JP2000068199A - リソグラフ投影装置 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣ製造等に使用する走査型リソグラフ装置
の露出誤差は、走査の始めと終りで起り、レチクル・マ
スクブレードからの反射によって生ずるので、それを改
善し、スリット照明を走査全体にわたって一定且つ均一
にした装置を提供すること。 【解決手段】 レチクル・マスクブレード７が形成する
スリットの開閉を制御装置１１が制御する。このスリッ
トの照明強度は、光源１の出す光ビームの一部を取出し
てセンサ６が検出し、ランプ制御装置１０によって一定
に調節する。マスクブレード７が開いたときの照明の強
度増加は、装置１１と１０の連動で補償する。マスクブ
レード７０は、透明な材料で作って、先端に全反射部を
設けるか、裏面に反射膜を付けて、レチクル８への反射
を防ぐ。
の露出誤差は、走査の始めと終りで起り、レチクル・マ
スクブレードからの反射によって生ずるので、それを改
善し、スリット照明を走査全体にわたって一定且つ均一
にした装置を提供すること。 【解決手段】 レチクル・マスクブレード７が形成する
スリットの開閉を制御装置１１が制御する。このスリッ
トの照明強度は、光源１の出す光ビームの一部を取出し
てセンサ６が検出し、ランプ制御装置１０によって一定
に調節する。マスクブレード７が開いたときの照明の強
度増加は、装置１１と１０の連動で補償する。マスクブ
レード７０は、透明な材料で作って、先端に全反射部を
設けるか、裏面に反射膜を付けて、レチクル８への反射
を防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフ投影装
置であって：放射線投影ビームを供給するための放射シ
ステム；少なくとも、走査方向である第１方向に動き得
て且つマスクパターンを有するマスクを保持するための
マスクホルダを備える第１目的物テーブル；この第１方
向に動き得て且つ基板を保持するための基板ホルダを備
える第２目的物テーブル；およびこのマスクの照射した
部分をこの基板の目標部分に倍率Ｍで結像するための投
影システムを含む装置の線量制御に関する。
置であって：放射線投影ビームを供給するための放射シ
ステム；少なくとも、走査方向である第１方向に動き得
て且つマスクパターンを有するマスクを保持するための
マスクホルダを備える第１目的物テーブル；この第１方
向に動き得て且つ基板を保持するための基板ホルダを備
える第２目的物テーブル；およびこのマスクの照射した
部分をこの基板の目標部分に倍率Ｍで結像するための投
影システムを含む装置の線量制御に関する。
【０００２】
【従来の技術】簡単のために、この投影システムを以後
“レンズ”と称するかも知れないが、この用語は、例え
ば、屈折性光学素子、反射性光学素子および反射屈折光
学系を含む、種々の種類の投影システムを包含すると広
義に解釈すべきである。この放射システムも、放射線の
投影ビームを方向付け、成形または制御するための原理
のどれかに従って動作する素子を含んでもよく、それで
そのような素子も以下に、集合的または特異に、“レン
ズ”と称するかも知れない。この放射または照明システ
ムの何れの屈折性、反射性または反射屈折性素子もガラ
スまたはその他の適当な材料の基板に基づいてもよく、
必要に応じて単層または多層被膜を備えてもよい。その
上、第１および第２目的物テーブルを、それぞれ、“マ
スクテーブル”および“基板テーブル”と称してもよ
い。更に、このリソグラフ装置は、二つ以上のマスクテ
ーブルおよび／または二つ以上の基板テーブルを有する
型式のものでもよい。そのような“多段”装置では、追
加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を
一つ以上の段階で行い、一方一つ以上の他の段階を露出
に使ってもよい。双段リソグラフ装置は、国際特許出願
ＷＯ９８／２８６６５およびＷＯ９８／４０７９１に記
載されている。
“レンズ”と称するかも知れないが、この用語は、例え
ば、屈折性光学素子、反射性光学素子および反射屈折光
学系を含む、種々の種類の投影システムを包含すると広
義に解釈すべきである。この放射システムも、放射線の
投影ビームを方向付け、成形または制御するための原理
のどれかに従って動作する素子を含んでもよく、それで
そのような素子も以下に、集合的または特異に、“レン
ズ”と称するかも知れない。この放射または照明システ
ムの何れの屈折性、反射性または反射屈折性素子もガラ
スまたはその他の適当な材料の基板に基づいてもよく、
必要に応じて単層または多層被膜を備えてもよい。その
上、第１および第２目的物テーブルを、それぞれ、“マ
スクテーブル”および“基板テーブル”と称してもよ
い。更に、このリソグラフ装置は、二つ以上のマスクテ
ーブルおよび／または二つ以上の基板テーブルを有する
型式のものでもよい。そのような“多段”装置では、追
加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を
一つ以上の段階で行い、一方一つ以上の他の段階を露出
に使ってもよい。双段リソグラフ装置は、国際特許出願
ＷＯ９８／２８６６５およびＷＯ９８／４０７９１に記
載されている。
【０００３】リソグラフ投影装置は、例えば、集積回路
（ＩＣ）の製造に使うことが出来る。そのような場合、
マスク（レチクル）にこのＩＣの個々の層に対応する回
路パターンがあってもよく、次に感光性材料（レジス
ト）の層で塗被した基板（シリコンウェーハ）上の目標
領域（ダイ）にこのパターンを結像する。一般的に、単
一ウェーハが隣接するダイの全ネットワークを含み、そ
れらを逐次レチクルを通して、一度に一つずつ照射す
る。ある型式のリソグラフ投影装置では、全レチクルパ
ターンをダイ上に一度に露出することによって各ダイを
照射し；そのような装置は、普通ウェーハステッパと称
する。代替装置−それを普通ステップ・アンド・スキャ
ン装置と称する−では、一般的に、投影システムは、倍
率係数Ｍ＜１で、ウェーハテーブルを走査する速度ｖ
は、係数Ｍ掛けるレチクルテーブルを走査する速度であ
るので、投影ビーム下のレチクルパターンを与えられた
基準方向（“走査”方向）に逐次走査し、一方このウェ
ーハテーブルをこの方向と平行にまたは逆平行に同期し
て走査することによって各ダイを照射する。ここで説明
したようなリソグラフ装置に関する更なる情報は、国際
特許出願ＷＯ９７／３３２０５から収集することが出来
る。
（ＩＣ）の製造に使うことが出来る。そのような場合、
マスク（レチクル）にこのＩＣの個々の層に対応する回
路パターンがあってもよく、次に感光性材料（レジス
ト）の層で塗被した基板（シリコンウェーハ）上の目標
領域（ダイ）にこのパターンを結像する。一般的に、単
一ウェーハが隣接するダイの全ネットワークを含み、そ
れらを逐次レチクルを通して、一度に一つずつ照射す
る。ある型式のリソグラフ投影装置では、全レチクルパ
ターンをダイ上に一度に露出することによって各ダイを
照射し；そのような装置は、普通ウェーハステッパと称
する。代替装置−それを普通ステップ・アンド・スキャ
ン装置と称する−では、一般的に、投影システムは、倍
率係数Ｍ＜１で、ウェーハテーブルを走査する速度ｖ
は、係数Ｍ掛けるレチクルテーブルを走査する速度であ
るので、投影ビーム下のレチクルパターンを与えられた
基準方向（“走査”方向）に逐次走査し、一方このウェ
ーハテーブルをこの方向と平行にまたは逆平行に同期し
て走査することによって各ダイを照射する。ここで説明
したようなリソグラフ装置に関する更なる情報は、国際
特許出願ＷＯ９７／３３２０５から収集することが出来
る。
【０００４】ステップ・アンド・スキャン露出装置は、
ＷＯ９７／３３２０４に記載されている。この装置で
は、レチクル・マスクブレードを使って、レチクルの矩
形部を照明するために照明ビームが通過するスリットを
形成し、その画像を倍率Ｍでウェーハ上に投影する。こ
のレチクルは、照明した部分が結像すべき全パターンを
走査するように動かす。ウェーハは、全パターンをこの
ウェーハ上に結像するように、同期して速度Ｍ掛けるレ
チクルの速度でレチクルと反対方向に動かす。走査の終
りで、ウェーハを照明すべき次の領域の始りへ進め、照
明工程を繰返す。
ＷＯ９７／３３２０４に記載されている。この装置で
は、レチクル・マスクブレードを使って、レチクルの矩
形部を照明するために照明ビームが通過するスリットを
形成し、その画像を倍率Ｍでウェーハ上に投影する。こ
のレチクルは、照明した部分が結像すべき全パターンを
走査するように動かす。ウェーハは、全パターンをこの
ウェーハ上に結像するように、同期して速度Ｍ掛けるレ
チクルの速度でレチクルと反対方向に動かす。走査の終
りで、ウェーハを照明すべき次の領域の始りへ進め、照
明工程を繰返す。
【０００５】全領域を適正且つ均一に照明することが重
要である。これは、レチクル・マスクブレードによって
形成されるスリットを走査全体にわたって一定且つ均一
に照明することを要する。従って、走査露出システムで
の露出の制御が問題であった。
要である。これは、レチクル・マスクブレードによって
形成されるスリットを走査全体にわたって一定且つ均一
に照明することを要する。従って、走査露出システムで
の露出の制御が問題であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、領域
照明の均一性に関して改善した制御をするリソグラフ装
置を提供することである。
照明の均一性に関して改善した制御をするリソグラフ装
置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、これお
よびその他の目的が上に定義したリソグラフ投影装置で
あって、：上記放射システムは、このマスクの面での断
面積がこのマスクパターンより小さい投影ビームを供給
するようにされ、この放射ビームが、この投影ビームの
断面積を制御するために可動ビーム・マスク手段を含む
こと；並びにこのビーム・マスク手段を走査を始める前
に閉じ且つ始めると開かせる制御手段；およびこのビー
ム・マスク手段が開いている間、このマスク上の投影ビ
ームの放射強度の変動を補償するための補償手段；を組
合わせて含むことを特徴とする装置で達成される。
よびその他の目的が上に定義したリソグラフ投影装置で
あって、：上記放射システムは、このマスクの面での断
面積がこのマスクパターンより小さい投影ビームを供給
するようにされ、この放射ビームが、この投影ビームの
断面積を制御するために可動ビーム・マスク手段を含む
こと；並びにこのビーム・マスク手段を走査を始める前
に閉じ且つ始めると開かせる制御手段；およびこのビー
ム・マスク手段が開いている間、このマスク上の投影ビ
ームの放射強度の変動を補償するための補償手段；を組
合わせて含むことを特徴とする装置で達成される。
【０００８】
【発明の効果】本発明者は、露出（線量）誤差が走査の
始めと終りで起り、レチクル・マスクブレードからの反
射によって生ずることを測定した。従って、本発明は、
ビーム・マスク手段（例えば、レチクル・マスクブレー
ド）が形成するスリットを開閉するとき増加する照明を
補償するための手段を提供する。本発明は、このスリッ
ト照明を走査全体にわたって一定且つ均一であるように
制御可能にし、それによってこの発明の装置を使用する
ＩＣ製造プロセスの一慣性および歩留りを改善する。
始めと終りで起り、レチクル・マスクブレードからの反
射によって生ずることを測定した。従って、本発明は、
ビーム・マスク手段（例えば、レチクル・マスクブレー
ド）が形成するスリットを開閉するとき増加する照明を
補償するための手段を提供する。本発明は、このスリッ
ト照明を走査全体にわたって一定且つ均一であるように
制御可能にし、それによってこの発明の装置を使用する
ＩＣ製造プロセスの一慣性および歩留りを改善する。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記補償手段は、上記変動を補償
するために、照明ビームを作るために使用する放射線源
（例えば、ランプ）の出力を、ビーム・マスク手段の開
放程度に従って制御するようにされた放射線源制御手段
を含むのが好ましい。
するために、照明ビームを作るために使用する放射線源
（例えば、ランプ）の出力を、ビーム・マスク手段の開
放程度に従って制御するようにされた放射線源制御手段
を含むのが好ましい。
【００１０】その代りにまたはそれに加えて、上記補償
手段は、上記ビーム・マスク手段を上記投影ビームに実
質的に透明な材料で構成し、上記照明ビームのそれに入
射する部分が全内部反射を受けるように形作ることでも
よい。
手段は、上記ビーム・マスク手段を上記投影ビームに実
質的に透明な材料で構成し、上記照明ビームのそれに入
射する部分が全内部反射を受けるように形作ることでも
よい。
【００１１】この本文では、この発明による装置の用途
にＩＣの製造を特に参照してもよいが、そのような装置
には多くの他の可能な用途があることをはっきり理解す
べきである。例えば、それを集積光学システム、磁区メ
モリ用案内および検出パターン、液晶ディスプレーパネ
ル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者に
は、そのような代替用途の関係で、この本文での“レチ
クル”、“ウェーハ”または“ダイ”という用語の使用
を、それぞれ、更に一般的な用語“マスク”、“基板”
および“目標領域”で置換えて考えるべきであることが
分るだろう。
にＩＣの製造を特に参照してもよいが、そのような装置
には多くの他の可能な用途があることをはっきり理解す
べきである。例えば、それを集積光学システム、磁区メ
モリ用案内および検出パターン、液晶ディスプレーパネ
ル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者に
は、そのような代替用途の関係で、この本文での“レチ
クル”、“ウェーハ”または“ダイ”という用語の使用
を、それぞれ、更に一般的な用語“マスク”、“基板”
および“目標領域”で置換えて考えるべきであることが
分るだろう。
【００１２】この発明によるリソグラフ投影装置を使う
製造プロセスでは、マスクのパターンを、少なくとも部
分的にエネルギー感応性材料（レジスト）の層で覆われ
た基板上に結像する。この結像工程の前に、この基板
は、下塗り、レジスト塗被およびソフトベーキングのよ
うな、種々の処理を受けてもよい。露出後、この基板
は、露出後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベーキ
ングおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を
受けてもよい。この多数の処理は、素子、例えば、ＩＣ
の個々の層のパターン化の基礎として使用する。そのよ
うなパターン化した層は、次に、エッチング、イオン注
入（ドーピング）金属化、酸化処理、化学機械的研磨等
のような、全て個々の層の仕上げを意図した、種々の処
理を受けるかも知れない。もし、幾つかの層が必要なら
ば、全手順、またはその変形を各新層に対して繰返さね
ばならないだろう。結局、素子のアレイが基板（ウェー
ハ）に存在するだろう。次に、これらの素子を、ダイシ
ングまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、
それから個々の素子をキャリヤに取付け、ピンに結合し
等出来る。そのようなプロセスに関する更なる情報は、
例えば、単行本“マイクロチップ製造：半導体加工への
実用ガイド”、第３版、ピータ・ファン・ザント著、マ
グロウヒル出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０
６７２５０−４から得ることが出来る。
製造プロセスでは、マスクのパターンを、少なくとも部
分的にエネルギー感応性材料（レジスト）の層で覆われ
た基板上に結像する。この結像工程の前に、この基板
は、下塗り、レジスト塗被およびソフトベーキングのよ
うな、種々の処理を受けてもよい。露出後、この基板
は、露出後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベーキ
ングおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を
受けてもよい。この多数の処理は、素子、例えば、ＩＣ
の個々の層のパターン化の基礎として使用する。そのよ
うなパターン化した層は、次に、エッチング、イオン注
入（ドーピング）金属化、酸化処理、化学機械的研磨等
のような、全て個々の層の仕上げを意図した、種々の処
理を受けるかも知れない。もし、幾つかの層が必要なら
ば、全手順、またはその変形を各新層に対して繰返さね
ばならないだろう。結局、素子のアレイが基板（ウェー
ハ）に存在するだろう。次に、これらの素子を、ダイシ
ングまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、
それから個々の素子をキャリヤに取付け、ピンに結合し
等出来る。そのようなプロセスに関する更なる情報は、
例えば、単行本“マイクロチップ製造：半導体加工への
実用ガイド”、第３版、ピータ・ファン・ザント著、マ
グロウヒル出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０
６７２５０−４から得ることが出来る。
【００１３】
【実施例】本発明とそれに付随する利点を以下に実施例
および添付の概略図を参照して説明する。
および添付の概略図を参照して説明する。
【００１４】図面で、類似の部品は、類似の参照番号で
指す。この発明の第１実施例によるステップ・アンド・
スキャン照明システムの原理を添付の図面の図１に示
す。この図は、ステップ・アンド・スキャン装置のテー
ブルＷＨに取付けた基板Ｗ上に作った、マスクＭＡの縮
小画像を示し；この投影レンズシステムの倍率Ｍは、例
えば、１／４である。投影ビームＰＢをレチクル・マス
クブレード（図示せず）によって部分的に阻止して、こ
のマスクの領域に、例えば、矩形断面ＰＢCが出来るよ
うにし、このマスクの矩形部ＭＡBを照明するようにす
る。この部分を投影レンズシステムＰＬによって基板Ｗ
の類似の矩形部ＷB上に結像する。図１に矢印ＤMAおよ
びＤWによって示すように、このマスクを基板に関して
反対のＸ方向に動かすことにより、および倍率Ｍを考慮
に入れることにより、全マスクを逐次照明し、全マスク
パターンを基板の領域Ｃ上に結像する。このマスクと基
板を同じＸ方向に動かしてもよい。
指す。この発明の第１実施例によるステップ・アンド・
スキャン照明システムの原理を添付の図面の図１に示
す。この図は、ステップ・アンド・スキャン装置のテー
ブルＷＨに取付けた基板Ｗ上に作った、マスクＭＡの縮
小画像を示し；この投影レンズシステムの倍率Ｍは、例
えば、１／４である。投影ビームＰＢをレチクル・マス
クブレード（図示せず）によって部分的に阻止して、こ
のマスクの領域に、例えば、矩形断面ＰＢCが出来るよ
うにし、このマスクの矩形部ＭＡBを照明するようにす
る。この部分を投影レンズシステムＰＬによって基板Ｗ
の類似の矩形部ＷB上に結像する。図１に矢印ＤMAおよ
びＤWによって示すように、このマスクを基板に関して
反対のＸ方向に動かすことにより、および倍率Ｍを考慮
に入れることにより、全マスクを逐次照明し、全マスク
パターンを基板の領域Ｃ上に結像する。このマスクと基
板を同じＸ方向に動かしてもよい。
【００１５】このマスクパターンを第１集積回路（Ｉ
Ｃ）領域（即ち、目標領域）上に結像してから、基板ホ
ルダをマスクに関して、このＩＣ領域の周期に等しいあ
る距離に沿ってＸ方向またはＹ方向に動かし、このマス
クを走査照射パターンＰＢCによって第２ＩＣ領域（即
ち、目標領域）上に結像する。
Ｃ）領域（即ち、目標領域）上に結像してから、基板ホ
ルダをマスクに関して、このＩＣ領域の周期に等しいあ
る距離に沿ってＸ方向またはＹ方向に動かし、このマス
クを走査照射パターンＰＢCによって第２ＩＣ領域（即
ち、目標領域）上に結像する。
【００１６】本発明によるリソグラフ装置の照明システ
ムの関連部品を図２に概略的に示す。放射光源１、例え
ば水銀灯、が出す光を楕円鏡２によって集め、照明光学
システム３の第１素子３ａへ反射し、それがこの光をレ
チクル８上に投影し；この放射源は、レーザでもよい。
そのような放射源は、例えば、波長３６５ｎｍ、２４８
ｎｍ、１９３ｎｍまたは１５７ｎｍのＵＶ光を出しても
よい。ランプ１と照明光学システム３の間にシャッタ４
を設ける。この照明光学システムの都合のよい点で、こ
の照明光の一部をビームスプリッタ５によってエネルギ
ーセンサ６へ向け、レチクル８に達する光エネルギーの
量をモニタ出来るようにする。実際の走査照射パターン
の寸法は、このレチクルの照明光が通るスリットを形成
するレチクル・マスク手段７によって決る。この装置の
残りの部品は、明快さのために省略するが、図１に示す
通りでもよい。
ムの関連部品を図２に概略的に示す。放射光源１、例え
ば水銀灯、が出す光を楕円鏡２によって集め、照明光学
システム３の第１素子３ａへ反射し、それがこの光をレ
チクル８上に投影し；この放射源は、レーザでもよい。
そのような放射源は、例えば、波長３６５ｎｍ、２４８
ｎｍ、１９３ｎｍまたは１５７ｎｍのＵＶ光を出しても
よい。ランプ１と照明光学システム３の間にシャッタ４
を設ける。この照明光学システムの都合のよい点で、こ
の照明光の一部をビームスプリッタ５によってエネルギ
ーセンサ６へ向け、レチクル８に達する光エネルギーの
量をモニタ出来るようにする。実際の走査照射パターン
の寸法は、このレチクルの照明光が通るスリットを形成
するレチクル・マスク手段７によって決る。この装置の
残りの部品は、明快さのために省略するが、図１に示す
通りでもよい。
【００１７】領域の走査の始めに、レチクル・マスク手
段７を含む、レチクル・マスクブレードを閉じる。走査
が始ると、走査方向に先のブレードが動いてこのスリッ
トを開け、次にこのスリットを領域全体にわたって走査
し、走査の終りで後ブレードが動いてスリットを閉じ
る。
段７を含む、レチクル・マスクブレードを閉じる。走査
が始ると、走査方向に先のブレードが動いてこのスリッ
トを開け、次にこのスリットを領域全体にわたって走査
し、走査の終りで後ブレードが動いてスリットを閉じ
る。
【００１８】この発明の第１実施例では、ランプの輝度
を、スリットが閉じたときに落し、スリットの開放に同
期して上げる。
を、スリットが閉じたときに落し、スリットの開放に同
期して上げる。
【００１９】特に、この照明強度を、与えられた時のス
リットの掩蔽断面積比率Ｘの線形関数と決め、（即ち、
開放比率は１−Ｘで、スリットが全開のときＸ＝０）。
従って、このシステムは、ウェーハレベルでの放射線強
度が一定であることを保証するために、ランプ強度がＸ
の逆線形関数に従うようにランプ電源９を制御するラン
プ制御回路１０を含む。
リットの掩蔽断面積比率Ｘの線形関数と決め、（即ち、
開放比率は１−Ｘで、スリットが全開のときＸ＝０）。
従って、このシステムは、ウェーハレベルでの放射線強
度が一定であることを保証するために、ランプ強度がＸ
の逆線形関数に従うようにランプ電源９を制御するラン
プ制御回路１０を含む。
【００２０】スリットの断面積を示すデータをレチクル
マスクサーボ制御装置１１によってランプ制御回路１０
に与える。
マスクサーボ制御装置１１によってランプ制御回路１０
に与える。
【００２１】Ｘの関数としての照明強度の変動は、スリ
ット断面積とダイのサイズの異なる組合せに対して異な
り、従って、各製造手順に対して調整する必要がある。
この関数は、その都度測定してもよい。その代りに、そ
れを予め複数のスリットとダイの組合せに対して測定
し、与えられた製造作業に対して妥当な関数をこれらの
基準関数から作ってもよい。
ット断面積とダイのサイズの異なる組合せに対して異な
り、従って、各製造手順に対して調整する必要がある。
この関数は、その都度測定してもよい。その代りに、そ
れを予め複数のスリットとダイの組合せに対して測定
し、与えられた製造作業に対して妥当な関数をこれらの
基準関数から作ってもよい。
【００２２】この発明の第２実施例では、レチクル・マ
スクブレードは、照明光の反射を避けるように構成す
る。
スクブレードは、照明光の反射を避けるように構成す
る。
【００２３】図３に示すように、レチクル・マスクブレ
ード７０は、石英で構成した本体７１を有する。照明光
Ｌが入射するブレード７０の前面７０ａは平坦である。
後面７０ｂは、このブレードがその縁７０ｄで最も薄い
ように、傾斜部７０ｃを有する。傾斜面７０ｃの角度
は、前面７０ａに入射する照明光が全内部反射してこの
照明ビームから吸収体の方へ横向きに導かれるように設
定する。前面７０ａは、この照明光周波数に最適化した
反射防止膜を塗被してもよい。
ード７０は、石英で構成した本体７１を有する。照明光
Ｌが入射するブレード７０の前面７０ａは平坦である。
後面７０ｂは、このブレードがその縁７０ｄで最も薄い
ように、傾斜部７０ｃを有する。傾斜面７０ｃの角度
は、前面７０ａに入射する照明光が全内部反射してこの
照明ビームから吸収体の方へ横向きに導かれるように設
定する。前面７０ａは、この照明光周波数に最適化した
反射防止膜を塗被してもよい。
【００２４】もし望むなら、ブレード７０の後面は、反
射性金属層７２（例えば、アルミニウムを含む）を塗被
してもよい。すると角度は、もう前面７０ａに入射する
光が全て面７０ｃで全内部反射を受けるように選ばなく
てもよい（何故なら、今度は普通の反射がこの金属層７
２で起るだろうから）。
射性金属層７２（例えば、アルミニウムを含む）を塗被
してもよい。すると角度は、もう前面７０ａに入射する
光が全て面７０ｃで全内部反射を受けるように選ばなく
てもよい（何故なら、今度は普通の反射がこの金属層７
２で起るだろうから）。
【００２５】それによってレチクル・マスクブレードか
らの反射が除かれ、照明光の強度密度がブレードの開口
全体にわたって一定にされる。
らの反射が除かれ、照明光の強度密度がブレードの開口
全体にわたって一定にされる。
【００２６】照明光の強度密度の増加を補償するため
の、この発明が提案する代替方法は、走査速度を制御す
ることである。上述のように、この強度密度は、Ｘの線
形関数である。これは、走査速度を直線的に増すことに
よって補償できる。走査速度は、スリット断面積および
照明強度に比例するが、線量に逆比例するので、線量が
Ｘの関数として一定であることが分る。レチクルテーブ
ルおよびレチクル・マスクブレードは、上に定義した走
査速度に対応して動くように制御しなければならない。
の、この発明が提案する代替方法は、走査速度を制御す
ることである。上述のように、この強度密度は、Ｘの線
形関数である。これは、走査速度を直線的に増すことに
よって補償できる。走査速度は、スリット断面積および
照明強度に比例するが、線量に逆比例するので、線量が
Ｘの関数として一定であることが分る。レチクルテーブ
ルおよびレチクル・マスクブレードは、上に定義した走
査速度に対応して動くように制御しなければならない。
【００２７】本発明のこの実施例では、照明光学システ
ムの影響を出来るだけ多く考慮に入れるためにエネルギ
ーセンサ６を出来るだけレチクルの近くに置きたいの
で、それをシャッタ４の下流に配置する。この閉ループ
フィードバック制御は、シャッタを開いたとき有利であ
る。しかし、シャッタを閉じると、光がシャッタに達せ
ず、従ってランプをこのセンサを根拠に制御することは
出来ない。
ムの影響を出来るだけ多く考慮に入れるためにエネルギ
ーセンサ６を出来るだけレチクルの近くに置きたいの
で、それをシャッタ４の下流に配置する。この閉ループ
フィードバック制御は、シャッタを開いたとき有利であ
る。しかし、シャッタを閉じると、光がシャッタに達せ
ず、従ってランプをこのセンサを根拠に制御することは
出来ない。
【００２８】従って、本発明は、シャッタが閉じたとき
使うための、追加の制御システムを提供する。この追加
の制御ループは、ランプを流れる電流の閉ループ制御に
よりこのランプ輝度の開ループ制御をもたらす、電流制
御ループを含んでもよい。その代りに、追加のランプセ
ンサ１２をシャッタの上流に設けて、ランプの輝度を直
接検出してもよい。このランプセンサからの信号をラン
プ制御回路１０へ送り、光束を安定化する。
使うための、追加の制御システムを提供する。この追加
の制御ループは、ランプを流れる電流の閉ループ制御に
よりこのランプ輝度の開ループ制御をもたらす、電流制
御ループを含んでもよい。その代りに、追加のランプセ
ンサ１２をシャッタの上流に設けて、ランプの輝度を直
接検出してもよい。このランプセンサからの信号をラン
プ制御回路１０へ送り、光束を安定化する。
【００２９】ランプセンサ１２によるランプの制御から
光センサ６による制御への切替えを制御することが必要
である。本発明は、これに対する三つのオプションを提
供する。
光センサ６による制御への切替えを制御することが必要
である。本発明は、これに対する三つのオプションを提
供する。
【００３０】最初に、レチクル・マスクブレード７を開
いて走査を始める前に、シャッタ４を全開し、光センサ
６およびランプ１を光センサ６の制御の下で適当なレベ
ルに落着かせる。この方法は、非常に確実であるが、も
し、ランプの整定時間が基板テーブルの整定時間より長
ければ、スループットを悪くするという潜在的欠点があ
る。この制御過程を図４に示す。時点ｔ0でシャッタを
開くと、実線４１で示す、光センサ６で検出したエネル
ギーが、破線４２で示す、実際のランプ出力のレベルま
で上昇する。シャッタを全開した時点ｔ1で、測定した
エネルギーが実際のランプエネルギーに等しい。センサ
を落着かせ、ランプ出力を点線４３で示す所望のレベル
に調整する。露出がｔ2で始り、ｔ3で終り、その間のラ
ンプ出力をランプセンサ６に基づいて制御する。露出の
終りで、シャッタが閉じるので、ランプセンサ信号は、
シャッタが全閉したｔ4でゼロに達するまで低下する。
いて走査を始める前に、シャッタ４を全開し、光センサ
６およびランプ１を光センサ６の制御の下で適当なレベ
ルに落着かせる。この方法は、非常に確実であるが、も
し、ランプの整定時間が基板テーブルの整定時間より長
ければ、スループットを悪くするという潜在的欠点があ
る。この制御過程を図４に示す。時点ｔ0でシャッタを
開くと、実線４１で示す、光センサ６で検出したエネル
ギーが、破線４２で示す、実際のランプ出力のレベルま
で上昇する。シャッタを全開した時点ｔ1で、測定した
エネルギーが実際のランプエネルギーに等しい。センサ
を落着かせ、ランプ出力を点線４３で示す所望のレベル
に調整する。露出がｔ2で始り、ｔ3で終り、その間のラ
ンプ出力をランプセンサ６に基づいて制御する。露出の
終りで、シャッタが閉じるので、ランプセンサ信号は、
シャッタが全閉したｔ4でゼロに達するまで低下する。
【００３１】代替制御方法は、ランプ制御システムの既
知の性質および既知のシャッタ開放時間、例えば、１０
ｍｓを使用する。この過程を図５に示す。もし、多分シ
ャッタ開放の途中である時点ｔ1で、制御を光センサ６
へ切換えると、この光センサ制御は、光センサがランプ
出力の半分しか検知しないので、その出力に大きなオー
バシュートを生ずる。この光センサ制御ループの応答時
間は非常に速いので、露出が始る時点ｔ2までに、ラン
プ出力が迅速に正しいレベルにされる。制御の切換えタ
イミングの適正な選択が、ランプを最も迅速に正しいレ
ベルにすることを保証する。
知の性質および既知のシャッタ開放時間、例えば、１０
ｍｓを使用する。この過程を図５に示す。もし、多分シ
ャッタ開放の途中である時点ｔ1で、制御を光センサ６
へ切換えると、この光センサ制御は、光センサがランプ
出力の半分しか検知しないので、その出力に大きなオー
バシュートを生ずる。この光センサ制御ループの応答時
間は非常に速いので、露出が始る時点ｔ2までに、ラン
プ出力が迅速に正しいレベルにされる。制御の切換えタ
イミングの適正な選択が、ランプを最も迅速に正しいレ
ベルにすることを保証する。
【００３２】第３代替案は、両制御ループを同時に作動
させ、ランプ出力を二つの制御の低い方に基づいて制御
し、シャッタ閉止（即ち、ランプセンサ）制御ループの
設定点を所望のエネルギーレベルより僅かに高く設定す
ることになっている。これを図６に示す。シャッタを閉
じたとき、光センサ６制御ループは、制御がシャッタ閉
止制御ループに従うように、非常に高いランプ出力を命
令する。シャッタがｔ 0で開き始めると、光センサ６が
命令する出力レベルは、それがシャッタ閉止設定点の下
へ落ちるｔ1まで低下し、光センサ制御が引継ぐ。ラン
プ出力が迅速に所望のレベルまで低下し、ｔ2で露出を
始めることが出来る。ｔ3でシャッタが閉じ始めると、
光センサ６がそれに達する光の減少を補償するために出
力の増加を命令するので、ランプ出力が上昇する。しか
し、直ぐ光センサ６が命令する出力がシャッタ閉止設定
点の上に上がり、従ってその制御を引継ぐ。この様にし
て、制御ループ間の切替えが自動的である。
させ、ランプ出力を二つの制御の低い方に基づいて制御
し、シャッタ閉止（即ち、ランプセンサ）制御ループの
設定点を所望のエネルギーレベルより僅かに高く設定す
ることになっている。これを図６に示す。シャッタを閉
じたとき、光センサ６制御ループは、制御がシャッタ閉
止制御ループに従うように、非常に高いランプ出力を命
令する。シャッタがｔ 0で開き始めると、光センサ６が
命令する出力レベルは、それがシャッタ閉止設定点の下
へ落ちるｔ1まで低下し、光センサ制御が引継ぐ。ラン
プ出力が迅速に所望のレベルまで低下し、ｔ2で露出を
始めることが出来る。ｔ3でシャッタが閉じ始めると、
光センサ６がそれに達する光の減少を補償するために出
力の増加を命令するので、ランプ出力が上昇する。しか
し、直ぐ光センサ６が命令する出力がシャッタ閉止設定
点の上に上がり、従ってその制御を引継ぐ。この様にし
て、制御ループ間の切替えが自動的である。
【図１】この発明の第１実施例によるリソグラフ投影装
置を示す。
置を示す。
【図２】この発明による走査照明システムの照明光学シ
ステムの線図である。
ステムの線図である。
【図３】この発明の実施例にビーム・マスク手段として
使用するレチクル・マスクブレードの一部の断面図であ
る。
使用するレチクル・マスクブレードの一部の断面図であ
る。
【図４】この発明のランプ出力制御モードを示すグラフ
である。
である。
【図５】この発明の他のランプ出力制御モードを示すグ
ラフである。
ラフである。
【図６】この発明の更に他のランプ出力制御モードを示
すグラフである。
すグラフである。
１ 放射線源 ３ 照明システム ４ シャッタ ５ 補償手段 ６ 補償手段 ７ ビーム・マスク手段 ８ マスク ９ 放射線源 １０ 放射線源制御手段 １１ 制御手段 １２ 補償手段 ７０ ビーム・マスク手段 ７０ｂ 裏面 ７０ｃ 傾斜部 ７０ｄ 縁 ７２ 反射膜 Ｃ 目標領域 ＭＡ マスク ＭＡB 照射部分 ＭＨ 第１目的物テーブル ＰＢ 投影ビーム ＰＬ 投影システム Ｗ 基板 ＷB 目標部分 ＷＨ 第２目的物テーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ド レーウヴ ラルト ヴィレム オランダ国 エインドホーフェン，ロータ ンシュトラート 10 (72)発明者 ボネマ ゲリト マールテン オランダ国 エインドホーフェン，ゲネペ ンヴェク ６ (72)発明者 ヴィルヘルムス マリア コルベイユ オランダ国 エインドホーフェン，ヴォル フスフェン 17
Claims (15)
- 【請求項１】 リソグラフ投影装置であって：放射線投
影ビームを供給するための放射システム；少なくとも、
走査方向である第１方向に動き得て且つマスクパターン
を有するマスクを保持するためのマスクホルダを備える
第１目的物テーブル；この第１方向に動き得て且つ基板
を保持するための基板ホルダを備える第２目的物テーブ
ル；およびこのマスクの照射した部分をこの基板の目標
部分に倍率Ｍで結像するための投影システムを含む装置
に於いて；上記放射システムは、このマスクの面での断
面積がこのマスクパターンより小さい投影ビームを供給
するようにされ、この放射ビームが、この投影ビームの
断面積を制御するために可動ビーム・マスク手段を含む
こと；並びにこのビーム・マスク手段を走査を始める前
に閉じ且つ始めると開かせる制御手段；およびこのビー
ム・マスク手段が開いている間、このマスク上の投影ビ
ームの放射強度の変動を補償するための補償手段；を組
合わせて含むことを特徴とする装置。 - 【請求項２】 請求項１によるリソグラフ投影装置に於
いて、上記補償手段が、上記変動を補償するために、上
記投影ビームを作るために使用する放射線源の出力を、
上記ビーム・マスク手段の開放程度に従って制御するよ
うにされた放射線源制御手段を含む装置。 - 【請求項３】 請求項２によるリソグラフ投影装置に於
いて、上記変動が増加であり且つ上記放射線源制御手段
は、上記ビーム・マスク手段が開いている間、この放射
線源出力を減らすようにされている装置。 - 【請求項４】 請求項３によるリソグラフ投影装置に於
いて、上記放射線源制御手段は、この放射線源出力をＸ
の逆線形関数に従うように制御するようにされ、但し、
Ｘが上記ビーム・マスク手段が形成するスリットの断面
積の掩蔽比率である装置。 - 【請求項５】 請求項２、請求項３または請求項４によ
るリソグラフ投影装置に於いて、上記放射線源制御手段
がこの放射線源出力を：上記ビーム・マスク手段が全開
のときのこの投影ビームの断面積；および結像すべきレ
チクルパターンのサイズ；によって決まる関数に従って
制御するようにされた装置。 - 【請求項６】 請求項５によるリソグラフ投影装置に於
いて、上記関数を実験的に求めた基準値から計算する装
置。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６の何れか一項によ
るリソグラフ投影装置に於いて、上記補償手段は、上記
ビーム・マスク手段を上記投影ビームに実質的に透明な
材料で構成し、上記投影ビームのそれに入射する部分が
全内部反射を受けるように具体化することである装置。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７の何れか一項によ
るリソグラフ投影装置に於いて、上記補償手段が、上記
ビーム・マスク手段の上記投影ビームの入射方向に対し
て裏面に設けた反射膜を含む装置。 - 【請求項９】 請求項８によるリソグラフ投影装置に於
いて、上記ビーム・マスク手段の上記裏面がその縁に隣
接する傾斜部を含む装置。 - 【請求項１０】 請求項８または請求項９によるリソグ
ラフ投影装置に於いて、上記反射膜がアルミニウムを含
む装置。 - 【請求項１１】 請求項７から請求項１０の何れか一項
によるリソグラフ投影装置に於いて、上記投影ビームに
実質的に透明な上記材料が石英またはガラスを含む装
置。 - 【請求項１２】 請求項１から請求項１１の何れか一項
によるリソグラフ投影装置に於いて、上記放射システム
が放射線源、およびビーム成形光学素子を含む照明シス
テムを含み、上記ビーム・マスク手段が、上記照明シス
テムに、または上記投影ビームの伝播方向に対してその
下流に設けたビーム・マスクブレードを含む装置。 - 【請求項１３】 請求項１２によるリソグラフ投影装置
であって、更に、上記投影ビームを選択的に通過させお
よび阻止するために上記放射線源と上記照明システムの
間に設けたシャッタを含む装置。 - 【請求項１４】 素子製造方法で：少なくとも部分的に
エネルギー感応性材料の層で覆われた基板を設ける工
程；パターンを含むマスクを設ける工程；このマスクパ
ターンの少なくとも一部をこのエネルギー感応性材料の
層の目標領域上に倍率Ｍで投影するために放射線の投影
ビームを使う工程；上記投影工程中、このマスクを上記
投影ビームに対して走査方向に動かす工程；および上記
投影工程中、この基板を上記走査方向に沿ってＭ掛ける
このマスクを動かす速度に等しい速度で動かす工程を含
む方法に於いて：上記投影工程を始める前に閉じ且つ始
めると開くビーム・マスク手段を設ける工程；およびこ
のビーム・マスク手段が開いている間、このマスク上の
投影ビームの放射強度の変動を補償する工程；を組合わ
せて含むことを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 請求項１４の方法に従って製造した素
子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98201172 | 1998-04-14 | ||
| EP98201172.8 | 1998-04-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068199A true JP2000068199A (ja) | 2000-03-03 |
| JP3842480B2 JP3842480B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=8233591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10407899A Expired - Fee Related JP3842480B2 (ja) | 1998-04-14 | 1999-04-12 | リソグラフ投影装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3842480B2 (ja) |
| KR (1) | KR100551206B1 (ja) |
| DE (1) | DE69933903T2 (ja) |
| TW (1) | TW455746B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339634A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8059261B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Masking device, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4289755B2 (ja) * | 2000-02-24 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 露光量制御方法、デバイス製造方法および露光装置 |
| KR100825000B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2008-04-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 콘트라스트를 향상시킬 수 있는 노광 시스템 |
| CN107450271B (zh) * | 2016-05-31 | 2019-10-25 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法 |
| US11550232B2 (en) | 2019-04-09 | 2023-01-10 | Kulicke & Soffa Liteq B.V. | Lithographic systems and methods of operating the same |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0444937B1 (en) | 1990-03-02 | 1998-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2691319B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1997-12-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置および走査露光方法 |
| US5473410A (en) | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6078381A (en) * | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US5591958A (en) | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| JP3316704B2 (ja) | 1993-06-10 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
| EP0633506B1 (en) | 1993-06-11 | 2004-10-20 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| JPH07142304A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-06-02 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
| JPH0982633A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| EP0824722B1 (en) * | 1996-03-06 | 2001-07-25 | Asm Lithography B.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
| JPH1092722A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP3286184B2 (ja) | 1996-09-25 | 2002-05-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および方法 |
| WO1998028665A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
| JPH10229038A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Nikon Corp | 露光量制御方法 |
| USRE40043E1 (en) * | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
-
1999
- 1999-04-08 DE DE69933903T patent/DE69933903T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-12 TW TW088105735A patent/TW455746B/zh active
- 1999-04-12 JP JP10407899A patent/JP3842480B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-12 US US09/290,554 patent/US6348303B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-12 KR KR1019990012818A patent/KR100551206B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8059261B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Masking device, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| JP2006339634A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
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