JPH1041215A - 走査型露光装置 - Google Patents

走査型露光装置

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JPH1041215A
JPH1041215A JP8197700A JP19770096A JPH1041215A JP H1041215 A JPH1041215 A JP H1041215A JP 8197700 A JP8197700 A JP 8197700A JP 19770096 A JP19770096 A JP 19770096A JP H1041215 A JPH1041215 A JP H1041215A
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JP
Japan
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scanning
exposure
photosensitive substrate
area
illumination
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JP8197700A
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English (en)
Inventor
Kazuaki Aoto
和明 青砥
Takechika Nishi
健爾 西
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクパターンの全領域をベストフォーカス
状態で感光基板上に露光する。 【解決手段】 小さな照明領域に対してマスクを走査す
るのと同期して、その照明領域と光学的に共役な露光領
域23に対して感光基板PTを走査する。さらに、マス
ク及び感光基板の走査方向と交差する方向に照明領域を
走査することにより、マスクのパターン全体を感光基板
上に走査露光する。このとき感光基板PT上に形成され
る露光領域23は、感光基板PT上をジグザグ走査
(A)、又は一方向走査(B)するので、その小さな露
光領域に対して逐次フォーカス調整を実行する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造す
る際に使用される露光装置に関し、特に照明領域に対し
てマスク及び感光基板を同期して走査する走査型露光装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等を製造する際に使用
されていた露光装置は、主にレチクル又はフォトマスク
(以下、マスクという)に形成されたパターンを投影光
学系を介してステップ・アンド・リピート方式でフォト
レジストが塗布された半導体ウエハやガラスプレート等
の感光基板上の各ショット領域に露光する一括露光方法
の露光装置(ステッパー等)であった。
【0003】一括露光方式の露光装置では、ショット領
域の中心が投影光学系のベストフォーカス面に一致する
ように、又はショット領域全面の平均的高さ位置が投影
光学系のベストフォーカス面に一致するようにフォーカ
ス制御が行われ、また、ショット領域内に設定された複
数の計測点について計測を行なって求められたショット
領域の平面が投影光学系のベストフォーカス面に一致す
るように感光基板の傾きを制御して、露光が行われる。
【0004】最近では、半導体素子の1つのチップの大
型化あるいは大面積の液晶表示素子等のパターンを露光
するために、マスクと感光基板とを投影光学系に対して
同期して走査することで投影光学系の有効露光フィール
ドより広い範囲のショット領域への露光が可能な走査型
露光装置が開発されている。走査型露光装置には、1枚
のマスクのパターンを全体を等倍で1枚の感光基板の全
面に逐次投影露光するアライナーと、感光基板上の各シ
ョット領域への露光を縮小投影で且つ走査露光方式で行
うと共に各ショット領域間の移動をステッピング方式で
行うステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
が知られている。
【0005】走査型露光装置の露光領域は、投影光学系
の対角方向を有効に使用して露光するために、走査方向
に短いスリット状になり、一括露光方式の露光装置の露
光領域(ショット領域)より小さい。したがって、フォ
ーカス位置制御が比較的容易であり、感光基板の平面度
に乱れがあっても対応しやすい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】走査型露光装置におい
ても、投影すべきパターンの大型化にあわせて、投影光
学系を有効に利用して一度に照明できる照明領域が広く
なる傾向がある。広くなった照明領域内での投影光学系
の結像特性を良好に保つためには、投影光学系の製造段
階で、照明領域の各点における結像位置を単一平面内に
調整する必要がある。また、感光基板の平面度の基準値
が厳しくなり、感光基板を保持している保持部の平面度
に対する要求も厳しくなる。
【0007】走査露光の際には、投影光学系のベストフ
ォーカス面に感光基板の感光面を位置づける制御を行な
うことで微細なパターンの焼き付けを行なうことができ
るが、露光面積が広がり、投影露光装置の照明領域が拡
大していく中で、感光性基板のすべての照明領域で投影
光学系の焦点を合わせることは難しくなっている。特に
スリット状の照明領域のスリット長手方向の全ての部分
を投影光学系のベストフォーカス面に一致させるのは困
難である。
【0008】本発明は、走査型露光装置のこのような問
題点に鑑みてなされたもので、マスクパターンの全領域
をベストフォーカス状態で感光基板上に露光することの
できる走査型露光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明においては、投影
光学系に対してマスクと感光基板を第1の方向に同期し
て走査する。このとき、第1の方向に対する照明領域の
寸法を小さくし、第1の方向と交差する方向に照明領域
を走査することにより、マスクのパターン全体を感光基
板上に走査露光する。つまり、小さな照明領域をマスク
に対して相対的に2次元走査することで、感光基板上を
小さな露光領域で2次元的に走査露光し、感光基板上に
形成されるその小さな露光領域に対して逐次焦点位置検
出及び焦点位置調整を実行することにより前記目的を達
成する。
【0010】照明領域の走査については、露光光による
照明光路中に走査ミラーを設け、その走査ミラーを振動
させることにより照明領域を走査させる方法と、照明領
域を設定する照明視野絞りの開口部を振動させることに
より照明領域を走査させる方法とがある。また、照明視
野絞りの構造をカメラのシャッタと同様の後幕、前幕の
構成とすれば、照明領域の片方向走査を実現することが
できる。
【0011】すなわち、本発明は、露光用光源(11)
からの照明光(IL)で転写用のパターンが形成された
マスク(17)上の照明領域(18)を照明し、照明領
域(18)に対してマスク(17)を第1の方向(例え
ばX方向)に走査するのと同期して照明領域(18)と
光学的に共役な露光領域(23)に対して感光基板(P
T)を第1の方向(X方向)に平行に走査することによ
り、マスク(17)のパターンを逐次感光基板(PT)
上に露光する走査型露光装置において、第1の方向と略
直交する第2の方向(Y方向)に照明領域(18)を走
査する照明領域走査手段(15,81,88,89,9
6,97,98,99)を備えることを特徴とする。
【0012】照明領域走査手段は、照明光の光路中に配
置された走査ミラー(15)と、この走査ミラー(1
5)を第1の方向(X方向)に略平行な軸(80)の回
りに反復して回動させる手段(81)とを備えて構成す
ることができる。このとき、走査ミラー(15)が軸
(80)の回りに所定方向に回動するとき照明光を通
し、逆方向に回動するとき照明光を遮光する遮光手段
(82)を備え、照明領域(18)の走査方向を第2の
方向(Y方向)の往路走査又は復路走査のみに限っても
よい。
【0013】照明領域(18)を走査する手段は、マス
ク(17)に対して光学的に略共役な位置に配置された
開口(88A,95)と、この開口を往復移動させる手
段(89,99)とを備えて構成することもできる。こ
のとき、開口(88A,95)が所定方向に移動すると
き照明光を通し、逆方向に移動するとき照明光を遮光す
る遮光手段(90)を備え、照明領域(18)の走査方
向を第2の方向(Y方向)の往路走査又は復路走査のみ
に限ってもよい。
【0014】感光基板(PT)のフォーカス調整は、感
光基板上に形成される露光領域(23)の焦点位置を検
出する焦点位置検出手段(35)と、焦点位置検出手段
(35)の検出信号に基づいて感光基板の焦点位置を調
整する焦点位置調整手段(30,34,70,71A〜
71C,26A〜26C)とを備えることによって行わ
れる。
【0015】焦点位置検出手段(35)は、感光基板
(PT)の表面に第2の方向(照明領域及び露光領域の
走査方向、Y方向))に配列して設定された複数の計測
点(P11〜P55)と、複数の計測点からの計測信号のう
ち露光領域(23)に包含される計測点又は露光領域に
包含される計測点と露光領域に隣接する計測点からの計
測信号を用いて露光領域(23)の焦点位置を検出する
本発明によると、照明領域が小さいため感光基板上に形
成される露光領域も小さく、感光基板の平面度や、フォ
ーカス制御を行う対象面積が小さくなり、感光基板の全
露光領域に対して最適フォーカス制御を行って走査露光
することが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明による走査型露光
装置の一例を示す模式図である。水銀ランプ又はエキシ
マレーザ等の光源及びオプティカル・インテグレータ等
を含む光源系11からの露光用の照明光ILが、第1リ
レーレンズ12、照明視野絞り13、第2リレーレンズ
14、駆動手段81によって回転軸80の回りに回動可
能な走査ミラー15、及びメインコンデンサーレンズ1
6を介して、均一な照度分布でマスク17のパターン形
成面(下面)の矩形の照明領域18を照明する。照明視
野絞り13の配置面はマスク17のパターン形成面とほ
ぼ共役であり、照明視野絞り13の開口の位置及び形状
により、照明領域18の位置及び形状が設定される。
【0017】図2は、照明視野絞り13の平面図であ
る。照明視野絞り13は投影光学系PLの光軸上に矩形
の開口13Aを有し、この矩形の開口13Aの像がマス
ク17のパターン面に形成されて、照明領域18とな
る。したがって、照明領域18の形状は開口13Aと相
似形の矩形形状である。照明視野絞り13に隣接して移
動ブラインド82が設けられている。照明視野絞り13
の開口13Aを通る照明光ILを移動ブラインド82で
遮光すると、マスク17を照明する照明領域18は消失
し、感光基板PTへのパターン露光が中断される。
【0018】マスク17上の照明領域18内のパターン
の投影光学系PLを介した像が、フォトレジストが塗布
された感光基板PT上の矩形の露光領域23に投影露光
される。ここで、投影光学系PLの光軸に平行にZ軸を
取り、その光軸に垂直な2次元平面内で図1の紙面に平
行にX軸を、図1の紙面に垂直にY軸を取る。なお、図
1では走査ミラー15の回転軸80はY軸方向に平行に
描かれているが、これは図示の都合上のことであり、実
際には回転軸80はX軸に平行に設定されている。
【0019】マスク17はマスクステージ19上に保持
され、マスクステージ19はマスクベース20上で走査
方向であるX方向に例えばリニアモータにより駆動され
る。マスクステージ19上の移動鏡28、及び外部のレ
ーザ干渉計29によりマスク17のX座標が計測され、
このX座標が装置全体の動作を統轄制御する主制御系3
0に供給され、主制御系30は、マスクステージ駆動系
31及びマスクステージ19を介してマスク17の位置
及び移動速度の制御を行う。
【0020】一方、感光基板PTは、不図示の感光基板
ホルダを介してZチルトステージ24上に保持され、Z
チルトステージ24は3個のZ方向に移動自在なアクチ
ュエータ26A〜26Cを介してYステージ25Y上に
載置され、Yステージ25Yは、Xステージ25X上に
例えばリニアモータでY方向に移動されるように載置さ
れ、Xステージ25Xは、装置ベース27上に例えばリ
ニアモータでX方向に移動されるように載置されてい
る。3個のアクチュエータ26A〜26Cを並行に伸縮
させることにより、Zチルトステージ24のZ方向の位
置(焦点位置)の調整が行われ、3個のアクチュエータ
26A〜26Cの伸縮量を個別に調整することにより、
Zチルトステージ24のX軸及びY軸の回りの傾斜角の
調整が行われる。
【0021】また、Zチルトステージ24の上端に固定
されたX軸用の移動鏡32X、及び外部のレーザ干渉計
33Xにより、感光基板PTのX座標が常時モニタさ
れ、Y軸用の移動鏡32Y(図11参照)及び外部のレ
ーザ干渉計33Yにより、感光基板PTのY座標が常時
モニタされ、検出されたX座標、Y座標が主制御系30
に供給されている。
【0022】主制御系30は、供給された座標に基づい
て基板ステージ駆動系34を介してXステージ25X、
Yステージ25Y、及びZチルトステージ24の動作を
制御する。投影光学系PLが投影倍率β(βは例えば1
/4等)で倒立像を投影する場合には、マスクステージ
19を介してマスク17を照明領域18に対して+X方
向(又は−X方向)に速度VR で走査するのと同期し
て、Xステージ25Xを介して感光基板PTが露光領域
23に対して−X方向(又は+X方向)に速度VW (=
β・VR )で走査される。
【0023】次に、走査ミラー15の作用について説明
する。図1では図を見やすくするために走査ミラー15
の回転軸80をY方向に平行に描いてあるが、実際には
図3に示すように、走査ミラー15の回転軸80はマス
ク17及び感光基板PTの走査方向であるX方向に平行
に設定されている。走査ミラー15はメインコンデンサ
ーレンズ16の瞳面の近傍に配置されており、主制御系
30は駆動手段81によって走査ミラー15を回転軸8
0の回りに所定の振幅で正逆回動させる。走査ミラー1
5の回動により、マスク17上に形成される照明視野絞
り13の開口13Aの像、すなわち矩形の照明領域18
は、図3に矢印で示すようにY方向に走査される。
【0024】図4は、マスク17上での照明領域18の
移動範囲を示す図である。マスク17には感光基板PT
に転写すべきパターンが描かれたパターン領域17Aが
設けられており、走査ミラー15の回動に伴いマスク1
7上に形成される照明領域18はパターン領域17Aの
外側に位置する第1の位置18Aと第2の位置18Bの
間を走査する。
【0025】図5は、投影光学系PLに対してマスク1
7と感光基板PTをX方向に同期走査しながら、走査ミ
ラー15を回転軸80の回りに所定の振幅で正逆回動さ
せたとき、感光基板PT上を露光領域23が相対的に走
査する様子を示した図である。図では、感光基板PTは
投影光学系PLに対して+X方向に移動し、露光領域2
3は感光基板PT上を矢印方向に走査する。
【0026】図5(A)は、移動ブラインド82を照明
視野絞り13の開口13Aを遮らない位置に固定した状
態で照明領域18を走査したとき、感光基板PT上での
露光領域23の走査状態を示す。マスク17上に形成さ
れる照明領域18が、図4に示した第1の位置18Aと
第2の位置18Bの間を往復走査するとき、露光領域2
3は往復走査で一部が重なり合いながら感光基板PT上
を斜め方向にジグザグ走査する。矩形の露光領域23の
うちY方向に平行な辺を含む領域で走査される感光基板
PT上の細帯領域85は他の領域に比べて露光量が低下
するが、図6に示すように同じ方向に向かう隣接走査時
に重ねて露光されるため、全体としての露光量は感光基
板PT上の全ての部分で同一になる。
【0027】図5(B)は、照明開口絞り13に隣接す
る移動ブラインド82を、例えば照明領域18がマスク
17上の位置18Bから18Aに向かって走査するとき
照明視野絞り13の開口13Aを開放し、位置18Aか
ら位置18Bに向かって逆方向に走査すべきとき開口1
3Aを閉じるように駆動制御したとき、感光基板PT上
での露光領域23の走査状態を示す。このとき露光領域
23は細帯領域85で重なり合いながら感光基板PT上
を一方向、例えば−Y方向に反復して走査する。細帯領
域85は一回の走査露光では露光量が他の部分より少な
いが、図6で説明したように2回重ねて露光することに
より他の部分と露光量が同じになり、結果的に感光基板
PTの全ての領域は適正露光量で露光される。
【0028】図5(A)に示したように感光基板PT上
で照明領域23をジグザグに往復走査する場合には、よ
り多くの露光量を得ることが可能となる。また、重ね合
わせ露光される細帯領域85の上にももう一度二重露光
されるため、重ね合わせ部分に対する位置精度が緩和さ
れるとともに感光基板PTの全面をより均一に露光する
ことができる。一方、図5(B)に示したように、露光
領域23の往復走査ではなく一方向走査で感光基板PT
を露光する場合には、ステージの走り方向に依存して発
生する正逆差(ステージ加速時の装置振動が大きい場合
に発生するステージ追従オフセット)問題もないため、
基板ステージの走査に同期をとることが容易になる。
【0029】次に、図1に戻り、感光基板12の表面の
Z方向の位置(焦点位置)を検出するための多点の焦点
位置検出系(以下、「多点AFセンサ」という)35の
構成につき説明する。この多点AFセンサ35におい
て、光源36から射出されたフォトレジストに対して非
感光性の検出光が、コンデンサーレンズ37を介して送
光スリット板38内の多数のスリットを照明し、それら
スリットの像が対物レンズ39を介して、投影光学系P
Lの光軸に対して斜めに感光基板PT上の照明領域23
を含むスリット状の領域23A、及びこの前後の先読み
領域45A,45B(図7参照)の25個の計測点P11
〜P55に投影される。
【0030】図7は、感光基板PT上のそれら計測点P
11〜P55の配置を示し、この図7において、矩形状の露
光領域23を含むスリット状の領域23Aに対して+X
方向、及び−X方向側にそれぞれ先読み領域45A及び
45Bが設定されている。そして、露光領域23を含む
スリット状の領域23A内に5行×3列の計測点P21
45が設定され、先読み領域45B内に5個の計測点P
11〜P15が設定され、先読み領域45A内に5個の計測
点P51〜P55が設定されている。この例では、スリット
状の領域23A内の露光領域23に含まれる、あるいは
その近傍の計測点での焦点位置の情報から露光領域23
内での平均的な焦点位置、及び傾斜角を求める。そし
て、必要に応じて、先読み領域45A(又は45B)内
の5個の計測点での焦点位置の情報を使用して感光基板
PTの表面の段差の補正等を行う。
【0031】図1に戻り、それらの計測点からの反射光
が、集光レンズ40を介して振動スリット板41上に集
光され、振動スリット板41上にそれら計測点に投影さ
れたスリット像が再結像される。振動スリット板41
は、主制御系30からの駆動信号DSにより駆動される
加振器42により所定方向に振動している。振動スリッ
ト板41の多数のスリットを通過した光が光電検出器4
3上の多数の光電変換素子によりそれぞれ光電変換さ
れ、これら光電変換信号が信号処理系44に供給され
る。
【0032】図8は、図1中の送光スリット板38を示
し、この図8において、送光スリット板38には図7の
感光基板上の計測点P11〜P55に対応する位置にそれぞ
れスリット3811〜3855が形成されている。また、図
1中の振動スリット板41上にも、図9に示すように図
7の感光基板上の計測点P11〜P55に対応する位置にそ
れぞれスリット4111〜4155が形成され、振動スリッ
ト板41は加振器42により各スリットの長手方向に直
交する計測方向に振動している。
【0033】次に、図10は、図1中の光電検出器4
3、及び信号処理系44を示し、この図10において、
光電検出器43上の1行目の光電変換素子4311〜43
15には、それぞれ図7の計測点P11〜P15から反射され
て、且つ振動スリット板41中の対応するスリットを通
過した光が入射し、2行目〜4行目の光電変換素子43
21〜4345には、それぞれ図7の計測点P21〜P45から
反射されて、且つ振動スリット板41中の対応するスリ
ットを通過した光が入射し、5行目の光電変換素子43
51〜4355には、それぞれ図7の計測点P51〜P55から
反射されて、且つ振動スリット板41中の対応するスリ
ットを通過した光が入射する。
【0034】そして、光電変換素子4311〜4355から
の検出信号は、増幅器5611〜5655を介して同期整流
器5711〜5755に供給される。同期整流器5711〜5
53はそれぞれ加振器42用の駆動信号DSを用いて入
力された検出信号を同期整流することにより、対応する
計測点の焦点位置に所定範囲でほぼ比例して変化するフ
ォーカス信号を生成する。この例では、同期整流器57
11〜5755から出力されるフォーカス信号は、それぞれ
図1において、例えばマスク17が走査方向の中央に静
止した状態で、対応する計測点が投影光学系PLの結像
面(ベストフォーカス面)に合致しているときに0にな
るようにキャリブレーションが行われている。
【0035】同期整流器5711〜5755から出力される
フォーカス信号は、並列にマルチプレクサ58に供給さ
れ、マルチプレクサ58は、主制御系30内のマイクロ
プロセッサ(MPU)60からの切り換え信号に同期し
て、供給されるフォーカス信号から順番に選ばれたフォ
ーカス信号をアナログ/デジタル(A/D)変換器59
に供給し、A/D変換器59から出力されるデジタルの
フォーカス信号が順次主制御系30内のメモリ61内に
格納される。
【0036】図11は、図1に示した3個のアクチュエ
ータ26A〜26Cの駆動系を示し、この図11の主制
御系30において、メモリ61の各アドレス6111〜6
55内にそれぞれ図7に示した計測点P11〜P55での焦
点位置を示すデジタルのフォーカス信号が格納されてい
る。なお、これらのフォーカス信号は、所定のサンプリ
ング周期で逐次書き換えられているものである。それら
メモリ61の各アドレス11〜6155内に格納されている
フォーカス信号は並列に演算部62に供給される。
【0037】図7に示したスリット状の領域23A内に
おける露光領域23の位置は走査ミラー15の回転角に
よって決まる。演算部62では、主制御系30から走査
ミラー駆動手段81に供給されている駆動信号から走査
ミラー15の回転角、従ってスリット状の領域23A内
を走査している露光領域23の位置を知り、その情報を
もとに15個の計測点P21〜P45のうち露光領域23内
に包含される計測点、あるいは露光領域23の近傍に位
置する計測点を求め、それらの計測点に対応するアドレ
スからフォーカス信号を読み出す。
【0038】演算部62では、その読み出された計測点
に対応するフォーカス信号に基づいて、最小自乗法的に
その露光領域23の表面に合致する平面を決定し、この
決定された平面の中心での焦点位置(Z座標)Zb 、Y
軸の回りでの傾斜角θX 、及びX軸の回りでの傾斜角θ
Y を求める。メモリ61内のアドレス6111〜6115
び6151〜6155から読み出された、図7の先読み領域
45A,45B内の計測点P11〜P15,P51〜P55に対
応するフォーカス信号は、演算部62内の先読み補正部
63に供給される。先読み補正部63では例えば感光基
板PTの表面の凹凸の検出等を行う。メモリから読み出
された各計測点に対応するフォーカス信号は、その計測
点が露光領域23内に位置するか露光領域23外に位置
するかに応じて、あるいは露光領域23内でも中央に位
置しているか端部に位置しているか等に応じて重み付け
をした上で最小自乗法によって露光領域23の表面に合
致する平面を計算してもよい。
【0039】演算部62で求められた焦点位置Zb 、傾
斜角θX ,θY は、それぞれ目標位置/速度変換部68
に供給される。また、レーザ干渉計33X及び33Yで
計測されたZチルトステージ24(感光基板PT)のX
座標及びY座標も目標位置/速度変換部68に供給され
ている。
【0040】目標位置/速度変換部68では、先ず、供
給されたZチルトステージ24のX座標及びY座標よ
り、投影光学系PLの光軸を原点とした場合の3個のア
クチュエータ26A,26B,26Cのそれぞれの作用
点の座標(X1,Y1),(X2,Y2),(X3,Y3)を
算出する。また、予め傾斜角θX 、傾斜角θY 、及び焦
点位置Zb のそれぞれの位置制御系のループゲインKθ
X ,KθY ,及びKZが記憶されており、目標位置/速
度変換部68では次の〔数1〕によって3個のアクチュ
エータ26A,26B,26Cへのそれぞれの速度指令
値VZ1 ,VZ2 ,VZ3 を算出する。
【0041】
【数1】
【0042】アクチュエータ26A,26B,26Cの
座標(X1,Y1),(X2,Y2),(X3,Y3)は、感
光基板PTが走査されるのに応じて変化するため、目標
位置/速度変換部68は、例えば感光基板PTの位置が
所定ステップ変化する毎に、又は所定の時間間隔で逐次
前記〔数1〕の演算を行って速度指令値VZ1 ,V
2 ,VZ3 を算出する。これらの速度指令値VZ1
VZ3 は、速度コントローラ70に供給され、速度コン
トローラ70は、パワーアンプ71A〜71Cを介して
アクチュエータ26A〜26Cを駆動する。また、アク
チュエータ26A〜26Cの内部のロータリエンコーダ
からの速度検出信号が速度コントローラ70にフィード
バックされている。これにより、アクチュエータ26
A,26B,26Cは、それぞれ先端部が駆動速度VZ
1 ,VZ2 ,VZ3 でZ方向に駆動される。
【0043】そして、そのアクチュエータ26A〜26
Cにより駆動された後の感光基板PTの表面の位置及び
傾斜角が、図1に示した多点AF系35及び図11に示
した演算部62等により計測され、この計測結果と目標
値との偏差が速度コントローラ70にフィードバックさ
れる。走査露光中にそのようにZチルトステージ24の
傾斜角及び焦点位置をサーボ制御することによって、感
光基板PTの露光領域23が、常にマスク17の照明領
域18内のパターンの投影像の結像面に合致した状態で
露光が行われる。
【0044】なお、図7においては、傾斜角、及び焦点
位置検出用の計測点P21〜P45が露光領域23が移動可
能なスリット状の領域23A内に分布しているが、それ
ら計測点P21〜P45はスリット状の領域23Aからはみ
出していてもよい。また、全体の計測点P11〜P55の個
数、及び配列は図7に示したものに限定されず、例えば
計測点をX方向に段違いに配置してもよい。
【0045】更に、ここで説明した例では、感光基板P
T上の露光領域23の傾斜角を検出するために多点AF
センサ35が使用されているが、多点AFセンサの代わ
りに計測点が1点のAFセンサを使用して、傾斜角検出
用に例えば感光基板PTの表面に平行光束を斜めに照射
し、その反射光の集光位置の横ずれ量からその表面の傾
斜角を検出する平行光束斜入射方式のレベリングセンサ
を使用してもよい。
【0046】次に、図12を用いて本発明による走査型
露光装置の他の例について説明する。図12は先の例の
図3に相当する図であり、図12に示した照明領域18
の走査機構を除く露光装置の装置構成は図1と同様であ
る。この例では、照明光を反射するミラー87を固定ミ
ラーとし、その代わりマスク17と共役な位置に矢印方
向に可動な開口板88を配置する。開口板88は、図2
に示した照明視野絞り13の開口13Aと同様な矩形の
開口88Aを有し、主制御系30からの指令を受ける開
口板駆動手段89によって投影光学系PLの光軸に垂直
な方向に往復駆動される。
【0047】開口板88を開口板駆動手段89により矢
印で示すように往復駆動するとき、マスク17上に形成
される照明領域18は、図4に示すようにパターン領域
17Aの外側に位置する第1の位置18Aと第2の位置
18Bの間を往復走査する。投影光学系PLに対してマ
スク17及び感光基板PTを同期して走査しながら、開
口板88を往復移動させると、感光基板PT上に形成さ
れる露光領域23は図5(A)に示すように感光基板P
T上をジグザグ走査する。
【0048】また、開口板88に隣接して移動ブライン
ド90を設け、開口板88が例えば図12の下方に向け
て駆動されているときに開口88Aを開け、開口板88
が図12の上方に向けて駆動されているときに開口88
Aを閉じるように移動ブラインド90の位置を制御する
と、露光領域23は感光基板PT上を図5(B)に示し
たように一方向に走査する。
【0049】また、移動開口は、図13に示したよう
に、細長い開口部95を有する固定の開口板96と、移
動する2枚の遮光プレート97,98によって形成する
こともできる。2枚の遮光プレート97,98は、主制
御系30からの指令を受けるプレート駆動手段99によ
って、固定開口板96に設けられた開口95の長手方向
に独立して駆動される。
【0050】この場合、遮光プレート97,98をその
間隔Dを一定に保って往復駆動すると、感光基板PT上
に形成される露光領域23は図5(A)に示すように感
光基板PT上をジグザグ走査する。また、遮光プレート
97,98を、例えば図13の上方に向けて移動してい
るときは両者の間隔をDとし、下方に向けて駆動してい
るときは両者の間隔を0、あるいはプレート97とプレ
ート98の端部同士をを重ね合わせた状態とすることに
より、図5(B)に示すように、露光領域23は感光基
板PT上を図5(B)に示したように一方向に走査す
る。
【0051】
【発明の効果】本発明によると、感光基板の全面にマス
クのパターンを露光するにあたり、小さな露光領域をマ
スク及び感光基板の走査方向に略直交する方向に走査す
るため、露光領域に対するフォーカス位置制御を最適に
行なうことができ、投影光学系の焦点探度を実効的に増
すことができる。そのため、感光基板の平面度が悪かっ
たり、感光基板と基板のホルダとの間に介在する異物に
よって感光基板が変形した場合においても、デフォーカ
スによるパターン像の劣化等の影響を少なくすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による走査型露光装置の一例を示す模式
図。
【図2】照明視野絞りの平面図。
【図3】走査ミラーによる照明領域の移動を説明する
図。
【図4】マスク上での照明領域の移動範囲を示す図。
【図5】感光基板上を露光領域が移動する様子を示した
図。
【図6】隣接する走査領域の重ね合わせ露光を説明する
図。
【図7】感光基板上の計測点の配置を示す図。
【図8】送光スリット板を示す図。
【図9】振動スリット板を示す図。
【図10】光電検出器及び信号処理系を示す構成図。
【図11】アクチュエータの駆動系を示す図。
【図12】本発明による走査型露光装置の他の例におけ
る照明領域の走査機構の説明図。
【図13】移動開口の他の例を説明する図。
【符号の説明】
11…光源系、13…照明視野絞り、13A…開口、1
5…走査ミラー、16…メインコンデンサーレンズ、1
7…マスク、17A…パターン領域、18…照明領域、
19…マスクステージ、23…露光領域、24…Zチル
トステージ、26A〜26C…アクチュエータ、30…
主制御系、31…マスクステージ駆動系、35…多点A
F系、38…送光スリット板、41…振動スリット板、
43…光電検出器、44…信号処理系、45A,45B
…先読み領域、5611〜5655…増幅器、5711〜57
55…同期整流器、58…マルチプレクサ、61…メモ
リ、64…メモリ、62…演算部、68…目標位置/速
度変換部、70…速度コントローラ、71A〜71C…
パワーアンプ、80…回転軸、81…走査ミラー駆動手
段、82…移動ブラインド、85…細帯領域、88…開
口板、88A…開口、89…開口板駆動手段、90…移
動ブラインド、95…開口部、96…開口板、97,9
8…遮光プレート、99…プレート駆動手段、PL…投
影光学系、PT…感光基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 515E 516B

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光用光源からの照明光で転写用のパタ
    ーンが形成されたマスク上の照明領域を照明し、前記照
    明領域に対して前記マスクを第1の方向に走査するのと
    同期して前記照明領域と光学的に共役な露光領域に対し
    て感光基板を前記第1の方向に平行に走査することによ
    り、前記マスクのパターンを逐次前記感光基板上に露光
    する走査型露光装置において、 前記第1の方向と略直交する第2の方向に前記照明領域
    を走査する照明領域走査手段を備えることを特徴とする
    走査型露光装置。
  2. 【請求項2】 前記照明領域走査手段は、前記照明光の
    光路中に配置された走査ミラーと、前記走査ミラーを前
    記第1の方向に略平行な軸の回りに反復して回動させる
    手段とを備えることを特徴とする請求項1記載の走査型
    露光装置。
  3. 【請求項3】 前記走査ミラーが前記軸の回りに所定方
    向に回動するとき前記照明光を通し、逆方向に回動する
    とき前記照明光を遮光する遮光手段を備えることを特徴
    とする請求項2記載の走査型露光装置。
  4. 【請求項4】 前記照明領域を走査する手段は、前記マ
    スクに対して光学的に略共役な位置に配置された開口
    と、前記開口を往復移動させる手段とを備えることを特
    徴とする請求項1記載の走査型露光装置。
  5. 【請求項5】 前記開口が所定方向に移動するとき前記
    照明光を通し、逆方向に移動するとき前記照明光を遮光
    する遮光手段を備えることを特徴とする請求項4記載の
    走査型露光装置。
  6. 【請求項6】 前記感光基板上の前記露光領域の焦点位
    置を検出する焦点位置検出手段と、前記焦点位置検出手
    段の検出信号に基づいて前記感光基板の焦点位置を調整
    する焦点位置調整手段とを備えることを特徴とする請求
    項1〜5のいずれか1項記載の走査型露光装置。
  7. 【請求項7】 前記焦点位置検出手段は、前記感光基板
    の表面に前記第2の方向に配列して設定された複数の計
    測点と、前記複数の計測点からの計測信号のうち前記露
    光領域に包含される計測点又は前記露光領域に包含され
    る計測点と前記露光領域に隣接する計測点からの計測信
    号を用いて前記露光領域の焦点位置を検出することを特
    徴とする請求項6記載の走査型露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142379A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Hitachi Ltd パターン露光方法及びその装置並びに電子装置の製造方法及び電子装置
JP2006339634A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2009088003A1 (ja) * 2008-01-10 2009-07-16 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

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