105A KR20150151105A KR20170050061A KR 20170050061 A KR20170050061 A KR 20170050061A KR 1020150151105 A KR1020150151105 A KR 1020150151105A KR 20150151105 A KR20150151105 A KR 20150151105A KR 20170050061 A KR20170050061 A KR 20170050061A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
processing
transfer
transfer chamber
Prior art date
Application number
KR1020150151105A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101736854B1 (ko
Inventor
박길수
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150151105A priority Critical patent/KR101736854B1/ko
Priority to US15/332,184 priority patent/US10160001B2/en
Priority to CN201610929572.7A priority patent/CN107017182B/zh
Publication of KR20170050061A publication Critical patent/KR20170050061A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101736854B1 publication Critical patent/KR101736854B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C1/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is applied to the surface of the work by contact with a member carrying the liquid or other fluent material, e.g. a porous member loaded with a liquid to be applied as a coating
    • B05C1/003—Apparatus in which liquid or other fluent material is applied to the surface of the work by contact with a member carrying the liquid or other fluent material, e.g. a porous member loaded with a liquid to be applied as a coating incorporating means for heating or cooling the liquid or other fluent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Robotics (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은, 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트와; 상기 로드 포트와 상기 버퍼 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하고, 상기 버퍼 모듈은 상부에서 바라볼 때 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 배열되는 제1 버퍼 유닛 및 제2 버퍼 유닛을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 제1 처리 유닛과; 제2 처리 유닛과; 상기 제1 처리 유닛과 상기 제1 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제1 반송 로봇이 제공된 제1 반송 챔버와; 상기 제2 처리 유닛과 상기 제2 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제2 반송 로봇이 제공된 제2 반송 챔버를 포함하되, 상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 상기 제2 방향을 따라 배열된다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 박막 증착 공정에서는 회전하는 기판에 케미컬을 증착하는 스핀 온 하드디스크(Spin-on-Harddisk,SOH) 공정이 수행된다.
도 1은 일반적인 스핀 온 하드디스크 공정을 수행하는 기판 처리 장치의 일 예를 보여준다. 반송 챔버(300)내에는 반송 로봇(350)이 하나가 제공된다. 그리고 각각의 챔버(400)에 기판을 이송하기 위해서는 반송 로봇(350)이 챔버(400)들이 배열된 방향(X2)을 따라 이동한다. 따라서, 반송 로봇(350)의 넓은 범위에 걸친 이동으로 인해 공정 시간이 길어진다. 또한, 반송 로봇(350)의 X2방향으로의 이동으로 인해 기판 처리 장치의 X2방향의 끝단과의 사이에서 와류가 발생하였다. 이러한 와류는 공정 불량을 야기한다. 또한, 각 구성 요소의 배치 및 배열로 인해 기판 처리 장치의 소형화에 문제가 있었다.
본 발명은 공정 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 반송 로봇의 이동 거리 및 이동 시간을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 내부에서 발생하는 와류를 최소화하기 위한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 설비를 소형화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은, 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트와; 상기 로드 포트와 상기 버퍼 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하고, 상기 버퍼 모듈은 상부에서 바라볼 때 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 배열되는 제1 버퍼 유닛 및 제2 버퍼 유닛을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 제1 처리 유닛과; 제2 처리 유닛과; 상기 제1 처리 유닛과 상기 제1 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제1 반송 로봇이 제공된 제1 반송 챔버와; 상기 제2 처리 유닛과 상기 제2 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제2 반송 로봇이 제공된 제2 반송 챔버를 포함하되, 상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 상기 제2 방향을 따라 배열된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 버퍼 유닛은, 기판이 일시적으로 머무르는 제1 버퍼 챔버와; 상기 제1 버퍼 챔버와 적층되며, 기판을 냉각하는 제1 냉각 챔버를 포함한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 냉각 챔버는, 상기 용기로부터 상기 제1 반송 챔버로 반입시 제공되는 하나 또는 복수의 반입용 냉각 챔버와; 상기 제1 반송 챔버의 기판을 상기 용기로 반출시 제공되는 하나 또는 복수의 반출용 냉각 챔버를 포함한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리 유닛은, 기판을 열처리하는 제1 열처리 챔버와; 기판을 액처리하는 제1 액처리 챔버를 포함한다.
일 실시예에 의하면, 제1 열처리 챔버는, 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징 내에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛; 상기 하우징 내에서 기판을 가열하는 가열 유닛; 그리고 상기 냉각 유닛과 상기 가열 유닛 사이에 기판을 반송하는 반송 유닛;을 포함한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 반송 챔버, 상기 냉각 유닛, 그리고 상기 가열 유닛은 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 열처리 챔버는 복수개가 서로 적층되게 제공되고, 상기 제1 액처리 챔버는 복수개가 서로 적층되게 제공된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 처리 유닛은, 기판을 열처리하는 제2 열처리 챔버와; 기판을 액처리하는 제2 액처리 챔버를 포함하고, 상기 로드포트, 상기 인덱스 로봇, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제1 액처리 챔버는 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제2 반송 챔버, 그리고 상기 제2 열처리 챔버는 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 액처리 챔버는 회전하는 기판 상에 액을 공급하여 박막을 형성하는 챔버를 포함한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 액처리 챔버, 그리고 상기 제1 버퍼 유닛은 상기 제1 반송 챔버의 서로 다른 측부에 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 반송 로봇은, 지면에 고정 설치된 베이스와,
상기 베이스에 설치되며, 상하 이동 및 회전 가능하게 제공되는 수직축과; 그리고 상기 수직축에 설치되며, 전후 방향으로 이동하게 제공되는 핸드를 포함한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 서로 인접하게 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리 유닛은, 기판을 열처리하는 제1 열처리 챔버와; 기판을 액처리하는 제1 액처리 챔버를 포함하고, 상기 제1 열처리 챔버는 복수 개가 서로 적층되게 제공되고, 상기 제1 액처리 챔버는 복수 개가 서로 적층되게 제공되며, 상기 제1 액처리 챔버는 회전하는 기판 상에 액을 공급하여 박막을 형성하는 챔버를 포함하고, 상기 로드포트, 상기 인덱스 로봇, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제1 액처리 챔버는 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제2 반송 챔버는 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 서로 인접하게 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 처리 유닛 및 상기 제1 반송 챔버는 상기 제1 방향에 평행한 선을 기준으로 상기 제2 처리 유닛 및 상기 제2 반송 챔버와 대칭이 되도록 제공된다.
일 실시예에 의하면, 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은, 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트와; 상기 로드 포트와 상기 버퍼 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하고, 상기 버퍼 모듈은 상부에서 바라볼 때 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 배열되는 제1 버퍼 유닛 및 제2 버퍼 유닛을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 기판을 열처리하는 제1 열처리 챔버 및 제2 열처리 챔버와; 기판을 액처리 하는 제1 액처리 챔버 및 제2 액처리 챔버와; 상기 제1 열처리 챔버, 제1 액처리 챔버, 상기 제1 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제1 반송 로봇이 제공된 제1 반송 챔버와; 상기 제2 열처리 챔버, 제2 액처리 챔버, 상기 제2 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제2반송 로봇이 제공된 제2 반송 챔버를 포함하되, 상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 상기 제2 방향을 따라 배열되고, 상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 인접하게 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 로드포트, 상기 인덱스 로봇, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제1 액처리 챔버는 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제2 반송 챔버, 그리고 상기 제2 열처리 챔버는 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 액처리 챔버, 그리고 상기 제1 버퍼 유닛은 상기 제1 반송 챔버의 서로 다른 측부에 배치된다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 서로 인접하게 배치된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 공정 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반송 로봇의 이동 거리 및 이동 시간을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치를 소형화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치 내부에서 발생하는 불필요한 와류를 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치에서 선 A-A' 를 따라 절단한 단면도이다.
도 4은 도 2의 기판 처리 장치에서 선는 B-B'을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 2의 기판 처리 장치의 제1 열처리 챔버를 보여주는 사시도이다.
도 6는 도 5의 제1 열처리 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 5의 제1 열처리 챔버를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
본 실시예에서는 기판으로 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 평판 표시 패널, 포토 마스크 등 다양한 종류의 기판일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A'에 대한 단면도이고, 도 4는 도 2의 B-B'에 대한 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(process treating module)(200)를 포함한다.
인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)은 제1 방향을 따라 나란히 배치된다. 상부에서 바라볼 때, 제1 방향과 수직한 방향을 제2 방향이라 하고, 제1 방향 및 제2 방향에 모두 수직한 방향을 제3 방향이라고 한다.
인덱스 모듈(100)은 공정 처리 모듈(200)의 전단부에 설치된다. 인덱스 모듈(100)은 공정 처리 모듈(200)의 일측에서 제2 방향(X2)을 따라 길게 배치된다. 인덱스 모듈(100)은 복수의 웨이퍼(W)를 수납하는 카세트(C:Cassette)와 공정 처리 모듈(200) 상호 간에 웨이퍼(W)를 이송하는 인덱스(index) 설비이다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트들(load ports)(110) 및 이송유닛(120)을 가진다. 로드 포트(110)들은 제1 방향(X1)을 따라 나란하게 배치되고, 이송유닛(120)은 로드 포트(110)들과 공정 처리 모듈(200) 사이에 위치한다. 기판들을 수용하는 카세트(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 로드 포트들에 놓인다. 카세트(C)는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다.
이송유닛(120)은 로드포트(110)에 안착된 카세트(C)와 공정 처리 모듈(200) 상호 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 이송유닛은 인덱스 로봇(index robot)(122) 및 인덱스 로봇(122)이 제1 방향(X1)을 따라 이동되는 통로로 제공되는 이송통로(transfer passageway)(124)를 가진다.
인덱스 로봇(122)은 공정시 이송통로(124)를 따라 이동되면서 카세트(C)와 공정 처리 모듈(200) 상호 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 여기서, 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200) 상호간의 웨이퍼(W) 이송은 인덱스 모듈(100)의 공정 처리 모듈(200)에 형성되는 출입구를 통해 이루어진다.
공정 처리 모듈(200)은 처리 모듈(400) 및 버퍼 모듈(500)을 포함한다.
처리 모듈(400)은 제1 처리 유닛(410), 제2 처리 유닛(420), 제1 반송 챔버(430), 그리고 제2 반송 챔버(440)를 포함한다. 제1 처리 유닛(410)과 제2 처리 유닛(420)은 소정의 반도체 제조 공정을 수행한다. 예를 들면, 제1 처리 유닛(410)과 제2 처리 유닛(420)은 웨이퍼(W) 상에 액을 도포하는 도포공정(coat process)을 수행하거나 기판을 가열 또는 냉각 하는 베이크 공정(bake process)을 수행할 수 있다.
아래에서는 제1 처리 유닛(410)을 설명한다.
제1 처리 유닛(410)은 제1 열처리 챔버(412), 제1 액처리 챔버(414), 그리고 제1 액공급 챔버(416)를 포함한다. 제1 열처리 챔버(412)는 기판을 열처리한다. 예컨대, 제1 열처리 챔버(412)는 기판(W)에 액을 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 처리액을 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다.
제1 열처리 챔버(412)는 하우징(1100), 반송 유닛(1200), 가열 유닛(1300) 그리고 냉각 유닛(1400)을 포함한다.
하우징(1100)은 베이크 공정과 같은 처리가 이루어지도록 내부에 처리 공간을 제공한다. 하우징(1100)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 제1측벽(1111), 제2측벽(1112), 제3측벽(1113) 그리고 제4측벽(1114)을 포함한다.
제1측벽(1111)은 하우징(1100)의 일측면에 제공된다. 제1측벽(1111)에는 기판(W)이 출입되는 출입구(1116)가 형성된다. 출입구(1116)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다.
제2측벽(1112)은 제1측벽(1111)의 반대편에 형성된다. 제2측벽(1112)은 제1측벽(1111)과 평행하게 제공된다. 제3측벽(1113)은 제1측벽(1111)과 제2측벽(1112) 사이에 제공된다. 제3측벽(1113)은 제1측벽(1111)과 제2측벽(1112) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(1114)은 제1측벽(111)과 제2측벽(1112) 사이에 제공된다. 제4측벽(1114)은 제1측벽(1111)과 제3측벽(1113) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(1114)은 제3측벽(1113)과 평행하게 제공된다.
반송 유닛(1200)은 하우징(1100) 내에서 가열 유닛(1300)과 냉각 유닛(1400) 간에 기판(W)을 이동시킨다. 반송 유닛(1200)은 반송 플레이트(1210), 지지암(1220), 지지링(1230), 그리고 구동 부재(1270)를 포함한다.
반송 플레이트(1210)에는 기판(W)이 놓인다. 반송 플레이트(1210)는 원형의 형상으로 제공된다. 반송 플레이트(1210)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 반송 플레이트(1210)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 반송 플레이트(1210)에는 가이드 홀(1250)이 형성된다. 가이드 홀(1250)은 리프트 핀(1315)을 수용하기 위한 공간이다. 가이드 홀(1250)은 반송 플레이트(1210)의 외측으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(1250)은 반송 플레이트(1210)의 이동 시 리프트 핀(1315)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다.
지지암(1220)은 반송 플레이트(1210)와 고정결합된다. 지지암(1220)은 반송 플레이트(1210)와 구동 부재(1270) 사이에 제공된다.
지지링(1230)은 반송 플레이트(1210) 주위를 감싸며 제공된다. 지지링(1230)은 반송 플레이트(1210)의 가장 자리를 지지한다. 지지링(1230)은 기판(W)이 반송 플레이트(1210)에 놓여진 후 기판(W)이 정위치에 놓이도록 기판(W)을 지지하는 역할을 한다.
구동 부재(1270)는 반송 플레이트(1210)를 이송 또는 반송할 수 있도록 한다. 구동 부재(1270)는 반송 플레이트(1210)를 직선 운동 또는 상하 구동할 수 있도록 제공된다.
가열 유닛(1300)은 기판을 지지하여 기판을 가열한다. 가열 유닛(1300)은 플레이트(1311), 핀 홀(1312), 히터(1313), 리프트 핀(1315), 커버(1317), 구동기(1319)를 포함한다.
플레이트(1311)는 원통형의 형상으로 제공된다. 플레이트(1311)는 열전도도가 좋은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 플레이트(1311)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 플레이트(1311)의 상부에는 리프트 핀(1315)을 수용하는 핀 홀(1312)이 형성되어 있다.
히터(1313)는 기판(W)을 가열한다. 히터(1313)는 플레이트(1311)의 내부에 제공된다. 예컨대, 히터(1313)는 플레이트(1311) 내에는 히팅 코일로 설치될 수 있다. 이와는 달리 플레이트(1311)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 히터(1313)는 플레이트(1311) 내부에 제공되므로 기판이 가열되기 전에 우선적으로 플레이트(1311)가 가열된다.
핀 홀(1312)은 리프트 핀(1315)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(1315)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(1312)은 플레이트(1311)의 상부에 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다.
리프트 핀(1315)은 승강 기구(미도시)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(1315)은 기판(W)을 플레이트(1311) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(1315)은 기판(W)을 플레이트(1311)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다.
커버(1317)는 플레이트(1311)의 상부에 위치한다. 커버(1317)는 원통형의 형상으로 제공된다. 커버(1317)는 내부에 가열 공간을 제공한다. 커버(1317)는 기판(W)이 플레이트(1311)로 이동시 구동기(1319)에 의해 플레이트(1311)의 상부로 이동한다. 커버(1317)는 기판(W)이 플레이트(1311)에 의해 가열 시 구동기(1319)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다.
구동기(1319)는 지지부(1318)에 의해 커버(1317)와 고정 결합된다. 구동기(1319)는 기판(W)의 플레이트(1311)로 이송 또는 반송 되는 경우 커버(1317)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(1319)는 실린더 구동기로 제공될 수 있다.
냉각 유닛(1400)은 플레이트(1311) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시키는 역할을 한다. 냉각 유닛(1400)은 하우징(1100)의 내부에 위치한다. 냉각 유닛(1400)은 제2측벽(1112)보다 제1측벽(1111)에 더 인접하게 위치한다.냉각 유닛(400)은 냉각 플레이트(410)를 포함한다.
냉각 플레이트(1410)는 기판을 냉각한다. 냉각 플레이트(1410)는 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)는 기판에 상응하는 크기로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)의 내부에에는 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W)을 냉각할 수 있다. 기판은 반송 플레이트(1210)에 유지된 상태에서 반송 플레이트(1210)가 냉각 플레이트(1410)에 놓이고, 기판이 냉각될 수 있다.
제1 액처리 챔버(414)는 기판에 액을 도포한다. 제1 액처리 챔버(414)는 회전하는 기판 상에 액을 공급하여 박막을 형성할 수 있다. 제1 액처리 챔버(414)는 제3 방향(X3)으로 복수개가 적층될 수 있다.
제1 액공급 챔버(416)는 제1 액처리 챔버(414)에 적층될 수 있다. 제1 액공급 챔버(416)와 제1 액처리 챔버(414)는 제3 방향(X3)으로 적층될 수 있다. 제1 액공급 챔버(416)는 제1 액처리 챔버(414)의 하부에 적층될 수 있다. 제1 액공급 챔버(416)는 제1 액처리 챔버(414)에 공급되어 기판을 액처리하는 처리액을 저장한다. 액공급 챔버에서는 제1 액처리 챔버(414)로 처리액을 공급한다.
제2 처리 유닛(420)은 제1 방향(X1)에 평행한 선을 기준으로 제1 처리 유닛(410)과 대칭이 되도록 제공된다. 또한, 제2 처리 유닛(420)은 제1 처리 유닛(410)과 동일한 구성으로 제공된다. 제2 처리 유닛(420)은 제1 처리 유닛(410)과 동일한 기능을 한다. 제2 처리 유닛(420)은 제2 열처리 챔버(422), 제2 액처리 챔버(424), 제2 액공급 챔버(426)를 포함한다. 제2 열처리 챔버(422), 제2 액처리 챔버(424), 제2 액공급 챔버(426)는 각각 제1 열처리 챔버(412), 제1 액처리 챔버(414), 제1 액공급 챔버(416)에 대응되게 제공된다.
제1 반송 챔버(430)는 프레임(310)과 제1 반송 로봇(350)을 포함한다.
프레임(310) 내부는 제1 반송 로봇(350)이 이동하는 이동로(320)가 제공된다. 이동로(320)는 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. 제1 반송 로봇(350)은 공정시 이동로(320)을 따라 이동하면서, 인덱스 모듈(100)와 처리 모듈(400) 상호 간에 웨이퍼를 이송한다.
제1 반송 로봇(350)은 베이스(352), 수직축(354), 그리고 핸드(356)를 포함한다. 베이스(352)는 지면에 고정 설치된다. 수직축(354)은 베이스(352)로부터 상하 이동 및 회전이 가능하게 제공된다. 수직축(354)은 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)에 수직인 제3 방향으로 제공된다. 핸드(356)는 수직축(354)에 대해 전후 방향으로 이동할 수 있도록 제공된다. 즉, 핸드(356)는 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)으로 이동할 수 있도록 제공된다.
제2 반송 챔버(440)는 제1 방향(X1)에 평행한 선을 기준으로 제1 반송 챔버(430)와 대칭이 되도록 제공된다. 또한, 제2 반송 챔버(440)는 제1 반송 챔버(430)와 동일한 구성으로 제공된다. 제2 반송 로봇은 제1 반송 로봇(350)과 동일한 기능을 한다. 제2 반송 로봇은 제1 반송 로봇(350)에 대응되게 제공된다. 제2 반송 챔버(440)와 제1 반송 챔버(430)는 인접하도록 제공된다. 제1 반송 챔버(430)와 제2 반송 챔버(440)는 제2 방향(X2)을 따라 배열되도록 제공된다.
버퍼 모듈(500)은 공정 처리 모듈(200)와 인덱스 모듈(100) 간에 반송되는 기판이 일시적으로 머무르도록 한다. 버퍼 모듈(500)은 공정 처리 모듈(200)와 인덱스 모듈(100) 사이에 배치된다.
버퍼 모듈(500)은 제1 버퍼 유닛(510)과 제2 버퍼 유닛(520)을 포함한다. 제1 버퍼 유닛(510)과 제2 버퍼 유닛(520)은 제2 방향(X2)을 따라 배열된다. 제2 방향(X2)은 상부에서 바라볼 때 제1 방향(X1)과 수직한 방향이다. 제1 버퍼 유닛(510)은 제1 반송 챔버(430)와 제1 방향(X1)을 따라 배열된다.
제1 버퍼 유닛(510)은 제1 버퍼 챔버(512)와 제1 냉각 챔버(514)를 포함한다. 제1 버퍼 챔버(512)는 기판이 일시적으로 머무르는 장소를 제공한다. 제1 냉각 챔버(514)는 제1 버퍼 챔버(512)와 적층된다. 제 냉각 챔버(514)와 제1 버퍼 챔버(512)는 제3 방향(X3)을 따라 적층된다. 제1 냉각 챔버(514)는 기판을 냉각한다. 제1 냉각 챔버(514)는 반입용 냉각 챔버(516), 그리고 반출용 냉각 챔버(518)를 포함한다. 반입용 냉각 챔버(516)는 하나 또는 복수로 제공된다. 복수의 반입용 냉각 챔버(516)는 제3 방향을 따라 적층된다.
반입용 냉각 챔버(516)는 카세트(C)와 같은 용기로부터 제1 반송 챔버(430)로 반입되는 기판을 냉각한다. 반출용 냉각 챔버(518)는 하나 또는 복수로 제공된다. 복수의 반출용 냉각 챔버(518)는 제3 방향을 따라 적층된다. 반출용 냉각 챔버(518)는 제1 반송 챔버(430)로부터 용기로 반출되는 기판을 냉각한다.
제2 버퍼 유닛(520)은 제1 버퍼 유닛(510)과 동일한 구성으로 제공된다. 제2 버퍼 유닛(520)은 제1 버퍼 유닛(510)과 인접하도록 제공된다. 제1 버퍼 유닛(510)과 제2 버퍼 유닛(520)은 제2 방향(X2)을 따라서 배열된다. 제2 버퍼 유닛(520)은 제2 반송 챔버(440)와 제2 방향(X2)을 따라 배열된다.
제1 반송 챔버(430), 냉각 유닛(1400), 가열 유닛(1300)은 제2 방향(X2)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서, 제1 반송 챔버(430)에서 출입구(1116)를 통해 기판이 냉각 유닛(1400)에 로딩되고, 이후 가열 유닛(1300)에 반송되면서 기판이 열처리 될 수 있다.
제1 버퍼 유닛(510), 제1 열처리 챔버(412), 제1 액처리 챔버(414)는 제1 반송 챔버(430)의 서로 다른 측부에 배치된다. 예를 들어, 제1 반송 챔버(430)가 직육면체의 형상으로 제공되고, 제1 버퍼 유닛(510), 제1 열처리 챔버(412), 제1 액처리 챔버(414)는 제1 반송 챔버(430)의 4개의 측면 중 서로 다른 각각의 측부에 인접하도록 제공된다. 또한, 제1 반송 챔버(430)의 나머지 하나의 측부에는 제2 반송 챔버(440)가 인접하도록 제공된다.
일 예로, 제1 반송 챔버(430)에서 제1 방향(X1)으로 인접한 일측부에는 제1 열처리 챔버(412)가 제공된다. 제1 반송 챔버(430)에서 제1 방향(X1)으로 인접한 타측부에는 제2 반송 챔버(440)가 인접하도록 제공된다. 제1 반송 챔버(430)에서 제2 방향(X2)으로 인접한 일측부에는 제1 버퍼 유닛(510)이 제공된다. 제1 반송 챔버(430)에서 제2 방향(X2)으로 인접한 타측부에는 제1 액처리 챔버(414)가 제공된다.
이하에서는, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
제1 처리 유닛(410) 및 제1 반송 챔버(430)는 제1 방향(X1)에 평행한 선을 기준으로 제2 처리 유닛(420) 및 제2 반송 챔버(440)와 대칭이 되도록 제공된다. 따라서, 제1 처리 유닛(410)과 제1 반송 챔버(430)를 통해 이루어지는 과정들은 제2 처리 유닛(420)과 제2 반송 챔버(440)를 통해 이루어지는 과정들과 동일하다.
로드포트(110), 인덱스 로봇(122), 제1 반송 챔버(430), 그리고 제1 액처리 챔버(414)는 제1 방향(X1)을 따라 순차적으로 배치된다. 기판은 인덱스 모듈(100)과 버퍼 모듈(500)을 순차적으로 거쳐 제1 반송 챔버(430)에 투입된다. 제1 반송 로봇(350)은 상부에서 바라볼 때, 제1 방향(X1)과 제2 방향(X2)에 수직인 제3 방향으로 이동한다. 구체적으로, 수직축(354)이 제3 방향으로 수직이동한다. 제1 열처리 챔버(412)와 제1 액처리 챔버(414)는 제1 반송 챔버(430)의 서로 다른 측부에 인접해 있기 때문에, 종래와 같이, 제1 반송 로봇(350)의 수직축(354)이 제1 방향(X1) 또는 제2 방향(X2)으로 이동할 필요가 없다. 따라서, 본 발명은 반송 로봇의 이동 시간을 줄여 공정 시간을 단축할 수 있다. 또한, 반송 로봇의 이동 구간을 좁혀 불필요한 와류나 기류가 발생을 최소화하여, 공정 불량을 방지할 수 있다.
복수로 적층된 제1 액처리 챔버(414), 또는 제1 열처리 챔버(412)의 높이에 도달하면 핸드(356)가 수직축(354)에 수평인 방향으로 이동하여 기판을 제1 액처리 챔버(414), 또는 제1 열처리 챔버(412)에 투입한다. 그 후 기판 처리 공정이 진행된다.
또한, 로드포트(110), 인덱스 로봇(122), 제2 반송 챔버(440), 그리고 제2 액처리 챔버(424)는 제1 방향(X1)을 따라 순차적으로 배치된다. 그리고, 제1 열처리 챔버(412), 제1 반송 챔버(430), 제2 반송 챔버(440), 그리고 제2 열처리 챔버(422)는 제2 방향(X2)을 따라 순차적으로 배치된다. 제2 반송 챔버(440)를 통해 기판이 투입되어 처리 공정시에도, 상술한 제1 반송 챔버(430)를 통해 기판이 투입되는 경우와 동일하게 공정이 진행된다. 따라서, 종래와 달리 반송 챔버가 복수로 구성되어 기판을 반송하는 시간이 단축되므로 공정 시간을 단축할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 100: 인덱스 모듈
400: 처리 모듈 410: 제1 처리 유닛
412: 제1 열처리 챔버 414: 제1 액처리 챔버
430: 제1 반송 챔버 500: 버퍼 모듈

Claims (18)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되,
    상기 인덱스 모듈은,
    기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트와;
    상기 로드 포트와 상기 버퍼 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하고,
    상기 버퍼 모듈은 상부에서 바라볼 때 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 배열되는 제1 버퍼 유닛 및 제2 버퍼 유닛을 포함하고,
    상기 처리 모듈은,
    제1 처리 유닛과;
    제2 처리 유닛과;
    상기 제1 처리 유닛과 상기 제1 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제1 반송 로봇이 제공된 제1 반송 챔버와;
    상기 제2 처리 유닛과 상기 제2 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제2 반송 로봇이 제공된 제2 반송 챔버를 포함하되,
    상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 상기 제2 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 버퍼 유닛은,
    기판이 일시적으로 머무르는 제1 버퍼 챔버와;
    상기 제1 버퍼 챔버와 적층되며, 기판을 냉각하는 제1 냉각 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 냉각 챔버는,
    상기 용기로부터 상기 제1 반송 챔버로 반입시 제공되는 하나 또는 복수의 반입용 냉각 챔버와;
    상기 제1 반송 챔버의 기판을 상기 용기로 반출시 제공되는 하나 또는 복수의 반출용 냉각 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 처리 유닛은,
    기판을 열처리하는 제1 열처리 챔버와;
    기판을 액처리하는 제1 액처리 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    제1 열처리 챔버는,
    내부에 처리 공간을 제공하는 하우징;
    상기 하우징 내에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛;
    상기 하우징 내에서 기판을 가열하는 가열 유닛; 그리고
    상기 냉각 유닛과 상기 가열 유닛 사이에 기판을 반송하는 반송 유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 반송 챔버, 상기 냉각 유닛, 그리고 상기 가열 유닛은 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치된 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 열처리 챔버는 복수개가 서로 적층되게 제공되고,
    상기 제1 액처리 챔버는 복수개가 서로 적층되게 제공되는 기판 처리 장치.

  8. 제4항에 있어서,
    상기 제2 처리 유닛은,
    기판을 열처리하는 제2 열처리 챔버와;
    기판을 액처리하는 제2 액처리 챔버를 포함하고,
    상기 로드포트, 상기 인덱스 로봇, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제1 액처리 챔버는 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고,
    상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제2 반송 챔버, 그리고 상기 제2 열처리 챔버는 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치되는 기판 처리 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1 액처리 챔버는 회전하는 기판 상에 액을 공급하여 박막을 형성하는 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 액처리 챔버, 그리고 상기 제1 버퍼 유닛은 상기 제1 반송 챔버의 서로 다른 측부에 배치되는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반송 로봇은,
    지면에 고정 설치된 베이스와,
    상기 베이스에 설치되며, 상하 이동 및 회전 가능하게 제공되는 수직축과; 그리고
    상기 수직축에 설치되며, 전후 방향으로 이동하게 제공되는 핸드를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 서로 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 처리 유닛은,
    기판을 열처리하는 제1 열처리 챔버와;
    기판을 액처리하는 제1 액처리 챔버를 포함하고,
    상기 제1 열처리 챔버는 복수 개가 서로 적층되게 제공되고,
    상기 제1 액처리 챔버는 복수 개가 서로 적층되게 제공되며,
    상기 제1 액처리 챔버는 회전하는 기판 상에 액을 공급하여 박막을 형성하는 챔버를 포함하고,
    상기 로드포트, 상기 인덱스 로봇, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제1 액처리 챔버는 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고,
    상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제2 반송 챔버는 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치되며,
    상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 서로 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 처리 유닛 및 상기 제1 반송 챔버는 상기 제1 방향에 평행한 선을 기준으로 상기 제2 처리 유닛 및 상기 제2 반송 챔버와 대칭이 되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되,
    상기 인덱스 모듈은,
    기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트와;
    상기 로드 포트와 상기 버퍼 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하고,
    상기 버퍼 모듈은 상부에서 바라볼 때 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 배열되는 제1 버퍼 유닛 및 제2 버퍼 유닛을 포함하고,
    상기 처리 모듈은,
    기판을 열처리하는 제1 열처리 챔버 및 제2 열처리 챔버와;
    기판을 액처리 하는 제1 액처리 챔버 및 제2 액처리 챔버와;
    상기 제1 열처리 챔버, 제1 액처리 챔버, 상기 제1 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제1 반송 로봇이 제공된 제1 반송 챔버와;
    상기 제2 열처리 챔버, 제2 액처리 챔버, 상기 제2 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 제2반송 로봇이 제공된 제2 반송 챔버를 포함하되,
    상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 상기 제2 방향을 따라 배열되고,
    상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 로드포트, 상기 인덱스 로봇, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제1 액처리 챔버는 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고,
    상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 반송 챔버, 상기 제2 반송 챔버, 그리고 상기 제2 열처리 챔버는 상기 제2 방향을 따라 순차적으로 배치되는 기판 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 열처리 챔버, 상기 제1 액처리 챔버, 그리고 상기 제1 버퍼 유닛은 상기 제1 반송 챔버의 서로 다른 측부에 배치되는 기판 처리 장치.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반송 챔버와 상기 제2 반송 챔버는 서로 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.




KR1020150151105A 2015-10-29 2015-10-29 기판 처리 장치 KR101736854B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150151105A KR101736854B1 (ko) 2015-10-29 2015-10-29 기판 처리 장치
US15/332,184 US10160001B2 (en) 2015-10-29 2016-10-24 Substrate treating apparatus
CN201610929572.7A CN107017182B (zh) 2015-10-29 2016-10-31 基板处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150151105A KR101736854B1 (ko) 2015-10-29 2015-10-29 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170050061A true KR20170050061A (ko) 2017-05-11
KR101736854B1 KR101736854B1 (ko) 2017-05-17

Family

ID=58638151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150151105A KR101736854B1 (ko) 2015-10-29 2015-10-29 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10160001B2 (ko)
KR (1) KR101736854B1 (ko)
CN (1) CN107017182B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101942310B1 (ko) * 2018-09-11 2019-01-25 (주)포톤 반도체 장비용 버퍼 장치
KR20190023007A (ko) * 2017-08-25 2019-03-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102010265B1 (ko) * 2017-12-29 2019-10-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102225957B1 (ko) * 2018-09-12 2021-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102212996B1 (ko) * 2019-01-02 2021-02-08 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
EP4094307A4 (en) * 2020-01-22 2024-02-28 Applied Materials, Inc. ONLINE MONITORING OF OLED LAYER THICKNESS AND DOPANT CONCENTRATION
CN115088092A (zh) 2020-01-22 2022-09-20 应用材料公司 Oled层厚度和掺杂剂浓度的产线内监测
KR102607809B1 (ko) * 2021-06-25 2023-11-29 세메스 주식회사 지지 유닛, 이를 포함하는 베이크 장치 및 기판 처리 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
JPH08239765A (ja) * 1995-02-28 1996-09-17 Hitachi Ltd マルチチャンバースパッタリング装置
KR100387418B1 (ko) 2001-05-23 2003-06-18 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
KR20030047975A (ko) 2003-05-29 2003-06-18 배준호 반도체 및 엘씨디 제조장비의 기판 이송장치 및 그 방법
KR20060012530A (ko) 2004-08-03 2006-02-08 삼성전자주식회사 반도체 제조용 스피너 설비 및 그 제어방법
US8289496B2 (en) * 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
KR101109074B1 (ko) 2009-01-30 2012-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP2011218538A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Yasuhito Itagaki ロボット。
US9405194B2 (en) * 2012-11-30 2016-08-02 Semes Co., Ltd. Facility and method for treating substrate
KR102108307B1 (ko) 2013-07-26 2020-05-11 세메스 주식회사 기판 처리 설비
KR101579510B1 (ko) 2013-10-31 2015-12-23 세메스 주식회사 기판 처리 설비
KR20150060086A (ko) 2013-11-25 2015-06-03 주식회사 테라세미콘 클러스터형 배치식 기판처리 시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190023007A (ko) * 2017-08-25 2019-03-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101942310B1 (ko) * 2018-09-11 2019-01-25 (주)포톤 반도체 장비용 버퍼 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20170120287A1 (en) 2017-05-04
KR101736854B1 (ko) 2017-05-17
CN107017182A (zh) 2017-08-04
CN107017182B (zh) 2020-11-24
US10160001B2 (en) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101736854B1 (ko) 기판 처리 장치
US20160035601A1 (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR101999890B1 (ko) 열처리 장치, 기판 처리 장치 및 열처리 방법
CN108022868B (zh) 基板支撑装置、包括其的基板处理系统及基板处理方法
KR101166109B1 (ko) 기판 처리 설비
KR101932777B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102444876B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4515331B2 (ja) 基板の処理システム
US7503710B2 (en) Substrate processing system
KR102000013B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180006710A (ko) 기판 처리 장치
KR101706735B1 (ko) 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210055362A (ko) 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102046869B1 (ko) 기판 지지 부재, 버퍼 유닛, 그리고 기판 처리 장치
KR101757819B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102010265B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
JP4402011B2 (ja) 基板の処理システム及び基板の処理方法
KR101776018B1 (ko) 기판 가열 방법 및 기판 처리 장치
CN111048445B (zh) 加热板冷却方法及基板处理装置
KR20160081010A (ko) 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP7354206B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20190053340A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20240103388A1 (en) Heating unit, apparatus and facility for processing substrates with same
KR102201883B1 (ko) 기판지지유닛 및 이를 가지는 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant