TW201927416A - 液供給裝置及液供給方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 可以供給適用於微細的半導體元件之製造的清淨度之塗布液。
[解決手段] 將處理液供給至處理液吐出部的液供給裝置，該處理液吐出部係對被處理體吐出處理液者，該液供給裝置具備：連接於上述處理液吐出部的供給管路；過濾器，配設於上述供給管路，對上述處理液進行過濾並除去異物；及控制部，構成為針對供給至上述過濾器之一次側的處理液之狀態進行判斷，並且在判斷上述處理液之狀態不良之情況下，將限制該處理液對上述過濾器之一次側之供給的控制信號進行輸出。

Description

液供給裝置及液供給方法
本揭示關於液供給裝置及液供給方法。
專利文獻1揭示之液處理裝置係具備：貯存處理液的處理液容器；對被處理基板吐出處理液的吐出噴嘴；將處理液容器與吐出噴嘴連接的供給管路；配設於供給管路且對處理液進行過濾的過濾器。該裝置中，將通過過濾器的處理液之一部分從吐出噴嘴吐出，使殘存之處理液返回過濾器之一次側之供給管路，並與來自處理液容器之處理液合成，而進行處理液之吐出與過濾器之過濾。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2014-140029號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示之技術可以供給適合微細的半導體元件之製造的清淨度之處理液。

[用於解決課題之手段]
本揭示之一態樣的液供給裝置，係將處理液供給至處理液吐出部，該處理液吐出部係對被處理體吐出處理液者，該液供給裝置具備：連接於上述處理液吐出部的供給管路；過濾器，配設於上述供給管路，對上述處理液進行過濾並除去異物；及控制部，構成為針對供給至上述過濾器之一次側的處理液之狀態進行判斷之同時，當判斷上述處理液之狀態不良之情況下，將限制該處理液對上述過濾器之一次側之供給的控制信號進行輸出。

[發明效果]
依據本揭示，可以供給適合微細的半導體元件之製造的清淨度之處理液。
半導體元件等之製造過程中的光微影成像工程中，為了在作為被處理體的半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)上形成抗反射膜或阻劑膜等之塗布膜，因此使用阻劑液等之塗布液。又，光微影成像工程中，作為對晶圓的處理液，不僅使用形成塗布膜之塗布液，亦使用顯像液或沖洗液等。又，處理液，例如貯存於液供給源，由該液供給源藉由液供給裝置被供給至吐出噴嘴，由該吐出噴嘴吐出至晶圓上。
於該處理液中會有包含異物(微粒)。又，即使原來之處理液不存在微粒，在液供給裝置之泵、閥、配管附著有微粒之情況下，微粒有可能混入供給的處理液中。因此，在連接液供給裝置之液供給源與吐出噴嘴的供給管配設過濾器，藉由該過濾器來過濾處理液並除去微粒。
關於上述之液供給裝置，於專利文獻1，如前述般，揭示藉由過濾器進行過濾並使除去了微粒的處理液返回供給管路中的過濾器之一次側之部分的裝置。
但是，半導體元件要求進一步更微細化，從處理液應被除去的微粒之尺寸亦變為非常小。又，晶圓上之微粒之檢測感度變高。例如，20nm以下之細的微粒可以被檢測出。另外，為了進一步更微細化，因而使用目前為止未被使用的新種類之塗布液，預料目前為止之塗布液中未被假想的微粒將成為問題。
依循這樣的背景，本發明人經由深入檢討結果發現，即使經由過濾器過濾後的處理液只要是滯留於液供給裝置內者就含有異物。特別是發現，如專利文獻1之記載般使經由過濾器過濾後的塗布液返回供給管路之一次側之情況下，從噴嘴吐出的塗布液中包含的微細的微粒之數目隨著作業時間之經過而增加。因此，具有使經由過濾器過濾後的塗布液返回供給管路之一次側(液供給源側)之構成的液供給裝置中，在塗布液之進一步清淨化上乃有改善之餘地。
又，依循前述之背景，本發明人經由深入檢討結果發現如下。作為處理液而供給由含有聚合物的聚合物液構成的阻劑液等之塗布液的情況下，液供給源係使用塗布液瓶。該塗布液瓶即使是製造業者保證品質者，於該瓶內之塗布液亦有包含微細的微粒。發現如此般使在微細的半導體元件之製造上並非充分清淨度之塗布液流通於液供給裝置內時，有可能影響該裝置內之清淨度。液供給裝置內之清淨度惡化時，從該液供給裝置供給的處理液之清淨度亦惡化，影響製品之良率。
又，作為處理液而供給由不含聚合物的非聚合物液構成的顯像液等的情況下，透過設置有液供給裝置的工廠內所配設的外部配管路對液供給裝置補充處理液。如此般經由外部配管路對液供給裝置補充處理液之形態中，補充的處理液內亦可能含有微粒之情況，該情況下亦影響製品之良率。
本揭示之技術可以供給適合微細的半導體元件之製造的清淨度之處理液。
以下，參照圖面說明本實施形態的液供給裝置及液供給方法。又，本說明書及圖面中，實質上具有相同之功能構成的要素中，附加同一符號並省略重複說明。
(第1實施形態)
本實施形態的液供給裝置構成為，作為處理液而供給由聚合物液構成的塗布液(例如阻劑液)的塗布液供給裝置。
(確認試驗1)
作為塗布液為了供給更清淨的液，因此本發明人等，針對塗布液供給裝置具有使經由過濾器過濾後的塗布液返回供給管之塗布液供給源側之功能的情況下，對該功能對塗布液之清淨度帶來之影響進行了確認試驗。更具體言之，塗布液供給裝置具有使經由過濾器過濾後的塗布液亦即未吐出而殘留的塗布液返回緩衝槽之功能的情況下，該功能對塗布液之清淨度帶來之影響進行了確認試驗。該確認試驗中，按後述的互相不同的4個動作條件(1)~(4)使塗布液供給裝置動作。又，後述之「虛擬分配(Dummy dispense)」係指，以將吐出噴嘴及與吐出噴嘴連接的塗布液供給配管內存在的不適合處理的組成之塗布液或長期滯留的塗布液廢棄等作為目的的動作。具體而言，「虛擬分配」意味著，從吐出噴嘴朝向和被處理基板不同的部位吐出規定量之塗布液的動作。又，虛擬分配間隔，亦即，自最近之吐出噴嘴之塗布液吐出動作結束時至進行虛擬分配為止之時間，係由使用者設定者。又，後述之「泵排氣(Pump vent)」意味著，為了除去泵內之塗布液中包含的氣泡而將一定量之塗布液從泵排出至排液配管的動作。又，本確認試驗使用的塗布液供給裝置之構成，和後述之圖6之阻劑液供給裝置200，在不具有異物檢測部208之點不同，其他構成則大致同一。
動作條件(1)之情況下，亦即，虛擬分配間隔設為5分鐘進行作業，迴路功能設為無效之情況下，來自吐出噴嘴之塗布液中包含的微粒之數目，即使作業時間經過亦無變化，常時變少。迴路功能係指，泵排氣之際使從泵送出至排液配管的塗布液返回緩衝槽之功能。
另一方面，動作條件(2)之情況下，亦即，虛擬分配間隔設為5分鐘進行作業，上述迴路功能設為有效之情況下，來自吐出噴嘴之塗布液中包含的微粒之數目，隨作業時間經過亦無變化。又，上述微粒之數目，和動作條件(1)比較成為更少的值且穩定。
又，動作條件(3)之情況下，亦即，虛擬分配間隔設為30分鐘進行作業，上述迴路功能設為無效之情況下，來自吐出噴嘴之塗布液中包含的微粒之數目雖少，但其值不穩定。
另外，動作條件(4)之情況下，亦即，虛擬分配間隔設為30分鐘進行作業，上述迴路功能設為有效之情況下，來自吐出噴嘴之塗布液中包含的微粒之數目較多，且有隨作業時間之經過而增加之趨勢。
由以上之確認試驗之結果推測以下之點。推測為，如動作條件(2)般虛擬分配間隔較短塗布液供給裝置內之塗布液之滯留之時間較短的情況下，上述滯留之影響較小。因此，使經由過濾器過濾後的塗布液返回緩衝槽後，再度藉由過濾器過濾，因此微粒之數目和作業時間都減少。
另一方面，如動作條件(4)般虛擬分配間隔較長塗布液供給裝置內之塗布液之滯留之時間較短的情況下，推測為，經由過濾器過濾後的塗布液被上述滯留污染。該污染之塗布液返回緩衝槽，因此塗布液供給裝置內整體被污染，因此微粒之數目和作業時間同時增加。
亦即，推測為，即使是過濾器過濾過的塗布液而在塗布液供給裝置內滯留的話，該塗布液亦有可能包含異物。
又，作為滯留的情況下塗布液包含異物的理由，可以推測為以下。亦即，過濾器具有對塗布液進行過濾並除去微粒的濾材和對該濾材進行補強/保護的支撐構件，上述支撐構件由低分子量材料構成。伴隨半導體元件之微細化開發的新種之塗布液之溶剤使用高分子材料，推測為在高分子材料溶劑溶解有由低分子材料構成的支撐溶劑等。
以下進行說明的第1實施形態，係依循以上之檢討結果者。
圖1係搭載有作為第1實施形態的塗布液供給裝置之阻劑液供給裝置的基板處理系統1之構成之概略的說明圖。圖2及圖3係示意表示各個基板處理系統1之內部構成之概略之正面圖與背面圖。又，本說明書及圖面中，實質上具有相同之功能構成的要素中，附加同一之符號並省略重複說明。
基板處理系統1，如圖1所示，具有：將收納有複數片晶圓W的晶圓盒C進行搬出入的晶圓盒平台10；及具備對晶圓W實施規定之處理的複數個各種處理裝置的處理平台11。基板處理系統1具有將晶圓盒平台10、處理平台11、及在和處理平台11鄰接的露光裝置12之間進行晶圓W之交接的介面平台13連接為一體之構成。
於晶圓盒平台10設置有晶圓盒載置台20。於晶圓盒載置台20設置有複數個基板處理系統1對外部進行晶圓盒C之搬出入時，載置晶圓盒C的晶圓盒載置板21。
如圖1所示，於晶圓盒平台10設置有在X方向延伸的搬送路22上自由移動的晶圓搬送裝置23。晶圓搬送裝置23亦可以在上下方向及繞鉛直軸(θ方向)自由移動，可以在各晶圓盒載置板21上之晶圓盒C與後述的處理平台11之第3區塊G3之交接裝置之間進行晶圓W之搬送。
於處理平台11設置有具備各種裝置的複數個例如4個區塊G1、G2、G3、G4。例如於處理平台11之正面側(圖1之X方向負方向側)設置有第1區塊G1，於處理平台11之背面側(圖1之X方向正方向側)設置有第2區塊G2。又，於處理平台11之晶圓盒平台10側(圖1之Y方向負方向側)設置有第3區塊G3，於處理平台11之介面平台13側(圖1之Y方向正方向側)設置有第4區塊G4。
如圖2所示，例如於第1區塊G1配置有複數個液處理裝置，例如由下起依序配置有對晶圓W進行顯像處理的顯像處理裝置30、於晶圓W之阻劑膜之下層形成抗反射膜(以下稱為「下部抗反射膜」)的下部抗反射膜形成裝置31、對晶圓W塗布阻劑液而形成阻劑膜的阻劑塗布裝置32、及在晶圓W之阻劑膜之上層形成抗反射膜(以下稱為「上部抗反射膜」)的上部抗反射膜形成裝置33。
例如顯像處理裝置30、下部抗反射膜形成裝置31、阻劑塗布裝置32、上部抗反射膜形成裝置33分別於水平方向並列配置3個。又，彼等顯像處理裝置30、下部抗反射膜形成裝置31、阻劑塗布裝置32、上部抗反射膜形成裝置33之數或配置可以任意選擇。
在彼等顯像處理裝置30、下部抗反射膜形成裝置31、阻劑塗布裝置32、上部抗反射膜形成裝置33之液處理裝置中，例如在晶圓W上進行塗布規定之處理液的自旋塗布。於自旋塗布中，例如從吐出噴嘴對晶圓W上吐出處理液之同時，使晶圓W旋轉，使處理液在晶圓W之表面擴散。
例如於第2區塊G2，如圖3所示，對晶圓W進行加熱或冷卻之熱處理的熱處理裝置40~43在上下方向與水平方向被並列設置。熱處理裝置40~43之數或配置亦可以任意選擇。
例如於第3區塊G3，複數個交接裝置50、51、52、53、54、55、56由下起依序被設置。又，於第4區塊G4，複數個交接裝置60、61、62由下起依序被設置。
如圖1所示，在被第1區塊G1~第4區塊G4包圍的區域形成晶圓搬送區域D。於晶圓搬送區域D具有例如沿著Y方向、X方向、θ方向及上下方向自由移動的搬送手臂70a，配置有複數個晶圓搬送裝置70。晶圓搬送裝置70在晶圓搬送區域D內移動，可於周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之規定之裝置進行晶圓W之搬送。
又，於晶圓搬送區域D設置有在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線式進行晶圓W之搬送的穿梭搬送裝置80。
穿梭搬送裝置80，例如沿著圖3之Y方向直線式自由移動。穿梭搬送裝置80，在支撐晶圓W之狀態下沿著Y方向移動，可以在第3區塊G3之交接裝置52與第4區塊G4之交接裝置62之間進行晶圓W之搬送。
如圖1所示，在第3區塊G3之X方向正方向側之附近設置有晶圓搬送裝置100。晶圓搬送裝置100設置有例如沿著X方向、θ方向及上下方向自由移動的搬送手臂。晶圓搬送裝置100在支撐晶圓W之狀態下上下移動，可以對第3區塊G3內之各交接裝置進行晶圓W之搬送。
於介面平台13設置有晶圓搬送裝置110與交接裝置111。晶圓搬送裝置110具有例如沿著Y方向、θ方向及上下方向自由移動的搬送手臂110a。晶圓搬送裝置110例如藉由搬送手臂110a支撐晶圓W，可於第4區塊G4內之各交接裝置、交接裝置111及露光裝置12之間進行晶圓W之搬送。
以下，說明使用以上構成的基板處理系統1進行的晶圓處理之概略。首先，收納有複數個晶圓W之晶圓盒C被搬入基板處理系統1之晶圓盒平台10，藉由晶圓搬送裝置23使晶圓盒C內之各晶圓W依序被搬送至處理平台11之交接裝置53。
接著，晶圓W藉由晶圓搬送裝置70被搬送至第2區塊G2之熱處理裝置40進行溫度調節處理。之後，晶圓W藉由晶圓搬送裝置70例如被搬送至第1區塊G1之下部抗反射膜形成裝置31，於晶圓W上形成下部抗反射膜。之後，晶圓W被搬送至第2區塊G2之熱處理裝置41，進行加熱處理。
之後，晶圓W藉由晶圓搬送裝置70被搬送至第2區塊G2之熱處理裝置42，進行溫度調節處理。之後，晶圓W藉由晶圓搬送裝置70被搬送至第1區塊G1之阻劑塗布裝置32，於晶圓W上形成阻劑膜。之後，晶圓W被搬送至熱處理裝置43，進行預烘烤處理。
接著，晶圓W被搬送至第1區塊G1之上部抗反射膜形成裝置33，於晶圓W上形成上部抗反射膜。之後，晶圓W被搬送至第2區塊G2之熱處理裝置43，進行加熱處理。之後，晶圓W藉由晶圓搬送裝置70被搬送至第3區塊G3之交接裝置56。
接著，晶圓W藉由晶圓搬送裝置100被搬送至交接裝置52，藉由穿梭搬送裝置80被搬送至第4區塊G4之交接裝置62。之後，晶圓W藉由介面平台13之晶圓搬送裝置110被搬送至露光裝置12，按規定之圖案進行曝光處理。
接著，晶圓W藉由晶圓搬送裝置70被搬送至熱處理裝置40，進行曝光後烘烤處理。據此，藉由在阻劑膜之曝光部中產生的酸來進行脫保護反應。之後，晶圓W藉由晶圓搬送裝置70被搬送至顯像處理裝置30，進行顯像處理。
以下，說明上述阻劑塗布裝置32之構成。圖4表示阻劑塗布裝置32之構成之概略的縱剖面圖，圖5表示阻劑塗布裝置32之構成之概略的橫剖面圖。
阻劑塗布裝置32，如圖4所示，內部具有可以閉鎖的處理容器120。於處理容器120之側面，如圖5所示形成晶圓W之搬出入口121，於搬出入口121設置有開/關閘門122。
如圖4所示，於處理容器120內之中央部設置有保持晶圓W使旋轉的旋轉吸盤130。旋轉吸盤130具有水平的上表面，於該上表面設置有例如對晶圓W進行吸引的吸引口(未圖示)。藉由該吸引口之吸引可以將晶圓W吸附保持於旋轉吸盤130上。
旋轉吸盤130例如具有具備馬達等的吸盤驅動機構131，藉由該吸盤驅動機構131可以規定之速度旋轉。又，於吸盤驅動機構131設置有汽缸等之升降驅動源，旋轉吸盤130可以上下移動。
於旋轉吸盤130之周圍設置有承接並回收從晶圓W飛散或掉落之液體的杯132。於杯132之下面連接有將回收的液體排出之排出管133，及對杯132內之氛圍進行排氣的排氣管134。
如圖5所示，於杯132之X方向負方向(圖5之下方向)側形成沿著Y方向(圖5之左右方向)延伸的軌條140。軌條140例如從杯132之Y方向負方向(圖5之左方向)側之外方至Y方向正方向(圖5之右方向)側之外方為止被形成。於軌條140安裝有手臂141。
如圖4及圖5所示，於手臂141支撐有吐出阻劑液的吐出噴嘴142。手臂141藉由如圖5所示噴嘴驅動部143在軌條140上自由移動。據此，吐出噴嘴142可以從杯132之Y方向正方向側之外方所設置的待機部144移動至杯132內之晶圓W之中心部上方，另外可以在該晶圓W之表面上沿著晶圓W之徑向移動。又，手臂141藉由噴嘴驅動部143自由升降，吐出噴嘴142之高度可以調節。吐出噴嘴142，如圖4所示，連接於供給阻劑液的阻劑液供給裝置200。
以下，說明對作為阻劑塗布裝置32內之處理液吐出部的吐出噴嘴142供給作為塗布液之阻劑液的阻劑液供給裝置200之構成。圖6係阻劑液供給裝置200之構成之概略的說明圖。又，阻劑液供給裝置200例如設置於未圖示之化學室內。化學室係指將各種處理液供給至液處理裝置者。
圖6之阻劑液供給裝置200具備作為與吐出噴嘴142連接的供給管路之塗布液供給管路250。本實施形態中，塗布液供給管路250係將內部貯存有阻劑液之作為液供給源的阻劑液瓶201和吐出噴嘴142連接。換言之，塗布液供給管路250中，與吐出噴嘴142相反側之端部係連接於作為液供給源的阻劑液瓶201。
阻劑液瓶201是可以取代者，於該阻劑液瓶201之上部設置有設有開關閥V1的氣體供給管路251。氣體供給管路251係將氮氣體等之惰性氣體之供給源亦即氣體供給源210與阻劑液瓶201連接者，於開關閥V1之上游側設置有壓力調整用之電動氣動調節器211。
於塗布液供給管路250從上游側起依序配設緩衝槽202、過濾器203、補集槽(Trap tank)204、泵205。
塗布液供給管路250具有將阻劑液瓶201與緩衝槽202連接的第1供給管路250a、將緩衝槽202與泵205連接且配設有過濾器203與補集槽204的第2供給管路250b、及將泵205與吐出噴嘴142連接的第3供給管路250c。
於第1供給管路250a設置有開關閥V2。
第2供給管路250b中，在緩衝槽202與過濾器203之間設置有開關閥V3，在過濾器203與補集槽204之間設置有開關閥V4。
於第3供給管路250c配設有包含開關閥與回吸閥(Suck-Back Valve)的供給控制閥206。
緩衝槽202係將從阻劑液瓶201移送的阻劑液暫時貯存的一次貯存部。於緩衝槽202設置有檢測貯存殘量的液面感測器(未圖示)，對應於該液面感測器之檢測結果對開關閥V1、V2進行開/關，而使從阻劑液瓶201對緩衝槽202之阻劑液之供給開始/停止。又，於緩衝槽202之上部設置有將滯留於該緩衝槽202之上部的惰性氣體向大氣開放的排出管路252。
過濾器203係過濾阻劑液並除去微粒者。於過濾器203設置有在過濾器排氣時對從該過濾器203內排出的阻劑液實施排液的排液副管路253。於排液副管路253設置有開關閥V5，該排液副管路253中的與過濾器203相反側之端部，係於後述之第1返回管路254a中的異物檢測部208與開關閥V6之間被連接。
補集槽204係將阻劑液中之氣泡捕集並除去者，設置有從補集槽204排出阻劑液之第1返回管路254a。於第1返回管路254a從上游側起依序設置有開關閥V6、V7。
又，第1返回管路254a在開關閥V6與開關閥V7之間具有分歧點。第1返回管路254a係從該分歧點分歧而到達與塗布液供給管路250不同的部位，具體而言，連接有到達排液路(未圖示)的排液主管路255。於排液主管路255設置有開關閥V8。
另外，在第1返回管路254a中的上述分歧點之上游側，具體而言，在第1返回管路254a中的上述分歧點與開關閥V6之間設置有異物檢測部208。
異物檢測部208係對塗布液等之處理液所包含的異物進行檢測者。該異物檢測部208例如具有對在設置有該異物檢測部208的流路流動之流體照射光的照射部(未圖示)，及接受該照射部所照射並透過在上述流路流動之流體的光之受光部(未圖示)。異物檢測部208依據上述受光部之受光結果檢測出上述流路內之流體之異物。
泵205係吸入、送出阻劑液者，例如由可變容量泵之隔膜泵構成。泵205藉由可撓性構件之隔膜區隔出未圖示之泵室與作動室。上述泵室經由開關閥V11而與第2供給管路250b連接，從該第2供給管路250b吸入阻劑液。又，泵室經由開關閥V12與第3供給管路250c連接，對該第3供給管路250c吐出阻劑液。另外，泵室經由開關閥V23與第2返回管路254b連接，對該第2返回管路254b吐出阻劑液。第2返回管路254b中的與泵205側相反側之端部連接於補集槽204。該第2返回管路254b與第1返回管路254a構成本實施形態的返回管路。本實施形態的返回管路，係對塗布液供給管路250中的過濾器203之二次側之部分與塗布液供給管路250中的過濾器203之一次側之部分連接的管路。
在泵205之前述之作動室連接有對該作動室內之氣體之減壓及加壓進行控制的驅動手段209。
又，阻劑液供給裝置200具備控制部M。控制部M例如為電腦，具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部儲存有對阻劑液供給裝置200中的處理進行控制的程式。又，上述程式，可以是記錄於電腦可讀取之記憶媒體者，由該記憶媒體安裝於控制部M者。程式之一部分或全部由專用硬體(電路基板)實現亦可。
設置於阻劑液供給裝置200的各閥使用藉由控制部M可以控制的電磁閥或空氣作動閥，各閥與控制部M電連接。又，控制部M與異物檢測部208、驅動手段209、電動氣動調節器211電連接。藉由該構成，阻劑液供給裝置200中的一連串之處理可以在控制部M之控制之下自動進行。
以下，依據圖7~圖13對阻劑液供給裝置200之動作進行說明。又，以下之圖中，阻劑液流通之管以粗線表示，省略一部分之閥之開/關狀態之說明。
(緩衝槽202之補充)
如圖7所示，依據來自控制部M之控制信號，將配設於氣體供給管路251的開關閥V1與配設於第1供給管路250a的開關閥V2設為開啟狀態。藉由從氣體供給源210供給至阻劑液瓶201內的氮氣體之壓力對緩衝槽202進行阻劑液之供給補充。
(對泵205之補充)
緩衝槽202內被補充規定量之阻劑液後，如圖8所示，將開關閥V1、V2設為關閉狀態。此時，泵205之開關閥V11被設為開啟狀態，開關閥V12、V13被設為關閉狀態。接著，藉由驅動手段209開始泵205之作動室內之排氣動作，並且將配設於第2供給管路250b的開關閥V3、V4設為開啟狀態。據此，緩衝槽202內之阻劑液通過過濾器203，進一步通過補集槽204之後，移行至泵205。
(吐出)
泵205內被供給/補充規定量之阻劑液之後，如圖9所示，將開關閥V3、V4、V11設為關閉狀態，將泵之開關閥V12與配設於第3供給管路250c的供給控制閥206設為開啟狀態。與此同時，藉由驅動手段209開始泵205之作動室內之加壓動作，從泵205將阻劑液壓送至第3供給管路250c。據此，移送至泵205的阻劑液之一部分(例如5分之1)經由吐出噴嘴142被吐出至晶圓W。
通常動作時重複進行上述工程。
(虛擬分配)
阻劑液供給裝置200之虛擬分配間隔，如前述般由使用者設定。虛擬分配中，直到規定量之塗布液從吐出噴嘴142被吐出為止，重複進行上述對緩衝槽202之補充工程、對泵205之補充工程及吐出工程。
(泵排氣)
阻劑液供給裝置200，為了除去泵205內之阻劑液所包含的氣泡而進行從泵205對排液配管排出規定量之阻劑液之泵排氣。該泵排氣之執行時序係由使用者設定，例如泵排氣在每進行n次(例如100次)吐出噴嘴142之吐出動作時被進行。
使用者設定的第n次之吐出噴嘴142之吐出動作結束後，如圖10所示，將泵205之開關閥V12與配設於第3供給管路250c的供給控制閥206設為關閉狀態。又，將泵205之開關閥V13、配設於第1返回管路254a的開關閥V6設為開啟狀態。此時，泵205之作動室內藉由驅動手段209被維持於加壓狀態。因此，阻劑液從泵205被壓送至第2返回管路254b。據此，經由過濾器203過濾但殘存於泵205或補集槽204、第2供給管路250b的阻劑液，被送出至異物檢測部208的第1返回管路254a。
接著，控制部M依據異物檢測部208之檢測結果，對第1返回管路254a內之阻劑液之狀態進行判斷。
上述判斷之結果，例如異物檢測部208檢測出的異物之數小於規定值，而判斷第1返回管路254a內之阻劑液之狀態良好之情況下，如圖11所示，將配設於第1返回管路254a的開關閥V7設為開啟狀態。據此，使第1返回管路254a內之阻劑液返回塗布液供給管路250中的過濾器203之一次側之部分具體而言為緩衝槽202。
另一方面，上述判斷之結果，例如異物檢測部208檢測出的異物之數為規定值以上，而判斷第1返回管路254a內之阻劑液之狀態不良之情況下，如圖12所示，將配設於排液主管路255的開關閥V8設為開啟狀態。據此，使第1返回管路254a內之阻劑液經由排液主管路255排出。
如上述般，本實施形態中，在能供給至過濾器203之一次側的處理液之狀態被判斷為不良之情況下，限制該處理液對過濾器203之一次側之供給。
又，在泵排氣之際，在該泵排氣結束為止之間進行上述判斷之次數可以是1次或複數次。又，進行複數次之情況下，第1返回管路254a內之阻劑液之狀態即使只有一次判斷為不良時，之後在泵排氣結束為止之間將開關閥V7設為關閉狀態，將開關閥V8設為開啟狀態，將第1返回管路254a內之阻劑液排出為較好。
(過濾器排氣)
阻劑液供給裝置200中，為了除去過濾器203內之經由該過濾器203過濾之前之阻劑液所包含的氣泡而進行從過濾器203對排液配管排出規定量之阻劑液的過濾器排氣。過濾器排氣之執行時序係由使用者設定，例如過濾器排氣，在每進行m次(例如100次)吐出噴嘴142之吐出動作時進行。
由使用者設定的第m次之吐出噴嘴142之吐出動作結束後，如圖13所示，將泵205之開關閥V12與配設於第3供給管路250c的供給控制閥206設為關閉狀態。又，將泵205之開關閥V13、配設於第2供給管路250b的開關閥V4、配設於排液副管路253的開關閥V5、配設於排液主管路255的開關閥V8設為開啟狀態。此時，泵205之作動室內藉由驅動手段209維持於加壓狀態。因此，阻劑液從泵205被壓送至第2返回管路254b，據此，過濾器203內之未過濾之阻劑液經由排液副管路253、第1返回管路154a之一部分及排液主管路255被排出。
本實施形態中，如上述般，設置有使經由過濾器203過濾但未吐出而殘存於阻劑液供給裝置200內的阻劑液，可以返回塗布液供給管路250中的過濾器203之一次側之部分的由第1返回管路254a等構成的返回管路。又，設置有由該返回管路分歧的排液主管路255。控制部M輸出使經由過濾器203過濾但未吐出的阻劑液藉由泵205送出至上述返回管路的控制信號。又，控制部M依據設置於上述返回管路的異物檢測部208之檢測結果，對送出至返回管路的阻劑液之狀態進行判斷。判斷之結果，若送出至返回管路的阻劑液之狀態良好之情況下，控制部M輸出使上述返回管路內之阻劑液返回緩衝槽202的控制信號進行輸出。又，判斷之結果，若送出至上述返回管路的阻劑液之狀態不良之情況下，控制部M輸出使上述返回管路內之阻劑液經由排液主管路255排出的控制信號。
因此，依據本實施形態，即使過濾器203過濾後的阻劑液因滯留而被污染，該已污染之塗布液不會返回緩衝槽202。因此，可以防止因為上述已污染之塗布液導致阻劑液供給裝置200內被污染。因此，依據本實施形態，和不考慮被過濾器203過濾過的殘留阻劑液之狀態而將該阻劑液送出至緩衝槽202之情況比較，可以供給更清淨的阻劑液。又，依據本實施形態，可以使供給的阻劑液常時保持為清淨者。
又，以上之例中，過濾器203內之未過濾之阻劑液，在過濾器排氣之際係設為常時實施排液者。作為取代，過濾器排氣之際，亦和泵排氣同樣地，進行異物檢測部208之檢測，依據檢測結果對阻劑液之狀態進行判斷，若阻劑液之狀態良好之情況下，使返回緩衝槽202亦可。
(第2實施形態)
圖14係表示第2實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
虛擬分配被進行經過長時間後，阻劑液被污染之可能性變高。又，虛擬分配間隔越長，虛擬分配進行後的經過時間即使較短阻劑液被污染之可能性變高。
因此，本實施形態的阻劑液供給裝置，和第1實施形態不同，送出至返回管路內的阻劑液之狀態的判斷，係依據是否經過與虛擬分配間隔對應而確定的期間來進行。因此，如圖14所示，於本實施形態的阻劑液供給裝置200未設置異物檢測部208(參照圖6)。
本實施形態中，例如虛擬分配間隔為5分鐘之情況下，於判斷之時點針對前次虛擬分配進行後的吐出動作之次數是否超過與虛擬分配間隔對應而確定的X次進行判斷。超過X次時，判斷送出至返回管路內的阻劑液之狀態不良，未超過X次時，判斷上述阻劑液之狀態良好。又，虛擬分配間隔為30分鐘之情況下，於判斷之時點針對前次虛擬分配進行後的吐出動作之次數是否超過Y(＞X)次進行判斷。超過Y次時，判斷送出至返回管路內的阻劑液之狀態不良，未超過Y次時，判斷上述阻劑液之狀態良好。
本實施形態中，和第1實施形態同樣地，可以防止經由過濾器203過濾後被污染之塗布液對阻劑液供給裝置200內造成之污染。因此，本實施形態中，可以供給可以供給更清淨的阻劑液，又，可以使供給的阻劑液常時保持為清淨者。
(第3實施形態)
本實施形態的液供給裝置亦和第1實施形態的液供給裝置同樣，構成為作為處理液而供給由聚合物液構成的塗布液(例如阻劑液)的塗布液供給裝置。
(確認試驗2)
基於在剛交換塗布液瓶之後，塗布於晶圓上的塗布液包含較多微粒等，本發明人等對塗布液瓶進行了確認試驗。具體而言，在該確認試驗中，針對塗布液瓶內之塗布液中包含的微粒之瓶間差，或該瓶間差對由液供給裝置供給的塗布液之品質帶來的影響進行了確認。又，該確認試驗中，作為塗布液係使用EUV阻劑液，作為塗布液供給裝置係使用和後述之圖15之阻劑液供給裝置200同樣者。但是，本確認試驗中使用的阻劑液供給裝置未設置三方閥V21或排液管路256。
於確認試驗中，將一個阻劑液瓶安裝於阻劑液供給裝置時，阻劑液供給裝置之塗布液供給管路中的過濾器之一次側所設置的異物檢測部檢測出500~600個/ml之微粒。而在從安裝有上述一個阻劑液瓶的阻劑液供給裝置被供給並經由吐出噴嘴吐出至晶圓上的阻劑液，藉由表面異物檢測裝置檢測結果，觀測出每一片晶圓存在5~7個微粒。
又，確認試驗中，將另一阻劑液瓶安裝於阻劑液供給裝置時，阻劑液供給裝置之塗布液供給管路中的過濾器之一次側所設置的異物檢測部檢測出700~800個/ml之微粒。又，在從安裝有上述另一阻劑液瓶的阻劑液供給裝置被供給且經由吐出噴嘴吐出至晶圓上的阻劑液，藉由表面異物檢測裝置檢測結果，觀測出每一片晶圓存在7~9個微粒。
由確認試驗之結果確認了以下之點。即使阻劑液瓶之品質經由阻劑液製造業者保證，在安裝於阻劑液供給裝置的阻劑液瓶中之阻劑液亦包含微粒，及包含的微粒之數目依每一阻劑液瓶而不同。另外，即使經由過濾器過濾吐出之情況下，在晶圓上亦觀測出和從阻劑液瓶供給的阻劑液中之微粒之數目對應的數目之微粒。
又，由上述確認試驗之結果預測，阻劑液瓶內之阻劑液包含臨限值以上之數目之較多微粒的情況下，無法藉由過濾器將阻劑液所包含的微粒之數目減低至容許範圍。
又，即使阻劑液製造業者保證品質，阻劑液瓶內之阻劑液亦可能包含多個微粒之理由，例如可以推測為以下。亦即，伴隨半導體元件之微細化微粒檢測裝置亦進化微粒之檢測感度上升，大部之阻劑液製造業者無法確保配合檢測裝置之進化的檢測環境。又，亦可以推測為，隨著上述微細化的進展亦使用和目前為止不同的新種之阻劑液，即使是習知阻劑不成為問題的環境(搬運環境或保管環境)，在該新種之阻劑液之情況下亦有可能產生微細的微粒。
以下說明的第3實施形態係依循以上之檢討結果者。
圖15係第3實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
本實施形態的阻劑液供給裝置200中，在塗布液供給管路250中在位處過濾器203之一次側的第1供給管路250a，從上游側起依序設置有開關閥V2、異物檢測部208、三方閥V21。三方閥V21具有的3個流體之出入口之中之1個通往第1供給管路250a之上游側，另1個通往第1供給管路250a之下游側，再另1個則通往排液管路256。亦即，三方閥V21設置於第1供給管路250a中的往排液管路256之分歧點上，異物檢測部208配設於第1供給管路250a中的上述分歧點之上游側。
以下，依據圖16~圖18對圖15之阻劑液供給裝置200之動作之中和前述實施形態不同者進行說明。
(對緩衝槽202之補充)
如圖16所示，依據來自控制部M之控制信號，將配設於氣體供給管路251的開關閥V1與配設於第1供給管路250a的開關閥V2設為開啟狀態。接著，藉由從氣體供給源210供給至阻劑液瓶201內的氮氣體之壓力將阻劑液瓶201內之阻劑液送出至第1供給管路250a。此時，三方閥V21中，第1供給管路250a之上游側之部分為不與第1供給管路250a之下游側部分及排液管路256連通之狀態。
接著，控制部M依據異物檢測部208之檢測結果，進行第1供給管路250a內之阻劑液之狀態的判斷。
上述判斷之結果，例如判斷異物檢測部208檢測出的異物之數目小於規定值，第1供給管路250a內之阻劑液之狀態亦即阻劑液瓶201之狀態良好之情況下，如圖17所示，對三方閥V21之狀態進行切換。據此，第1供給管路250a之上游側之部分與第1供給管路250a之下游側部分成為相通的狀態，對緩衝槽202供給並補充阻劑液瓶201內之阻劑液。
另一方面，上述判斷之結果，例如判斷異物檢測部208檢測出的異物之數目為規定值以上，第1供給管路250a內之阻劑液之狀態亦即阻劑液瓶201之狀態不良之情況下，如圖18所示，對三方閥V21之狀態進行切換。據此，使第1供給管路250a之上游側之部分與排液管路256成為相通的狀態，使阻劑液瓶201內之被污染的阻劑液經由排液管路256排出。
如上述般，本實施形態中，在能供給至過濾器203之一次側的阻劑液瓶201內之塗布液之狀態判斷為不良之情況下，限制該塗布液對供給過濾器203之一次側之供給。
又，阻劑液瓶201之狀態判斷為不良之情況下，以上之例中，使阻劑液瓶201內之阻劑液經由排液管路256排出。但是，不進行排液等，使用顯示部等進行應交換阻劑液瓶201之意旨之報知亦可。
本實施形態之阻劑液供給裝置200中，僅在阻劑液瓶201內之阻劑液之狀態良好之情況下，才將阻劑液瓶201內之阻劑液供給至緩衝槽202。亦即，本實施形態之阻劑液供給裝置200中，僅在阻劑液瓶201內之阻劑液之狀態良好之情況下，才將阻劑液瓶201內之阻劑液供給至過濾器203之一次側或泵205。因此，不會發生因為阻劑液瓶201內之已污染之阻劑液，導致阻劑液供給裝置200之緩衝槽202及較該緩衝槽202更下游側之部分被污染。因此，依據本實施形態，和不依據阻劑液瓶201內之阻劑液之狀態而將該阻劑液送出至緩衝槽202之情況比較，可以供給更清淨的阻劑液。又，依據本實施形態，可以使供給的阻劑液常時保持為清淨者。
又，本實施形態之阻劑液供給裝置200中，補集槽204連接於配設有開關閥V22的排液主管路257a。又，過濾器203連接於與排液主管路257a連接的排液副管路258，於該排液副管路258設置有開關閥V23。在第1實施形態之阻劑液供給裝置設置有第2返回管路254b(參照圖6)，本實施形態之阻劑液供給裝置200，係在設置有上述第2返回管路254b之部分設置排液主管路257b。
本實施形態之阻劑液供給裝置200的泵排氣中，以使泵205或補集槽204內之阻劑液經由排液主管路257a、257b被排出的方式由控制部M輸出控制信號。
本實施形態之阻劑液供給裝置200的過濾器排氣中，以使過濾器203內之未過濾之阻劑液經由排液副管路258及排液主管路257a被排出的方式由控制部M輸出控制信號。
(第4實施形態)
圖19係第4實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
本實施形態之阻劑液供給裝置200，如圖19所示，在第3實施形態的阻劑液供給裝置之構成中的三方閥V21之位置設置有四方閥V31。又，本實施形態之阻劑液供給裝置200具有，將第1供給管路250a中的開關閥V2與異物檢測部208之間之部分，和四方閥V31進行連接的返回管路259。換言之，返回管路259係將第1供給管路250a中的異物檢測部208之一次側與二次側連接者。在返回管路259從上游側依序具有泵220與開關閥V32。
四方閥V31具有的4個流體之出入口之中之1個通往第1供給管路250a之上游側，另1個通往第1供給管路250a之下游側，再另1個通往排液管路256，再再另1個通往返回管路259。
以下，依據圖20~圖22對圖19之阻劑液供給裝置200之動作之中和前述實施形態不同者進行說明。
(對緩衝槽202之補充)
如圖20所示，依據來自控制部M之控制信號，將配設於氣體供給管路251的開關閥V1與配設於第1供給管路250a的開關閥V2設為開啟狀態。藉由從氣體供給源210供給至阻劑液瓶201內的氮氣體之壓力將阻劑液瓶201內之阻劑液送出至第1供給管路250a。
如圖21所示，將開關閥V2設為關閉狀態，將配設於返回管路259的開關閥V32設為開啟狀態之同時，作動泵220。據此，使阻劑液循環於第1供給管路250a中的包含異物檢測部208之部分與返回管路259的循環路內。返回管路259在阻劑液循環期間在異物檢測部208中進行複數次異物檢測。
控制部M依據進行了複數次異物檢測之結果，進行第1供給管路250a內之阻劑液之狀態亦即阻劑液瓶201之狀態的判斷。
上述判斷之結果，例如異物檢測部208檢測出的異物之數目之平均值小於規定值時，判斷為第1供給管路250a內之阻劑液之狀態亦即阻劑液瓶201之狀態良好。該情況下，如圖22所示，控制部M將開關閥V1、V2再度設為開啟狀態，而且將開關閥V32設為關閉狀態，對四方閥V31之狀態進行切換，將第1供給管路250a之上游側之部分與第1供給管路250a之下游側部分設為相通的狀態。另外，停止泵220之動作。據此，將阻劑液瓶201內之阻劑液供給補充至緩衝槽202。
另一方面，上述判斷之結果，例如判斷為異物檢測部208檢測出的異物之數目之平均值為規定值以上，第1供給管路250a內之阻劑液之狀態亦即阻劑液瓶201之狀態不良。該情況下，如圖23所示，對四方閥V31進行切換，將第1供給管路250a之上游側之部分與排液管路256設為相通的狀態。據此，包含返回管路259之前述循環路內之阻劑液經由排液管路256被排出。又，和該排液之同時，使用顯示部等進行應交換阻劑液瓶201的意旨之報知為較好。
本實施形態中，如上述般，依據進行了複數次異物檢測之結果來判斷阻劑液瓶201之狀態，因此可以更良好精度進行上述判斷。
(第5實施形態)
圖24係第5實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
本實施形態之阻劑液供給裝置200，如圖24所示，除第3實施形態的阻劑液供給裝置之構成以外，另外於第2供給管路250b中的過濾器203之一次側與二次側分別設置有異物檢測部230、231。異物檢測部230、231之構成係和異物檢測部208同樣。
依據本發明人等之檢討，經由過濾器203過濾了阻劑液之情況下，過濾後的阻劑液所包含的微粒之數目，相對於過濾之前之阻劑液所包含的微粒之數目之比，若過濾器203之性能不變則為一定，若過濾器203之性能劣化則變大。
於此，本實施形態中，如前述般，於第2供給管路250b中的過濾器203之一次側與二次側分別設置異物檢測部230、231，控制部M依據一次側之異物檢測部230之檢測結果及二次側之異物檢測部231之檢測結果來判斷過濾器203之性能。
例如一次側之異物檢測部230檢測出的微粒之數目為恆定水準以下之情況下，二次側之異物檢測部231之微粒之檢測數目相對於一次側之異物檢測部230之微粒之檢測數目之比為規定值以上之情況下，控制部M判斷為過濾器203之除去性能劣化。判斷為除去性能劣化之情況下，控制部M使用顯示部等進行應交換過濾器203的意旨之報知或應縮短虛擬分配間隔之意旨之報知，或將虛擬分配間隔變更為較短者。
又，例如一次側之異物檢測部230檢測出的微粒之數目大於恆定水準之情況下，可以推測為阻劑液瓶201之清淨度惡化。因此，控制部M一邊控制繼續進行吐出動作一邊控制應交換藥液瓶之意旨之報知，或一邊控制不進行吐出動作一邊控制進行同樣之報知。
又，圖示或詳細之說明雖省略，關於第1實施形態或第2實施形態之阻劑液供給裝置及後述之實施形態之液供給裝置，在過濾器203之一次側與二次側設置異物檢測部，和本實施形態同樣地進行判斷亦可。
以上之第1~第5實施形態的說明中，係將塗布液設為阻劑液者，但塗布液不限定於此，例如為形成SOC(Spin On Carbon)膜或SOD(Spinon Dielectric)膜、SOG(Spin on Glass)膜的塗布液等亦可。
(第6實施形態)
本實施形態的液供給裝置，係和第1實施形態的液供給裝置等不同，作為處理液而供給由非聚合物液構成的顯像液等。又，第1實施形態中，作為處理液之阻劑液係由阻劑液瓶補充至液供給裝置，本實施形態中，作為處理液之上述顯像液等，係經由在設置有液供給裝置的工場等之空間內所配設的外部配管路進行補充。
(確認試驗3)
經由配設於工場等的外部配管路對液供給裝置補充處理液之情況下，在工場之起動時或上述外部配管路之剛施工之後等，在吐出至晶圓上的顯像液等之非聚合物之處理液包含有較多微粒。基於此，本發明人等針對經由外部配管路補充的顯像液等處理液中之微粒數目，及該微粒數目對從液供給裝置被供給吐出的處理液之品質造成的影響進行了確認。又，該確認試驗中，作為液供給裝置使用和後述之圖26之液供給裝置400同樣者。
圖25示出確認試驗3之結果之圖。圖中，橫軸表示經由外部配管路補充的處理液中之微粒之數目，表示藉由設置於液供給裝置中的過濾器之上游側的進行基於光之異物檢測的異物檢測部所檢測出的數目。又，縱軸表示經由外部配管路補充且經由過濾器供給至吐出噴嘴吐出至晶圓上的處理液中之微粒之數目，表示藉由表面異物檢測裝置之檢測觀測出之數目。又，異物檢測部檢測出200nm以上之較大微粒，表面異物檢測裝置檢測出40nm以上之較小微粒。又，本確認試驗使用之處理液為正型顯像液。
如圖25所示，即使使經由外部配管路補充的處理液之吐出，經由過濾器進行之情況下，吐出的處理液亦含有較小的微粒。又，經由外部配管路補充的處理液所包含的藉由異物檢測部檢測的較大的微粒之數目，和經由過濾器吐出至晶圓上的處理液所包含的藉由表面異物檢測裝置檢測出的較小的微粒之數目存在比例關係。
又，上述確認試驗之結果預測，經由外部配管路補充的處理液含有規定數以上之較多微粒的情況下，包含於處理液的微粒之數目無法藉由過濾器將其減低至容許範圍。
以下說明的第6實施形態係依循以上之檢討結果者。
圖26係本實施形態的液供給裝置400之構成之概略的說明圖。又，液供給裝置400例如設置於未圖示之化學室內。化學室係指將各種處理液供給至液處理裝置者。
圖26之液供給裝置400具備作為連接於吐出噴嘴142的供給管路之處理液供給管路450。本實施形態中，處理液供給管路450之與吐出噴嘴142相反側之端部，係連接於處理液之取入口401。又，處理液供給管路450所連接的上述取入口401，係連接於設置有液供給裝置400的工廠等之空間內配設的外部配管路S。
因此，處理液供給管路450之與吐出噴嘴142相反側之端部係連接於外部配管路S。
於處理液供給管路450，經由外部配管路S被供給作為處理液之顯像液。
又，於處理液供給管路450從上游側起依序配設有緩衝槽202、過濾器203、泵402。
處理液供給管路450具有將取入口401與緩衝槽202連接的第1供給管路450a、將緩衝槽202與泵402連接並配設有過濾器203的第2供給管路450b、及將泵402與吐出噴嘴142連接的第3供給管路450c。
於第1供給管路450a從上游側起依序設置有主開關閥V41與開關閥V42。
於第2供給管路450b中，在緩衝槽202與過濾器203之間設置有開關閥V43。
於第3供給管路250c配設有供給控制閥206。
緩衝槽202係將經由外部配管路S補充的顯像液暫時貯存。於緩衝槽202設置有檢測貯存殘量的液面感測器(未圖示)，對應於該液面感測器之檢測結果等對主開關閥V41與開關閥V42進行開/關，而開始/停止對緩衝槽202之顯像液之補充。
過濾器203對顯像液進行過濾並除去微粒。
泵402係吸入、送出顯像液者，例如由可變容量泵之隔膜泵(Diaphragm pump)構成。
又，液供給裝置400具有從位於連接取入口401與緩衝槽202的第1供給管路450a之分歧點分歧的分歧管路451。位處分歧管路451所分歧的分歧點之第1供給管路450a，係將比過濾器203更上游側之緩衝槽202與取入口401連接者。亦即，分歧管路451所分歧的分歧點，係位於比過濾器203更上游側之緩衝槽202與取入口401之間。
另外，於分歧管路451，為了檢測該分歧管路451內之顯像液所包含的異物而設置有異物檢測部208。異物檢測部208之檢測對象的異物之大小為100nm等級以上。
又，分歧管路451分歧為複數個配管路451a、451b。複數個配管路451a、451b之中，在位於鉛直方向上方的配管路451a設置有開關閥V44。複數個配管路451a、451b之中，位於鉛直方向下方的配管路451b，係設置成為將配管路451a中的開關閥V44之上游側之部分與配管路451a中的開關閥V44之下游側之部分連接。於該配管路451b設置有上述異物檢測部208。又，在配管路451b中的異物檢測部208之下游側之部分設置有流量計403。
另外，在分歧管路451，在比通往複數個配管路451a、451b之分歧點更上游側之部分從上游側起依序配設有流量控制閥404、流量計405。
又，供給至分歧管路451的顯像液，係由與第1供給管路450a相反側之端部被排出。
以下，依據圖27~圖33對液供給裝置400之動作進行說明。又，以下之圖中，顯像液流通之管以粗線表示，針對一部分之閥之開/關狀態省略說明。
(外部配管路S之起動)
如圖27所示，依據來自控制部M之控制信號，將配設於第1供給管路450a的主開關閥V41設為開啟狀態。而且，增大流量控制閥404之開度，例如設為全開啟狀態，將設置於配管路451a的開關閥V44設為開啟狀態。據此，使經由外部配管路S被供給補充的顯像液，經由分歧管路451排出，進行淨化。
(起動結束判斷)
例如外部配管路S之起動處理開始起經過規定時間後，如圖28所示，將設置於配管路451a的開關閥V44設為關閉狀態。而且，以在分歧管路451流通規定之流量(例如10ml/min)之顯像液的方式，依據流量計405之測定結果對流量控制閥404之開度進行調整。
接著，控制部M依據異物檢測部208之檢測結果，針對分歧管路451內之顯像液之狀態，具體而言針對配管路451b內之顯像液之狀態進行判斷。
判斷之結果，例如異物檢測部208檢測出的異物之數目為規定值以上，判斷配管路451b內之顯像液之狀態亦即經由外部配管路S補充的顯像液之狀態不良之情況下，返回圖27之狀態，再度進行外部配管路S之起動處理。
例如藉由起動處理對外部配管路S所供給的顯像液進行充分之排出的話，經由外部配管路S補充的顯像液之洗淨度會上升，異物檢測部208檢測出的異物之數目會成為小於規定值。如此則，判斷配管路451b內之顯像液之狀態亦即經由外部配管路S補充的顯像液之狀態良好，進行對緩衝槽202之顯像液之補充。
如上述般，本實施形態中，當判斷經由外部配管路S補充的顯像液之狀態不良之情況下，限制該顯像液對緩衝槽202之補充。
又，異物檢測部208規定有能獲得適當的檢測結果之顯像液之流量之範圍，在顯像液之狀態的判斷時，為了確認配管路451b內之顯像液之流量收斂於上述範圍，因此進行基於流量計403之流量測定。
(對緩衝槽202之補充)
對緩衝槽202之補充之際，如圖29所示，將流量控制閥404設為關閉狀態，將開關閥V42設為開啟狀態。據此，將經由外部配管路S補充的顯像液補充至緩衝槽202。
(吐出)
緩衝槽202內被補充規定量之阻劑液後，如圖30所示，將開關閥V41、V42設為關閉狀態。將開關閥V43及供給控制閥206設為開啟狀態，而且驅動泵402。據此，緩衝槽202內之顯像液經由吐出噴嘴142被吐出至晶圓W。
通常動作時，重複進行上述對緩衝槽202之補充工程與吐出工程。
本實施形態中，如上述般，設置有從位於外部配管路S側之端部亦即取入口401與過濾器203之間的分歧點分歧的分歧管路451。控制部M針對經由外部配管路S補充的顯像液之狀態依據分歧管路451內之顯像液之狀態進行判斷。又，判斷之結果，若經由外部配管路S補充的顯像液之狀態不良之情況下，控制部M以上述顯像液不補充至緩衝槽202而被排出的方式輸出控制信號。
因此，依據本實施形態，不會因為經由外部配管路S補充的顯像液，造成液供給裝置400之緩衝槽202及比該緩衝槽202更下游側之部分之污染。因此，依據本實施形態，和不論經由外部配管路S補充的顯像液之狀態如何均將該顯像液送出至緩衝槽202之情況比較，可以供給更清淨的顯像液。又，依據本實施形態，可以使供給的顯像液常時保持為清淨者。
又，如前述般，分歧管路451所分歧的分歧點，更具體言之，係位於比過濾器203更上游側之緩衝槽202與取入口401之間。因此，可以更確實地將清淨的顯像液供給至緩衝槽202，又，可以減低緩衝槽202內貯存的顯像液成為不良液之風險。
又，本實施形態中，使用設置於分歧管路451的異物檢測部208，來判斷外部配管路S之起動結束否。作為其他之判斷方法，可以考慮不設置分歧管路451或異物檢測部208，使經由外部配管路S補充的顯像液經由吐出噴嘴142吐出至晶圓上，依據吐出的顯像液之基於表面異物檢測裝置之檢測結果來判斷起動結束之方法。和該方法比較，本實施形態的判斷方法，無需晶圓上之顯像液之吐出或使用表面異物檢測裝置的檢測。因此，可以縮短外部配管路S之起動所要時間。
又，外部配管路S之起動結束否之判斷使用的臨限值，例如如以下般決定。首先，取得異物檢測部208檢測出的分歧管路451內之顯像液所包含的微粒數目，與表面異物檢測裝置檢測出的吐出至晶圓上的顯像液所包含的微粒數目之相關。由針對表面異物檢測裝置檢測出的吐出至晶圓上的顯像液所包含的微粒數目設定的管理值，以及上述相關來決定上述臨限值。又，上述相關係依據設置液供給裝置400之每一工場(設備)、每一處理液種而取得。
另外，本實施形態中，經由外部配管路S補充的顯像液之狀態的判斷使用的被異物檢測部208設為檢測對象的異物之大小為100nm等級以上即可。因此，和設為檢測對象的異物之大小為10nm等級之較小之情況比較可以使用便宜的異物檢測部208，可以實現低成本化。
本實施形態中，在複數個配管路451a、451b之中位於鉛直方向下方的配管路451b設置異物檢測部208。因此，供給至分歧管路451的顯像液含有氣泡之情況下，上述氣泡被導入位於鉛直方向上方的配管路451a，不被導入配管路451b及異物檢測部208。因此，異物檢測部208中不會誤將上述氣泡視為微粒而錯誤檢測。
又，上述氣泡儲存於配管路451a，因此設置於該配管路451a的開關閥V44定期被設為開啟狀態。
另外，以上之例中，僅在外部配管路S之起動結束否之判斷之際，使顯像液流入設置有異物檢測部208的分歧管路451並針對經由外部配管路S補充的顯像液之清淨度進行判斷。
該顯像液之清淨度判斷亦可以對應於對緩衝槽202之顯像液之補充時序進行。例如對緩衝槽202之補充前，每次進行上述顯像液之清淨度之判斷亦可，或每經過規定之補充次數後進行亦可。
又，對至緩衝槽202之補充時，如圖31所示，以使來自外部配管路S之顯像液往分歧管路451流通的方式，於該補充中進行對上述顯像液之清淨度之判斷亦可。
該情況下，上述清淨度判斷之結果，若判斷經由外部配管路S補充的顯像液不良時，中斷對緩衝槽202之顯像液之補充。直至清淨度再度變高為止，再度進行外部配管路S之起動處理亦即淨化亦可。
又，對來自外部配管路S之顯像液之清淨度之判斷，不依賴於對緩衝槽202之補充時序而定期(例如10分鐘1次)進行亦可。
又，在對緩衝槽202之顯像液之補充中，對分歧管路451供給顯像液而如上述般判斷來自外部配管路S之顯像液之清淨度之情況下，以使流入分歧管路451之顯像液之流量小於流入緩衝槽202之顯像液之流量的方式，對流量控制閥404之開度進行調整。據此，可以防止對緩衝槽202之補充效率之降低。
又，判斷來自外部配管路S之顯像液之狀態不良之情況下，以上之例中，控制部M以排出該顯像液的方式輸出控制信號。控制部M除了該控制信號以外，或者取代該控制信號，而對應於顯像液之狀態，以該狀態被放置的方式輸出控制信號亦可。具體而言，以藉由顯示部等報知來自外部配管路S之顯像液不良之意旨的方式輸出控制信號亦可。
又，本實施形態中，僅於分歧管路451設置有異物檢測部208，但在比分歧管路451所分歧的分歧點更下游側，具體而言在比過濾器203更下游側設置另一異物檢測部亦可。該另一異物檢測部檢測異物的顯像液為通過過濾器203之後者，因此該另一異物檢測部設為檢測對象的異物之大小為10nm等級(10~80nm)以上。異物檢測部208無需如該另一異物檢測部程度般高的檢測精度，異物檢測部208設為檢測對象的異物之大小例如前述般為100nm等級以上。以下，對採用該構成之理由進行說明。
在不影響製程之程度範圍內而未設置抑制異物之手段的工廠供給側設備中，檢測精度越高，檢測個數越不穩定。如此般若檢測個數不穩定，則顯像液之清淨度判斷變為困難。因此，異物檢測部208之檢測對象設為和設置於過濾器203之下游側的另一異物檢測部比較為較大的100nm等級。
又，上述另一異物檢測部例如設置於過濾器203與供給控制閥206之間。
(第7實施形態)
圖32係第7實施形態的液供給裝置之構成之概略的說明圖。
本實施形態之液供給裝置400，如圖32所示，除第6實施形態的液供給裝置之構成以外，還具有返回管路452。返回管路452係從第3供給管路450c中的位於供給控制閥206之上游側的分歧點分歧，並返回緩衝槽202的管路。
於該返回管路452設置有開關閥V45。
(多重過濾處理)
本實施形態之液供給裝置中，在對緩衝槽202之顯像液之補充工程後，且在吐出工程前，進行多重過濾處理工程。
多重過濾處理工程中，保持將供給控制閥206設為關閉狀態下，將開關閥V43及開關閥V44設為開啟狀態。對泵402進行驅動，據此，緩衝槽202內之顯像液一邊被過濾器203過濾，一邊經由返回管路452循環。藉由重疊該循環，亦即，藉由重疊基於過濾器203之過濾，使緩衝槽202內之顯像液之清淨度變高。
本實施形態中，例如基於異物檢測部208之檢測結果的判斷結果，若來自外部配管路S之顯像液之清淨度低但未到達實施排液程度般低之情況下，控制部M進行以下之控制。例如控制部M，對應於上述清淨度來確定上述多重過濾處理工程中之基於過濾器203之過濾次數。據此，而將緩衝槽202內之顯像液之清淨度設為適用於製程的清淨度。
(第8實施形態)
圖33係第8實施形態的液供給裝置之構成之概略的說明圖。
本實施形態之液供給裝置400，如圖33所示，除第7實施形態的液供給裝置之構成以外還具備另一異物檢測部406。異物檢測部406係設置於比位於第1供給管路450a中的主開關閥V41與開關閥V42之間之分歧點更上游側、具體而言設置於通過過濾器203的顯像液所流通的返回管路452。異物檢測部406與異物檢測部208具有同樣之構成。
本實施形態中，例如基於異物檢測部406之檢測結果的判斷之結果，若判斷返回管路452內之顯像液之狀態不良之情況下，控制部M對應於設置於分歧管路451的異物檢測部208之檢測結果，來決定處理液改善處理之條件。
具體而言，例如若判斷返回管路452內之顯像液之狀態不良，而在異物檢測部208檢測出臨限值以上之微粒數目的情況下，可以推測為返回管路452內之顯像液之狀態不良的原因在於外部配管路S之狀態。因此，該情況下，控制部M輸出進行前述外部配管路S之起動工程的控制信號。
另一方面，若判斷返回管路452內之顯像液之狀態不良，而設置於分歧管路451的異物檢測部中未檢測出臨限值以上之微粒數目之情況下，可以推測出顯像液之狀態不良的原因在於液供給裝置400內。因此，該情況下，控制部M例如輸出進行前述多重過濾處理工程之控制信號。
如此般，依據本實施形態，可以界定異物產生之原因部位，因此可以縮短供給的處理液之再清淨化亦即回復所要時間。
如第6~第8實施形態般，設置分歧管路451並在分歧管路451設置異物檢測部208之情況下，控制部M依據異物檢測部208之異物檢測結果之隨時間變化而對異物產生模式進行界定，並進行與界定的異物產生模式對應的控制亦可。例如異物檢測部208檢測出的微粒數目緩慢增加之情況下，可以推測出過濾器203之劣化成為原因。因此，該情況下，控制部M界定為外部配管路S之淨化或前述多重過濾處理中無法改善的異物產生模式。如此般界定為無法改善的異物產生模式的情況下，控制部M控制成為經由顯示部等進行該意旨之報知。
如第8實施形態等般，設置有檢測經由過濾器203過濾後的處理液之異物的異物檢測部406之情況下，控制部M依據異物檢測部406之異物檢測結果之隨時間變化來界定異物產生模式，並進行與界定的異物產生模式對應的控制亦可。例如異物檢測部406中檢測出的微粒數目緩慢增加之情況下，可以推測為設置於外部配管路S的過濾器之劣化成為原因。因此，該情況下，控制部M界定為前述多重過濾處理中無法改善的異物產生模式。如此般界定為無法改善的異物產生模式的情況下，控制部M控制成為經由顯示部等進行該意旨之報知。
針對以上第6~第8實施形態之說明中，處理液設為顯像液，但亦可以是DIW等。
以上之第6~第8實施形態，係從外部配管供給處理液的形態，在第1供給管路450a中的位於外部配管路S側之端部亦即取入口401與過濾器203之間之位置設置分歧點，於該分歧點連接有分歧管路451。於該分歧管路451設置有異物檢測部208。
和以上之第6~第8形態不同並非從外部配管而是從顯像液瓶等之處理液瓶供給處理液的形態下，和以上之第6~第8同樣地設置分歧管路，於該分歧管路設置異物檢測部208亦可。具體而言，在連接處理液瓶與緩衝槽的供給管路(參照圖6之符號250a)設置分歧管路，於該分歧管路設置異物檢測部208亦可。又，和以上之第6~第8實施形態同樣地依據異物檢測部208之檢測結果，判斷從藥液瓶對緩衝槽之供給之可否亦可。其理由為，從處理液瓶對緩衝槽供給處理液的情況下，處理液瓶之交換或處理需長期間停止時處理液之狀態有可能變化。
亦即，不限定於從外部配管供給處理液的情況，從可與藥液瓶等交換之容器供給處理液的情況下，亦可以獲得和第6~第8實施形態同樣之效果。
以上之說明中，被處理體設為半導體晶圓，但被處理體不限定於此，例如亦可以是玻璃基板、FPD(Flat Panel Display)基板等。
上述揭示的實施形態全部僅為例示，並非用來限制者。上述實施形態，在不脫離附加之申請專利範圍及其主旨之範圍內可以進行各種形態之省略、置換、變更。
(1)一種液供給裝置，係將處理液供給至處理液吐出部的液供給裝置，該處理液吐出部係對被處理體吐出處理液者，具備：
連接於上述處理液吐出部的供給管路；
過濾器，配設於上述供給管路，對上述處理液進行過濾並除去異物；及
控制部，構成為針對供給至上述過濾器之一次側的處理液之狀態進行判斷，並且在判斷上述處理液之狀態不良之情況下，將限制該處理液對上述過濾器之一次側之供給的控制信號進行輸出。
依據上述(1)，可以供給適用於微細的半導體元件之製造的清淨度之處理液。
(2)於上述(1)記載的液供給裝置中，
上述處理液，係用於在被處理體上形成塗布膜的塗布液，
該液供給裝置具備：
返回管路，將上述供給管路中的上述過濾器之二次側之部分與上述供給管路中的上述過濾器之一次側之部分進行連接；及
排液管路，從該返回管路上之分歧點分歧且到達和上述供給管路不同的部位；
上述控制部構成為，
輸出將經由上述過濾器過濾後的塗布液送出至上述返回管路的控制信號，
作為上述判斷，係進行上述返回管路內之塗布液之狀態的判斷，
若判斷上述返回管路內之塗布液之狀態良好之情況下，輸出使上述返回管路內之塗布液返回上述供給管路中的上述過濾器之一次側之部分的控制信號，
若判斷上述返回管路內之塗布液之狀態不良之情況下，輸出使上述返回管路內之塗布液從上述排液管路被排出的控制信號。
依據上述(2)，針對送出至上述返回管路的經由過濾器過濾後的塗布液之狀態進行判斷，依據判斷結果，使上述塗布液或是返回供給管路中的過濾器之一次側或是進行排液。因此，可以抑制塗布液之消費量，而且可以供給更清淨的塗布液。
(3)於上述(2)記載的液供給裝置中，
對包含於上述塗布液的異物進行檢測的異物檢測部，係配設於上述返回管路中的比上述分歧點更上游側，
上述控制部構成為，依據上述異物檢測部之檢測結果，進行上述返回管路內之塗布液之狀態的判斷。
(4)於上述(2)記載的液供給裝置中，
上述控制部構成為，
以從上述處理液吐出部定期進行虛擬吐出的方式輸出控制信號，
根據是否已經過依據上述虛擬吐出之間隔而確定的期間，來進行上述返回管路內之塗布液之狀態的判斷。
(5)於上述(2)~(4)中任一項記載的液供給裝置中，
對包含於上述塗布液的異物進行檢測的另一異物檢測部，係配設於上述供給管路中的上述過濾器之一次側與二次側之兩方，
上述控制部構成為，依據上述另一異物檢測部之檢測結果，進行上述過濾器之狀態的判斷。
(6)於上述(1)記載的液供給裝置中，
上述處理液，係用於在被處理體上形成塗布膜的塗布液，
上述供給管路中，與上述處理液吐出部相反側之端部，係連接於貯存有上述塗布液的供給源，
該液供給裝置具備：
排液管路，從上述供給管路上之位於上述過濾器之一次側的分歧點分歧；及
異物檢測部，配設於上述供給管路中的上述分歧點之上游側，對該供給管路內之塗布液中包含的異物進行檢測；
上述控制部構成為，
作為上述判斷，係依據上述異物檢測部之檢測結果，進行上述供給源之狀態的判斷，
僅在判斷上述供給源之狀態良好之情況下，輸出使上述供給源內之塗布液供給至上述過濾器之一次側的控制信號。
依據上述(6)，依據供給管路中的通往排氣管路之分歧點之更上游側所設置的異物檢測部之檢測結果，進行塗布液供給源內之塗布液之狀態的判斷，依據該判斷結果，或是將上述塗布液供給至供給管路之下游側或是進行排液。因此，可以供給更清淨的塗布液。
(7)於上述(6)記載的液供給裝置中，
具有：循環管路，將上述供給管路中的上述異物檢測部之一次側與二次側連接，
上述控制部構成為，
輸出使通過上述異物檢測部的上述塗布液經由上述循環管路返回上述供給管路中的上述異物檢測部之一次側的控制信號，
依據上述異物檢測部之複數次之檢測結果，進行上述供給源之狀態的判斷。
(8)於上述(6)或(7)記載的液供給裝置中，
對包含於上述塗布液的異物進行檢測的另一異物檢測部，係配設於上述供給管路中的上述過濾器之一次側與二次側之兩方，
上述控制部，依據上述另一異物檢測部之檢測結果，進行上述過濾器之狀態的判斷。
(9)於上述(1)記載的液供給裝置中，
上述供給管路中，與上述處理液吐出部相反側之端部，係連接於設置有該液供給裝置的空間內配設的外部配管路，
該液供給裝置具備：分歧管路，其從位於上述供給管路上之上述外部配管路側之端部與上述過濾器之間的分歧點分歧；
上述控制部構成為，
作為上述判斷，進行經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態的判斷，
若判斷經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態不良之情況下，輸出限制經由上述外部配管路補充的處理液對上述供給管路中的比上述分歧點更下游側之供給的控制信號。
依據上述(9)，針對從外部配管路補充至分歧管路的處理液之狀態進行判斷，依據判斷結果，使上述處理液或是供給至供給管路中的比起與分歧管路之分歧點更下游側或是進行排液。因此，可以供給更清淨的處理液。
(10)於上述(9)記載的液供給裝置中，
具備：異物檢測部，配設於上述分歧管路，對該分歧管路內之處理液所包含的異物進行檢測，
上述控制部構成為，依據上述異物檢測部之檢測結果，對經由上述外部配管路補充的上述處理液之狀態進行判斷。
(11)於上述(10)記載的液供給裝置中，
具備：另一異物檢測部，對供給至上述供給管路中的上述分歧點之更下游側的上述處理液所包含的異物進行檢測，
上述異物檢測部的檢測對象之異物，和上述另一異物檢測部比較為較大，
上述控制部構成為，依據和上述另一異物檢測部比較時檢測對象之異物為較大的上述異物檢測部之檢測結果，對經由上述外部配管路補充的上述處理液之狀態進行判斷。
(12)於上述(10)或(11)記載的液供給裝置中，
上述分歧管路分歧為複數個配管路，在上述複數個配管路之中位於鉛直方向下方的配管路配設有上述異物檢測部。
(13)於上述(9)~(12)中任一項記載的液供給裝置中，
流通於上述分歧管路的上述處理液之流量，小於流通於上述供給管路的上述分歧點之更下游側之上述處理液之流量。
(14)於上述(9)~(13)中任一項記載的液供給裝置中，
具備：暫時貯存部，暫時貯存上述處理液，
上述控制部構成為，對應於將經由上述外部配管路補充的上述處理液供給至上述暫時貯存部的時序，對經由上述外部配管路補充的上述處理液之狀態進行判斷。
(15)於上述(9)~(14)中任一項記載的液供給裝置中，
上述控制部構成為，對應於經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態，來決定供給至上述處理液吐出部的上述處理液之經由上述過濾器之過濾次數。
(16)於上述(9)~(15)中任一項記載的液供給裝置中，
上述控制部構成為，對應於經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態，輸出報知該狀態的控制信號。
(17)於上述(10)記載的液供給裝置中，
具備：另一異物檢測部，對供給至上述供給管路中的上述分歧點之更下游側的上述處理液所包含的異物進行檢測，
上述控制部構成為，若上述另一異物檢測部判斷上述處理液之狀態為不良之情況下，和配設於上述分歧管路的上述異物檢測部之檢測結果對應地，決定處理液狀態改善處理之條件。
(18)於上述(10)或(11)記載的液供給裝置中，
上述控制部構成為，
依據配設於上述分歧管路的上述異物檢測部之檢測結果之隨時間變化，對異物產生模式進行界定，並進行和界定的上述異物產生模式對應的控制。
(19)於上述(16)記載的液供給裝置中，
上述控制部構成為，
依據上述另一異物檢測部之檢測結果之隨時間變化，對異物產生模式進行界定，並進行和界定的上述異物產生模式對應的控制。
(20)一種液供給方法，係將處理液供給至處理液吐出部的液供給方法，該處理液吐出部係對被處理體吐出處理液者，
於上述處理液吐出部連接有供給管路，
於上述供給管路配設有對上述處理液進行過濾並除去異物的過濾器，
該液供給方法具有以下工程：
針對供給至上述過濾器之一次側的處理液之狀態進行判斷的工程；
若判斷上述處理液之狀態為良好之情況下，進行該處理液對上述過濾器之一次側之供給的工程；及
若判斷上述處理液之狀態為不良之情況下，對該處理液進行排出的工程。
142‧‧‧吐出噴嘴
200‧‧‧阻劑液供給裝置
203‧‧‧過濾器
250‧‧‧塗布液供給管路
400‧‧‧液供給裝置
450‧‧‧處理液供給管路
M‧‧‧控制部
[圖1] 表示本實施形態的基板處理系統之構成之概略的平面圖。
[圖2] 表示本實施形態的基板處理系統之構成之概略的正面圖。
[圖3] 表示本實施形態的基板處理系統之構成之概略的背面圖。
[圖4] 表示阻劑塗布裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖5] 表示阻劑塗布裝置之構成之概略的橫剖面圖。
[圖6] 表示第1實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
[圖7] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之說明圖。
[圖8] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對泵之補充工程之說明圖。
[圖9] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係吐出工程之說明圖。
[圖10] 表示對阻劑液供供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係泵排氣工程之說明圖。
[圖11] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係泵排氣工程之另一說明圖。
[圖12] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係泵排氣工程之另一說明圖。
[圖13] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係過濾器排氣工程之另一說明圖。
[圖14] 表示第2實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
[圖15] 表示第3實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
[圖16] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之說明圖。
[圖17] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之另一說明圖。
[圖18] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之另一說明圖。
[圖19] 表示第4實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
[圖20] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之說明圖。
[圖21] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之另一說明圖。
[圖22] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之另一說明圖。
[圖23] 表示對阻劑液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之另一說明圖。
[圖24] 表示第5實施形態的阻劑液供給裝置之構成之概略的說明圖。
[圖25] 表示確認試驗3之試驗結果圖。
[圖26] 表示第6實施形態的液供給裝置之構成之概略的說明圖。
[圖27] 表示對液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係外部配管路之起動工程之說明圖。
[圖28] 表示對液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係起動結束判斷工程之說明圖。
[圖29] 表示對液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之說明圖。
[圖30] 表示對液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之吐出工程之說明圖。
[圖31] 表示對液供給裝置之構成之概略進行說明用的配管系統，係對緩衝槽之補充工程之另一例之說明圖。
[圖32] 表示第7實施形態的液供給裝置之構成之概略的說明圖。
[圖33] 表示第8實施形態的液供給裝置之構成之概略的說明圖。

Claims (20)

  1. 一種液供給裝置，係將處理液供給至處理液吐出部者，該處理液吐出部係對被處理體吐出處理液者，具備： 連接於上述處理液吐出部的供給管路； 過濾器，配設於上述供給管路，對上述處理液進行過濾並除去異物；及 控制部，構成為針對供給至上述過濾器之一次側的處理液之狀態進行判斷，並且在判斷上述處理液之狀態不良之情況下，將限制該處理液對上述過濾器之一次側之供給的控制信號進行輸出。
  2. 如申請專利範圍第1項之液供給裝置，其中 上述處理液，係用於在被處理體上形成塗布膜的塗布液， 該液供給裝置具備： 返回管路，將上述供給管路中的上述過濾器之二次側之部分與上述供給管路中的上述過濾器之一次側之部分連接；及 排液管路，從該返回管路上之分歧點分歧且到達和上述供給管路不同的部位； 上述控制部構成為， 輸出將經由上述過濾器過濾後的塗布液送出至上述返回管路的控制信號， 作為上述判斷，係進行上述返回管路內之塗布液之狀態的判斷， 若判斷上述返回管路內之塗布液之狀態良好之情況下，輸出使上述返回管路內之塗布液返回上述供給管路中的上述過濾器之一次側之部分的控制信號， 若判斷上述返回管路內之塗布液之狀態不良之情況下，輸出使上述返回管路內之塗布液從上述排液管路被排出的控制信號。
  3. 如申請專利範圍第2項之液供給裝置，其中 對包含於上述塗布液的異物進行檢測的異物檢測部，係配設於上述返回管路中的上述分歧點之更上游側， 上述控制部構成為，依據上述異物檢測部之檢測結果，進行上述返回管路內之塗布液之狀態的判斷。
  4. 如申請專利範圍第2項之液供給裝置，其中 上述控制部構成為， 以從上述處理液吐出部定期進行虛擬吐出的方式輸出控制信號， 根據是否已經過依據上述虛擬吐出之間隔而確定的期間，來進行上述返回管路內之塗布液之狀態的判斷。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之液供給裝置，其中 對包含於上述塗布液的異物進行檢測的另一異物檢測部，係配設於上述供給管路中的上述過濾器之一次側與二次側之兩方， 上述控制部構成為，依據上述另一異物檢測部之檢測結果，進行上述過濾器之狀態的判斷。
  6. 如申請專利範圍第1項之液供給裝置，其中 上述處理液，係用於在被處理體上形成塗布膜的塗布液， 上述供給管路中，與上述處理液吐出部相反側之端部，係連接於貯存有上述塗布液的供給源， 該液供給裝置具備： 排液管路，從上述供給管路上之位於上述過濾器之一次側的分歧點分歧；及 異物檢測部，配設於上述供給管路中的上述分歧點之上游側，對該供給管路內之塗布液中包含的異物進行檢測； 上述控制部構成為， 作為上述判斷，係依據上述異物檢測部之檢測結果，進行上述供給源之狀態的判斷， 僅在判斷上述供給源之狀態良好之情況下，輸出使上述供給源內之塗布液供給至上述過濾器之一次側的控制信號。
  7. 如申請專利範圍第6項之液供給裝置，其中 具有：循環管路，將上述供給管路中的上述異物檢測部之一次側與二次側連接， 上述控制部構成為， 輸出使通過上述異物檢測部的上述塗布液經由上述循環管路返回上述供給管路中的上述異物檢測部之一次側的控制信號， 依據上述異物檢測部之複數次之檢測結果，進行上述供給源之狀態的判斷。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之液供給裝置，其中 對包含於上述塗布液的異物進行檢測的另一異物檢測部，係配設於上述供給管路中的上述過濾器之一次側與二次側之兩方， 上述控制部，係依據上述另一異物檢測部之檢測結果，進行上述過濾器之狀態的判斷。
  9. 如申請專利範圍第1項之液供給裝置，其中 上述供給管路中，與上述處理液吐出部相反側之端部，係連接於設置有該液供給裝置的空間內配設的外部配管路， 該液供給裝置具備：分歧管路，從位於上述供給管路上之上述外部配管路側之端部與上述過濾器之間的分歧點分歧； 上述控制部構成為， 作為上述判斷，進行經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態的判斷， 若判斷經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態不良之情況下，輸出限制經由上述外部配管路補充的處理液對上述供給管路中的上述分歧點之更下游側之供給的控制信號。
  10. 如申請專利範圍第9項之液供給裝置，其中 具備：異物檢測部，配設於上述分歧管路，對該分歧管路內之處理液所包含的異物進行檢測， 上述控制部構成為，依據上述異物檢測部之檢測結果，對經由上述外部配管路補充的上述處理液之狀態進行判斷。
  11. 如申請專利範圍第10項之液供給裝置，其中 具備：另一異物檢測部，對供給至上述供給管路中的上述過濾器之更下游側的上述處理液所包含的異物進行檢測， 上述異物檢測部的檢測對象之異物，和上述另一異物檢測部的檢測對象之異物比較為較大， 上述控制部構成為，依據和上述另一異物檢測部比較時檢測對象之異物為較大的上述異物檢測部之檢測結果，對經由上述外部配管路補充的上述處理液之狀態進行判斷。
  12. 如申請專利範圍第10項之液供給裝置，其中 上述分歧管路分歧為複數個配管路，在上述複數個配管路之中位於鉛直方向下方的配管路配設有上述異物檢測部。
  13. 如申請專利範圍第9至12項中任一項之液供給裝置，其中 流通於上述分歧管路的上述處理液之流量，小於流通於上述供給管路的上述分歧點之更下游側之上述處理液之流量。
  14. 如申請專利範圍第9至12項中任一項之液供給裝置，其中 具備：暫時貯存部，暫時貯存上述處理液， 上述控制部構成為，對應於將經由上述外部配管路補充的上述處理液供給至上述暫時貯存部的時序，對經由上述外部配管路補充的上述處理液之狀態進行判斷。
  15. 如申請專利範圍第9至12項中任一項之液供給裝置，其中 上述控制部構成為，對應於經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態，來決定供給至上述處理液吐出部的上述處理液之經由上述過濾器之過濾次數。
  16. 如申請專利範圍第9至12項中任一項之液供給裝置，其中 上述控制部構成為，對應於經由上述外部配管路補充至該液供給裝置的上述處理液之狀態，輸出報知該狀態的控制信號。
  17. 如申請專利範圍第10項之液供給裝置，其中 具備：另一異物檢測部，對供給至上述供給管路中的上述分歧點之更下游側的上述處理液所包含的異物進行檢測， 上述控制部構成為，若上述另一異物檢測部判斷上述處理液之狀態不良之情況下，對應於配設於上述分歧管路的上述異物檢測部之檢測結果，決定處理液狀態改善處理之條件。
  18. 如申請專利範圍第10或11項之液供給裝置，其中 上述控制部構成為， 依據配設於上述分歧管路的上述異物檢測部之檢測結果之隨時間變化，對異物產生模式進行界定，並進行和界定的上述異物產生模式對應的控制。
  19. 如申請專利範圍第17項之液供給裝置，其中 上述控制部構成為， 依據上述另一異物檢測部之檢測結果之隨時間變化，對異物產生模式進行界定，並進行和界定的上述異物產生模式對應的控制。
  20. 一種液供給方法，係將處理液供給至處理液吐出部者，該處理液吐出部係對被處理體吐出處理液者， 於上述處理液吐出部連接有供給管路， 於上述供給管路配設有對上述處理液進行過濾並除去異物的過濾器， 該液供給方法具有以下工程： 針對供給至上述過濾器之一次側的處理液之狀態進行判斷的工程； 若判斷上述處理液之狀態為良好之情況下，進行該處理液對上述過濾器之一次側之供給的工程；及 若判斷上述處理液之狀態為不良之情況下，對該處理液進行排出的工程。
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