KR101942310B1 - 반도체 장비용 버퍼 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 장비용 버퍼 장치가 개시된다. 상기 반도체 장비용 버퍼 장치는 공정챔버의 출입구 측에 배치되도록 상기 공정챔버에 고정되는 고정프레임; 버퍼고정프레임; 처리 전 웨이퍼를 수용하며, 상기 처리 전 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임에 고정되는 적어도 하나의 제1 버퍼바디; 공정챔버 내에서 처리된 처리 후 웨이퍼를 수용하며, 상기 처리 후 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임에 고정되어 상기 제1 버퍼바디와 상하방향으로 배열되는 적어도 하나의 제2 버퍼바디; 상기 제1 버퍼바디의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 상기 처리 전 웨이퍼를 상기 제1 버퍼바디의 내측으로부터 공정챔버 내부로 이송하는 전처리 이송 암; 상기 제2 버퍼바디의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 상기 처리 후 웨이퍼를 공정챔버의 내부로부터 상기 제2 버퍼바디의 내측으로 이송하는 후처리 이송 암; 상기 고정프레임의 일면에 설치되어 상기 버퍼고정프레임과 연결되고, 상기 제1 버퍼바디의 출입구 및 상기 제2 버퍼바디의 출입구가 공정챔버의 출입구와 마주하도록 상기 버퍼고정프레임을 상하로 이동시키는 버퍼리프트를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장비용 버퍼 장치{BUFFER DEVICE FOR SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}
본 발명은 반도체 장비용 버퍼 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정챔버의 내외로 웨이퍼를 이송할 수 있는 반도체 장비용 버퍼 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판에 박막을 형성할 수 있는 확산(deposition) 공정, 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)의 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 박막 표면에 패턴을 형성하는 사진(photo lithography) 공정, 박막 표면의 패턴을 따라 반응 가스 또는 화학 용액을 이용하여 박막을 선택적으로 제거하는 식각(etch) 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다. 따라서 이러한 각 공정들을 모두 수행하기 위해서 각 공정을 수행한 후 반도체 기판들이 다음 공정으로 이송되어야 한다. 이를 위해, 웨이퍼를 임시로 저장하는 거치대로서의 기능을 수행하는 버퍼 및 이송로봇이 사용된다.
도 1은 종래의 반도체 장비의 웨이퍼 이송을 위한 구조를 예시한다.
도 1을 참조하면, 제1 로봇(30)이 로드포트(10)에서 웨이퍼를 버퍼(20)에 이송하면 또 다른 제2 로봇(50)이 버퍼(20)에서 공정 모듈(41, 42, 43, 44)로 전달하며, 공정 모듈(41, 42, 43, 44)에서 일련의 공정 처리가 종료된 웨이퍼를 제2 로봇(50)이 다시 버퍼(20)로 전달한 후 제1 로봇(30)이 버퍼(20)에서 로드포트(10)로 이송하는 형태로 웨이퍼의 이동이 진행된다.
도 1과 같이 버퍼(20)를 갖는 일반적인 반도체 장비 구조에서는 필연적으로 로봇(30, 50)을 2개 이상 사용해야 하므로, 이는 장비 구조를 복잡하게 하며, 장비의 바닥 면적을 크게 만드는 원인이 된다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 각각의 공정챔버 사이를 이송하면서 로딩 및 언로딩되는 것에 따른 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있고, 웨이퍼 이송을 위한 하나의 로봇만을 사용할 수 있게 되어 반도체 제조 설비의 간소화가 가능해질 수 있도록 한 반도체 장비용 버퍼 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 장비용 버퍼 장치는 공정챔버의 출입구 측에 배치되도록 상기 공정챔버에 고정되는 고정프레임; 버퍼고정프레임; 처리 전 웨이퍼를 수용하며, 상기 처리 전 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임에 고정되는 적어도 하나의 제1 버퍼바디; 공정챔버 내에서 처리된 처리 후 웨이퍼를 수용하며, 상기 처리 후 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임에 고정되어 상기 제1 버퍼바디와 상하방향으로 배열되는 적어도 하나의 제2 버퍼바디; 상기 제1 버퍼바디의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 상기 처리 전 웨이퍼를 상기 제1 버퍼바디의 내측으로부터 공정챔버 내부로 이송하는 전처리 이송 암; 상기 제2 버퍼바디의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 상기 처리 후 웨이퍼를 공정챔버의 내부로부터 상기 제2 버퍼바디의 내측으로 이송하는 후처리 이송 암; 상기 고정프레임의 일면에 설치되어 상기 버퍼고정프레임과 연결되고, 상기 제1 버퍼바디의 출입구 및 상기 제2 버퍼바디의 출입구가 공정챔버의 출입구와 마주하도록 상기 버퍼고정프레임을 상하로 이동시키는 버퍼리프트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 제1 버퍼바디는 상기 제2 버퍼바디 아래에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 반도체 장비용 버퍼 장치는 공정챔버에 일 대 일 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 버퍼바디 및 제2 버퍼바디 각각은, 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼지지플레이트 및 웨이퍼지지플레이트에 대향하는 덮개플레이트를 포함하고, 웨이퍼지지플레이트 및 덮2개플레이트의 전방 및 후방이 개방되어 출입구를 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 버퍼바디 및 제2 버퍼바디는 각각 하나 이상 배열될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전처리 이송암 및 후처리 이송암을 전후진 이동시키는 수단은 볼스크류일 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치를 이용하면, 공정챔버와 일 대 일 배치하여 반도체 제조를 위해 웨이퍼가 각각의 공정챔버 사이를 이송하면서 로딩 및 언로딩되는 것에 따른 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있고, 최초 웨이퍼를 제1 버퍼바디 내측으로 공급하는 경우를 제외하고는 처리 후 웨이퍼는 반도체 장비용 버퍼 장치가 직접 공정챔버로부터 인출할 수 있으므로 웨이퍼 이송을 위한 하나의 로봇만을 사용할 수 있게 되어 반도체 제조 설비의 간소화가 가능해지는 이점이 있다.
도 1은 종래의 반도체 장비의 웨이퍼 이송을 위한 구조를 예시한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치의 구성을 나타낸 사시도들이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 전처리 이송 암 및 후처리 이송 암의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치가 반도체 설비에 배치된 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 방지용 버퍼장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치의 구성을 나타낸 사시도들이고, 도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 전처리 이송 암 및 후처리 이송 암의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치는 고정프레임(110), 버퍼고정프레임(120), 제1 버퍼바디(130), 제2 버퍼바디(140), 전처리 이송 암(150), 후처리 이송 암(160), 버퍼리프트(170)를 포함한다.
고정프레임(110)은 공정챔버(300)의 출입구 측에 배치되도록 공정챔버(300)에 고정된다. 여기서, 공정챔버(300)의 출입구는 웨이퍼가 출입할 수 있는 출입구를 의미한다. 일 예로, 고정프레임(110)은 공정챔버(300)의 출입구가 형성된 면과 직각을 이루도록 배치될 수 있고, 사각 플레이트 형상일 수 있다.
버퍼고정프레임(120)은 제1 버퍼바디(130) 및 제2 버퍼바디(140)가 배열 및 고정되는 프레임이다. 일 예로, 버퍼고정프레임(120)은 사각틀 형상의 프레임일 수 있다. 버퍼고정프레임(120)에 제1 버퍼바디(130) 및 제2 버퍼바디(140)가 고정되는 형태에는 특별한 제한은 없으며, 예를 들어, 사각의 프레임을 통해 연결될 수 있다.
제1 버퍼바디(130)는 처리 전 웨이퍼를 수용하며, 상기 처리 전 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임(120)에 고정된다. 여기서, 처리 전 웨이퍼는 반도체 공정의 특정 공정을 거치지 않은 초기 상태의 웨이퍼 또는 이전 공정이 진행된 상태의 웨이퍼를 의미한다. 일 예로, 제1 버퍼바디(130)는 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼지지플레이트(131) 및 웨이퍼지지플레이트(131)에 대향하는 덮개플레이트(132)를 포함할 수 있고, 웨이퍼지지플레이트(131) 및 덮개플레이트(132)의 전방 및 후방이 개방되어 출입구를 형성할 수 있다.
제2 버퍼바디(140)는 공정챔버(300) 내에서 처리된 처리 후 웨이퍼를 수용하며, 처리 후 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임(120)에 고정되어 상기 제1 버퍼바디(130)와 상하방향으로 배열된다. 제2 버퍼바디(140)는 제1 버퍼바디(130)와 동일하게 웨이퍼지지플레이트(141) 및 덮개플레이트(142)를 포함할 수 있고, 웨이퍼지지플레이트(141) 및 덮개플레이트(142)의 전방 및 후방이 개방되어 출입구를 형성할 수 있다.
제1 버퍼바디(130) 및 제2 버퍼바디(140)의 배열에서 제1 버퍼바디(130)는 제2 버퍼바디(140)의 아래에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 버퍼바디(140)에 수용되는 처리 후 웨이퍼가 오염되는 것을 방지한다. 즉, 제1 버퍼바디(130)에 수용되는 처리 전 웨이퍼를 이송하는 과정에서의 이물질로부터 오염되는 것을 방지할 수 있다.
전처리 이송 암(150)은 제1 버퍼바디(130)의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 처리 전 웨이퍼를 제1 버퍼바디(130)의 내측으로부터 공정챔버(300) 내부로 이송한다. 일 예로, 전처리 이송 암(150)의 전후진 이동은 볼 스크류가 이용될 수 있고, 전처리 이송 암(150)의 상하이동은 래크 및 피니언 구조가 이용될 수 있다.
후처리 이송 암(160)은 제2 버퍼바디(140)의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 처리 후 웨이퍼를 공정챔버(300)의 내부로부터 제2 버퍼바디(140)의 내측으로 이송한다. 후처리 이송 암(160)의 전후진 이동 및 상하이동은 전처리 이송 암(150)의 구조와 동일할 수 있다.
한편, 전처리 이송 암(150) 및 후처리 이송 암(160)의 상면에는 웨이퍼를 지지하기 위한 지지핀(151)이 구비될 수 있다. 지지핀(151)은 웨이퍼와 점 접촉하여 웨이퍼가 전처리 이송 암(150) 및 후처리 이송 암(160)에 직접 접촉하여 오염되는 것을 방지할 수 있다. 지지핀(151)은 웨이퍼와 접촉할 때 웨이퍼의 긁힘을 방지하기 위해 고무재질의 스크래치방지부재(미도시)가 구비될 수 있다.
버퍼리프트(170)는 고정프레임(110)의 일면에 설치되어 버퍼고정프레임(120)과 연결되고, 제1 버퍼바디(130)의 출입구 및 제2 버퍼바디(140)의 출입구가 공정챔버(300)의 출입구와 마주하도록 버퍼고정프레임(120)을 상하로 이동시킨다. 일 예로, 버퍼리프트(170)는 LM 가이드 형태일 수 있다.
이하에서는 이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치를 통해 반도체 공정에서의 처리 전 웨이퍼 및 처리 후 웨이퍼를 이송하는 과정을 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치가 반도체 설비에 배치된 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치는 고정프레임(110)을 통해 공정챔버(300)의 출입구 측에 배치될 수 있고, 이때 반도체 장비용 버퍼 장치(100)는 공정챔버(300)와 일 대 일 연결될 수 있고, 제1 버퍼바디(130)가 공정챔버(300)의 출입구 정면에 위치할 수 있다.
반도체 장비용 버퍼 장치(100)의 정면에는 처리 전 웨이퍼를 저장하고 있는 로드챔버(200)가 배치될 수 있고, 로드챔버(200) 및 반도체 장비용 버퍼 장치(100)의 사이에는 웨이퍼이송로봇(400)이 배치되어, 웨이퍼이송로봇(400)이 로드챔버(200)로부터 처리 전 웨이퍼를 제1 버퍼바디(130)의 내측으로 이송 및 삽입할 수 있다.
처리 전 웨이퍼를 공정챔버(300) 내에서 처리하기 위해, 먼저 전처리 이송 암(150)이 제1 버퍼바디(130)의 내측에 수용된 처리 전 웨이퍼를 지지한 상태로 후진하여 공정챔버(300)의 출입구를 통과하여 공정챔버(300)의 내부에 처리 전 웨이퍼를 삽입한 후, 다시 전진하여 제1 버퍼바디(130)의 내측으로 복귀한다.
이후, 공정챔버(300) 내부에서 처리 전 웨이퍼가 처리되고, 처리된 웨이퍼, 즉 처리 후 웨이퍼를 공정챔버(300)로부터 인출하기 위해, 버퍼리프트(170)가 버퍼고정프레임(120)을 하강시켜서 제2 버퍼바디(140)의 출입구가 공정챔버(300)의 출입구와 대향되도록 한다. 이어서, 후처리 이송 암(160)이 후진하여 공정챔버(300)의 출입구를 통과하여 공정챔버(300)의 내부에 위치한 후 하강하여 웨이퍼를 파지하고, 웨이퍼를 파지한 상태로 전진하여 제2 버퍼바디(140)의 내측으로 복귀한 후 처리 후 웨이퍼를 제2 버퍼바디(140)의 내측에 안착시킨다.
마지막으로, 버퍼고정프레임(120)을 하강시킨 버퍼리프트(170)는 상승하여 버퍼리프트(170)를 상승시켜서 제1 버퍼바디(130)의 출입구가 공정챔버(300)의 출입구에 대향되도록 한다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장비용 버퍼 장치는 공정챔버(300)와 일 대 일 배치하여 반도체 제조를 위해 웨이퍼가 각각의 공정챔버(300)사이를 이송하면서 로딩 및 언로딩되는 것에 따른 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있고, 최초 웨이퍼를 제1 버퍼바디(130) 내측으로 공급하는 경우를 제외하고는 처리 후 웨이퍼는 반도체 장비용 버퍼 장치(100)가 직접 공정챔버(300)로부터 인출할 수 있으므로 웨이퍼 이송을 위한 하나의 로봇만을 사용할 수 있게 되어 반도체 제조 설비의 간소화가 가능해지는 이점이 있다.
한편, 버퍼고정프레임(120)의 표면에는 부식현상을 방지하기 위한 부식방지도포층이 도포될 수 있다. 이 부식방지도포층의 도포 재료는 메트캅토트리아졸 20중량%, 페트롤륨술포네이트 15중량%, 머캅토벤조티아졸 10중량%, 하프늄 15중량%, 유화몰리브덴(MoS2) 10중량%, 산화알루미늄 30중량%로 구성되며, 코팅두께는 8㎛로 형성할 수 있다.
메트캅토트리아졸, 페트롤륨술포네이트 및 머캅토벤조티아졸은 부식 방지 및 변색 방지 등의 역할을 한다.
하프늄은 내부식성이 있는 전이 금속원소로서 뛰어난 방수성, 내식성 등을 갖도록 역할을 한다.
유화몰리브덴은 코팅피막의 표면에 습동성과 윤활성 등을 부여하는 역할을 한다.
산화알루미늄은 내화도 및 화학적 안정성 등을 목적으로 첨가된다.
상기 구성 성분의 비율 및 코팅 두께를 상기와 같이 수치한정한 이유는, 본 발명자가 수차례 시험결과를 통해 분석한 결과, 상기 비율에서 최적의 부식방지 효과를 나타내었다.
한편, 제1 버퍼바디(130) 및 제2 버퍼바디(140)의 표면에는 오염물질의 부착방지 및 제거를 효과적으로 달성할 수 있도록 오염 방지도포용 조성물로 이루어진 오염방지도포층이 도포될 수 있다.
상기 오염 방지 도포용 조성물은 알킬레이트 폴리글루코사이드 및 아미노알킬 슬로베타인이 1:0.01 ~ 1:2 몰비로 포함되어 있고, 알킬레이트 폴리글루코사이드와 아미노알킬 슬로베타인의 총함량은 전체 수용액에 대해 1 ~10 중량%이다.
상기 알킬레이트 폴리글루코사이드 및 아미노알킬 슬로베타인는 몰비로서 1:0.01 ~ 1:2가 바람직한 바, 몰비가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 기재의 도포성이 저하되거나 도포후 표면의 수분흡착이 증가하여 도포막이 제거되는 문제점이 있다.
상기 알킬레이트 폴리글루코사이드 및 아미노알킬 슬로베타인는 전제 조성물 수용액중 1 ~ 10 중량%가 바람직한 바, 1 중량% 미만이면 기재의 도포성이 저하되는 문제점이 있고, 10 중량%를 초과하면 도포막 두께의 증가로 인한 결정석출이 발생하기 쉽다.
한편, 본 오염 방지 도포용 조성물을 기재 상에 도포하는 방법으로는 스프레이법에 의해 도포하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기재 상의 최종 도포막 두께는 500 ~ 2000Å이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1000 ~ 2000Å이다. 상기 도포막의 두께가 500Å 미만이면 고온 열처리의 경우에 열화되는 문제점이 있고, 2000Å을 초과하면 도포 표면의 결정석출이 발생하기 쉬운 단점이 있다.
또한, 본 오염 방지 도포용 조성물은 알킬레이트 폴리글루코사이드 0.1 몰 및 아미노알킬 슬로베타인 0.05몰을 증류수 1000 ㎖에 첨가한 다음 교반하여 제조될 수 있다.
한편, 상기 고무재질의 스크래치방지부재의 원료 함량비는 고무 60중량%, 카아본블랙 33~36중량%, 산화방지제 2~5중량%, 촉진제인 유황 1~3중량%를 혼합한다.
카아본블랙은 내마모성을 증대시키는 것이므로 이를 첨가하되, 함유량이 33중량% 미만이면, 탄성과 내마모성이 줄어들며, 36중량%가 초과 되면 주 성분인 고무의 함량이 상대적으로 적게 되어 탄성력이 떨어질 우려가 있으므로, 33~36중량%를 혼합한다.
산화방지제는 3C (N-PHENYL-N'-ISOPROPYL- P-PHENYLENEDIAMINE) 또는 RD(POLYMERIZED 2,2,4-TRIMETHYL-1,2- DIHYDROQUINOLINE)을 선택하여 2~5중량%를 첨가하는 것으로, 2중량% 미만이면, 제품이 산화가 되기 쉽고, 너무 많이 첨가하여 5중량%를 초과하면, 주 성분인 고무의 함량이 상대적으로 적게 되어 탄성력이 떨어질 우려가 있으므로, 또한 산화방지제의 가격이 비싸기 때문에 2~5중량%가 적정하다.
촉진제인 유황은 1~3중량%를 혼합한다. 1 중량% 미만은 성형시 가열공정에서 가황작용 효과가 미미하므로, 1 중량% 이상을 첨가한다. 3중량%를 초과하면, 주 성분인 고무의 함량이 상대적으로 적게 되어 탄성력이 떨어질 우려가 있으므로, 1 ~ 3중량%가 적정하다.
따라서, 상기 스크래치방지부재는 여러 방향에 탄성을 갖는 합성고무로 보강되므로 탄성, 인성 및 강성이 증대되어서 내구성이 향상되며, 이에 따라 상기 스크래치방지부재의 수명이 증대된다.
한편, 고정프레임(110)의 외부면에는 기능성 오일이 혼합된 방향제 물질이 코팅될 수 있다. 고정프레임(110)은 버퍼 장치를 공정챔버(300)에 연결하는 부분으로서 작업자의 손이 쉽게 닿을 수 있는 부품이다. 따라서, 고정프레임(110)에 작업자의 손이 닿아서 기능성 오일이 혼합된 방향제 물질이 접촉되면, 작업자의 스트레스를 완화하는 효과를 갖는다.
상기 방향제 물질에는 기능성 오일이 혼합될 수 있으며, 그 혼합 비율은 방향제 물질 95~97중량%에 기능성 오일 3~5중량%가 혼합되며, 기능성 오일은, 데알바타아카시아 오일(Acacia dealbata oil) 50중량%, 발레리아나 파우리아이 오일(Valeriana fauriei oil) 50중량%로 이루어진다.
여기서 기능성 오일은 방향제 물질에 대해 3~5중량%가 혼합되는 것이 바람직하다. 기능성 오일의 혼합 비율이 3중량% 미만이면, 그 효과가 미미하며, 기능성 오일의 혼합비율이 3~5중량%를 초과하면 그 기능이 크게 향상되지 않는 반면에 제조 단가는 크게 증가된다.
데알바타아카시아 오일(Acacia dealbata oil)의 주 화학성분은 palmic aldehyde, enanthic acid 등이며, 향이 좋으며 살균, 항울작용, 스트레스 완화작용 등에 좋은 효과가 있다.
발레리아나 파우리아이 오일(Valeriana fauriei oil)은 주 화학성분은 bornyl acetate, pinene 등이며, 혈압강하작용과 더불어 마음을 가라앉히고 진정시키는 작용을 하므로 불안, 긴장완화 등에 작용효과가 우수하다.
이러한 기능성 오일이 고정프레임(110)의 외부면에 코팅되므로 작업자의 손과 접촉하면 세균 등을 살균 처리할 수 있을 뿐 아니라, 작업자의 피로 회복에 도움을 줄 수 있다.
제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.
110 : 고정프레임 120 : 버퍼고정프레임
130 : 제1 버퍼바디 140 : 제2 버퍼바디
150 : 전처리 이송 암 160 : 후처리 이송 암
170 : 버퍼리프트

Claims (6)

  1. 공정챔버(300)의 출입구 측에 배치되도록 상기 공정챔버에 고정되는 고정프레임(110);
    버퍼고정프레임(120);
    처리 전 웨이퍼를 수용하며, 상기 처리 전 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임(120)에 고정되는 적어도 하나의 제1 버퍼바디(130);
    공정챔버(300) 내에서 처리된 처리 후 웨이퍼를 수용하며, 상기 처리 후 웨이퍼가 인출 및 삽입될 수 있는 출입구를 갖고, 상기 버퍼고정프레임(120)에 고정되어 상기 제1 버퍼바디(130)와 상하방향으로 배열되는 적어도 하나의 제2 버퍼바디(140);
    상기 제1 버퍼바디(130)의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 상기 처리 전 웨이퍼를 상기 제1 버퍼바디(130)의 내측으로부터 공정챔버(300) 내부로 이송하는 전처리 이송 암(150);
    상기 제2 버퍼바디(140)의 좌측 및 우측에 배치되고, 전후진 이동 및 상하이동 가능하게 구비되어 상기 처리 후 웨이퍼를 공정챔버(300)의 내부로부터 상기 제2 버퍼바디(140)의 내측으로 이송하는 후처리 이송 암(160); 및
    상기 고정프레임(110)의 일면에 설치되어 상기 버퍼고정프레임(120)과 연결되고, 상기 제1 버퍼바디(130)의 출입구 및 상기 제2 버퍼바디(140)의 출입구가 공정챔버(300)의 출입구와 마주하도록 상기 버퍼고정프레임(120)을 상하로 이동시키는 버퍼리프트(170)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 장비용 버퍼 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 버퍼바디(130)는 상기 제2 버퍼바디(140) 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 장비용 버퍼 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반도체 장비용 버퍼 장치는 공정챔버(300)에 일 대 일 연결되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 장비용 버퍼 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 버퍼바디(130) 및 제2 버퍼바디(140) 각각은, 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼지지플레이트(131, 141) 및 웨이퍼지지플레이트(131, 141)에 대향하는 덮개플레이트(132, 142)를 포함하고, 웨이퍼지지플레이트(131, 141) 및 덮개플레이트(132, 142)의 전방 및 후방이 개방되어 출입구를 형성하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 장비용 버퍼 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 버퍼바디(130) 및 제2 버퍼바디(140)는 각각 하나 이상 배열되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 장비용 버퍼 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전처리 이송암(150) 및 후처리 이송암(160)을 전후진 이동시키는 수단은 볼스크류인 것을 특징으로 하는,
    반도체 장비용 버퍼 장치.
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