JP2003068626A - 露光装置内ユニットの輻射冷却方法及び輻射冷却装置 - Google Patents
露光装置内ユニットの輻射冷却方法及び輻射冷却装置Info
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置内ユニットを輻射により非接触で冷
却し、震動の伝達を小さく抑え、他の部材を不必要に冷
やさずにユニットの温度調節を行う。 【解決手段】 露光装置内のユニットとして基板用ステ
ージである微動ステージ１を冷却対象とし、輻射で冷却
する時に、微動ステージ１に対して非接触のペルチェ素
子４を冷却板として用い、このペルチェ素子４の裏面
を、配管８にて冷却水９が供給され基準温度に保たれる
冷却ブロック７によって一定温度に冷却する。
却し、震動の伝達を小さく抑え、他の部材を不必要に冷
やさずにユニットの温度調節を行う。 【解決手段】 露光装置内のユニットとして基板用ステ
ージである微動ステージ１を冷却対象とし、輻射で冷却
する時に、微動ステージ１に対して非接触のペルチェ素
子４を冷却板として用い、このペルチェ素子４の裏面
を、配管８にて冷却水９が供給され基準温度に保たれる
冷却ブロック７によって一定温度に冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、冷却方法及び冷却
装置、特に半導体露光装置において、輻射を用いて非接
触にて冷却する輻射冷却方法及び輻射冷却装置に関す
る。
装置、特に半導体露光装置において、輻射を用いて非接
触にて冷却する輻射冷却方法及び輻射冷却装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１３に示すようにマスクＭに対してウ
エハＷの位置決めは、以下のように行う。マスクＭの位
置は、マスクステージ１０に取り付けられたミラー３０
の位置をレーザ干渉計３５で計測し、ウエハＷの位置
は、微動ステージ１に取り付けられたミラー２の位置を
レーザ干渉計３６で計測しこの位置関係が一定となるよ
うに微動ステージ１を駆動して制御している。ウエハＷ
は、微動ステージ１上のウエハチャック３に吸着され
る。ウエハチャック３としては、２つの電極３ａを有す
る双曲型の静電チャックが用いられている。
エハＷの位置決めは、以下のように行う。マスクＭの位
置は、マスクステージ１０に取り付けられたミラー３０
の位置をレーザ干渉計３５で計測し、ウエハＷの位置
は、微動ステージ１に取り付けられたミラー２の位置を
レーザ干渉計３６で計測しこの位置関係が一定となるよ
うに微動ステージ１を駆動して制御している。ウエハＷ
は、微動ステージ１上のウエハチャック３に吸着され
る。ウエハチャック３としては、２つの電極３ａを有す
る双曲型の静電チャックが用いられている。
【０００３】図１４に示すように露光装置に用いられる
リニアモータ４０を用いたステージに関して概要を説明
する。リニアモータ４０は、電機子ユニットと磁極ユニ
ットからなる。磁極ユニットは、Ｙ軸に対して磁極が交
互に異なるように所定間隔で配置された磁石４３，４４
からなる。電機子ユニットは、電流を流すコイル４５，
４６からなる。以上のコイル４５を流れる電流と磁石４
３の磁束との相互作用によって生じるローレンツ力によ
って、電機子ユニットが固定子、磁極ユニットが可動子
として機能し、粗動ステージ４７をＹ軸方向へ移動させ
る。不図示のＸ軸のリニアモータの作動によって、粗動
ステージ４７はＸ軸方向へ移動する。粗動ステージ４７
上に配置された微動ステージ１は、Ｚ方向に剛性の弱い
バネ４８で支持されＺ軸方向へ可動とするリニアモータ
によって粗動ステージ４７に対するＺ方向への微小な位
置決めがなされる。微動ステージ１は、同様に不図示の
Ｘ，Ｙの微動リニアモータによって、粗動ステージ４７
に対するＸ及びＹ方向への微小な位置決めがなされる。
リニアモータ４０を用いたステージに関して概要を説明
する。リニアモータ４０は、電機子ユニットと磁極ユニ
ットからなる。磁極ユニットは、Ｙ軸に対して磁極が交
互に異なるように所定間隔で配置された磁石４３，４４
からなる。電機子ユニットは、電流を流すコイル４５，
４６からなる。以上のコイル４５を流れる電流と磁石４
３の磁束との相互作用によって生じるローレンツ力によ
って、電機子ユニットが固定子、磁極ユニットが可動子
として機能し、粗動ステージ４７をＹ軸方向へ移動させ
る。不図示のＸ軸のリニアモータの作動によって、粗動
ステージ４７はＸ軸方向へ移動する。粗動ステージ４７
上に配置された微動ステージ１は、Ｚ方向に剛性の弱い
バネ４８で支持されＺ軸方向へ可動とするリニアモータ
によって粗動ステージ４７に対するＺ方向への微小な位
置決めがなされる。微動ステージ１は、同様に不図示の
Ｘ，Ｙの微動リニアモータによって、粗動ステージ４７
に対するＸ及びＹ方向への微小な位置決めがなされる。
【０００４】さて、ステージの振動が大きいと、転写パ
ターンの線幅精度の低下につながり、半導体素子の高集
積化、微細化の傾向に伴い、求められる線幅精度に対
し、ステージ振動を低減しないとその仕様を満足できな
いという問題点がある。
ターンの線幅精度の低下につながり、半導体素子の高集
積化、微細化の傾向に伴い、求められる線幅精度に対
し、ステージ振動を低減しないとその仕様を満足できな
いという問題点がある。
【０００５】一方で、ウエハＷにはマスクＭを通してマ
スクＭの吸収体の無い部分からは露光光が入射する。こ
の露光光をウエハＷが吸収することで発生する熱は、接
触の熱伝導によってウエハチャック３にも伝わって、ウ
エハＷやウエハチャック３の温度上昇の原因となる。こ
の温度上昇によって、ウエハＷやウエハチャック３が熱
膨張する。例えば、ウエハチャック３の温度が０．１℃
上昇し、ウエハチャック３の材質がＳｉＣである場合、
３００ｍｍのチャック全体で９０ｎｍも位置がずれてし
まうことになり、高精度な位置決めを行う上で、特開平
１０−９２７３８号公報に提案があるように、ウエハＷ
やウエハチャック３の冷却が必要とされている。
スクＭの吸収体の無い部分からは露光光が入射する。こ
の露光光をウエハＷが吸収することで発生する熱は、接
触の熱伝導によってウエハチャック３にも伝わって、ウ
エハＷやウエハチャック３の温度上昇の原因となる。こ
の温度上昇によって、ウエハＷやウエハチャック３が熱
膨張する。例えば、ウエハチャック３の温度が０．１℃
上昇し、ウエハチャック３の材質がＳｉＣである場合、
３００ｍｍのチャック全体で９０ｎｍも位置がずれてし
まうことになり、高精度な位置決めを行う上で、特開平
１０−９２７３８号公報に提案があるように、ウエハＷ
やウエハチャック３の冷却が必要とされている。
【０００６】また、温度の制御性を高めるために、ペル
チェ素子を用いたウエハチャックの温調も考えられてい
る。図１５のように温度センサ６からの信号を基に温度
を一定にするように、微動ステージ１に表面を接触させ
たペルチェ素子４の表裏面の温度差を変更するようにペ
ルチェ素子４に流す電流をペルチェ素子制御部５により
可変としている。この場合でもペルチェ素子４は、その
表裏面の温度差を可変とする素子であるために、裏面を
ある程度の温度に保つことが必要であり、一般的には配
管８を通して流体（冷却水）９が送られる冷却ブロック
７で裏面の温度を保っている。また、発熱量が小さい場
合には、気体をウエハＷやウエハチャック３に吹き付け
ることによる温調も行われている。
チェ素子を用いたウエハチャックの温調も考えられてい
る。図１５のように温度センサ６からの信号を基に温度
を一定にするように、微動ステージ１に表面を接触させ
たペルチェ素子４の表裏面の温度差を変更するようにペ
ルチェ素子４に流す電流をペルチェ素子制御部５により
可変としている。この場合でもペルチェ素子４は、その
表裏面の温度差を可変とする素子であるために、裏面を
ある程度の温度に保つことが必要であり、一般的には配
管８を通して流体（冷却水）９が送られる冷却ブロック
７で裏面の温度を保っている。また、発熱量が小さい場
合には、気体をウエハＷやウエハチャック３に吹き付け
ることによる温調も行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、微動ス
テージ１に直接冷却のための配管８がつながっているこ
とやその配管８に冷却水９を流すことによって、水を
流すことによる振動がステージに伝わり、配管がつな
がることで動きが拘束される。これは、干渉計によって
その位置を検知してステージ位置を制御しているのに対
し、力を加えても位置が変わりにくいことと同じであ
り、このため、位置制御の応答性が遅くなり、高い周波
数の振動を抑える制御が出来なくなる、という問題点が
生じ、ステージの振動を小さく抑えることができないと
いう問題点が生じる。
テージ１に直接冷却のための配管８がつながっているこ
とやその配管８に冷却水９を流すことによって、水を
流すことによる振動がステージに伝わり、配管がつな
がることで動きが拘束される。これは、干渉計によって
その位置を検知してステージ位置を制御しているのに対
し、力を加えても位置が変わりにくいことと同じであ
り、このため、位置制御の応答性が遅くなり、高い周波
数の振動を抑える制御が出来なくなる、という問題点が
生じ、ステージの振動を小さく抑えることができないと
いう問題点が生じる。
【０００８】また、低温にコントロールされた冷却水９
を冷却ブロック７に流すのに配管８を引き回すが、この
配管８によって回りの部材が冷やされることで、これと
接触している、例えば、レーザ干渉計固定部材、照明光
学系、投影、及び反射光学系の各レンズ支持部材等の温
度を下げてしまい、かえって、位置がずれるために転写
性能の劣化が生じる。
を冷却ブロック７に流すのに配管８を引き回すが、この
配管８によって回りの部材が冷やされることで、これと
接触している、例えば、レーザ干渉計固定部材、照明光
学系、投影、及び反射光学系の各レンズ支持部材等の温
度を下げてしまい、かえって、位置がずれるために転写
性能の劣化が生じる。
【０００９】気体を吹き付ける場合、レーザ干渉計のレ
ーザの光路に、吹き付けられた気体が流れ込んだりし
て、一様な屈折率の気体で満たすことができず、ゆらぎ
による測長エラーが問題となる場合があった。
ーザの光路に、吹き付けられた気体が流れ込んだりし
て、一様な屈折率の気体で満たすことができず、ゆらぎ
による測長エラーが問題となる場合があった。
【００１０】さらには、縮小投影露光で転写できる最小
の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の
開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転
写するためには用いる光の短波長化が進められ、水銀ラ
ンプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９
３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の
開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転
写するためには用いる光の短波長化が進められ、水銀ラ
ンプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９
３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
【００１１】しかし半導体素子は急速に微細化してお
り、紫外光を用いたリソグラフィでは限界がある。そこ
で０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターン
を効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が
短い波長１０〜１５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）
を用いた縮小投影露光装置（ＥＵＶ露光装置）や電子線
を用いた露光装置（ＥＢ露光装置）が開発されている。
り、紫外光を用いたリソグラフィでは限界がある。そこ
で０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターン
を効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が
短い波長１０〜１５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）
を用いた縮小投影露光装置（ＥＵＶ露光装置）や電子線
を用いた露光装置（ＥＢ露光装置）が開発されている。
【００１２】このような、ＥＵＶ露光装置、ＥＢ露光装
置は、露光光の物質による吸収が非常に大きくなるの
で、露光雰囲気は真空となる。このような、真空中で
は、従来気体の吹き付けによるウエハやウエハチャック
の温度調節を行えない。
置は、露光光の物質による吸収が非常に大きくなるの
で、露光雰囲気は真空となる。このような、真空中で
は、従来気体の吹き付けによるウエハやウエハチャック
の温度調節を行えない。
【００１３】本発明は、露光装置内のユニットを輻射に
より非接触で冷却し、かつ震動の伝達を小さく抑えるこ
とができ、他の部材を不必要に冷やすことなく、対象ユ
ニットの温度調節を行うことができる露光装置内ユニッ
トの輻射冷却方法を提供することを目的とする。
より非接触で冷却し、かつ震動の伝達を小さく抑えるこ
とができ、他の部材を不必要に冷やすことなく、対象ユ
ニットの温度調節を行うことができる露光装置内ユニッ
トの輻射冷却方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以上のような課題から、
本発明に係る輻射冷却方法は、露光装置内のユニットを
輻射で冷却する時に、冷却板として前記ユニットに対し
て非接触のペルチェ素子を用いることを特徴とする。前
記ペルチェ素子は直列に配置されることが好ましい。ま
た、本発明に係る輻射冷却方法は、露光装置内のユニッ
トに配したペルチェ素子で該ユニットを輻射で冷却する
とともに、このペルチェ素子の裏面を輻射で冷却するこ
とを特徴としてもよい。前記ペルチェ素子の裏面をこの
ペルチェ素子とは別個のペルチェ素子によって輻射で冷
却することが好ましい。
本発明に係る輻射冷却方法は、露光装置内のユニットを
輻射で冷却する時に、冷却板として前記ユニットに対し
て非接触のペルチェ素子を用いることを特徴とする。前
記ペルチェ素子は直列に配置されることが好ましい。ま
た、本発明に係る輻射冷却方法は、露光装置内のユニッ
トに配したペルチェ素子で該ユニットを輻射で冷却する
とともに、このペルチェ素子の裏面を輻射で冷却するこ
とを特徴としてもよい。前記ペルチェ素子の裏面をこの
ペルチェ素子とは別個のペルチェ素子によって輻射で冷
却することが好ましい。
【００１５】本発明に係る輻射冷却装置は、露光装置内
のユニットを輻射で冷却する冷却板を備え、該冷却板が
前記ユニットに対して非接触のペルチェ素子であること
を特徴とする。前記ペルチェ素子を複数設け、この複数
のペルチェ素子は直列に配置されることが好ましい。ま
た、本発明に係る輻射冷却装置は、露光装置内のユニッ
トに該ユニットを輻射で冷却するペルチェ素子を配する
とともに、このペルチェ素子の裏面を輻射で冷却する手
段を備えることを特徴としてもよい。前記ペルチェ素子
の裏面を輻射で冷却する冷却部材が前記ペルチェ素子と
は別個のペルチェ素子で構成されることが好ましい。
のユニットを輻射で冷却する冷却板を備え、該冷却板が
前記ユニットに対して非接触のペルチェ素子であること
を特徴とする。前記ペルチェ素子を複数設け、この複数
のペルチェ素子は直列に配置されることが好ましい。ま
た、本発明に係る輻射冷却装置は、露光装置内のユニッ
トに該ユニットを輻射で冷却するペルチェ素子を配する
とともに、このペルチェ素子の裏面を輻射で冷却する手
段を備えることを特徴としてもよい。前記ペルチェ素子
の裏面を輻射で冷却する冷却部材が前記ペルチェ素子と
は別個のペルチェ素子で構成されることが好ましい。
【００１６】図７を用いて、非接触で冷却する方法の概
略について説明する。例えば、低温の冷却板を用いて輻
射で冷却する。冷却板は、低温にコントロールされた水
を流す方法が考えられる。
略について説明する。例えば、低温の冷却板を用いて輻
射で冷却する。冷却板は、低温にコントロールされた水
を流す方法が考えられる。
【００１７】輻射で絶対温度Ｔ1[Ｋ] の物質であるステ
ージ１から絶対温度Ｔ2[Ｋ] の物質である冷却板１４へ
真空チャンバ２０内で逃げる熱は、物質の輻射率を簡単
のため１とし、輻射形態係数つまり絶対温度Ｔ1 の物質
から出たエネルギが絶対温度Ｔ2 の物質へ到達する割合
も１として説明する。ここで、５．６７×１０-8はステ
ファン・ボルツマン定数であり、冷却板１４は面積を１
００ｍｍ□（１０4 ｍｍ2)とした。
ージ１から絶対温度Ｔ2[Ｋ] の物質である冷却板１４へ
真空チャンバ２０内で逃げる熱は、物質の輻射率を簡単
のため１とし、輻射形態係数つまり絶対温度Ｔ1 の物質
から出たエネルギが絶対温度Ｔ2 の物質へ到達する割合
も１として説明する。ここで、５．６７×１０-8はステ
ファン・ボルツマン定数であり、冷却板１４は面積を１
００ｍｍ□（１０4 ｍｍ2)とした。
【００１８】
熱流束密度ｑ＝５．６７×１０-8×（Ｔ1 4−Ｔ2 4)[Ｗ／ｍ2]---(式１)
Ｔ1 ＝２３℃、Ｔ2 ＝４．５℃の場合、この冷却板１４
は、１Ｗの熱を逃がせる。ＥＢ露光装置において、２．
５Ｗの露光熱の入射が考えられているため、冷却板１４
としては、０．０２５ｍ2 の面積の冷却板（１００ｍｍ
□が２．５個）が必要となる。
は、１Ｗの熱を逃がせる。ＥＢ露光装置において、２．
５Ｗの露光熱の入射が考えられているため、冷却板１４
としては、０．０２５ｍ2 の面積の冷却板（１００ｍｍ
□が２．５個）が必要となる。
【００１９】ステージ１は可動であり、位置によって見
込み角が変化してしまうために、実際形態係数を１に保
つことができないので、実際は、もっと多くの面積の冷
却板を必要とする。
込み角が変化してしまうために、実際形態係数を１に保
つことができないので、実際は、もっと多くの面積の冷
却板を必要とする。
【００２０】これらの冷却板１４によって、例えば、レ
ーザ干渉計固定部材、照明光学系、投影、及び反射光学
系の各レンズ支持部材等の温度を下げてしまい、かえっ
て干渉計の位置がずれるためにマスクやウエハステージ
の位置ずれを生じるという新たな問題を生じてしまう。
この問題は、（式１) に表れるように温度差が大きいほ
ど大きいので、できるだけ冷却板の温度を基準温度から
ずらさないことが望ましい。
ーザ干渉計固定部材、照明光学系、投影、及び反射光学
系の各レンズ支持部材等の温度を下げてしまい、かえっ
て干渉計の位置がずれるためにマスクやウエハステージ
の位置ずれを生じるという新たな問題を生じてしまう。
この問題は、（式１) に表れるように温度差が大きいほ
ど大きいので、できるだけ冷却板の温度を基準温度から
ずらさないことが望ましい。
【００２１】また、低温にコントロールされた冷却水を
冷却板１４に流すのにチャンバ２０内に配管８を引き回
すが、この配管８によって回りの部材が冷やされること
で、これと接触している、例えば、レーザ干渉計固定部
材、照明光学系、投影、及び反射光学系の各レンズ支持
部材等の温度を下げてしまい、かえって、位置がずれる
ために転写性能の劣化が生じることがないようにするの
が好ましい。
冷却板１４に流すのにチャンバ２０内に配管８を引き回
すが、この配管８によって回りの部材が冷やされること
で、これと接触している、例えば、レーザ干渉計固定部
材、照明光学系、投影、及び反射光学系の各レンズ支持
部材等の温度を下げてしまい、かえって、位置がずれる
ために転写性能の劣化が生じることがないようにするの
が好ましい。
【００２２】また、本発明は、上記いずれかの輻射冷却
装置を有する露光装置にも適用される。この場合、前記
ユニットが、基板用ステージ、原版用ステージまたはこ
れらのどちらかに取り付けられたミラーのいずれであっ
てもよい。
装置を有する露光装置にも適用される。この場合、前記
ユニットが、基板用ステージ、原版用ステージまたはこ
れらのどちらかに取り付けられたミラーのいずれであっ
てもよい。
【００２３】また、本発明は、上記の露光装置を含む各
種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する
工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって
半導体デバイスを製造する工程とを有する半導体デバイ
ス製造方法にも適用される。前記製造装置群をローカル
エリアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエ
リアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネット
ワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関
する情報をデータ通信する工程とをさらに有することが
望ましい。前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供
するデータベースに前記外部ネットワークを介してアク
セスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報を
得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造
工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うことが好ましい。
種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する
工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって
半導体デバイスを製造する工程とを有する半導体デバイ
ス製造方法にも適用される。前記製造装置群をローカル
エリアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエ
リアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネット
ワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関
する情報をデータ通信する工程とをさらに有することが
望ましい。前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供
するデータベースに前記外部ネットワークを介してアク
セスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報を
得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造
工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うことが好ましい。
【００２４】また、本発明は、上記の露光装置を含む各
種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続する
ローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネッ
トワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能
にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくと
も１台に関する情報をデータ通信することを可能にした
半導体製造工場にも適用される。
種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続する
ローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネッ
トワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能
にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくと
も１台に関する情報をデータ通信することを可能にした
半導体製造工場にも適用される。
【００２５】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた請求項９または１０に記載の露光装置の保守方法で
あって、前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導
体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データ
ベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前
記外部ネットワークを介して前記保守データベースへの
アクセスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄
積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導
体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とし
てもよい。
れた請求項９または１０に記載の露光装置の保守方法で
あって、前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導
体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データ
ベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前
記外部ネットワークを介して前記保守データベースへの
アクセスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄
積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導
体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とし
てもよい。
【００２６】また、本発明は、上記の露光装置におい
て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
をさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネッ
トワークを介してデータ通信することを可能にしたこと
を特徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフトウェア
は、前記露光装置が設置された工場の外部ネットワーク
に接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供
する保守データベースにアクセスするためのユーザイン
タフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネ
ットワークを介して該データベースから情報を得ること
を可能にすることが好ましい。
て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
をさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネッ
トワークを介してデータ通信することを可能にしたこと
を特徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフトウェア
は、前記露光装置が設置された工場の外部ネットワーク
に接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供
する保守データベースにアクセスするためのユーザイン
タフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネ
ットワークを介して該データベースから情報を得ること
を可能にすることが好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】＜露光装置の実施形態＞図６は、
本発明に係る露光装置の実施形態の概略図である。この
露光装置は、真空チャンバ２０内に配置されていて、後
述の第１〜第４の実施形態に係るいずれの輻射冷却方法
及び装置も適用可能である。
本発明に係る露光装置の実施形態の概略図である。この
露光装置は、真空チャンバ２０内に配置されていて、後
述の第１〜第４の実施形態に係るいずれの輻射冷却方法
及び装置も適用可能である。
【００２８】マスクＭは、多数のサブフィールドを有す
る。原版としてのマスクＭ上には、全体として一個の半
導体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）
が形成されている。
る。原版としてのマスクＭ上には、全体として一個の半
導体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）
が形成されている。
【００２９】マスクＭは、ＸＹ方向に移動可能な原版用
ステージとしてのマスクステージ１０上に載置されてい
る。照明光学系の視野を越えて各サブフィールドを照明
するためには、マスクＭを移動させる。マスクＭの下方
には２つの投影レンズ３１，３２並びに偏向器３３等が
設けられている。そして、マスクＭのあるサブフィール
ドに電子線Ｅを平行ビーム化した照明ビームが当てら
れ、マスクＭのパターン部を通過した電子線Ｅは、２つ
の投影レンズ３１，３２によって縮小されるとともに、
各レンズ３１，３２及び偏向器３３により偏向されて基
板としてのウエハＷ上の所定の位置に結像される。ウエ
ハＷ上には、適当なレジストが塗布されており、レジス
トに電子ビームのドーズが与えられ、マスクＭ上のパタ
ーンが縮小されてウエハＷ上に転写される。
ステージとしてのマスクステージ１０上に載置されてい
る。照明光学系の視野を越えて各サブフィールドを照明
するためには、マスクＭを移動させる。マスクＭの下方
には２つの投影レンズ３１，３２並びに偏向器３３等が
設けられている。そして、マスクＭのあるサブフィール
ドに電子線Ｅを平行ビーム化した照明ビームが当てら
れ、マスクＭのパターン部を通過した電子線Ｅは、２つ
の投影レンズ３１，３２によって縮小されるとともに、
各レンズ３１，３２及び偏向器３３により偏向されて基
板としてのウエハＷ上の所定の位置に結像される。ウエ
ハＷ上には、適当なレジストが塗布されており、レジス
トに電子ビームのドーズが与えられ、マスクＭ上のパタ
ーンが縮小されてウエハＷ上に転写される。
【００３０】ウエハＷは、静電ウエハチャック３上に吸
着固定されている。ウエハチャック３は、ＸＹ方向に移
動可能なウエハ用ステージとしての微動ステージ１上に
載置されている。上記マスクステージ１０と微動ステー
ジ１とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、
チップパターン内で多数配列されたサブフィールドを順
次露光することができる。
着固定されている。ウエハチャック３は、ＸＹ方向に移
動可能なウエハ用ステージとしての微動ステージ１上に
載置されている。上記マスクステージ１０と微動ステー
ジ１とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、
チップパターン内で多数配列されたサブフィールドを順
次露光することができる。
【００３１】なお、両ステージには、それぞれのレーザ
干渉計３５，３６を用いた正確な位置測定システムが装
備されており、ステージ位置は正確にコントロールされ
る。正確なステージ位置と光学系のコントロールによ
り、ウエハＷ上でマスクＭ上のサブフィールドの縮小像
が正確に繋ぎ合わされ、マスクＭ上のチップパターン全
体がウエハＷ上に転写される。雰囲気は、先述のように
真空である。
干渉計３５，３６を用いた正確な位置測定システムが装
備されており、ステージ位置は正確にコントロールされ
る。正確なステージ位置と光学系のコントロールによ
り、ウエハＷ上でマスクＭ上のサブフィールドの縮小像
が正確に繋ぎ合わされ、マスクＭ上のチップパターン全
体がウエハＷ上に転写される。雰囲気は、先述のように
真空である。
【００３２】転写性能を悪化させないためには、すべて
の部材を基準温度にするように、特に微動ステージ１、
マスクステージ１０、干渉計３５，３６の近傍は、熱歪
の許容値が小さいため、基準温度で一定であることが必
要であり、移動しない干渉計固定部材３７，３８には、
基準温度である例えば２３℃の冷却水９を流して温度の
上昇を防いでいる。
の部材を基準温度にするように、特に微動ステージ１、
マスクステージ１０、干渉計３５，３６の近傍は、熱歪
の許容値が小さいため、基準温度で一定であることが必
要であり、移動しない干渉計固定部材３７，３８には、
基準温度である例えば２３℃の冷却水９を流して温度の
上昇を防いでいる。
【００３３】＜輻射冷却方法及び装置の実施形態＞
［第１の実施形態］図１は、本発明の第１の実施形態に
係る露光装置内ユニットが微動ステージである場合の輻
射冷却方法及び装置を説明するための図である。この輻
射冷却装置は、微動ステージ１の裏面側の所定位置に配
置されし該微動ステージ１に対し非接触の冷却板として
ペルチェ素子４と、ペルチェ素子制御部５と、ペルチェ
素子４の裏面側を一定温度に保つための冷却ブロック７
等を備えている。
係る露光装置内ユニットが微動ステージである場合の輻
射冷却方法及び装置を説明するための図である。この輻
射冷却装置は、微動ステージ１の裏面側の所定位置に配
置されし該微動ステージ１に対し非接触の冷却板として
ペルチェ素子４と、ペルチェ素子制御部５と、ペルチェ
素子４の裏面側を一定温度に保つための冷却ブロック７
等を備えている。
【００３４】ウエハＷの位置は、微動ステージ１に取り
付けられたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計
３６と同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマス
クＭと同様のマスクとの位置関係が一定となるように微
動ステージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微
動ステージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエ
ハチャック３は、２つの電極３ａを有する双曲型の静電
チャックである。図７との対応では、Ｔ1 のステージ温
度は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ 2 の冷却
板温度は、ペルチェ素子４の表面温度に相当する。
付けられたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計
３６と同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマス
クＭと同様のマスクとの位置関係が一定となるように微
動ステージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微
動ステージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエ
ハチャック３は、２つの電極３ａを有する双曲型の静電
チャックである。図７との対応では、Ｔ1 のステージ温
度は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ 2 の冷却
板温度は、ペルチェ素子４の表面温度に相当する。
【００３５】ペルチェ素子制御部５は、微動ステージ１
に取り付けられた温度センサ６からの信号を一定にする
ようにペルチェ素子４の表裏面の温度差を変更するよう
にペルチェ素子４に流す電流を可変としている。これに
よって微動ステージ１の温度を２３℃に一定となる。ペ
ルチェ素子４の裏面の温度は、ある程度の温度に保つこ
とが必要であるが、ペルチェ素子４の表面温度と同じで
ある必要はないので、基準温度の２３℃でよい。そのた
めに冷却ブロック７には、基準温度の冷却水９を流して
冷却ブロック７の温度を２３℃としている。
に取り付けられた温度センサ６からの信号を一定にする
ようにペルチェ素子４の表裏面の温度差を変更するよう
にペルチェ素子４に流す電流を可変としている。これに
よって微動ステージ１の温度を２３℃に一定となる。ペ
ルチェ素子４の裏面の温度は、ある程度の温度に保つこ
とが必要であるが、ペルチェ素子４の表面温度と同じで
ある必要はないので、基準温度の２３℃でよい。そのた
めに冷却ブロック７には、基準温度の冷却水９を流して
冷却ブロック７の温度を２３℃としている。
【００３６】Ｔ1 は２３℃であって、Ｔ2 は４．４℃で
ある。先述の様に、冷却板としてのペルチェ素子４は、
面積が１００ｍｍ□であれば１Ｗの熱を奪える。０．０
２５ｍ2 の面積の冷却板（１００ｍｍ□が２．５個）
は、２．５Ｗを奪うことができる。ただし、配管８を通
して送られる冷却水９の温度は２３℃でよいので、先述
の様な低温にコントロールされた冷却水９を冷却ブロッ
ク７に流すのにチャンバ内の配管を引き回すが、この配
管によって回りの部材が冷やされることで、これと接触
している、例えば、レーザ干渉計固定部材、照明光学
系、投影、及び反射光学系の各レンズ支持部材等の温度
を下げてしまい、かえって位置がずれるために転写性能
の劣化を生じるという新たな問題を生じてしまうという
課題を解決している。
ある。先述の様に、冷却板としてのペルチェ素子４は、
面積が１００ｍｍ□であれば１Ｗの熱を奪える。０．０
２５ｍ2 の面積の冷却板（１００ｍｍ□が２．５個）
は、２．５Ｗを奪うことができる。ただし、配管８を通
して送られる冷却水９の温度は２３℃でよいので、先述
の様な低温にコントロールされた冷却水９を冷却ブロッ
ク７に流すのにチャンバ内の配管を引き回すが、この配
管によって回りの部材が冷やされることで、これと接触
している、例えば、レーザ干渉計固定部材、照明光学
系、投影、及び反射光学系の各レンズ支持部材等の温度
を下げてしまい、かえって位置がずれるために転写性能
の劣化を生じるという新たな問題を生じてしまうという
課題を解決している。
【００３７】［第２の実施形態］図２は、本発明の第２
の実施形態に係る露光装置内ユニットが微動ステージで
ある場合の輻射冷却方法及び装置を説明するための図で
ある。ウエハＷの位置は、微動ステージ１に取り付けら
れたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計３６と
同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマスクＭと
同様のマスクとの位置関係が一定となるように微動ステ
ージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微動ステ
ージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエハチャ
ック３は、２つの電極３ａ，３ａを有する双曲型の静電
チャックである。先述の実施形態とは異なりペルチェ素
子４は微動ステージ１に配置される。また、柔らかい金
属インジウム１１は、ペルチェ素子４の表裏面の温度差
によって生じる変形が微動ステージ１の変形に与える影
響を少なくするように、ペルチェ素子４と微動ステージ
１の間に配してある。
の実施形態に係る露光装置内ユニットが微動ステージで
ある場合の輻射冷却方法及び装置を説明するための図で
ある。ウエハＷの位置は、微動ステージ１に取り付けら
れたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計３６と
同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマスクＭと
同様のマスクとの位置関係が一定となるように微動ステ
ージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微動ステ
ージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエハチャ
ック３は、２つの電極３ａ，３ａを有する双曲型の静電
チャックである。先述の実施形態とは異なりペルチェ素
子４は微動ステージ１に配置される。また、柔らかい金
属インジウム１１は、ペルチェ素子４の表裏面の温度差
によって生じる変形が微動ステージ１の変形に与える影
響を少なくするように、ペルチェ素子４と微動ステージ
１の間に配してある。
【００３８】図７との対応では、Ｔ1 のステージ温度
は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ2 の冷却板
温度は、ペルチェ素子４の表面温度に相当する。
は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ2 の冷却板
温度は、ペルチェ素子４の表面温度に相当する。
【００３９】ペルチェ素子制御部５は、微動ステージ１
の温度を２３℃となるように微動ステージ１に取り付け
られた温度センサ６からの信号を基に温度を一定にする
ように、ペルチェ素子４の表裏面の温度差を変更するよ
うにペルチェ素子４に流す電流を可変としている。ペル
チェ素子４の裏面の温度は、２３℃の基準温度の流体
（冷却水）９を流した冷却ブロック７によって、輻射で
一定温度に制御されている。
の温度を２３℃となるように微動ステージ１に取り付け
られた温度センサ６からの信号を基に温度を一定にする
ように、ペルチェ素子４の表裏面の温度差を変更するよ
うにペルチェ素子４に流す電流を可変としている。ペル
チェ素子４の裏面の温度は、２３℃の基準温度の流体
（冷却水）９を流した冷却ブロック７によって、輻射で
一定温度に制御されている。
【００４０】Ｔ1 は３８．５℃であって、Ｔ2 は２３℃
である。先述の様に冷却板は、面積が１００ｍｍ□であ
れば１Ｗの熱を奪える。先述の様に０．０２５ｍ2 の面
積の冷却板（１００ｍｍ□が２．５個）は、２．５Ｗを
奪うことができる。ただし、冷却水９の温度は２３℃で
よいので、先述の第１の実施形態と同様の効果が得られ
る。
である。先述の様に冷却板は、面積が１００ｍｍ□であ
れば１Ｗの熱を奪える。先述の様に０．０２５ｍ2 の面
積の冷却板（１００ｍｍ□が２．５個）は、２．５Ｗを
奪うことができる。ただし、冷却水９の温度は２３℃で
よいので、先述の第１の実施形態と同様の効果が得られ
る。
【００４１】［第３の実施形態］図３は、本発明の第３
の実施形態に係る露光装置内ユニットが微動ステージで
ある場合の輻射冷却方法及び装置を説明するための図で
ある。この輻射冷却装置は、１段目のペルチェ素子４ａ
と、このペルチェ素子４ａの裏面を輻射で冷却する２段
目のペルチェ素子４ｂと、柔らかい金属インジウム１１
等とを備えて構成されている。
の実施形態に係る露光装置内ユニットが微動ステージで
ある場合の輻射冷却方法及び装置を説明するための図で
ある。この輻射冷却装置は、１段目のペルチェ素子４ａ
と、このペルチェ素子４ａの裏面を輻射で冷却する２段
目のペルチェ素子４ｂと、柔らかい金属インジウム１１
等とを備えて構成されている。
【００４２】ウエハＷの位置は、微動ステージ１に取り
付けられたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計
３６と同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマス
クＭと同様のマスクとの位置関係が一定となるように微
動ステージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微
動ステージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエ
ハチャック３は、２つの電極３ａを有する双曲型の静電
チャックである。図２に示した実施形態と同様にペルチ
ェ素子４ａは微動ステージ１に配置される。また柔らか
い金属インジウム１１は、ペルチェ素子４ａの表裏面の
温度差によって生じる変形が微動ステージ１の変形に与
える影響を少なくするように、ペルチェ素子４ａと微動
ステージ１の間に配してある。
付けられたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計
３６と同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマス
クＭと同様のマスクとの位置関係が一定となるように微
動ステージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微
動ステージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエ
ハチャック３は、２つの電極３ａを有する双曲型の静電
チャックである。図２に示した実施形態と同様にペルチ
ェ素子４ａは微動ステージ１に配置される。また柔らか
い金属インジウム１１は、ペルチェ素子４ａの表裏面の
温度差によって生じる変形が微動ステージ１の変形に与
える影響を少なくするように、ペルチェ素子４ａと微動
ステージ１の間に配してある。
【００４３】図７との対応では、Ｔ1 のステージ温度
は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ2 の冷却板
温度は、ペルチェ素子４ａの表面温度に相当する。
は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ2 の冷却板
温度は、ペルチェ素子４ａの表面温度に相当する。
【００４４】ペルチェ素子制御部５は、微動ステージ１
の温度を２３℃となるように微動ステージ１に取り付け
られた温度センサ６からの信号を基に温度を一定にする
ように、ペルチェ素子４ａの表裏面の温度差を変更する
ようにペルチェ素子４ａに流す電流を可変としている。
ペルチェ素子４ａの裏面の温度は、もう一つの４．５℃
の表面温度にコントロールされたペルチェ素子４ｂによ
って輻射で冷却されている。このもう一つのペルチェ素
子４ｂの裏面は２３℃の基準温度の冷却水９を流した冷
却ブロック７によって一定温度に制御されている。
の温度を２３℃となるように微動ステージ１に取り付け
られた温度センサ６からの信号を基に温度を一定にする
ように、ペルチェ素子４ａの表裏面の温度差を変更する
ようにペルチェ素子４ａに流す電流を可変としている。
ペルチェ素子４ａの裏面の温度は、もう一つの４．５℃
の表面温度にコントロールされたペルチェ素子４ｂによ
って輻射で冷却されている。このもう一つのペルチェ素
子４ｂの裏面は２３℃の基準温度の冷却水９を流した冷
却ブロック７によって一定温度に制御されている。
【００４５】Ｔ1 は３８．５℃であって、Ｔ2 は４．５
℃である。先述の様に冷却板は、面積が１００ｍｍ□で
あれば、先の実施形態の場合の２倍の２Ｗの熱を奪え
る。先述の様に０．０２５ｍ2 の面積の冷却板（１００
ｍｍ□が２．５個）は、５Ｗを奪うことができる。ただ
し、冷却水９の温度は２３℃でよいので、先述の第１の
実施形態と同様な効果が得られる。また、奪える熱量が
倍となっているので、冷却板の個数や面積を減らし、実
装面での制約を低減できる等の利点が新たに生まれる。
℃である。先述の様に冷却板は、面積が１００ｍｍ□で
あれば、先の実施形態の場合の２倍の２Ｗの熱を奪え
る。先述の様に０．０２５ｍ2 の面積の冷却板（１００
ｍｍ□が２．５個）は、５Ｗを奪うことができる。ただ
し、冷却水９の温度は２３℃でよいので、先述の第１の
実施形態と同様な効果が得られる。また、奪える熱量が
倍となっているので、冷却板の個数や面積を減らし、実
装面での制約を低減できる等の利点が新たに生まれる。
【００４６】［第４の実施形態］図４は、本発明の第４
の実施形態に係る露光装置内ユニットが微動ステージで
ある場合の輻射冷却方法及び装置を説明するための図で
ある。ウエハＷの位置は、微動ステージ１に取り付けら
れたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計３６と
同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマスクＭと
同様のマスクとの位置関係が一定となるように微動ステ
ージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微動ステ
ージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエハチャ
ック３は、２つの電極３ａを有する双曲型の静電チャッ
クである。図１の実施形態とは異なり、冷却板としての
ペルチェ素子４ａの裏面は複数のペルチェ素子４ｂで冷
却し、そのペルチェ素子４ｂの裏面は冷却ブロック７で
温調している。銅板１２は１段目のペルチェ素子４ａと
２段目のペルチェ素子４ｂの間に介在している。本実施
形態では、ペルチェ素子を２段としたが、３段以上とし
てもよい。
の実施形態に係る露光装置内ユニットが微動ステージで
ある場合の輻射冷却方法及び装置を説明するための図で
ある。ウエハＷの位置は、微動ステージ１に取り付けら
れたミラー２の位置を図６に示したレーザ干渉計３６と
同様のレーザ干渉計で計測し、図６に示したマスクＭと
同様のマスクとの位置関係が一定となるように微動ステ
ージ１を駆動して制御している。ウエハＷは、微動ステ
ージ１上のウエハチャック３に吸着される。ウエハチャ
ック３は、２つの電極３ａを有する双曲型の静電チャッ
クである。図１の実施形態とは異なり、冷却板としての
ペルチェ素子４ａの裏面は複数のペルチェ素子４ｂで冷
却し、そのペルチェ素子４ｂの裏面は冷却ブロック７で
温調している。銅板１２は１段目のペルチェ素子４ａと
２段目のペルチェ素子４ｂの間に介在している。本実施
形態では、ペルチェ素子を２段としたが、３段以上とし
てもよい。
【００４７】図７との対応では、Ｔ1 のステージ温度
は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ2 の冷却板
温度は、ペルチェ素子４ａの表面温度に相当する。
は、微動ステージ１の裏面温度に対応し、Ｔ2 の冷却板
温度は、ペルチェ素子４ａの表面温度に相当する。
【００４８】ペルチェ素子制御部５は、微動ステージ１
の温度を２３℃となるように微動ステージ１に取り付け
られた温度センサ６からの信号を基に温度を一定にする
ように、ペルチェ素子４ａの表裏面の温度差を変更する
ようにペルチェ素子４ａに流す電流を可変としている。
冷却板としてのペルチェ素子４ａの表面温度は、多段と
することで図１の実施形態より低くすることが出来る。
また、先の実施形態と同様に多段のペルチェ素子４ｂの
裏面の温度は、基準温度の２３℃でよい。そのために冷
却ブロック７には、基準温度の冷却水９を流して冷却ブ
ロック７の温度を２３℃に保持している。
の温度を２３℃となるように微動ステージ１に取り付け
られた温度センサ６からの信号を基に温度を一定にする
ように、ペルチェ素子４ａの表裏面の温度差を変更する
ようにペルチェ素子４ａに流す電流を可変としている。
冷却板としてのペルチェ素子４ａの表面温度は、多段と
することで図１の実施形態より低くすることが出来る。
また、先の実施形態と同様に多段のペルチェ素子４ｂの
裏面の温度は、基準温度の２３℃でよい。そのために冷
却ブロック７には、基準温度の冷却水９を流して冷却ブ
ロック７の温度を２３℃に保持している。
【００４９】Ｔ1 は２３℃であって、Ｔ2 は−１９℃で
ある。先述の様に冷却板としてのペルチェ素子４ａは、
面積が１００ｍｍ□であれば、先の実施形態の場合の２
倍の２Ｗの熱を奪える。先述の様に０．０２５ｍ2 の面
積の冷却板（１００ｍ□が２．５個）は、５Ｗを奪うこ
とができる。ただし、冷却水９の温度は２３℃でよいの
で、先述の第１の実施形態と同様な効果が得られる。ま
た、奪える熱量が倍となっているので、冷却板の個数や
面積を減らし、実装面での制約を低減できる等の利点が
新たに生まれる。
ある。先述の様に冷却板としてのペルチェ素子４ａは、
面積が１００ｍｍ□であれば、先の実施形態の場合の２
倍の２Ｗの熱を奪える。先述の様に０．０２５ｍ2 の面
積の冷却板（１００ｍ□が２．５個）は、５Ｗを奪うこ
とができる。ただし、冷却水９の温度は２３℃でよいの
で、先述の第１の実施形態と同様な効果が得られる。ま
た、奪える熱量が倍となっているので、冷却板の個数や
面積を減らし、実装面での制約を低減できる等の利点が
新たに生まれる。
【００５０】第１〜４の実施形態に関して、冷却板とし
てペルチェ素子の表面を用いたが、図５に示すように櫛
歯状にした放熱板２１をステージ１に取り付け、同様に
接触しないように対向させた櫛歯状の冷却板２４とペル
チェ素子４を結合させても良い。その場合の輻射の形態
係数は大きくなるために、冷却の効果が増加する。ま
た、ステージ１の構成は以上に限らず、特開２０００−
３２７３３号公報に提案されているような平面モータで
あってもよい。
てペルチェ素子の表面を用いたが、図５に示すように櫛
歯状にした放熱板２１をステージ１に取り付け、同様に
接触しないように対向させた櫛歯状の冷却板２４とペル
チェ素子４を結合させても良い。その場合の輻射の形態
係数は大きくなるために、冷却の効果が増加する。ま
た、ステージ１の構成は以上に限らず、特開２０００−
３２７３３号公報に提案されているような平面モータで
あってもよい。
【００５１】さらには、ペルチェ素子４は、粗動ステー
ジに取り付けられていると、温度センサの信号線の引き
回しが複雑にならないという利点がある。
ジに取り付けられていると、温度センサの信号線の引き
回しが複雑にならないという利点がある。
【００５２】本発明は、微動ステージ１というユニット
の冷却に限らず、ミラー、レチクル、レチクルステージ
の冷却に適用しても良い。
の冷却に限らず、ミラー、レチクル、レチクルステージ
の冷却に適用しても良い。
【００５３】＜半導体生産システムの実施形態＞次に、
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。
【００５４】図８は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【００５５】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダの事業所１０１側の
ホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場１０２〜１０４とベンダの事業所１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダの事業所１０１側の
ホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場１０２〜１０４とベンダの事業所１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。
【００５６】さて、図９は本実施形態の全体システムを
図８とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図９では製
造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
図８とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図９では製
造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
【００５７】一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００５８】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
【００５９】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００６０】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
【００６１】
【発明の効果】本発明は次のような効果を奏する。
・露光装置内ユニットを冷却して、かつステージの振動
を小さく抑えることができる。 ・冷却板の温度を基準温度とできるため、他の部材を不
必要に冷やすことがない。
を小さく抑えることができる。 ・冷却板の温度を基準温度とできるため、他の部材を不
必要に冷やすことがない。
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る輻射冷却方法
及び装置を説明するための図である。
及び装置を説明するための図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態に係る輻射冷却方法
及び装置を説明するための図である。
及び装置を説明するための図である。
【図３】 本発明の第３の実施形態に係る輻射冷却方法
及び装置を説明するための図である。
及び装置を説明するための図である。
【図４】 本発明の第４の実施形態に係る輻射冷却方法
及び装置を説明するための図である。
及び装置を説明するための図である。
【図５】 冷却板の形状を変えた実施形態を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図６】 本発明の実施形態に係る露光装置の概略図で
ある。
ある。
【図７】 輻射冷却の一例を説明するための概略図であ
る。
る。
【図８】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムをある角度から見た概念図である。
生産システムをある角度から見た概念図である。
【図９】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムを別の角度から見た概念図である。
生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１０】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図１１】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
る図である。
【図１２】 ウエハプロセスを説明する図である。
【図１３】 露光装置のマスクとウエハの位置決めを説
明するための図である。
明するための図である。
【図１４】 リニアモータを有するステージの概略図で
ある。
ある。
【図１５】 従来のペルチェ素子を用いた冷却方法を示
す概略図である。
す概略図である。
１：微動ステージ、２：ミラー、３：ウエハチャック、
３ａ：電極、４（４ａ，４ｂ）：ペルチェ素子、５：ペ
ルチェ素子制御部、６：温度センサ、７：冷却ブロッ
ク、８：配管、９：流体（冷却水）、１０：マスクステ
ージ、１１：インジウム、１２：銅板、１４：冷却板、
２０：真空チャンバ、２１：放熱板、２４：冷却板、３
１，３２：レンズ、３３：偏向器、３５，３６：レーザ
干渉計、３７，３８：干渉計固定部材、Ｍ：マスク、
Ｗ：ウエハ、１０１：ベンダの事業所、１０２，１０
３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、１０
６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システム、１
０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：ベンダ
側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１０：
操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワーク、
２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露光装
置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理装
置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工場
のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：露
光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホス
ト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、２
２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理シ
ステム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置メ
ーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装置
の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブル
の件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：症
状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１１，
４１２：ハイパーリンク機能。
３ａ：電極、４（４ａ，４ｂ）：ペルチェ素子、５：ペ
ルチェ素子制御部、６：温度センサ、７：冷却ブロッ
ク、８：配管、９：流体（冷却水）、１０：マスクステ
ージ、１１：インジウム、１２：銅板、１４：冷却板、
２０：真空チャンバ、２１：放熱板、２４：冷却板、３
１，３２：レンズ、３３：偏向器、３５，３６：レーザ
干渉計、３７，３８：干渉計固定部材、Ｍ：マスク、
Ｗ：ウエハ、１０１：ベンダの事業所、１０２，１０
３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、１０
６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システム、１
０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：ベンダ
側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１０：
操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワーク、
２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露光装
置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理装
置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工場
のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：露
光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホス
ト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、２
２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理シ
ステム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置メ
ーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装置
の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブル
の件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：症
状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１１，
４１２：ハイパーリンク機能。
Claims (17)
- 【請求項１】 露光装置内のユニットを輻射で冷却する
時に、冷却板として前記ユニットに対して非接触のペル
チェ素子を用いることを特徴とする輻射冷却方法。 - 【請求項２】 前記ペルチェ素子は直列に配置されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の輻射冷却方法。 - 【請求項３】 露光装置内のユニットに配したペルチェ
素子で該ユニットを輻射冷却するとともに、このペルチ
ェ素子の裏面を輻射で冷却することを特徴とする輻射冷
却方法。 - 【請求項４】 前記ペルチェ素子の裏面をこのペルチェ
素子とは別個のペルチェ素子によって輻射で冷却するこ
とを特徴とする請求項３に記載の輻射冷却方法。 - 【請求項５】 露光装置内のユニットを輻射で冷却する
冷却板を備え、該冷却板が前記ユニットに対して非接触
のペルチェ素子であることを特徴とする輻射冷却装置。 - 【請求項６】 前記ペルチェ素子を複数設け、この複数
のペルチェ素子は直列に配置されることを特徴とする請
求項５に記載の輻射冷却装置。 - 【請求項７】 露光装置内のユニットに該ユニットを輻
射で冷却するペルチェ素子を配するとともに、このペル
チェ素子の裏面を輻射で冷却する手段を備えることを特
徴とする輻射冷却装置。 - 【請求項８】 前記ペルチェ素子の裏面を輻射で冷却す
る冷却部材が前記ペルチェ素子とは別個のペルチェ素子
で構成されることを特徴とする請求項７に記載の輻射冷
却装置。 - 【請求項９】 請求項５〜８のいずれかに記載の輻射冷
却装置を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１０】 前記ユニットが、基板用ステージ、原
版用ステージ及びこれらのどちらかに取り付けられたミ
ラーのいずれかであることを特徴とする請求項９に記載
の露光装置。 - 【請求項１１】 請求項９または１０に記載の露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に
設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセス
によって半導体デバイスを製造する工程とを有すること
を特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１２】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項１１に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１３】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１２
に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１４】 請求項９または１０に記載の露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可
能にしたことを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項１５】 半導体製造工場に設置された請求項９
または１０に記載の露光装置の保守方法であって、前記
露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の
外部ネットワークに接続された保守データベースを提供
する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネット
ワークを介して前記保守データベースへのアクセスを許
可する工程と、前記保守データベースに蓄積される保守
情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側
に送信する工程とを有することを特徴とする露光装置の
保守方法。 - 【請求項１６】 請求項９または１０に記載の露光装置
において、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
たことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１７】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項１６に記載の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259536A JP2003068626A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 露光装置内ユニットの輻射冷却方法及び輻射冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259536A JP2003068626A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 露光装置内ユニットの輻射冷却方法及び輻射冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068626A true JP2003068626A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19086894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001259536A Pending JP2003068626A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 露光装置内ユニットの輻射冷却方法及び輻射冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003068626A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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