JP4806651B2 - ガスベアリング、およびそのようなベアリングを備えたリソグラフィ装置 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、ガスベアリング、およびそのようなベアリングを備えたリソグラフィ装置に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常は、基板のターゲット部分の上に所望のパターンを付与する装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。その場合、ＩＣの個別の層の上に形成されるべき回路パターンを生成するためにマスクまたはレチクルと二者択一的に呼ばれるパターニングデバイスが使用されてもよい。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）の上に転写されてもよい。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）層の上に結像させることによる。一般に単一の基板は、隣接する、順次パターン化される網目状のターゲット部分を含むことになる。従来のリソグラフィ装置には、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光することによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、照射ビームを横切って、所与の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンし、同時にこれと同期的に基板をこのスキャン方向と平行に、または非平行にスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。やはり、基板上にパターンをインプリントすることによって、パターンをパターニングデバイスから基板に転写することが可能である。

[0003] リソグラフィ装置は多くの移動部分を含み、そこでは、場合により移動へのあらかじめ定められた設定値プロファイルによって、比較的大きな質量を高速、かつ高精度で特定の位置に移動させる。移動部分をフレーム部分に対して移動させるべきで、そのフレーム部分は、順に別のフレーム部分に対して移動可能であってもよい。例えば、基板を移送する基板支持体を有する基板ステージに言及される。基板の寸法が相当程度であることがあり、このことから基板支持体の寸法および重量はかなりの程度となる。

[0004] 時間と共に位置の必要な変化と必要な精度をともなって、移動部分が確実に滑らかな移動をするために、移動部分はその関連のフレーム部分に関してガスベアリングによって支持される。ガスベアリングは、互いに高度に相補的な２つの表面を含む。面は、通常平坦、かつまっすぐであるが、曲がっていても、または断面で見たとき例えばＶ字形でもよい。表面間のガスフィルムにより、関連のフレーム部分に対して移動部分のほとんど摩擦のない移動が可能になるように維持される。

[0005] 従来技術では、互いに、かつ強磁性フレーム部分に対して移動可能であるべきマグネット板に連結された１つまたは複数のガスベアリング部分から成るガスベアリングアセンブリが、使用されていた。マグネット板は永久磁石を含み、ガスベアリング部分をフレーム部分の方に引き寄せている。したがって事前に張力、またはロードをかけたガスベアリングが得られる。しかし、ガスベアリング部分とマグネット板の合わせた表面積を含むために、そのようなガスベアリングアセンブリに必要なフレーム部分の上の表面積は比較的大きい。更なる欠点は、ガスベアリングアセンブリに必要な剛性であり、その結果、移動部分に質量が付加されることで、比較的嵩張った構造になってしまう。

[0006] 事前に張力、またはロードをかけたガスベアリングが小さな寸法で実現されることが望ましい。

[0007] 本発明の一実施形態によれば、第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間のギャップと、ギャップにガスを供給するガス供給デバイスとを含み、第１ベアリング部分が強磁性材料を含み、第２ベアリング部分が第１ベアリング部分の強磁性材料と相互作用する少なくとも１つの永久磁石を含むガスベアリングが提供されている。

[0008] 本発明の別の実施形態によれば、パターンをパターニングデバイスから基板に転写するように配置されたリソグラフィ装置が提供されており、その装置は、少なくとも１つのガスベアリングを有し、そのガスベアリングは、第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間のギャップと、ギャップにガスを供給するガス供給デバイスとを含み、第１ベアリング部分は強磁性材料を含み、第２ベアリング部分は第１ベアリング部分の強磁性材料と相互作用する少なくとも１つの永久磁石を含む。

[0009] 本発明の別の実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたパターニング支持体であって、パターン付き放射ビームを形成してその断面内にパターンを有する放射ビームを付与可能であるパターニングデバイスと、基板を支持するように構成された基板支持体と、基板のターゲット部分の上にパターン化放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供されており、パターニング支持体および基板支持体の少なくとも１つがガスベアリングを含み、そのガスベアリングは、第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間のギャップと、ギャップにガスを供給するガス供給デバイスとを含み、第１ベアリング部分は強磁性材料を含み、第２ベアリング部分は第１ベアリング部分の強磁性材料と相互作用する少なくとも１つの永久磁石を含む。

[0010] 本発明の一実施形態では、強磁性材料を含みかつ第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、少なくとも１つの永久磁石を受けるように適合したフレームを含みかつ第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間に延在するギャップにガスを供給するように構成されたガス供給デバイスとを含むガスベアリングが提供されており、第２ベアリング部分の少なくとも１つの永久磁石は、第１ベアリング部分の強磁性材料とフレームの一部を介してギャップを減少させるように相互作用する。

[0011] 本発明の別の実施形態では、第２部分に対して第１部分を移動させる方法が提供されており、第１部分は第１ベアリング表面を画定しかつ強磁性材料を含み、第２ベアリング部分は少なくとも１つの永久磁石を受けるように適合したフレームを含み、その方法は、第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間のギャップ内にガスの流れをもたらし、第１ベアリング部分の少なくとも１つの永久磁石と第２ベアリング部分の強磁性材料の間にフレームの一部を介してギャップを減少させるように磁気的相互作用を引き起こすことを含む。

[0012] 一実施形態では、強磁性材料を含みかつ第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、少なくとも１つの永久磁石を受けるように適合したフレームを含みかつ第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間に延在するギャップにガスを供給するように構成されたガス供給デバイスとを含むガスベアリングが提供されており、第２ベアリング部分の少なくとも１つの永久磁石は、第１ベアリング部分の強磁性材料とフレームの一部を介して前記ギャップを減少させるように相互作用する。

[0013] 別の実施形態では、第２部分に対して第１部分を移動させる方法が提供されており、第１部分は第１ベアリング表面を画定しかつ強磁性材料を含み、第２部分は第２ベアリング表面を画定しかつ少なくとも１つの永久磁石を収容するように適合させたフレームを含み、その方法は、第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間にギャップを生ずるようにそれらの間にガスを供給すること、および第１部分の少なくとも１つの永久磁石と第２部分の強磁性材料の間にフレームの一部を介してギャップを減少させるように磁気的相互作用を生じさせることを含む。

[0014] 次に、本発明の実施形態が、対応する参照符号が対応する部品を表す添付の概略図面を参照して単に例として説明されるであろう。

[0020] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に図示する。その装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射または他の任意の適切な放射）を調整するように構成されている照明システム（照明装置）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに接続されているマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。装置は、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、一定のパラメータに従って正確に基板を位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに接続されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板支持体」も含む。装置は、さらに基板Ｗの（例えば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃの上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折式投影レンズシステム）ＰＳを含む。

[0021] 第１位置決めデバイスＰＭおよび第２位置決めデバイスＰＷは、例えば図２、図３および／または図４を参照して以下に詳述される本発明の実施形態による１つまたは複数のガスベアリングを含んでよい。リソグラフィ装置の別の移動要素または他の類似の装置が、やはり本発明の実施形態による１つまたは複数のガスベアリングを含んでよい。

[0022] 照明システムは、放射を誘導し、成形し、または制御する屈折式、反射式、磁気的、電磁気的、静電気的、または他の種類の光学要素、またはそれらの任意の組合せなどの様々な種類の光学要素を含んでよい。

[0023] マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持する、つまりその重量を支える。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境に維持されるか否かなどの他の条件により決まるやり方でパターニングデバイスを保持する。マスク支持構造は、パターニングデバイスを保持するのに、機械的、真空式、静電気的、または他のクランプ技法を用いることができる。マスク支持構造は、例えば、必要に応じて固定することも動かすこともできるフレームまたはテーブルであってもよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに関して確実に所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で用語「レチクル」または「マスク」を使用する場合はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義とみなされてもよい。

[0024] 本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生成するようにその断面内にパターンを有する放射ビームを与えるのに使用されてもよい任意の装置を指すものと広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンが、例えば、位相シフト特徴またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しないことがあることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス中の特定の機能層に一致することになる。

[0025] パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、様々な種類のハイブリッドマスクと同様にバイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフト、およびＡｔｔｅｎｕａｔｅｄ型位相シフトなどの種類のマスクを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、それぞれが入射してくる放射ビームを別の方向に反射するように個々に傾斜可能である小さなミラーのマトリックス配列を使用する。傾斜（ｔｉｌｔｅｄ）ミラーが、ミラーマトリックスによって反射される放射ビーム中にパターンを与える。

[0026] 本明細書で使用される用語「投影システム」は、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気的、電磁気的、および静電気的光学システムを含み、あるいは、使用される露光放射に適した、または液浸液を使用するのか、真空を使用するのかなど他の要因に適した、それらの任意の組合せをも含む、どんな種類の投影システムも包含するものと広く解釈されるべきである。本明細書で、用語「投影レンズ」を使用する場合はどれも、より一般的な用語「投影システム」と同義とみなされてもよい。

[0027] 本明細書に図示されているように、装置は透過型（例えば、透過マスクを使用する）である。代替的に装置は反射型（例えば、上で参照したようなプログラマブルミラーアレイを使用するか、反射マスクを使用する）でもよい。

[0028] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）、または、それより多い基板テーブルまたは「基板支持体」（および／または、２つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持体」）を有する形式でもよい。このような「マルチステージ」の装置では追加のテーブルまたは支持体は並行して使用されてよく、つまり、予備的なステップが１つまたは複数のテーブルまたは支持体上で実行され、一方、他の１つまたは複数のテーブルまたは支持体が露光のために使用されてもよい。

[0029] リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすために、少なくとも基板の一部分が相対的に高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆われることがある形式のものでもよい。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの間にも適用できる。液浸技法は、投影システムの開口数を増加させるために使用することができる。本明細書で使用される用語「液浸」は、一構成、例えば基板が、液体中に浸漬されなければならないことを意味するのでなく、むしろ露光の間に投影システムと基板の間に液体が配置されることだけを意味する。

[0030] 図１を参照すると、照明装置ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合は、別々の要素でよい。そのような場合は、放射源が、リソグラフィ装置の部分を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビーム誘導システムＢＤを使って放射源ＳＯから照明装置ＩＬへ送達される。他の場合では、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、一体型リソグラフィ装置の一部であってもよい。放射源ＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム誘導システムＢＤと共に、放射システムと呼ばれてもよい。

[0031] 照明装置ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成された調整器ＡＤを含むことができる。一般に、照明装置の瞳面内での強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ−ｏｕｔｅｒ、およびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）が調整されてもよい。さらに、照明装置ＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの種々の他の要素を含むことができる。照明装置は、その断面内に所望の均一性と強度分布を有するように放射ビームを調整するために使用されてもよい。

[0032] 放射ビームＢは、マスク支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクＭＡを横断して、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃの上にビームを焦点合せする投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、基板テーブルＷＴが、例えば放射ビームＢの経路内に別のターゲット部分Ｃを位置合せするために、正確に移動されてもよい。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されてない）が、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャンの間に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めするために使用されてもよい。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現されてもよい。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の移動は、第２位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されてもよい。ステッパの場合には（スキャナとは違って）マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続され、あるいは固定されてもよい。マスクＭＡと基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合せ可能である。図示されたように基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めているが、それらはターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい（これらは、けがき線アライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが提供される場合には、マスクアライメントマークがダイの間に配置されてもよい。

[0033] 図示された装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用されてもよい。

[0034] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」ならびに基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」は本質的に静止状態に維持され、一方、放射ビームに付与された全パターンは一挙にターゲット部分Ｃの上に投影（即ち、単一静止露光）される。次いで、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」が、別のターゲット部分Ｃが露光可能となるようにＸおよび／またはＹ方向に位置を変えられる。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃの寸法を制限する。

[0035] ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」ならびに基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」は、同期してスキャンされ、一方、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される（即ち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率およびイメージ反転特性によって決定されてもよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一動的露光内のターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を制限し、一方、スキャン動作の長さが、ターゲット部分の高さ（スキャン方向の）を決定する。

[0036] ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」が、プログラマブルパターニングデバイスを本質的に静止状態に保持し続け、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」が移動され、あるいはスキャンされて、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される。このモードでは、一般にパルス化された放射源が使用され、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の各移動後、あるいはスキャンの間の連続する放射パルスの合間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述した形式のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。

[0037] 前述の使用モードについての組合せ、および／または変形形態、あるいは全く異なる使用モードが、やはり使用されてもよい。

[0038] 図２は、本発明の一実施形態によるガスベアリングを図示しており、概略的に図示した第１ベアリング部分２と、より詳細に図示した第２ベアリング部分４とを含む。第１ベアリング部分２と、第２ベアリング部分４は、互いに対して双方向矢印６によって示されたどちらの方向にも移動可能であり、また、ベアリング構成が、矢印６に対してある角度で、あるいは回転させられる向きなどで提供される場合には、別の方向に移動可能である。特定の参照フレームに対して考慮される場合には、第１ベアリング部分２は、静止していてよく、一方、第２ベアリング部分４は、第１ベアリング部分２に対して移動可能である。しかし、異なる参照フレームが考慮される場合には、第２ベアリング部分４は、静止していてよく、一方、第１ベアリング部分２は、第２ベアリング部分４に対して移動可能である。さらに、なお別の参照フレームが考慮される場合には、第１ベアリング部分２と第２ベアリング部分４が共に、後の参照フレームに対して移動可能である。

[0039] 第１ベアリング部分２は、強磁性材料を含む、つまり少なくとも部分的に強磁性材料で作られる。例として、強磁性材料が第１ベアリング部分２上に層として付けられていても、あるいは特に第２ベアリング部分４に面している第１ベアリング部分２の側面で、第１ベアリング部分２上にストリップ、またはプレートとして固定されて（つまり、接着され、溶接され、ねじ止めされるなどして）いてもよい。第１ベアリング部分２は、全部強磁性材料で作られていてもよい。

[0040] 図２、図３、図４および図５に図示されているように、第２ベアリング部分４は、第１ベアリング部分２と向き合っていない第１側面１０と、第１ベアリング部分２に面している第２側面１２とを有する下部壁面８を含む。第２ベアリング部分４に面している第１ベアリング部分２の側面１４は、第１ベアリング表面を形成し、一方、下部壁面８の第２側面１２は、ガスベアリングの第２ベアリング表面を形成する。

[0041] 第２ベアリング部分４は、複数のボンディング領域２２を介して下部壁面８にそれぞれ固定される複数の永久磁石２０を備えている。例えば、図２および図４では、３つの長方形ボンディング領域が図示されている。しかし、１つ、２つ、または３つより多い異なる形状を有するかもしれないボンディング領域がやはり使用されてもよい。ボンディング領域２２は、接着剤層を含んでよい。

[0042] 永久磁石２０は、図２に図示されたように、複数のサブ磁石２４を含んでよい。図２は、交互に方向が変わる磁化、または磁気分極を有し、第２ベアリング部分４の下部壁面８の側面１０、１２に対し、あるいは第１ベアリング部分２の側面１４の平面に対し実質的に直角（つまり、ほぼ垂直）に向けられた４つのサブ磁石２４を有する実施形態を図示している。代替的に、図４に実線の矢印によって図示されているように、サブ磁石２４の磁化の方向が、第２ベアリング部分４の下部壁面８の側面１０、１２または第１ベアリング部分２の側面１４の平面に対し傾けられていてもよく、したがって、第１または第２ベアリング表面にほぼ平行な方向にゼロ以外の成分を有し、かつ第１または第２ベアリング表面に対しほぼ直角（つまりほぼ垂直）方向にゼロ以外の成分を有することがある。下部壁面８の第１側面１０に向き合っていない永久磁石２０の側面に、永久磁石２０は、少なくとも部分的に強磁性材料で作られたヨーク部分２６を備えている。

[0043] 永久磁石２０は、磁気吸引を介して第１ベアリング部分２と相互作用し、したがって第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間のギャップを減少させように作用する力が働く。

[0044] ボンディング領域２２は、互いに向き合う永久磁石２０の表面（つまり、サブ磁石２４の組合せ表面）と、下部壁面８の第１側面１０内の任意の凹凸を補償することができる。このようにして、下部壁面８と永久磁石２０の膨張係数の差に起因する任意の温度効果を減少させることができる。さらに、永久磁石２０毎に複数のボンディング領域２２を使用することで、第１ベアリング部分２と相互作用する永久磁石２０によって働く任意の力が、下部壁面８の表面にわたって均一に広げられる。

[0045] 第２ベアリング部分４は、下部壁面８を支持する、異なる構成の、互いに部分的に交差しているリブ２８を含む。

[0046] ガスが、ガス供給デバイス２９（それ自体既知であり、単に概略的に示した）からガスインプット３０およびリブ２８中のダクト３２を通して第２ベアリング表面、つまり、第２ベアリング部分４の下部壁面８の第２側面１２に導かれ第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間のギャップに供給される。代わりに、あるいは追加的に、ガスが第１ベアリング部分２（図には示されていない細部）中に設けられたダクトを通して第１ベアリング表面と第２ベアリング表面の間のギャップに供給されてもよい。

[0047] 第１ベアリング部分２と第２ベアリング部分４を含めガスベアリング内に永久磁石２０を一体化することで、小さな表面積と比較的小さな質量を有して事前に張力をかけたガスベアリングがもたらされる。

[0048] ガスベアリングは、互いに高度に相補的である２つの表面を含む。前述の実施形態で図示されたように面は、通常平坦、かつまっすぐであるが、曲がっていても、または断面で見たときに例えばＶ字形でもよい。

[0049] ガスベアリングは、図１を参照して前述したようなリソグラフィ装置、または他の任意の型のリソグラフィ装置内で使用されてもよい。ガスベアリングは、ガスベアリングを用いている別の種類の装置内にも用途を見出す。

[0050] 本発明の実施形態によるガスベアリングは、空気または窒素ガスなど、これらに限らない任意のガスが用いられてもよい。

[0051] 本明細書では、ＩＣ製造でのリソグラフィ装置の使用に対し特定の参照が為されてもよいが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の用途を有することができることを理解されたい。そのような代替の適用分野の文脈においては、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用はいずれもより一般的な「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義とみなされてもよいことを、当業者は理解するであろう。ここで呼ばれる基板は、露光前にまたはその後に、例えばトラック（ｔｒａｃｋ）（一般的に基板にレジスト層を付け、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてもよい。適用可能である場合には、本発明の開示は、そのようなおよび他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、基板は２回以上、例えば多層ＩＣを生成するために処理されてよく、したがって本明細書で使用される用語、基板は、既に複数の処理された層を含む基板を指すこともある。

[0052] 特定の参照が、光学リソグラフィの文脈で、本発明の実施形態の使用について上で為されたかもしれないが、本発明は他の適用分野、例えばインプリントリソグラフィに使用されることがあり、また文脈が許せば光学リソグラフィに限られないことも理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給したレジスト層中に押し付けられ、基板上のレジストは電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化させることができる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、そこにパターンを残してレジストから取り外される。

[0053] 本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームと同様に紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、または約これらの波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含する。

[0054] 用語「レンズ」は、文脈が許せば、屈折式、反射式、磁気的、電磁気的および静電気的光学要素を含む様々な種類の光学要素の任意の１つまたは組合せを指すことがある。

[0055] 本発明の特定の実施形態が前述されてきたが、本発明は説明したのとは別のやり方で実施されてもよいことを理解されるであろう。

[0056] 本明細書で使用される用語「ａ」または「ａｎ」は、１または１より多いと定義されている。本明細書で使用される複数（ｐｌｕｒａｌｉｔｙ）は２または２より多いと定義されている。本明細書で使用される用語「別の（ａｎｏｔｈｅｒ）」は、少なくとも２番目以降と定義されている。本明細書で使用される用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および／または「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「包含する（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」（つまり、オープンランゲージ）として定義されている。

[0057] 前述の説明は、例示であることを意図したものであって、限定するものでない。したがって、別に詳述される特許請求の範囲と趣旨を逸脱することなく、説明した本発明に対して変更が為され得ることは当業者には明らかであろう。

[0015]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す概略図である。 [0016]本発明の一実施形態によるベアリングを示す分解斜視図である。 [0017]組み立てた状態で図２のベアリングの一部分を示す斜視図である。 [0018]本発明の一実施形態による組立部品のサブ磁石を示す側面図である。 [0019]本発明の一実施形態による図３の組み立て後のベアリングの線Ｖ−Ｖに沿った断面図である。

Claims (10)

1. 第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、前記第１ベアリング表面と前記第２ベアリング表面の間のギャップと、前記ギャップにガスを供給するように構成されたガス供給デバイスと、を備えるガスベアリングであって、
   前記第１ベアリング部分が、強磁性材料を有し、
   前記第２ベアリング部分が、前記第１ベアリング部分の前記強磁性材料と相互作用するように構成された複数の永久磁石を有し、
   前記第２ベアリング部分が、下部壁面を有し、前記下部壁面が、前記永久磁石を支持する第１側面および前記第２ベアリング表面を形成する第２側面を含み、前記第２ベアリング表面は、前記永久磁石と前記第１ベアリング表面との間に配置されており、
   前記複数の永久磁石のそれぞれは、相互に間隔を空けて配置された複数のボンディング領域を介して、前記第２ベアリング部分の前記下部壁面に固定されている、
   ガスベアリング。
2. 前記ガス供給デバイスが、前記第２ベアリング部分中に複数のガスダクトを有し、
   前記ガスダクトが、前記第２ベアリング表面で開いている、
   請求項１に記載のガスベアリング。
3. 前記第２ベアリング部分が、前記永久磁石に隣接する前記下部壁面の前記第１側面から延在する複数のリブを有する、
   請求項１に記載のガスベアリング。
4. 前記永久磁石が、前記第２ベアリング表面にほぼ垂直な交互に方向が変わる磁化を有する複数のサブ磁石を含む、
   請求項１に記載のガスベアリング。
5. 前記永久磁石が、複数のサブ磁石を有し、
   前記サブ磁石の磁化方向が、前記第２ベアリング表面又は前記第２ベアリング表面にほぼ垂直な平面に対して傾けられている、
   請求項１に記載のガスベアリング。
6. 前記永久磁石が、強磁性材料からなるヨーク部分を有し、
   前記ヨーク部分は、前記永久磁石の前記第２ベアリング表面と反対側の面に位置している、
   請求項１に記載のガスベアリング。
7. パターンをパターニングデバイスから基板上に転写するように構成され、ガスベアリングを備えるリソグラフィ装置であって、
   前記ガスベアリングは、
   第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、前記第１ベアリング表面と前記第２ベアリング表面の間のギャップと、前記ギャップにガスを供給するように構成されたガス供給デバイスと、を含み、
   前記第１ベアリング部分が、強磁性材料を有し、
   前記第２ベアリング部分が、前記第１ベアリング部分の前記強磁性材料と相互作用するように構成された複数の永久磁石を有し、
   前記第２ベアリング部分が、下部壁面を有し、前記下部壁面が、前記永久磁石を支持する第１側面および前記第２ベアリング表面を形成する第２側面を含み、前記第２ベアリング表面は、前記永久磁石と前記第１ベアリング表面との間に配置されており、
   前記複数の永久磁石のそれぞれは、相互に間隔を空けて配置された複数のボンディング領域を介して、前記第２ベアリング部分の前記下部壁面に固定されている、
   リソグラフィ装置。
8. 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたパターニング支持体であってパターン付き放射ビームを形成してその断面内にパターンを有する前記放射ビームを付与可能であるパターニングデバイスと、基板を支持するように構成された基板支持体と、前記基板のターゲット部分の上に前記パターン化放射ビームを投影するように構成された投影システムと、を備えるリソグラフィ装置であって、
   前記パターニング支持体、前記基板支持体、または両方が、ガスベアリングを有し、
   前記ガスベアリングは、
   第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、前記第１ベアリング表面と前記第２ベアリング表面の間のギャップと、前記ギャップにガスを供給するように構成されたガス供給デバイスと、を含み、
   前記第１ベアリング部分が、強磁性材料を有し、
   前記第２ベアリング部分が、前記第１ベアリング部分の前記強磁性材料と相互作用するように構成された複数の永久磁石を有し、
   前記第２ベアリング部分が、下部壁面を有し、前記下部壁面が、前記永久磁石を支持する第１側面および前記第２ベアリング表面を形成する第２側面を含み、前記第２ベアリング表面は、前記永久磁石と前記第１ベアリング表面との間に配置されており、
   前記複数の永久磁石のそれぞれは、相互に間隔を空けて配置された複数のボンディング領域を介して、前記第２ベアリング部分の前記下部壁面に固定されている、
   リソグラフィ装置。
9. 強磁性材料を含みかつ第１ベアリング表面を画定する第１ベアリング部分と、複数の永久磁石を受けるように適合したフレームを含みかつ第２ベアリング表面を画定する第２ベアリング部分と、前記第１ベアリング表面と前記第２ベアリング表面の間のギャップにガスを供給するように構成されたガス供給デバイスと、を備えるガスベアリングであって、
   前記第２ベアリング部分が、下部壁面を有し、前記下部壁面が、前記永久磁石を支持する第１側面および前記第２ベアリング表面を形成する第２側面を含み、前記第２ベアリング表面は、前記永久磁石と前記第１ベアリング表面との間に配置されており、
   前記第２ベアリング部分の前記複数の永久磁石が、前記第１ベアリング部分の前記強磁性材料と前記フレームの一部を介して前記ギャップを減少させる相互作用をするように構成されており、
   前記複数の永久磁石のそれぞれは、相互に間隔を空けて配置された複数のボンディング領域を介して、前記第２ベアリング部分の前記下部壁面に固定されている、
   ガスベアリング。
10. 第１ベアリング表面を画定しかつ強磁性材料を含む第１部分を、第２ベアリング表面を画定しかつ複数の永久磁石を受けるように適合したフレームを含む第２部分に対して移動させる方法であって、
    前記第２部分が、下部壁面を有し、前記下部壁面が、前記永久磁石を支持する第１側面および前記第２ベアリング表面を形成する第２側面を含み、前記第２ベアリング表面は、前記永久磁石と前記第１ベアリング表面との間に配置されており、
    前記複数の永久磁石のそれぞれは、相互に間隔を空けて配置された複数のボンディング領域を介して、前記第２部分の前記下部壁面に固定されており、
    前記第１ベアリング表面と前記第２ベアリング表面の間にギャップを生ずるように前記第１ベアリング表面と前記第２ベアリング表面の間にガスを供給すること、および、
    前記第２部分の前記複数の永久磁石と前記第１部分の前記強磁性材料の間に前記フレームの一部を介して前記ギャップを減少させるために磁気的相互作用を生じさせること、を含む、
    方法。

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