JP2006339634A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスク・マスキング機器のブレードは放射を遮断する際に、投影ビームからかなりの量のエネルギーを吸収することによる熱の問題を回避又は軽減するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの反射性の手段又はブレードを含むマスク・マスキング機器ＭＤを提供する。反射性ブレードは走査Ｙ方向において使用され、かつ、投影ビームを横切って移動するミラー付ブレードを含む。反射性ブレードは、リソグラフィ装置内のマスク又はレチクルＭＡのための有効スリットを照明システムＩＬ内に設ける。
【選択図】図１

Description

本発明はリソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。本発明はさらにリソグラフィ装置に使用するためのマスク又はレチクル・マスキング機器に関する。

リソグラフィ装置は基板の目標部分上に所望のパターンを施す装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。その状況において、代わりにマスク又はレチクルとも呼ばれるパターン形成手段を、ＩＣの別個の層に対応する回路パターンを生成するために使用することができ、このパターンは放射感応材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の（例えば、１つ又は数個のダイといった部分を含む）目標部分上に画像形成することができる。一般に、単一の基板は連続して露光される隣接した目標部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置は、１回の工程実施において目標部分上にパターン全体を露光することにより各目標部分が照射される所謂ステッパ、及び、所与の方向（以下、「走査」方向）において投影ビームを介してパターンを走査することにより各目標部分が照射される間に、これと同期して、この方向と平行又は逆平行に基板を走査する所謂スキャナを含む。

従来技術のリソグラフィ装置は、
・放射の投影ビームを供給するための照明システムであって、使用の際に投影ビームが通過する焦点面を規定する照明システムと、
・パターン形成手段を１つの場所に支持するための支持構造体であって、パターン形成手段は所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成するために機能する支持構造体と、
・投影ビームからパターン形成手段の少なくとも一部を覆い隠すためのマスキング機器であって、前記場所に関して第１の方向において当該場所の一部を覆い隠すように構成された第１のマスキング手段と、前記場所に関して第２の異なった方向において当該場所の一部を覆い隠すように構成された第２のマスキング手段とを含むマスキング機器と、
・基板を保持するための基板テーブルと、
・パターン形成されたビームを基板の目標部分上に画像形成するための投影システムとを含む。

用語「パターン形成手段」は、基板の目標部分内に作成されるべきパターンに対応するパターン形成された断面を入来放射ビームに与えるために使用することができる手段を指すとして広く解釈されるべきであり、用語「光弁」もこの状況において使用されている。一般に、パターンは、集積回路又は他のデバイス（以下を参照）などの目標部分内に作成されつつあるデバイスにおける特定の機能層に対応する。そのようなパターン形成手段は、
・マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいては十分に知られており、かつ、二値、交番位相シフト、及び、減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、並びに、様々な混成マスク・タイプを含む。放射ビーム内へのこのようなマスクの設置は、マスク上のパターンに従って、マスク上に突き当たる放射の選択的な（透過型マスクの場合には）透過、又は、（反射型マスクの場合には）反射をもたらす。マスクの場合、支持構造体は一般にマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルは、マスクが入来放射ビーム内の所望の位置に保持され得ること、及び、所望であればマスクがビームを基準として移動され得ることを確実にする。
・プログラム可能ミラー・アレイ。このような機器の実施例は、粘弾性を持つ制御層及び反射性表面を有するマトリクス・アドレス可能表面である。このような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射性表面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射するのに対して、アドレスされていない領域は入射光を未回折光として反射することである。適切なフィルタを使用すると、未回折光は反射ビームから濾過され得て、回折光のみを残し、このようにして、ビームはアドレス可能表面のアドレスしているパターンに従ってパターン形成される。プログラム可能ミラー・アレイの代案実施例は小さなミラーのマトリクス配列を採用しており、ミラーの各々は、適した局所電場を印加することにより、又は、圧電作動手段を採用することにより、軸について個別に傾けることができる。再び、ミラーは、アドレスされたミラーがアドレスされていない各ミラーに異なった方向において入来放射ビームを反射し、このようにして、反射ビームはマトリクス・アドレス可能なミラーのアドレスしているパターンに従ってパターン形成されるように、マトリクス・アドレス可能である。必要なアドレスは適した電子的手段を使用して実行することができる。
・プログラム可能ＬＣＤアレイ。上記のように、この場合の支持構造体は、例えば必要に応じて固定又は可動とされ得るフレーム又はテーブルとして実施することができる。とを含む。

簡略にするために、本文の残り部分は、特定の位置においてマスク及びマスク・テーブルを含む実施例を特に志向することがあるが、そのような事例において討論される一般原理は、上記に述べられた如くのパターン形成手段のより広い状況において理解されるべきである。

簡略にするために、投影システムは、以下、「投影レンズ」又は「レンズ」と呼ばれることがあるが、この用語は、例えば屈折性光学系、反射性光学系、及び、反射屈折系を含む様々なタイプの投影システムを包含するとして広く解釈されるべきである。放射システムも、放射の投影ビームを差向け、整形し、かつ、制御するためのこれらの設計タイプのいずれかに従って動作する構成部分を含むことができ、このような構成部分も、以下、まとめて又は単独で「レンズ」と呼ぶことができる。さらに、リソグラフィ装置は２つ又は３つの基板テーブル（及び／又は、２つ若しくは３つのマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることができる。このような「多ステージ」機器において、追加のテーブルは並行して使用することができるか、又は、１つ又は複数のテーブルが露光に対して使用されている間、準備工程を他の１つ又は複数のテーブル上で実行することができる。

リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。このような場合、パターン形成手段はＩＣの個別の層に対応した回路パターンを生成することができ、このパターンは、放射感応材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコン・ウェハ）上の（１つ又は複数のダイを含む）目標部分上に画像形成することができる。一般に、単一のウェハは、１回に１つずつ、投影システムを介して連続して照射される隣接した目標部分のネットワーク全体を含む。従来技術の装置において、マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成を採用すると、２つの異なったタイプの装置間に区別を付けることができる。１つのタイプのリソグラフィ投影装置において、各目標部分は、１回の工程実施において目標部分上にマスク・パターン全体を露光することにより各目標部分が照射される。このような装置は一般にウェハ・ステッパと呼ばれる。ステップ・スキャン装置と一般に呼ばれる代案装置において、各目標部分は、所与の参照方向（以下、「走査」方向）において投影ビーム下でマスク・パターンを漸進的に走査することにより照射される一方、これと同期して、この方向と平行又は逆平行に基板テーブルを走査する。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に＜１）を有し、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度のＭ倍である。

マスクの特定の部分のみが基板への投影ビームにより画像形成されることを確実にすることが、しばしば所望又は必要とされる。例えば、マスクは、与えられた露光に対して１つのみが使用される２つ以上のパターンを含むことができる。迷光が基板に突き当たることを停止することもしばしば所望又は必要とされる。この機能を使用したリソグラフィ投影システムにおいて、その機能は、照明器内の中間平面にレチクル・マスキング機器を設けることにより代表的に達成されている。

現在、２つのタイプのレチクル・マスキング方式がある。すなわち、ステッパ・システムにおける静止露光に対するマスキング、及び、ステップ・スキャン装置における走査露光に対するマスキングである。マスクが照明器に関して固定されているステッパ・システムにおいて、レチクル・マスキング機器はマスクに隣接して設けられ、かつ、照明器及びマスクに関して固定もされている。静止露光において、マスクの一部は、露光の持続時間中にわたり照明ビームから遮断されている。マスクが照明器に関して可動であるステップ・スキャン・システムにおいて、レチクル・マスキング機器はマスクに隣接して設けられ、かつ、照明器及びマスクに関しても可動である。走査露光において、マスクの一部は所定の時間長にわたり遮断される。

レチクル・マスキング機器は少なくとも１つの可動ブレードを含むことができる。特定の機器においては、２セットの可動ブレードが設けられている。代表的に、２セットのブレードは支持フレームに機械的に結合され、各支持体は共通のフレームに搭載されている。したがって、これらのセットのブレードは機械的に互いに結合されている。

図１はレチクル・マスキング機器（マスキング機器）ＭＤを含むリソグラフィ装置の全体を示す。図１のリソグラフィ投影装置において、光源ＳＯからの放射はパターン形成手段ＭＡを介して投影ビームＰＢとして透過され、かつ、続いて、目標部分Ｃ上に投影システムＰＳにより画像形成される。代表的に、パターン形成手段ＭＡは目標部分Ｃ上に選択的に画像形成することができる複数の回路パターンを含む。パターン形成手段ＭＡは、基板Ｗの不要な露光を防止するために、回路パターンの周囲の境界領域に、通常はクロムの吸収層を有する。加えて、マスキング機器ＭＤは、投影ビームＰＢが以下の理由の１つのために入射するパターン形成手段ＭＡの領域を制限するために使用することができる。
・広い（高価な）境界領域を有する必要性を除去するため。
・遮断しなければ境界領域ピンホールを介して漏出する可能性のある光を遮断するため。
・パターン形成手段ＭＡ全体の選択された回路のみが露光されることを可能にするため。
・位置合わせマーク（Ｍ１、Ｍ２）がウェハ上に印刷されないように、パターン形成手段ＭＡ上の位置合わせマーク（Ｍ１、Ｍ２）を選択的に遮断するため。

マスキング機器ＭＤが、好ましくは、パターン規制手段ＭＡに近接して、又は、パターン形成手段ＭＡ上に画像形成される平面（パターン形成手段の共役平面）内のいずれかに配置されていることに注意されたい。本発明において、第２の選択肢は、マスキング機器ＭＤ駆動手段に対する余地に対する実践的な必要性のために選択される。

マスキング機器ＭＤを横切った後、放射はマスキング機器レンズ・グループＭＤＬを通過する。マスキング機器レンズＭＤＬは代表的に以下の機能を有する。
・パターン形成手段ＭＡ上に十分に小さなエッジ幅でマスキング機器ＭＤを画像形成する。
・（代表的に、１倍から４倍の係数で）所望のサイズにフィールドを拡大する。
・パターン形成手段ＭＡの均一な照明を供給する。

そのため、マスキング機器ＭＤの開口部面積は、例えば、もし仲介光学系ＭＤＬが１とは異なる倍率を有すれば、照明されるがこの面積と正確には同じではないことがあるパターン形成手段ＭＡ上の面積を規定する。

図１７（ａ）及び１７（ｂ）は、図１のリソグラフィ装置と同様のリソグラフィ装置において使用することができる従来のマスキング機器ＭＤを示す。マスキング機器ＭＤはＸＹ平面に配置され、ＸはＹに実質的に垂直であり、かつ、ＸＹ平面はＺ方向に実質的に垂直である。マスキング機器ＭＤは、Ｘ軸に沿って配置されたＸ１及びＸ２、並びに、Ｙ軸に沿って配置されたＹ１及びＹ２の２つの対に配列された４つの可動ブレードを含む。図１７（ａ）の平面図に示されたように、ブレードを適した作動器に接続することができるように、各ブレードはＬ字型を形成し、Ｚ軸に近く配置された長方形部分、及び、Ｚ軸から離れて延びるアームを持つ。ブレードＸ１及びＸ２はＸ方向に可動であり、ブレードＹ１及びＹ２はＹ方向に可動である。

図１７（ｂ）の断面図は、ブレードが重なり合うことを可能にするために、ブレードがＺ方向にどのように配列されているかを示す。実際には、Ｚ方向に沿った光学的位置に横たわる長方形スリットＳＬを４つのブレードが形成するように、ブレードがＺ方向において非常に薄く作成され、Ｘブレード及びＹブレードがＺにおいて一緒に非常に近くにあることに注意されたい。

図１７（ｂ）は、２つのレンズＬＳ１及びＬＳ２を含み、１枚のレンズは単一の光学要素又は１群の光学要素とすることができるマスキング機器レンズＭＤＬの実施例も示す。

図１を参照して当業者により理解されるように、マスキング機器ＭＤのブレードの位置は、投影ビームＰＢが入射するパターン形成手段ＭＡ上の領域のサイズ及び位置を決定する。

ステップ・モードにおいて、マスキング・スリット（図１７（ａ）、ＳＬ）の位置及びサイズは、投影ビームＰＢがパターン形成手段ＭＡの必要な回路パターン上に入射するように選択される。マスキング機器ＭＤは比較的静止に保たれ、回路パターン全体は単一の静止露光において目標部分Ｃ上に投影される。

スキャン・モードにおいて、マスキング機器ＭＤは、Ｙ方向よりＸ方向においてより大きな寸法を有するマスキング・スリットＳＬを形成するように構成されている。走査露光に対して、Ｙ１ブレード及びＹ２ブレードは露光中に可動であるように配列され、Ｘ１ブレード及びＸ２ブレードは、可動であっても、露光中に静止となるように全般に配列されている。走査露光に対して、特にＹ１ブレード及びＹ２ブレードは、投影ビームＰＢに関したパターン形成手段ＭＡの走査を可能にするための追加の動きを行なうように配列されている。

走査サイクルが開始される前に、Ｙブレードはパターン形成手段ＭＡ上に突き当たるいずれの放射も防止するように配列されている。走査サイクルの開始時において、Ｙブレードは走査距離にまで開く。走査サイクルの終了時において、Ｙブレードは、光がパターン形成手段ＭＡ上に突き当たることを防止される位置に移動する。

パターン形成手段の異なった部分がマスキングされることが必要である場合、Ｘブレードは連続した露光の間に全般に移動される。

発明者は、従来のマスキング機器に問題が存在することを見出した。例えば、問題は、マスキング機器がマスクを走査するように配列された時に発生する。より大きな走査速度が要求されるに従い、従来のマスキング機器は故障する。特に、いくつかの従来のマスキング機能の場合、結合されたブレードの質量は慣性を作り出し、走査ブレードが、それぞれ自身の走査位置にまで開き、かつ、走査位置の終点において閉じるために十分に速く加速及び減速されることが可能となることを妨害している。さらに、移動中の大きな質量は、装置の他の部分に転送されるという障害を引き起こさずに、従来のモータによっては十分に大きな走査速度で満足に移動させることができない。

発明者は、以下のような従来技術におけるさらなる問題も見出している。走査の開始及び終了において、まとめてレチクル機器ブレードと呼ぶＸブレード及びＹブレードはそれぞれ照明スリットを開き、かつ、閉じる。この目的のために、２つの走査ブレードはＹ方向において使用される。放射を遮断する時、ブレードは照明光源、例えば、レーザ光源からのエネルギーのかなりの量を吸収しなければならない。このことは熱の問題を引き起こす。さらに、２つのＹブレードは２つのモータ、増幅器などを必要として移動されなければならない。

ブレードを駆動するためのモータは、モータを制御するための指令のリストを含むソフトウェアにより制御される。従来のレチクル・マスキング機器においては、ブレードが誤動作の場合に互いに衝突することが知られている。このことは、ブレードを損傷するだけでなく、もし装置が修理のために動作を停止されると、生産に影響を及ぼす。

本発明の少なくとも１つの態様の少なくとも１つの実施例の目的は、従来技術における前述の問題の１つ又は複数を回避又は少なくとも軽減することである。

本発明の態様によれば、
放射の投影ビームを供給するための照明システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造体であって、パターン形成手段は投影ビームに投影ビームの断面においてパターンを与えるために機能する支持構造体と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン形成されたビームを基板の目標部分上に投影するための投影システムとを含むリソグラフィ装置であって、装置は少なくとも１つの反射性又はミラー付手段を含むマスキング手段又は機器をさらに含むリソグラフィ装置が提供される。

反射性手段は反射ブレードを含むことができる。

「反射性ブレード」はブレードが放射の波長を有する少なくとも放射を反射することを意味する。

本発明の長所は、使用において、反射性手段又はブレードが放射のかなりの量を吸収しないが、放射を実質的に反射するために、熱の問題が低減又は効果的に除去されていることである。言い換えれば、光遮断原理の代わりに反射性ブレードの使用によって、反射性ブレードにより放射エネルギーは実質的に吸収されず、そのため、熱の問題は比較的発生しない。

反射性ブレードはミラー、ミラー付、又は、ミラー状のブレードと呼ぶことができる。

マスキング機器は、使用において、投影ビームからパターン形成手段、例えばマスク又はレチクルの少なくとも一部を覆い隠すことができる。

好ましくは、１つの有利な実現方法において、使用において、ブレードから反射された放射はパターン形成手段及び基板を露光するために使用される。

好ましくは、少なくとも１つの実施例において、反射性手段は可動とすることができる。

他の実施例において、マスキング手段はスリットを有する可動放射吸収ブレードを含むことができる。使用において、放射は、所定の位置に固定する、すなわち、静止とすることができる反射性手段へとスリットを通過することができる。

さらに他の実施例において、反射性ブレードは、使用において放射が通過する穴又はスリットを含む、又は、設けることができる。

使用において、放射の通過の方向はＺ方向と規定することができる。

少なくとも１つの反射性ブレードは、Ｚ方向に垂直な１つの方向、例えばＹ方向において放射からのパターン形成手段のマスキングを提供する形で配置され、かつ、可動とすることができる単一の反射性ブレードを含むことができる。

１つの方向は走査方向を含むことができる。

したがって、従来技術の２つの走査Ｙブレードは単一の反射性ブレードにより置き換えることができる。走査の開始時において、反射性ブレードは投影ビーム内に移動することができ、有効「スリット」又は照明ビームを開くことができる。ブレードにより提供された完全な「スリット」又は照明ビームが開かれると、ブレードは停止させることができる。走査の終了時において、ブレードは同じ方向に再び移動することができ、「スリット」又は照明ビームは閉じることができる。

Ｚ方向及びＹ方向に垂直なＸ方向における放射のマスキングは１対のＸブレードにより提供することができ、このＸブレードは細孔を提供することができ、このＸブレードは互いを基準として可動とすることができる。

少なくとも１つの反射性手段又はブレードは照明システム内に配置することができる。

少なくとも１つの反射性手段又はブレードは、いかなる角度、例えば、鋭角、好ましくは３０°から６０°の間、かつ、好ましくは約４５°で入力放射の経路を横切るように配置することができる。

装置は、少なくとも１つの反射性手段又はブレードを、例えば前後に動かすための手段を含むことができ、かつブレードを、約２５０ｍ／秒^２の加速／減速で動かすことができる。

反射性ブレードは高反射性コーティングを持つ基板から作成することができ、基板及び反射性コーティングの双方の組成は使用における放射に対して最適化することができる。実施例として、酸化シリコン及び酸化アルミニウム（ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３）の結合体でコーティングされた水晶基板は、例えば２４８ｎｍの波長に対して選択することができる。

放射の投影ビームは紫外線（ＵＶ）領域又は極紫外線（ＥＵＶ）領域における波長を有することができる。

リソグラフィ装置は３６５、２４８、１９３、１５７、若しくは、１２６ｎｍのうちの１つ、又は、５と２０ｎｍの間の波長（極紫外線）から選択された波長での使用に対するように構成することができる。

Ｘブレードは照明システムの焦点面内に配置することができる。投影ビーム又は照明ビームは、使用において、好ましくは焦点面を通過する。

ＹブレードはＸブレードの光学的に上流、又は、代わりに、光学的に下流に配置することができる。

好ましくは、少なくとも１つの反射性手段又はブレードを動かすための手段は第１及び第２のモータを含むことができ、２つのモータの使用はブレードがブレードの重心において駆動することができるという長所を有する。

好ましくは、マスキング機器は投影ビームからパターン形成手段の少なくとも一部を覆い隠す。マスキング機器は、パターン形成手段が位置に関して第１の方向において支持されるこの位置の一部を覆い隠すように配列された第１のマスキング手段と、位置に関して第２の異なった方向において位置の一部を覆い隠すように配列された第２のマスキング手段とを含むことができる。

第１のマスキング手段は少なくとも１つの反射性手段又はブレード、例えばＹブレードを含むことができる。

第２のマスキング手段は１対のブレード又はＸブレード、例えば非反射性ブレードを含むことができる。

代案実施例において、少なくとも第１及び第２の反射性手段を設けることができる。

さらなる代案実施例において、投影ビームを偏光するための手段を設けることができる。

使用において、投影ビームはパターン形成手段への露光に先立ってマスキング機器によりマスキングすることができる。

本発明の他の態様によれば、少なくとも１つの反射性若しくはミラー付手段、又は、ブレードを含むマスキング機器（マスク又はレチクル・マスキング機器）を含むリソグラフィ装置が提供される。

本発明のさらなる態様によれば、本発明の第１又は第２の態様のいずれかによるリソグラフィ装置における使用のための、又は、これにおいて使用される時のための反射性若しくはミラー付の手段又はブレードが提供される。

本発明のさらにさらなる態様によれば、
基板を設ける工程と、
照明システムを使用して放射の投影ビームを提供する工程と、
投影ビームに投影ビームの断面においてパターンを与えるためにパターン形成手段を使用する工程と、
放射のパターン形成されたビームを基板の目標部分上に投影する工程とを含み、反射性手段を含むマスキング機器を使用して投影ビームからパターン形成手段の少なくとも一部をマスキング又は覆い隠す工程も含むデバイス製造方法が提供される。

本発明によるリソグラフィ投影装置を使用した製造工程において、（例えば、マスクにおける）パターンは放射感応材料（レジスト）の層により少なくとも部分的に覆われている基板上に画像形成することができる。この画像形成工程に先立ち、基板は下塗り、レジスト塗布、及び、ソフト・ベークなどの様々な手順を経ることができる。露光の後、基板は露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、及び、画像形成されたフィーチャの測定／検査などの他の手順の対象とすることができる。手順のこの配列はデバイス、例えばＩＣの個別の層をパターン形成するための基礎として使用される。続いて、このようなパターン形成された層は、全てが個別の層を完成させることを意図されたエッチング、イオン注入（ドープ）、金属化、酸化、化学機械的研磨などの様々な工程を経ることができる。もしいくつかの層が必要であれば、手順全体又はその変形は新しい各層に対して反復されなければならないことがある。結局、デバイスのアレイが基板（ウェハ）上に現れる。続いて、これらのデバイスは、ダイシング又はソーイングなどの技術により互いから分離される。それにより、個別のデバイスはピンなどに接続された担体上に搭載することができる。

本文においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して詳細な参照を行なうであろうが、本文において説明されているリソグラフィ装置が、集積光システム、磁気ドメイン・メモリのための導波及び検出のパターン、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の応用例を有することができることは理解されたい。当業者は、このような代案応用例の状況において、本明細書における用語「ウェハ」又は「ダイ」のいずれの使用も、より一般的な用語であるそれぞれ［基板］又は「目標部分」と同義であると考えることができる。本明細書において言及されている基板は、露光の前又は後に、例えばトラック（代表的に、基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）又は計測若しくは検査用のツールにおいて処理することができる。適用されれば、本明細書の開示はそのような、及び、他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために２回以上処理することができ、そのため、本明細書において使用されている用語、基板は多数の処理済層を既に含む基板も指すことができる。

本明細書において使用されている用語「放射」及び「ビーム」は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は、１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、及び、（例えば、５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）放射、並びに、イオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む全てのタイプの電磁放射を包含する。

本明細書において使用されている用語「パターン形成手段」は、基板の目標部分にパターンを作成するなどのために投影ビームに投影ビームの断面においてパターンを与えるために使用することができる手段を指すとして広く解釈されるべきである。投影ビームに与えられたパターンが基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに注意されたい。一般に、投影ビームに与えられたパターンは、集積回路などの目標部分に作成されつつあるデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターン形成手段は透過型又は反射型とすることができる。パターン形成手段の例はマスク、プログラム可能ミラー・アレイ、及び、プログラム可能ＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィではよく知られており、かつ、二値、交番位相シフト、及び、減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、並びに、様々な混成マスク・タイプを含む。プログラム可能ミラー・アレイの実施例は小さなミラーのマトリクス配列を採用しており、ミラーの各々は、入来放射ビームを様々な方向に反射するために個別に傾けることができる。このようにして、反射されたビームはパターン形成することができる。

支持構造体は、通常、パターン形成手段を支持する、すなわち、その重量を担う。支持構造体はパターン形成手段の向き、リソグラフィ装置の設計、及び、例えばパターン形成手段が真空の環境に保持されているか否かなどの他の条件に依存した形でパターン形成手段を保持する。支持体は機械式締め具、真空、又は、例えば真空条件下での静電クランプなどの他の締め具技術を使用することができる。支持構造体は、例えば固定、又は、必要に応じて可動とすることができ、かつ、パターン形成手段が、投影システムに例えば関して、所望の位置にあることを確実にするフレーム又はテーブルとすることができる。本明細書における用語「レチクル」又は「マスク」のいずれの使用も、より一般的な用語「パターン形成手段」と同義と考えることができる。

本明細書において使用されている用語「投影システム」は、例えば、使用されている露光放射に対して、又は、浸漬流体の使用又は真空の使用などの他の要因に対して適切な如くに、屈折性光学系、反射性光学系、及び、反射屈折系を含む様々なタイプの投影システムを包含するとして広く解釈されるべきである。本明細書における用語「レンズ」のいずれの使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と考えることができる。

照明システムも、放射の投影ビームを差向け、整形し、かつ、制御するための屈折性、反射性、及び、屈折反射性の光学構成部分を含む様々なタイプの光学構成部分を包含し、このような構成部分も、以下、まとめて又は単独で「レンズ」と呼ぶことができる。

リソグラフィ装置は２つ（二連ステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は、２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることができる。このような「多ステージ」装置において、追加のテーブルは並行して使用することができるか、又は、１つ又は複数のテーブルが露光に対して使用されている間、準備工程を他の１つ又は複数のテーブル上で実行することができる。

リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板の間の空間を満たすために、例えば水などの比較的大きな屈折率を有する液体中に基板が浸漬されるタイプのものとすることもできる。浸漬液体は、例えばマスクと投影システムの最初の要素との間などのリソグラフィ装置における他の空間に適用することもできる。浸漬技術は、投影システムの開口数（ＮＡ）を高めるために当技術分野ではよく知られている。

対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略の図面を参照して、本発明の実施例をほんの一例として以下に説明する。

図１及び２は本発明の第１の実施例によるリソグラフィ装置の概略を示す。この装置は、
・（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射などの）放射の投影ビームＰＢを供給するための照明システム（照明器）ＩＬと、
・（例えば、マスクなどの）パターン形成手段ＭＡを支持するためであり、かつ、パターン形成手段ＭＡを物品ＰＳに関して正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された（例えば、マスク・テーブルなどの）第１の支持構造体ＭＴと、
・（例えば、レジストがコーティングされたウェハなどの）基板Ｗを保持するためであり、かつ、物品ＰＳに関して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された（例えば、ウェハ・テーブルなどの）基板テーブルと、
・基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃ上に、パターン形成手段ＭＡにより投影ビームＰＢに与えられたパターンを画像形成するための（例えば、屈折性投影レンズなどの）投影システムＰＳとを含む。

同図に示されたように、装置は（例えば、透過性マスクを採用した）透過型のものである。代案として、装置は（例えば、上記に言及した如くのタイプのプログラム可能ミラー・アレイを採用した）反射型のものとすることもできる。

照明器ＩＬは放射光源ＳＯから放射のビームを受光する。光源ＳＯ及びリソグラフィ装置は、例えば光源ＳＯがエキシマ・レーザである時などは分離された実体とすることができる。このような場合、光源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成するとは考えられず、放射ビームは、適した差向けミラー及び／又はビーム・エキスパンダを例えば含むビーム送達システムＢＤの支援を得て光源ＳＯから照明器ＩＬに通過される。他の場合、光源ＳＯは、例えば光源が水銀ランプである時などは装置の一体化された一部とすることができる。光源ＳＯ及び照明器ＩＬは、所望であればビーム送達システムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。

照明器ＩＬはビームの角度上の強度分布を調整するための調整手段ＡＤを含むことができる。一般に、照明器ＩＬの瞳平面内の強度分布の少なくとも（それぞれ、一般に外側σ及び内側σと呼ばれる）外側及び／又は内側の半径上の程度は、調整することができる。加えて、照明器ＩＬは積分器ＩＮ及び（図示しない）集光器などの様々な他の構成部分を一般に含む。照明器ＩＬは、自身の断面において所望の均一度及び強度分布を有する投影ビームＰＢと呼ばれる放射の条件調整されたビームを供給する。

投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡ上に入射する。マスクＭＡを横切って、投影ビームＰＢは、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２の位置決め手段ＰＷ及び（例えば、干渉計装置などの）位置センサＩＦの支援を得て、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路内の異なった目標部分Ｃを位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭ及び（図１に明示的には示されていない）別の位置センサは、例えばマスク・ライブラリからの機械的な取出しの後、又は、走査中に、ビームＰＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。

一般に、物体テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め手段ＰＭ及びＰＷの一部を形成する長行程モジュール（粗い位置決め）及び短行程モジュール（細かい位置決め）の支援を得て実現される。しかし、（スキャナに対立するものとしての）ステッパの場合、マスク・テーブルＭＴは短行程作動器のみに接続することができるか、又は、固定することができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

示された装置は以下の好ましいモードにおいて使用することができる。

１．ステップ・モードにおいて、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは根本的に静止に保たれる一方、投影ビームに与えられたパターン全体は１回の工程実施において目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の静止露光）。続いて、基板テーブルＷＴは、異なった目標部分Ｃが露光できるように、Ｘ方向及び／又はＹ方向にずらされる。ステップ・モードにおいて、露光フィールドの最大サイズは単一の静止露光において画像形成される目標部分Ｃのサイズを制限している。

２．スキャン・モードにおいて、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される一方、投影ビームに与えられたパターンは目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。マスク・テーブルＭＴを基準とした基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの（縮小）拡大の倍率及び画像反転特性により決定される。スキャン・モードにおいて、露光フィールドの最大サイズは単一の動的露光における目標部分の（非走査方向における）幅を制限しているのに対して、走査の動きの長さは目標部分の（走査方向における）高さを決定する。

３．別のモードにおいて、マスク・テーブルＭＴはプログラム可能パターン形成手段を保持して根本的に静止に保たれ、基板テーブルＷＴが移動又は走査される一方、投影ビームに与えられたパターンは目標部分Ｃ上に投影される。このモードにおいてはパルス化された放射光源が一般に採用され、プログラム可能パターン形成手段は、基板テーブルＷＴの各移動の後に、又は、走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。動作のこのモードは、上記に言及した如くのタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成手段を利用するマスクレス・リソグラフィにも直ちに適用することができる。

使用の上記に説明されたモード、又は、使用の完全に異なったモードに対する組み合わせ及び／又は変形も採用することができる。

図３（ａ）は本発明の修正された実施例による図１のリソグラフィ投影装置の一部の概略を示す。装置は、
・パターン形成手段ＭＡの所定の領域上に投影ビームＰＢを差向けるように構成された、積分器ＩＮの後ろに配置された従来のマスキング・ブレードＭＤＸ及び積分器ＩＮとパターン形成手段ＭＡの間に構成され、かつ、配列された可動ミラー又はブレードＭＤＹを含むマスキング機器ＭＤと、
・可動ミラー又はブレードＭＤＹ上に投影ビームＰＢを差向けるように構成され、かつ、配列された固定ミラーＦＭと、
・パターン形成手段ＭＡ上に十分に小さなエッジ幅で従来のマスキング機器ＭＤを画像形成する少なくとも機能を有する２つのレンズＬＳ１及びＬＳ２を含むマスキング機器レンズＭＤＬとを含む。

光源ＳＯは、放射のビームを生成する（例えば、水銀ランプ、フッ化クリプトン・エキシマ・レーザ、又は、プラズマ光源などの）放射光源を含むことができる。光源は、代案として、例えば１９３ｎｍの放射の光源として、フッ化アルゴン・エキシマ・レーザ、又は、例えば１５７ｎｍの放射の光源として、フッ化物エキシマ・レーザを含むことができる。ビームは、直接に、又は、例えばビーム・エキスパンダなどのビーム送達システムＢＤを含む条件調整手段を横切った後にのいずれかで照明システム（照明器）ＩＬに供給される。積分器ＩＮは、例えば水晶ロッドから形成することができ、かつ、投影されるべきビームの強度分布をビームの断面にわたり改善するために使用される。したがって、積分器ＩＮは投影ビームＰＢの照明均一度を改善する。このようにして、マスクＭＡ上に突き当たるビームＰＢは断面において所望の均一度及び強度分布を有する。

光源ＳＯはリソグラフィ投影装置の筐体内とすることができるが、光源ＳＯはリソグラフィ投影装置から離れているとすることもでき、光源ＳＯが生成する放射ビームは（例えば、適した差向けミラーなどの）装置及び／又はビーム・エキスパンダ内に導かれることに、図１に関して注意されたい。本発明及び特許請求の範囲はこれらの方法の双方を包含する。

マスキング機器ＭＤ及びマスキング機器レンズＭＤＬを通過した後、ビームＰＢはマスク・テーブルＭＴ上のマスク・ホルダ内に保持されているマスクＭＡを横切る。マスクＭＡを介して透過され（又は、反射性マスクの場合は、これにより反射され）、ビームＰＢは、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２の位置決め手段（及び、干渉測定手段ＩＦ）の支援を得て、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路内の異なった目標部分Ｃを位置決めするなどのために、正確に移動することができる。同様に、第１の位置決め手段は、例えばマスク・ライブラリからのマスクＭＡの機械的な取出しの後、又は、走査中に、ビームＰＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの動きは、図１及び２に明示的には示されていない長行程モジュール（粗い位置決め）及び短行程モジュール（細かい位置決め）の支援を得て実現される。しかし、（ステップ・スキャン装置に対立するものとしての）ウェハ・ステッパの場合、マスク・テーブルＭＴは短行程作動器のみに接続することができるか、又は、固定することができる。

上述のように、示された装置を２つの異なるモードにおいて使用することができる。

１．ステップ・モードにおいて、マスク・テーブルＭＴは根本的に静止に保たれ、マスク画像全体は１回の工程実施において目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の「閃光」）。続いて、基板テーブルＷＴは、異なった目標部分ＣがビームＰＢにより照射されるように、Ｘ方向及び／又はＹ方向にずらされる。

２．与えられた目標部分Ｃが単一の「閃光」において露光されないことを除き、スキャン・モードにおいても根本的に同様の方法が適用される。代わりに、マスク・テーブルＭＴは速度ｖを使用して所与の方向（所謂「走査方向」、例えばＹ方向）において可動であり、そのため、マスク画像は投影ビームＰＢを介して走査され、同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同じ又は逆の方向において同時に移動され、ここでＭはレンズＰＬの倍率である（代表的に、Ｍ＝１／４又は１／５）。このようにして、解像度について妥協する必要なく比較的大きな目標部分Ｃを露光することができる。

本発明はスキャン・モードに特に適用可能である。しかし、本発明は、その適用可能性に関して、マスキング機器ＭＤがパターン形成手段と共に移動するように構成されている同期走査に限定されない。本発明は、マスキング機器の動きのプロファイルがパターン形成手段のそれとは異なっている場合にも採用することができる。

図３（ｂ）は図３（ａ）のリソグラフィ装置の一部の概略図を示し、同図において、マスキング機器ＭＤは単一の可動ミラーＹブレードＭＤＹを含む。

照明スリットＩＳは照明システム及びマスキング・ブレードＭＤＸにより作成される。照明スリットＩＳは、レンズＬＳ１を介して傾斜したミラーＭＤＹ上に投影される。図３（ｂ）においては１つのレンズのみ示されている一方、現実では、いくつかの光学要素が一緒にレンズＬＳ１を形成することができることに注意されたい。ミラーＭＤＹは、マスクＭＡ上に照明スリットＩＳを合焦させる第２のレンズＬＳ２に向かって光を反射する。ミラーＭＤＹは、ミラーＭＤＹが投影ビームの内外に移動できるように、ミラーＭＤＹの平面に沿った方向において可動である。図４に示されたように、ミラーＭＤＹが投影ビームＰＢの外に部分的に移動された時、照明スリットＩＳの一部はミラーＭＤＹ上に最早投影されないが、ミラーＭＤＹの背後の光吸収表面ＡＳに通過される。パターン形成手段ＭＡ上の照明された領域も比例して、より小さい。

光吸収表面ＡＳは自身に当たる光を吸収する。許容不能な温度上昇は、いずれの従来の方法においても吸収表面ＡＳを冷却することにより解決することができる。もし光吸収表面ＡＳが固定されていれば（すなわち、非移動物体）、冷却流路及びホースは、より容易に接続することができる。

通常の露光サイクルにおいて、マスクＭＡ上の照明された領域はゼロから最大値に増加される。走査の終了時において、照明された領域は再びゼロに減少される。そのため、照明スリットＩＳを基準としたミラーの動きは図５におけるように示すことができる。図３（ｂ）を参照すると、マスクＭＡに向かった経路上の放射又は光はミラー又はブレードＭＤＹにより反射される。走査の開始時において、反射性ブレードＭＤＹは光路の外にあり、走査の開始時において照明ビーム内で移動する。図３（ｂ）がＭＤＹの１つの配置のみを示していることに注意されたい。ミラーＭＤＹも焦点面内に有利に位置決めすることができる。

図３（ａ）に示された実施例において、移動するミラーＭＤＹは走査Ｙ方向において光量を制御するのみである。Ｘ方向において、マスクＭＡ上の照明領域も規定されなければならない。このことは照明器ＩＬ内に、この場合は積分器ＩＮのすぐ下流に適切に位置する最先端のＸブレードＭＤＸを使用して行なうことができる。

代案として、図６に示されるように、反射性ミラーＭＤＹの上流又は下流のいずれかにＸブレードを位置決めすることが有利とすることができる。図７に示されるように、ＸブレードＭＤＸがレンズ系ＭＤＬの焦点面内に有利に位置決めされ、この目的のために、臨時レンズ要素ＬＳ３を挿入することができることに注意されたい。ミラーＭＤＹが焦点に設置されていることは、図７の配列において注意すべきである。

図８はＸブレードを取り囲む可能な構造を示す。Ｘブレードは非走査（Ｘ）方向において光を遮断する。照明スリットＩＳの左右の側に対して２つのＸブレードが必要である。各Ｘブレードに対して、可動部分において永久磁石ＰＭを有するモータが装着され、固定子のいくつかのコイルＭＣにおいて発生された磁場と相互作用する。これらのコイルＭＣはコイルＭＣを介して電流を駆動する増幅器に接続されている。この電流は、コイルＭＣに関した磁石ＰＭの実際の位置に依存し（変換）、及び、特定の瞬間における必要な加速度にも依存する。増幅器は、通常はデジタル・コンピューターにより実施される動き制御装置に接続され、動きプロファイル及び実際に測定されたブレードの位置に基づき、必要なモータ電流を決定する。動き制御装置は、レチクルのマスキングの必要な動きを決定するより高いレベルの装置制御と相互作用する。

Ｘブレードは、通常、露光走査中は固定位置にある。Ｘブレードは露光間にのみ移動される。そのため、Ｘブレードにより吸収された光のために必要とされるＸブレードの冷却は、Ｘブレードの移動体の各部を介して冷却水を循環させることにより行なうことができる。動きが非常にしばしばは起きないため、移動部分を固定部分に接続している冷却流路に対する耐用年数の要件は容易に満たされる。当然、このことは、走査の開始時及び終了時において照明された領域を限定する走査Ｙブレードに対しては該当しない。なぜなら、このようなＹブレードは各露光に対して走査の動きを行なうからである。

図９はミラー又はミラー状ブレードＭＤＹを取り囲む可能な構造を示す。ミラー・ブレードＭＤＹは、走査方向を除く全方向に空気ベアリング・ガイドＡＧを有する空気ベアリングの手段により案内される。各空気ベアリングは、空気が流通する小さな穴を持つ平坦な案内表面として形成された静止部分を含む。空気流はミラー・ブレードＭＤＹを自身の案内表面から持ち上げる。移動部分に接続されたホースを回避するために、静止部分を介して空気を供給することが有利である。しかし、移動している時は、ミラー・ブレードＭＤＹが案内表面内の全ての穴を覆わなければならない。加えて、静止部分における「穴」領域の長さは、空気ベアリングが適切に機能することを可能にするために、特定の最小サイズを有さなければならない。移動部分が静止部分の穴を常に覆うことを可能にするために、ミラー・ブレードＭＤＹは左右の側において走査方向に延長され、移動構造体をＨ字型にしている。図１０はミラー・ブレードＭＤＹが照明領域の外にある状況を示す。空気ベアリング固定子の全ての穴が未だに覆われていることが分かる。２つがＺ方向において、かつ、１つがＸ方向においてミラー・ブレードを固定している３つの空気ベアリングが示されていることに注意されたい。

図９には、ミラー・ブレードＭＤＹの左側に１つ及び右側に１つの２つのモータも示されている。２つのモータは移動部分をその重心で駆動することができるように選択されている。加えて、１つのモータの代わりに２つによりミラー・ブレードＭＤＹを駆動することにより大きな推力が可能である。各モータはいくつかのコイル、及び、永久磁石を保持している移動体を含む固定子からなる。Ｘブレードの場合におけるように、このことは、モータが移動部分へのケーブルなしに操作されることを可能にする。再び、モータは増幅器に接続され、増幅器は今度は動き制御装置に接続されている。動き制御装置は、コイルを介した必要な電流を決定するために位置測定信号を使用する。これらの部分は全てがＸブレードの場合におけるものと同様の機能を有する。

使用におけるミラー・ブレードＭＤＹの動きに進む。ミラー・ブレードＭＤＹが照明スリットに出入りする速度はマスクＭＡの速度と等しい。もしミラー・ブレードＭＤＹとマスクＭＡの間の光学系がマスクＭＡ上の照明領域の画像を拡大又は縮小すれば、速度はそれに比例して変更される。走査速度に達するためのミラー・ブレードＭＤＹの必要進行距離は、ミラー・ブレードＭＤＹの加速度及びジャーク（加速度の導関数）に依存する。ミラー・ブレードＭＤＹに装置の処理量を決定させないために、ミラー・ブレードＭＤＹの加速度及びジャークはマスクの加速度及びジャークに少なくとも等しくなければならない。同様に、停止する際の移動距離（図５の工程３及び４）はこれらのパラメータに依存し、そのため、最小パターン・サイズはこれらのパラメータに依存する。全てのこれらの態様は、レチクルの加速度及びジャークより５から１０倍大きい大きさのオーダで大幅に大きな加速度及びジャークを要求する。以下の表はこれらのパラメータを掲げる。

上記の表において、ミラー・ブレードＭＤＹのジャークはマスクＭＡのジャークより１０倍大きく選択されている一方、ミラー・ブレードＭＤＹの加速度はマスクの加速度の５倍大きく選択されている。当然、ミラー・ブレードＭＤＹの投影された像はマスクＭＡと同じ速度で移動しなければならない。これらのパラメータを使用すると、ミラー・ブレードＭＤＹの加速中に２０ｍｍの距離が走行され、ミラー・ブレードＭＤＹを静止から毎秒２ｍの速度に移す。同様に、ミラー・ブレードＭＤＹは、照明された領域に完全に進入した後、静止まで減速するために２０ｍｍを必要とし、かつ、走査の終了時において毎秒２ｍに加速するためにさらに２０ｍｍ必要としている（図５の工程５）。そのため、Ｙ方向におけるミラー・ブレードＭＤＹの総サイズは、照明領域に２×２０ｍｍを加えたものに等しい。４０ｍｍの照明領域の場合、Ｙ方向におけるミラー・ブレードＭＤＹのサイズは８０ｍｍとなる。Ｘ方向において、ミラー・ブレードＭＤＹのサイズはＸ方向における照明領域より僅かに大きく、１００ｍｍのオーダである。１ｍｍのオーダの厚さを有し、かつ、モータのための永久磁石を含むこのサイズのミラー・ブレードＭＤＹは、２００ｇのオーダの重量を有することができる。したがって、加速段階中の必要な力は２５０ｍ／ｓ^２×０．２ｋｇ＝５０Ｎであり、これは容易に可能である。そのため、ミラー・ブレードＭＤＹの加速度を増加することはミラー・ブレードＭＤＹをより小さくし、かつ、より軽くすることを可能にする。

ここで図１１（ａ）を参照すると、本発明の第２の実施例によるリソグラフィ装置の一部の概略図が示されている。この実施例において、穴又はスリットを持つ非反射性ブレードＭＢは固定ミラーＭＤＹの前に位置し、かつ、そこで移動される。非反射性ブレードＭＢは図１１（ｂ）に示されている。今、走査している非反射性ブレードＭＤはマスクＭＡには搬送されるべきでない光を遮断している。熱放散の長所は失われているが、それでも１つのみのブレードＭＢを必要としている。

修正形において、スリットを持つ移動しているブレードＭＢは反射性にすることができ、かつ、固定されたミラーＭＤＹを除去することができる。このような場合、スリットを通過する放射はマスク又はレチクルＭＡまで通過することができる。

次に図１２を参照すると、本発明の第３の実施例によるリソグラフィ装置の一部の概略図が示されている。第１の実施例における如くの１つのミラー・ブレードＭＤＹ１に加えて、図１２に示されたように第２のミラー・ブレードＭＤＹ２を使用することができる。これらのブレードＭＤＹ１、ＭＤＹ２の双方とも、１つのミラー・ブレードＭＤＹの状況と同様に可動である。２つのミラー・ブレードＭＤＹ１、ＭＤＹ２は照明スリットＩＳよりも小さい画像に対して使用することができる。走査の開始時において、１つのブレードＭＤＹ１、ＭＤＹ２は照明スリットＩＳ内に既に完全に位置決めされている一方、第２のブレードＭＤＹ２、ＭＤＹ１は照明されたスリットＩＬの外に位置決めされている。続いて、第１の実施例において説明されたように、第２のブレードＭＤＹ２は、マスクＭＡの前端エッジとともに、照明されたスリットＩＬ内に移動される。走査の終了時において、第１のブレードは、マスクＭＡ上の画像の後端エッジとともに、照明スリットＩＬの外に移動されている。そのため、ミラー・ブレードＭＤＹ１、ＭＤＹ２の１つが走査の開始時に使用される一方、他のブレードＭＤＹ１、ＭＤＹ２は走査の終了時に使用される。このことは、１つのエッジが１つのブレードＭＤＹ１により規定され、かつ、他のエッジが他のブレードＭＤＹ２により規定されることを可能にし、例えば、照明スリットＩＬのサイズより小さな画像を露光することができる。この実施例は１つのブレードＭＤＹのみを有する長所を有さないが、配置の問題には確かに効果的に対処している。

ここで図１３を参照すると、本発明の第４の実施例によるリソグラフィ装置の一部の概略図が示されている。ミラー・ブレードＭＤＹを使用したこの第４の実施例において、偏光ビーム分割器ＰＢも使用されている。この実施例において、照明光源ＩＬは１つの方向にのみ偏光された放射又は光を生成する。光は偏光ビーム分割器ＰＢを完全に通過し、かつ、ミラー・ブレードＭＤＹから反射される。ここでミラー・ブレードＭＤＹは、９０度（９０°）の位相変化を加える特性を有する４分の１ラムダ波長板を使用する。ここで反射光は偏光ビーム分割器ＰＢに戻り、かつ、反射光の位相の９０度（９０°）の変化のために、ここで反射光は（図中で）下方に反射される。前出の実施例と同様に、マスクＭＡに到達した照明のビーム又は光の部分はミラーＭＤＹブレードにより決定される。

光を１つの方向のみに偏光させることが所望されない場合、又は、もし照明システムＩＬがランダムに偏光された光を生成していれば、図１４に示されたように、２つの移動するミラーＭＤＹ１、ＭＤＹ２を持つシステムを使用することができる。この場合、照明システムＩＬからの逆方向に偏光された光は偏光ビーム分割器ＰＢにより（図中で）上向きの方向に反射される。第２のミラー・ブレードＭＤＹ２は偏光を回転し、かつ、光を下方に反射し、ここで光はビーム分割器ＰＢを第２回目に通過する。今、ビーム分割器ＰＢの出力は本来の偏光方向を双方とも含んでいる。

同じ効果を備えて１つの移動ミラー・ブレードＭＤＹのみを使用することも可能であることに注意されたく、これの実施例は図１５及び図１６に示されている。

図１５において、固定ミラーＭＤＹが設けられている。今、直線的にビーム分割器ＰＢを通過する照明ビームが上方に、第１の移動するミラーＭＤＹ１に接続されているミラーＭＤＹ２上に反射されている。そのため、図１４の２つのミラーは１つの可動プラットフォーム上に結合されている。

図１６において、固定ミラーＭＤＹが設けられている。両表面に反射特性を有する単一の反射性ミラーＭＤＹ１が使用されている。２つの偏光方向は双方のミラー表面に向けて差向けられ、そのため、再び１つのみの可動要素を必要とする。この場合、光吸収表面が移動ミラーと結合され、そのため、放散の長所は失われていることに注意されたい。

本発明の特定の実施例が上記に説明された一方、本発明が説明された如くでなくとも実施可能であることが理解されよう。説明は本発明を限定することは意図されていない。

本発明の第１の実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 図１のリソグラフィ装置のより詳細な概略図である。 図１の修正されたリソグラフィ装置のより詳細な概略図である。 図１のリソグラフィ装置の一部の概略図である。 使用における図３（ｂ）のリソグラフィ装置の一部のさらなる概略図である。 マスク又はレチクルにより見られた如くの有効スリットの一連の概略図である。 リソグラフィ装置の一部の概略図である。 修正された実現方法によるリソグラフィ装置の一部の概略図である。 リソグラフィ装置のＸブレード周辺の構造の概略図である。 リソグラフィ装置の反射性Ｙブレードの周囲の構造の概略図である。 リソグラフィ装置の反射性Ｙブレードの周囲の構造のさらなる概略図である。 本発明の第２の実施例によるリソグラフィ装置の一部の概略図である。 図１１（ａ）のリソグラフィ装置における使用のための非反射性ブレードの平面図である。 本発明の第３の実施例によるリソグラフィ装置の一部の概略図である。 本発明の第４の実施例によるリソグラフィ装置の一部の概略図である。 第１の修正された実現方法による図１３のリソグラフィ装置の一部の概略図である。 第２の修正された実現方法による図１３のリソグラフィ装置の一部の概略図である。 第３の修正された実現方法による図１３のリソグラフィ装置の一部の概略図である。 ＸＹ平面内に配置された図１のリソグラフィ装置と同様のリソグラフィ装置の従来のマスキング機器ＭＤを示す図である。 ＸＹ平面内に配置された図１のリソグラフィ装置と同様のリソグラフィ装置の従来のマスキング機器ＭＤを示す図である。

符号の説明

ＡＤ 調整手段
ＡＳ 光吸収表面
ＢＤ ビーム送達システム
ＦＭ 固定ミラー
Ｃ 目標部分
ＩＦ 位置センサ
ＩＬ 照明システム（照明器）
ＩＮ 積分器
ＩＳ 照明スリット
ＬＳ１、ＬＳ２、ＬＳ３ レンズ
Ｍ１、Ｍ２、Ｐ１、Ｐ２ 位置合わせマーク
ＭＡ パターン形成手段、マスク
ＭＤ マスキング機器
ＭＤＬ マスキング機器レンズ
ＭＤＸ，ＭＤＹ マスキング・ブレード
ＭＴ 支持構造体
ＰＢ 投影ビーム
ＰＭ、ＰＷ 位置決め手段
ＰＳ 投影システム、物品、偏光ビーム分割器
ＳＬ スリット
ＳＯ 光源
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル

Claims (29)

1. リソグラフィ装置であって、
   放射の投影ビームを供給するための照明システムと、
   パターン形成手段を支持するための支持構造体であって、前記パターン形成手段は前記投影ビームに該投影ビームの断面においてパターンを与えるために機能する支持構造体と、
   基板を保持するための基板テーブルと、
   前記パターン形成されたビームを前記基板の目標部分上に投影するための投影システムとを含み、少なくとも１つの反射性手段を含むマスキング機器をさらに含むリソグラフィ装置。
2. 前記反射性手段は反射性ブレードを含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記反射性ブレードはミラー・ブレードである請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記マスキング機器は、使用において、前記投影ビームから前記パターン形成手段の少なくとも一部をマスキングする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 使用において、前記少なくとも１つの反射性手段から反射された放射は前記パターン形成手段及び基板を露光するために使用される請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記反射性手段を移動するための手段が設けられている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記マスキング機器は、スリットを有する可動放射吸収ブレードを含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記反射性手段は固定された位置にある請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記反射性手段は、使用において放射が通過する穴又はスリットを提供する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記少なくとも１つの反射性手段は、使用において放射の通過の方向を含むＺ方向に垂直なＹ方向において放射からの前記パターン形成手段のマスキングを提供する形で配置され、かつ、可動である単一の反射性ブレードを含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記Ｙ方向は走査方向を含む請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
12. 使用において、走査の開始時において、前記反射性手段は有効スリットが開かれるように、前記投影ビーム内に１つの方向において可動であり、前記ブレードにより提供された前記有効スリットが開かれると、前記反射性手段は停止させられ、かつ、走査の終了時において、前記反射性手段は前記有効スリットが閉じられるように、同じ方向において可動である請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
13. 前記Ｚ方向及びＹ方向に垂直なＸ方向における放射のマスキングは１対のＸブレードにより提供され、前記Ｘブレードは細孔を提供し、かつ、前記Ｘブレードは互いに関して可動である請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
14. 前記少なくとも１つの反射性手段は前記照明システム内に配置されている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
15. 前記少なくとも１つの反射性手段は鋭角で入力放射経路を横切るように配置されている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記反射性ブレードを移動するための手段が設けられている請求項２に記載のリソグラフィ装置。
17. 前記反射性手段はＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３でコーティングされた水晶基板を含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記放射の投影ビームは紫外（ＵＶ）領域又は極紫外（ＥＵＶ）領域における波長を有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
19. ３６５、２４８、１９３、１５７、若しくは、１２６ｎｍのうちの１つ、又は、５と２０ｎｍの間の波長から選択された波長での使用に対して構成された請求項１に記載のリソグラフィ装置。
20. 前記Ｘブレードは前記照明システムの焦点面内に配置されている請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
21. 前記少なくとも１つの反射性手段を移動するための前記手段は第１及び第２のモータを含む請求項６に記載のリソグラフィ装置。
22. 前記マスキング機器は、前記パターン形成手段が第１の方向において支持される位置の一部を覆い隠すように配列された第１のマスキング手段と、第２の異なった方向において前記位置の一部を覆い隠すように配列された第２のマスキング手段とを含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
23. 前記第１のマスキング手段は少なくとも１つの反射性手段を含み、前記第２のマスキング手段は１対の非反射性ブレードを含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
24. 少なくとも第１及び第２の反射性手段が設けられている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
25. 前記投影ビームを偏光するための手段が設けられている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
26. 使用において、前記投影ビームは、前記パターン形成手段への露光に先立ち前記マスキング機器によりマスキングされる請求項１に記載のリソグラフィ装置。
27. 少なくとも１つの反射性又はミラー付の手段又はブレードを含むマスキング機器。
28. 請求項１から２６のいずれかに記載のリソグラフィ装置における使用に対する、又は、おいて使用される時の反射性手段又はブレード。
29. デバイス製造方法であって、
    基板を設ける工程と、
    照明システムを使用して放射の投影ビームを提供する工程と、
    前記投影ビームに前記投影ビームの断面においてパターンを与えるためにパターン形成手段を使用する工程と、
    前記放射のパターン形成されたビームを前記基板の目標部分上に投影する工程と、を含み、反射性手段を含むマスキング機器を使用して前記投影ビームから前記パターン形成手段をマスキングする工程も含むデバイス製造方法。

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