WO2006049240A1 - マスクブランクの製造方法 - Google Patents

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WO2006049240A1
WO2006049240A1 PCT/JP2005/020276 JP2005020276W WO2006049240A1 WO 2006049240 A1 WO2006049240 A1 WO 2006049240A1 JP 2005020276 W JP2005020276 W JP 2005020276W WO 2006049240 A1 WO2006049240 A1 WO 2006049240A1
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WO
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mask blank
information
resist film
mask
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/020276
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English (en)
French (fr)
Inventor
Yasushi Ohkubo
Original Assignee
Hoya Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to CN200580032601A priority patent/CN100595671C/zh
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof

Definitions

  • the present invention relates to a mask blank manufacturing method, a mask manufacturing method, a mask blank management system, and a mask blank regeneration method, and particularly, due to a change in sensitivity of a resist film in manufacturing an exposure mask.
  • the present invention relates to a mask blank manufacturing method and a mask blank management system capable of suppressing the occurrence of CD (critical dimension: minimum dimension) defects.
  • the present invention relates to a method for regenerating a mask blank that can be used effectively by regenerating a mask blank in which the sensitivity change of the resist film that causes CD failure exceeds an allowable range.
  • a mask blank with a resist film which is an original mask for an exposure mask used for manufacturing a semiconductor, is known.
  • this type of mask blank as the circuit pattern formed on the semiconductor becomes smaller and more complicated, the need for a chemically amplified resist with high resolution and resolution has increased gradually. .
  • Resist sensitivity may vary depending on the elapsed time from resist application to the drawing process and the storage environment after resist application. appear. For this reason, mask manufacturing departments (mask manufacturers, device manufacturers, etc.) that manufacture exposure masks perform exposure amount corrections based on empirical rules, etc., and suppress deterioration and variations in CD (critical dimensions: minimum dimensions). RU
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-149793
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-149793
  • Patent Document 2 when a blank is provided from a blanks manufacturing department (such as a blanks manufacturer) to a mask manufacturing department, defect information of the mask blank is provided.
  • the mask manufacturing department can improve the yield of the exposure mask by selecting an appropriate mask blank based on the defect information and the pattern data. Disclosure of the invention
  • the number of days and time from drawing a mask blank from the blanks manufacturing department (after applying and forming a resist film) to drawing is not constant. This is because the mask manufacturing department aggregates the types and number of mask blanks expected to be needed within a certain period based on the exposure schedule of the exposure equipment in the semiconductor manufacturing department (semiconductor manufacturers, etc.) This is because the expected demand is calculated from the number of blank demands and ordered from the blanks manufacturing department, and mask blanks are accepted.
  • the present invention has been considered in view of the above circumstances.
  • the purpose is to provide a method and a mask blank management system.
  • an object of the present invention is to provide a mask blank reproducing method capable of effectively using a mask blank in which the sensitivity change of the resist film that causes CD failure exceeds an allowable range.
  • a mask blank manufacturing method includes a thin film forming step of forming a thin film to be a mask pattern on a mask blank substrate, and a resist film forming method of forming a resist film on the thin film
  • a method of manufacturing a mask blank comprising: a step of storing resist film formation information including date information when the resist film is formed on the thin film, and associating the resist film formation information with the mask blank.
  • the mask blank manufacturing method of the present invention is a method including a step of acquiring and storing film information of a thin film related to the specification of the mask blank during or after the formation of the thin film.
  • the mask blank manufacturing method of the present invention corresponds to the step of acquiring and storing substrate information related to the master blank specifications of the mask blank substrate, and the substrate information and the mask blank. And a step of causing the above to occur.
  • the film information includes any information of defect information, optical characteristic information, thin film formation information, and surface morphology information.
  • the substrate information includes any information of defect information, optical characteristic information, and surface form information.
  • the mask blank, the resist film formation information, the film information of the thin film and Z or the substrate information can be associated with each other. Providing the identification information directly or indirectly to the mask blank.
  • the mask blank with a resist film, the resist film formation information on which the resist film is formed, the film information on the thin film and the Z or substrate information are reliably associated with each other, and information is misidentified Can be prevented.
  • the resist film is a chemically amplified resist film.
  • the thin film of the mask blank obtained by the above mask blank manufacturing method is patterned to form a mask pattern on the mask blank substrate. There is a way.
  • the mask blank management system of the present invention provides date information on the resist film formed on the thin film in the mask blank in which the thin film that becomes the mask pattern and the resist film are formed on the mask blank substrate.
  • Forming information storing means for storing resist film forming information, identification information giving means for giving identification information to the mask blank, the resist film forming information, and the identification information in correspondence with each other, and storing those information
  • a mask blank information storage unit and a mask blank selection unit for specifying a mask blank whose sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds an allowable range based on the date information are provided.
  • the mask blank when the resist film whose sensitivity change exceeds the allowable range is peeled off and reused, the mask blank is stored corresponding to the mask blank. Part or all of the film information of the thin film can be used effectively. And when reusing the mask blank, part or all of the process of acquiring and storing the film information can be omitted, so that the mask blank can be quickly manufactured and provided to the mask manufacturing department. .
  • the mask blank with a resist film, the date information on which the resist film is formed, and the film information on the thin film can be reliably associated with each other, and misidentification of information can be prevented.
  • the mask blank management system of the present invention is a substrate information storage means and / or film information storage means for storing substrate information and / or thin film information relating to the mask blank specification of the mask blank substrate.
  • the mask bang blueprint storage means for storing substrate information and / or thin film information relating to the mask blank specification of the mask blank substrate.
  • the substrate information and / or the film information of the thin film are stored.
  • the mask blank management system of the present invention provides the information transmission means so that the identification information, the resist film formation information, the film information and Z or the substrate information can be provided to a mask manufacturing department via a communication line. Is provided.
  • film information and Z or substrate information can be associated with identification information and provided to the mask manufacturing department quickly and accurately.
  • the mask blank management system of the present invention provides information on a mask blank in which a sensitivity change of a resist film formed on the mask blank based on the resist film formation information by a mask manufacturing department exceeds an allowable range.
  • Information receiving means is provided so that it can be received via a communication line.
  • the mask blank regeneration method of the present invention provides a mask blank in which the sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds an allowable range based on the date information on which the resist film is formed on the mask blank substrate. And a step of peeling the resist film formed on the specified mask blank and a step of forming a resist film again on the thin film from which the resist film has been peeled off.
  • the mask blank regeneration method of the present invention is a method of stripping the resist film with an alkaline solvent and / or an organic solvent.
  • the resist film that does not damage the mask blank substrate or the thin film to be the mask pattern can be peeled off.
  • the mask blank manufacturing method of the present invention is a mask blank manufacturing method in which a resist film is formed on the thin film substrate with the thin film serving as the mask pattern formed on the mask blank substrate. Storing resist film formation information including date information when the resist film is formed on the thin film in a formation information storage unit; and the resist film formation information stored in the formation information storage unit The resist of the mask blank whose sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds an allowable range based on the step of associating with the mask blank, and the correspondence relationship between the resist film formation information and the mask blank.
  • the method includes a step of peeling the film and a step of forming a resist film again on the thin film from which the resist film has been peeled off.
  • the mask blank manufacturing method of the present invention in the step of peeling the resist film, a mask blank whose sensitivity change of the resist film exceeds an allowable range is specified, and the mask blank is formed on the specified mask blank.
  • the resist film is peeled off.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a mask blank management system.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the exchange of information between the blanks manufacturing department and the mask manufacturing department.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing the exchange of objects between the blanks manufacturing department and the mask manufacturing department.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a mask blank manufacturing method.
  • Fig. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a mask blank management system
  • Fig. 2 is an explanatory diagram showing the exchange of information between the blank manufacturing department and the mask manufacturing department
  • Fig. 3 is a blank manufacturing department. It is explanatory drawing which shows the exchange of the thing between a mask manufacturing department.
  • the blanks manufacturing department and the mask manufacturing department mean not only the respective departments within the same company but also blanks manufacturers and mask manufacturers of different companies.
  • a mask blank with a resist film (hereinafter referred to as a mask blank) was acquired by the terminal 10 of the blanks manufacturing department 100 and the brand manufacturing department 100.
  • a server 11 that collects and stores thin film information, resist film formation information, mask blank identification information, etc., a mask manufacturing department 200 terminal 20 that manufactures exposure masks, and a mask blank in the mask manufacturing department 200
  • the server 21 that collects information indicating the usage status, information on mask blanks, etc. in which the sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeded the allowable range, and these servers 11, 21 are connected so that they can communicate with each other.
  • Communication line 30 is included. Terminals 10 and 20 are composed of personal computers. Further, the communication line 30 may be constituted by a network 32 including servers 11 and 21, or a dedicated circuit. You may comprise with a line.
  • the terminal 10 of the blanks manufacturing department 100 is arranged, for example, for each mask blank manufacturing process, and stores later-described substrate information, film information, and resist film formation information acquired in each process. It is connected to the server 11 via the LAN, and the server 11 collects such information.
  • the server 11 of the blanks manufacturing department 100 is provided with mask blank information storage means 110.
  • the mask blank information storage means 110 stores substrate information, thin film information, resist film formation information, etc. collected from each terminal 10 in association with mask blank identification information provided to the mask manufacturing department 200.
  • the substrate information includes substrate surface and internal defect information, optical characteristic information (transmittance, etc.), surface morphology information (surface roughness, flatness, etc.), and the like.
  • Thin film information includes thin film defect information and optical characteristic information (transmittance, reflectance, etc.), thin film formation information (deposition conditions, film stress, etc.), surface morphology information (surface roughness, flatness, etc.). ) Etc. are included.
  • the resist film formation information includes information that affects the sensitivity change of the resist film. Specifically, the date and time (or date) when the resist film was applied and formed on the substrate, the resist type, Heating conditions, mask blank storage environment, etc.
  • the identification information of the mask blank is given directly or indirectly to each mask blank.
  • the storage case number of the blank storage case 30 used for delivery and the slot number assigned to each storage slot holding the mask blank of the blank storage case 30 are used as identification information.
  • the mask blank is specified.
  • the storage case number is mask blank identification information.
  • the server 21 of the mask manufacturing department is provided with a mask blank usage status storage unit 210 and a return information creation unit 220.
  • the mask blank usage status storage means 210 stores the mask blank usage status in the mask manufacturing department 200. Specifically, it has a mask blank inventory list 230 for storing information such as resist type, resist film formation date and time, mask blank storage environment, etc. in association with the mask blank identification information provided by the blanks manufacturing department 100. , By deleting the used mask blank information from here, The usage status of the star blank is accumulated.
  • the return information creation means 220 extracts a mask blank whose sensitivity change in the resist film exceeds an allowable range from the unused mask blanks included in the mask blank inventory list 230, and returns the mask blank to the blanks manufacturing department 100. Create a return list of mask blanks.
  • the mask blank return list includes data such as identification information (blank storage case number, slot number, etc.) of the mask blank to be returned and resist type.
  • the return information creation means 220 uses sensitivity change prediction means that predicts resist film sensitivity changes from the resist film formation information, the mask blank storage environment in the mask manufacturing department 200, and the like.
  • the sensitivity change prediction means 300 can be provided in the terminal 10 or server 11 of the blanks manufacturing department 100 and / or the terminal 20 or server 21 of the mask manufacturing department 200.
  • the sensitivity change prediction means 300 uses the sensitivity change prediction means 300 to predict resist film sensitivity changes, the mask blank inventory list information of mask manufacturing department 200 is shared between mask manufacturing department 200 and blanks manufacturing department 100. You just have to.
  • FIG. 2 is an explanatory view showing the exchange of information between the blanks manufacturing department 100 and the mask manufacturing department 200.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing a mask blank manufacturing method, a mask blank recycling method, and an exchange of objects between the blanks manufacturing department 100 and the mask manufacturing department 200.
  • FIG. 4 is a flowchart showing an embodiment of a mask blank manufacturing method and a mask blank providing method.
  • steps 1_a to l_i in FIG. 4 relate to the mask blank manufacturing method performed by blanks manufacturing department 100, and steps 2_a to 2_f are masks performed by mask manufacturing department 200.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a disc.
  • a thin film to be a mask pattern is formed on a mask blank substrate.
  • the thin film serving as the mask pattern includes a light shielding film, a phase shift film, a reflection film, an absorber film, an antireflection film, and the like depending on the type of mask. These thin films are intended to allow the transfer exposure light to pass through or to block the transfer exposure light and to form a predetermined transfer pattern image on the transfer object. is there. Therefore, the mask blank in the present invention is a photomask blank on which a light shielding film having a function of shielding transfer exposure light is formed, and a phase shift film having a function of causing a phase difference with respect to transfer exposure light.
  • the mask blank includes all mask materials such as a mask blank for LSI (semiconductor integrated circuit) and a mask blank for various PD (panel display).
  • the material of the mask blank substrate is not particularly limited. Synthetic quartz glass, alkali-free glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, soda lime glass, etc. are used.
  • a substrate material for a reflective mask ultra-low expansion glass or ultra-low expansion ceramic ceramic M ⁇ is used.
  • a halftone film 33, a light shielding film 34, and a resist film 35 are sequentially formed on the substrate 32.
  • a resist film 35 is coated on the thin film to form a mask blank 31 with a resist film.
  • the resist film 35 may be either a negative type or a positive type.
  • the resist type is not particularly limited. For example, light (ultraviolet rays, far ultraviolet rays, etc.) exposure drawing, electron beam exposure drawing, etc. can be used.
  • the method for applying and forming the resist film 35 is not particularly limited.
  • a spin coating method, a capillary coating method, a scan coating method, or the like can be used.
  • the resist film 35 is coated and formed on the thin film.
  • the film formation information is stored.
  • the resist film formation information is information that affects the sensitivity change of the resist film 35.
  • the resist film formation information is stored directly in the blanks information storage means in the terminal 10 of the blanks manufacturing department 100 or in the mask blank information storage means 110 in the server 11 that exchanges information with the mask manufacturing department 200. You may do it.
  • a blank storage case 30 is prepared for use in providing a mask blank to the mask manufacturing department 200, and the produced mask blank is stored in the blank storage case 30. Then, the resist film formation information of the mask blank stored in the blank storage case 30 is recorded and stored in the mask blank information storage unit 110 in correspondence with the mask blank identification information.
  • identification information is directly assigned to each mask blank, and the identification information is associated with the resist film formation information.
  • the identification information is the method, the case number of the blank storage case 30, and the slot number assigned to each storage slot in the blank storage case 30 (in this case, the identification information for identifying the mask blank is the mask blank).
  • identification information of the mask blank, defect information on the substrate surface and inside acquired before forming the thin film optical characteristic information (transmittance, etc.), surface form information (surface roughness, flatness, etc.)
  • substrate information stored in the process of storing the substrate information, thin film defect information and optical characteristic information (transmittance, reflectance, etc.) acquired during or after the thin film formation thin film formation information (film formation) Conditions, film stress, etc.) and surface form information (surface roughness, flatness, etc.) and other film information stored in the process of storing the film information is recorded in the mask blank information storage means 110 in correspondence with the stored film information. 'You may save.
  • Step 1 e the produced mask blank is provided to the mask manufacturing section 200 by using the blank storage case 30 and the resist film formation information stored in the mask blank information storage means 110 by using the communication line 30 or the like.
  • a server 11 of the blanks manufacturing department 100 and a servo 21 of the mask manufacturing department 200 are arranged, and the resist film formation information is stored in the server 11 of the blanks manufacturing department 100.
  • the mask manufacturing department 200 accesses the server 11 of the mask blank manufacturing department 100 to obtain resist film formation information, and a dedicated line between the server 11 of the blank manufacturing department 100 and the server 21 of the mask manufacturing department 200.
  • the resist film formation information is transmitted directly from the server 11 in the blanks manufacturing department 100 to the server 21 in the mask manufacturing department 200.
  • the mask manufacturing department 200 stores the mask blank provided by the blanks manufacturing department 100 and creates a master blank inventory list 230 based on the mask blank identification information and its resist film formation information. Recorded and stored in usage status storage means 210 (terminal 20 and server 21 of mask manufacturing department 200).
  • the mask blank stock list 230 includes identification information (identification number, case number, slot number, etc. directly assigned to the mask blank), a resist type, and a resist film 35 for specifying each mask blank. Information such as the date and time (or date) of coating, mask blank storage environment (storage environment in the mask manufacturing department), etc. is included.
  • the mask manufacturing department 200 masks the mask blank provided by the blanks manufacturing department 100 in a state where the resist film 35 has an environment where the rate of change in sensitivity is as low as possible, or in a blank storage case 30. Store until the manufacturing process starts.
  • the mask manufacturing department 200 may provide the mask blank inventory list 230 stored in the mask blank usage status storage means 210 to the blanks manufacturing department 100 using the communication line 30 or the like.
  • the mask blank inventory list 230 is stored in the server 21 of the mask manufacturing department 200, and the blanks manufacturing department 100 accesses the server 21 of the mask manufacturing department 200 to obtain the mask blank inventory list 230.
  • Draw a dedicated line between server 21 of mask manufacturing department P 200 and server 11 of blanks manufacturing department 100 For example, the mask blank inventory list 230 may be transmitted directly from the server 21 of the mask manufacturing department 200 to the server 11 of the blanks manufacturing department 100.
  • a mask blank in which the sensitivity change of the resist film 35 exceeds a preset allowable range is specified.
  • the mask manufacturing department 200 refers to the resist film formation information in the mask blank inventory list 230 and predicts the sensitivity change of the resist film 35 formed on the unused mask blank (step 2-b). ).
  • the sensitivity change of the resist film 35 can be predicted based on past empirical rules using information such as the date and time (or date) of application / formation of the resist film 35, resist type, and mask blank storage environment. .
  • information such as the date and time (or date) of application / formation of the resist film 35, resist type, and mask blank storage environment.
  • the mask manufacturing department 200 identifies from the mask blank inventory list 230 a mask blank whose sensitivity change of the resist film 35 exceeds a preset allowable range (step 2-c).
  • the allowable range can be set as appropriate so that the CD variation due to the sensitivity change of the resist film 35 does not exceed the allowable value or the pattern defect does not occur in the mask manufacturing process.
  • the drawing process is performed on the resist film 35 formed on the mask blank, and the CD variation is actually obtained, so that it does not exceed the preset sensitivity change allowable range. It can also be determined.
  • a mask blank exceeding a preset allowable range of sensitivity change is identified from the mask blank inventory list 230 described above. Note that the above-mentioned steps 2-b and 2-c can be performed by the blanks manufacturing department 100. When the blanks manufacturing department 100 predicts the sensitivity change of the resist film 35, the result can be notified to the server 21 of the mask manufacturing department 200 via the communication line 30 and the return of the mask blank can be recommended.
  • the mask manufacturing department 200 creates return information of the mask blank to be returned to the blanks manufacturing department 100 (step 2-d).
  • the return information of the mask blank is created by the return information creation means in the terminal 20 of the mask manufacturing department 200.
  • the mask blank return information includes identification information for identifying the mask blank as long as the mask blank to be returned can be identified (identification information given directly to the mask blank, case number of the blank storage case, slot number, etc.), resist type Etc.
  • the mask manufacturing department 200 stores the mask blank to be returned to the blanks manufacturing department 100 in the blank storage case 30, returns it to the blanks manufacturing department 100, and returns the mask blank return information created above. Send to blanks manufacturing department 100 (process 2-e).
  • the mask blank return information may be returned by attaching it to the blank storage case 30 in which the mask blank to be returned is stored, or only the mask blank return information may be sent using the communication line 30 or the like. It may be transmitted to the server 11 of the manufacturing department 100.
  • the blanks manufacturing department 100 identifies the center of the mask blank information accumulating means 110 on the mask blank returned from the mask manufacturing department 200 based on the mask blank return information.
  • the blanks manufacturing department 100 removes the resist film 35 of the mask blank returned from the mask manufacturing department 200.
  • the resist film 35 is peeled off by a solvent or ashing that dissolves the resist film 35 and does not damage the thin film formed on the mask blank substrate 32 or the substrate 32. it can.
  • the resist film 35 is a resist film of a chemically amplified resist or novolak resist, if an alkaline solvent and Z or an organic solvent are used, the mask blank substrate 32 or the thin film that becomes the mask pattern is damaged. This is preferable because the resist film 35 can be peeled off.
  • the resist film 35 is a resist film of a polymer type resist, if an organic solvent is used, the resist film 35 is peeled off without damaging the mask blank substrate 32 or the thin film that becomes the mask pattern. This is preferable.
  • Step 1 h Next, the blanks manufacturing department 100 applies a resist film 35 again on the substrate 32 on which a thin film to be a mask pattern is formed to form a mask blank 31 with a resist film. Then, the resist film formation information stored in the mask blank information storage unit 110 is updated and stored in the newly formed resist film formation information.
  • the blanks manufacturing department 100 provides the produced mask blank to the mask manufacturing department 200 together with the updated resist film formation information.
  • the mask manufacturing department 200 moves the provided mask blank to the mask manufacturing process and produces an exposure mask (process 2-f).
  • step 1a information on defects on the substrate surface and inside, optical characteristic information (transmittance, etc.), surface form information (surface roughness, flatness, etc.)
  • a substrate information acquisition step for acquiring substrate information including the above and a step for storing the substrate information.
  • step 1-b and step 1-c information on thin film defects, optical property information (transmittance, reflectance, phase difference, etc.), thin film formation information (film formation conditions, film stress, etc.),
  • a film information acquisition process for acquiring film information of a thin film including surface morphology information (surface roughness, flatness, etc.) and a process for storing the film information may be provided.
  • the mask blank returned from the mask manufacturing department 100 is re-coated and formed with a resist
  • information on the thin film is added to the mask blank and provided to the mask manufacturing department 200. It is preferable to perform a step of re-measuring the film information of the thin film that has been in contact with the resist film 35 and recording and storing it in the mask blank information storage unit 110 between l_g and the step l_h.
  • the film information of the re-measured thin film may be rewritten with the film information of the thin film before the return, or may be stored in association with the film information of the thin film before the return.
  • the film information of the thin film on the substrate side that is not in contact with the resist film 35 and the substrate information are the mass returned from the mask manufacturing department 200 Based on the blank return information, the film information previously provided to the mask manufacturing department 200 can be extracted and used as it is. Therefore, only the film information of the thin film that has been in contact with the resist film 35 needs to be measured again and recorded and stored.
  • Defect information on the surface of the precisely polished synthetic quartz glass substrate 32 was obtained, and defect information on the substrate 32 was obtained.
  • surface morphology information was obtained by measuring the surface roughness and flatness of the glass substrate surface.
  • a halftone film 33 made of a molybdenum silicide nitride film serving as a mask pattern was formed on the synthetic quartz glass substrate 32 by sputtering.
  • Film information includes defect position information (X and Y coordinates) that may cause pattern defects in the mask manufacturing process, defect size (size can also be displayed by rank), and defect type. (Pinholes, particles, etc.) were acquired by the defect inspection equipment, and the results were recorded and stored in the blanks information storage means of the terminal 10 of the blanks manufacturing department 100 for each mask blank. Also, as film information, optical characteristics such as transmittance and phase difference measured with a spectrophotometer and a phase difference measuring instrument, and surface roughness and flatness of the film surface measured with a surface roughness measuring instrument and a flatness measuring instrument. For each mask blank such as surface form information, it may be recorded in a blank information storage means.
  • the position information described above is based on the notch mark, and the center of the glass substrate main surface is calculated from the size of the glass substrate and used as a reference point (O).
  • the above-mentioned particles refer to a state in which particulate matter adheres on or in the film
  • pinhole refers to a trace that the particulate matter once adhered in the film has fallen off, that is, a state in which the film is missing.
  • Film loss refers to both the state where there is no complete film where the state of the film base can be confirmed, and the state where the film thickness is locally thin, where the state of the film base cannot be confirmed.
  • a light-shielding film 34 with an antireflection function having a laminated film strength of chromium nitride film / chromium carbide film Z chromium oxynitride film was formed by sputtering.
  • defect inspection of the light shielding film 34 with antireflection function is performed to obtain film information of the light shielding film 34, and the obtained film information of the light shielding film 34 is made by blanks for each mask blank. Recorded and stored in blank information storage means of terminal 10 of manufacturing department 100.
  • film information of the light shielding film 34 optical characteristics such as transmittance and reflectance, surface roughness information such as surface roughness and flatness, and the like are used as blank information accumulation means for each mask blank. Records may be saved.
  • a chemically amplified resist (FEP 171 manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) is formed on the light-shielding film 34 by spin coating, and then heat-treated to form a resist film for ArF excimer laser exposure.
  • a plurality of half-tone phase shift mask blanks 31 (hereinafter referred to as mask blanks) were prepared.
  • the defect information of the resist film 35 may be inspected to obtain the film information of the resist film 35.
  • the obtained film information of the resist film 35 is recorded and stored in the blank information storage unit for each mask blank of the terminal 10 of the blank manufacturing unit P ⁇ OO as described above.
  • the plurality of produced mask blanks 31 were stored in a blank storage case 30.
  • a unique case number is assigned to the blank storage case 30.
  • This case number is identification information that identifies and identifies the mask blank 31 in combination with the slot number.
  • the case number is not limited to a visible number. For example, it may be optically or magnetically readable such as a barcode, magnetic recording medium, IC chip, etc.
  • the blanks storage case 30 has a lid and an outer box, and the inner box is further stored in the outer box.
  • a plurality of slots are formed in the inner box from the upper side to the lower side, and a plurality of mask blanks 31 can be accommodated in grooves between the slots.
  • the slot is a partition between the mask blanks.
  • the groove portion for storing the mask blanks 31 is called a slot.
  • a slot number is assigned to each groove, and these are called slot No. 1, slot No. 2,.
  • Blank storage case 30 Registered mask blank resist film formation information, thin film information, and substrate information stored in each terminal stored in mask 11 provided in blank 11 of blanks manufacturing department 100 Recorded and stored in the blank information storage means 110.
  • the specific information recorded and stored in the mask blank information storage means 110 includes the case number and slot number (this The mask blank), substrate information, thin film information, resist type formed on the mask blank 31 (specifically, FEP171), date and time of coating, mask blank storage environment (dry) With or without agent, nitrogen filling, etc.).
  • the mask blank 31 stored in the blank storage case 30 is supplied to the mask manufacturing department.
  • the substrate information, thin film information, and resist film formation information stored in the mask blank information storage means 110 were provided to the mask manufacturing department 200 via the communication line 30.
  • the server 11 of the blanks manufacturing department 100 and the server 21 of the mask manufacturing department 200 are connected via the network 32, and the mask blank provided to the mask manufacturing department 200 to the server 11 of the blanks manufacturing department 100.
  • 31 resist film formation information, thin film information, and substrate information are stored, and the mask film 31 of the mask blank 31 is delivered by the server 21 of the mask manufacturing department 200 accessing the server 11 of the blanks manufacturing department 100.
  • Information, thin film information and substrate information were obtained.
  • the mask manufacturing department 200 collates the delivered mask blank 31 with the resist film formation information obtained from the server 11 of the blanks manufacturing department 100, and this information is sent to the server 21 of the mask manufacturing department 200. It is registered in the mask blank inventory list 230 of a certain mask blank usage status storage means 210. Specific information registered in the mask blank inventory list 230 includes identification information for identifying individual mask blanks 31 (specifically, the case number and slot number of blanks storage case 30), and resist type (specific FEP171 (a positive chemically amplified resist manufactured by Fujifilm Arch)), the date when the resist film 35 was applied and formed, the mask blank storage environment (the storage environment in the blanks storage case 30 and the mask manufacturing department 200 Storage environment).
  • the mask manufacturing department 200 selects a mask blank 31 to be used for manufacturing a mask from the mask blank inventory list 230 and enters a mask manufacturing process. At this time, the information of the selected mask blank 31 is deleted from the mask blank stock list 230 (or used information is added).
  • the mask manufacturing department 200 targets the unused mask blank 31 and changes the sensitivity of the resist film 35 based on the resist film formation information in the mask blank inventory list 230 and the mask blank storage environment. Predicted. Change in sensitivity of resist film 35 where CD failure does not occur
  • the allowable range was calculated, the date and time exceeding the allowable range were predicted, and saved in the mask blank inventory list 230. Specifically, the allowable range was 15 nm fluctuation value force of CD average value in the mask blank surface.
  • the mask manufacturing department 200 identifies this in the mask blank inventory list 230, and identifies the specified mask blank. 31 was returned to Blanks Manufacturing Department 100.
  • a mask blank return list was created and provided to the blanks manufacturing department 100 together with the mask blank 31.
  • the mask blank return list may be attached to the blank storage case 30 for storing the mask blank 31 to be returned, or may be provided via a communication line or server.
  • the mask blank return list only needs to be information that can identify the mask blank 31 to be returned. Specifically, the case number and slot number of the brand storage case 30 stored when the mask manufacturing department 200 received the mask blank return list. It is. Also, resist type information may be entered in the mask blank return P list.
  • the mask blank 31 returned from the mask manufacturing department 200 is identified from the mask blank information accumulating means 110.
  • the resist film 35 formed on the mask blank 31 was stripped with a stripping solution (specifically, an alkaline solvent), and the light-shielding film surface from which the resist film 35 was stripped was washed.
  • a stripping solution specifically, an alkaline solvent
  • defect inspection of the light shielding film 34 with the antireflection function is performed to obtain the film information of the light shielding film 34, and the obtained film information of the light shielding film 34 is used as the terminal 10 of the blanks manufacturing department 100. Recorded and saved as mask blank 31 information specified by the blank information storage means
  • a resist film 35 was applied again on the light shielding film 34 to form a mask blank 31 with a resist film.
  • the produced mask blank 31 is provided to the mask manufacturing department 200 again.
  • the mask blank 31 provided again to the mask manufacturing department 200 has almost no change in resist sensitivity, and CD defects due to changes in resist sensitivity do not occur.
  • the substrate information, the thin film information, and the resist film formation information regarding the mask blank 31 provided again to the mask manufacturing department 200 are updated and provided to the mask manufacturing department 200.
  • the film information of the halftone film 33 can be provided by using the film information of the halftone film 33 provided as it is.
  • film information of the light shielding film 34 it is preferable to inspect the defect again and provide updated film information of the light shielding film 34.
  • the mask blank 31 returned from the mask manufacturing department 200 is specified, and a thin film (half-half) having the same optical characteristics as the specified mask blank 31 is identified.
  • a resist film 35 is newly formed on another thin film substrate 32 on which the tone film 33 and the light-shielding film 34) are formed to produce a mask blank 31 with a resist film, and the date information when the resist film is formed is retained.
  • the mask blank 31 may be provided to the mask manufacturing department 00 together with information such as resist film formation information including the date information.
  • the present invention can be applied to a mask blank manufacturing method and a mask blank reproduction method, a blanks manufacturing department terminal and server, and a mask manufacturing department terminal and server including a mask manufacturing department terminal and server.
  • the production of an exposure mask can be very useful because it can suppress the occurrence of CD failure due to a change in sensitivity of the resist film.

Landscapes

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

　マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程とを有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を前記薄膜上に形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、前記レジスト膜形成情報に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定する工程と、前記特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程とを有する。

Description

明 細 書
マスクブランクの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、マスクブランク管理シス テム及びマスクブランクの再生方法に係り、特に、露光用マスクの製造に際し、レジス ト膜の感度変化に起因する CD (クリティカル ·ディメンジヨン:最小寸法)不良の発生 を抑制できるマスクブランクの製造方法及びマスクブランク管理システムに関する。更 に、 CD不良となるようなレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを 再生して有効利用できるマスクブランクの再生方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体の製造に使用される露光用マスクの原版であるレジスト膜付きマスクブランク が知られている。近年、この種のマスクブランクにおいては、半導体に形成される回 路パターンの微細化や複雑化に伴って、高レ、解像性を持った化学増幅型レジストの 必要^が次第に高まってきている。
[0003] 化学増幅型レジストは、他のレジストと比べてレジスト塗布後の感度安定性が悪ぐ レジスト塗布後から描画工程までの経過時間や、レジスト塗布後の保管環境により、 レジスト感度の変動が発生する。そのため、露光マスクを製造するマスク製造部門（マ スクメーカー、デバイスメーカー等）では、経験則による露光量補正等を行い、 CD (ク リティカル ·ディメンジヨン：最小寸法）の悪化やバラツキを抑えてレ、る。
[0004] また、近年では、露光用マスクの歩留まり等を向上させるために、マスク製造部門に 対して、各種の情報を提供することが提案されている（特開 2002— 328463号公報（ 特許文献 1)、特開 2003— 149793号公報 (特許文献 2)参照。）。例えば、特許文 献 2では、ブランクス製造部門（ブランクスメーカー等）からマスク製造部門にマスクブ ランクを提供する際に、当該マスクブランクの欠陥情報を提供している。これにより、 マスク製造部門では、欠陥情報及びパターンデータにもとづいて、適正なマスクブラ ンクを選択することにより、露光用マスクの歩留まりを向上させることが可能になる。 発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0005] ところで、マスク製造部門では、ブランクス製造部門からマスクブランクを受け入れ てから（レジスト膜を塗布 ·形成してから）、描画するまでの日数、時間が一定ではな い。これは、マスク製造部門が、半導体製造部門（半導体メーカ等）における露光装 置の露光日程をもとに、一定期間内に必要と見込まれるマスクブランクの種類と数を 集計するとともに、過去におけるマスクブランクの需要数から見込み需要量を算出し てブランクス製造部門に発注し、マスクブランクを受け入れているからである。
[0006] 近年、化学増幅型レジストの高解像度化に伴って、レジスト膜を塗布'形成してから 描画するまでの時間に起因したレジスト感度の変動が大きくなつている。レジスト感度 の変動が許容範囲を超えた場合は、レジスト感度の変動を補正することが困難になり 、 CD不良となる。このようなレジスト感度の変動に起因する不良の発生は、たとえ特 許文献 1、 2のように、各種の情報をマスク製造部門に提供しても、避けることはでき ないものである。
[0007] 本発明は、上記の事情にかんがみなされたものであり、第一に、露光用マスクの製 造に際し、レジスト感度の変動に起因する CD不良の発生を抑制できるマスクブランク 及びマスクの製造方法、マスクブランク管理システムの提供を目的とする。
[0008] 第二に、 CD不良になるようなレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブラ ンクを有効利用できるマスクブランク再生方法の提供を目的とする。
課題を解決するための手段
[0009] 上記目的を達成するため本発明におけるマスクブランクの製造方法は、マスクブラ ンク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上 にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程とを有するマスクブランクの製造方法であ つて、前記レジスト膜を前記薄膜上に形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を 保存する工程と、前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と 、前記レジスト膜形成情報に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感 度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定する工程と、前記特定したマスクブ ランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜 上に再度レジスト膜を形成する工程とを有する方法としてある。 [0010] また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記薄膜の形成時又は形成 後に、マスクブランクの仕様に係わる薄膜の膜情報を取得し保存する工程を有する 方法としてある。
[0011] このような方法によれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥 離し、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、該マスクブランクに対応させて保存 してある薄膜の膜情報の一部又は全部を利用することができる。この結果、膜情報を 取得し保存する工程の一部又は全部を省略することができ、再度レジスト膜を形成し たレジスト膜付きマスクブランクを速やかに製造し、マスク製造部門に提供することが できる。そして、上記のマスクブランクの提供を受けたマスク製造部門においては、レ ジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜付きマスクブランクの使用を確実 に回避することができる。これにより、レジスト感度の変動に起因した CD不良の発生 を防止することができる。
[0012] また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記マスクブランク用基板のマ スタブランクの仕様に係わる基板情報を取得し、保存する工程と、前記基板情報と前 記マスクブランクとを対応させる工程とを有する方法としてある。
[0013] このような方法によれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥 離し、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、薄膜を剥離しないと得られない基 板情報を利用することができる。即ち、基板情報を必要とする場合においては、薄膜 の剥離工程を省略することができる。
[0014] また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記膜情報を、欠陥情報、光 学特性情報、薄膜形成情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むこととしている
[0015] このようにすれば、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、膜情報の取得に時 間のかかる上記の情報の取得を行う手間が省けるので、製造時間短縮においてより 大きな効果が得られる。
[0016] また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記基板情報を、欠陥情報、 光学特性情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むこととしている。
[0017] このようにすれば、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、薄膜を剥離しないと 得られない上記の情報を利用することができる。
[0018] また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記マスクブランクと、前記レ ジスト膜形成情報と、前記薄膜の膜情報及び Z又は前記基板情報の対応付けが可 能となるように、前記マスクブランクに対して直接又は間接的に識別情報を付与する 工程とを有する方法としてある。
[0019] このような方法によれば、レジスト膜付きマスクブランクと、レジスト膜を形成したレジ スト膜形成情報と、薄膜の膜情報及び Z又は基板情報を確実に対応させ、情報の誤 認を防止することができる。
[0020] また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記レジスト膜が、化学増幅型 レジスト膜としている。
[0021] このような方法によれば、一般に塗布'形成後の感度安定性が低い化学増幅型レ ジスト膜に本発明を適用することで、大きな効果が得られる。
[0022] また、本発明におけるマスクの製造方法は、上記のマスクブランクの製造方法によ つて得られたマスクブランクの前記薄膜をパターニングして、前記マスクブランク用基 板上にマスクパターンを形成する方法としてある。
[0023] このような方法によれば、マスクを製造する際、レジスト膜の感度変化が許容範囲内 のレジスト膜付きマスクブランクを使用することができる。このようにして、レジスト感度 の変動に起因した CD不良の発生を防止することができる。
[0024] また、本発明のマスクブランク管理システムは、マスクブランク用基板上にマスクパタ ーンとなる薄膜とレジスト膜とを形成したマスクブランクにおける、前記薄膜上にレジ スト膜を形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を蓄積する形成情報蓄積手段 と、前記マスクブランクに識別情報を付与する識別情報付与手段と、前記レジスト膜 形成情報と、前記識別情報とを対応させてそれらの情報を保存するマスクブラング晴 報蓄積手段と、前記日付情報に基づき前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の 感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定するマスクブランク選定手段とを 有する構成としてある。
[0025] このように構成すれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥 離し、該マスクブランクを再利用する際に、該マスクブランクに対応させて保存してあ る薄膜の膜情報の一部又は全部を有効利用できる。そして、マスクブランクを再利用 する際に、膜情報を取得し保存する工程の一部又は全部を省略することができるの で、マスクブランクを速やかに製造し、マスク製造部門に提供することができる。また、 レジスト膜付きマスクブランクと、レジスト膜を形成した日付情報と、薄膜の膜情報を 確実に対応させることができ、情報の誤認を防止することができる。そして、この管理 システムで管理されたマスクブランクの提供を受けたマスク製造部門においては、レ ジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜付きマスクブランクの使用を確実 に回避することができる。これにより、レジスト感度の変動に起因した CD不良の発生 を防止することができる。
[0026] また、本発明のマスクブランク管理システムは、前記マスクブランク用基板のマスク ブランクの仕様に係わる基板情報及び/又は薄膜の膜情報を保存する基板情報蓄 積手段及び/又は膜情報蓄積手段と、を有し、前記マスクブラング青報蓄積手段に
、前記基板情報及び/又は薄膜の膜情報が保存されている構成としてある。
[0027] このように構成すれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥 離し、マスクブランクを再利用する際に、薄膜を剥離しないと得られない基板情報を 禾 IJ用すること力 Sできる。
[0028] また、本発明のマスクブランク管理システムは、前記識別情報、前記レジスト膜形成 情報、前記膜情報及び Z又は前記基板情報をマスク製造部門に通信回線を介して 提供できるように情報送信手段を設けた構成としてある。
[0029] このように構成すれば、レジスト膜付きマスクブランクの情報を、レジスト膜形成情報
、膜情報及び Z又は基板情報を識別情報と対応させて、迅速かつ正確にマスク製造 部門に提供することができる。
[0030] また、本発明のマスクブランク管理システムは、マスク製造部門によって前記レジス ト膜形成情報に基づき前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容 範囲を超えたマスクブランクの情報を、通信回線を介して受信できるように情報受信 手段を設ける構成としてある。
[0031] このように構成にすれば、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容 範囲を超えたマスクブランクの情報を、迅速かつ正確にマスク製造部門から受け取る こと力 Sできる。
[0032] また、本発明のマスクブランクの再生方法は、マスクブランク用基板上にレジスト膜 を形成した日付情報に基づき、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が 許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、該特定したマスクブランクに形成されたレ ジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を 形成する工程とを有する方法としてある。
[0033] このような方法にすれば、 CD不良が発生するようなレジスト膜の感度変化が許容範 囲を超えたマスクブランクを有効利用することができる。
[0034] また、本発明のマスクブランクの再生方法は、前記レジスト膜をアルカリ性溶媒及び /又は有機溶媒で剥離する方法としてある。
[0035] このような方法にすれば、マスクブランク用基板やマスクパターンとなる薄膜にダメ ージを与えることなぐレジスト膜を剥離することができる。
[0036] また、本発明のマスクブランクの製造方法は、マスクブランク用基板上にマスクパタ ーンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板の前記薄膜上にレジスト膜を形成するマスク ブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を前記薄膜上に形成したときの日付情 報を含むレジスト膜形成情報を形成情報蓄積手段に保存する工程と、 前記形成情 報蓄積手段に保存された前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させ る工程と、前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前 記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブラ ンクの前記レジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再 度レジスト膜を形成する工程とを有する方法としてある。
[0037] また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記レジスト膜を剥離する工程 では、前記レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、前記 特定したマスクブランクに形成された前記レジスト膜を剥離することとしている。
発明の効果
[0038] 以上のように、本発明によれば、マスク製造部門における露光用マスクの製造に際 し、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜付きマスクブランクの使用を 確実に回避できる。これにより、レジスト感度の変動に起因した CD不良の発生を防 止すること力 Sできる。
図面の簡単な説明
[0039] [図 1]マスクブランク管理システムの概略構成を示すブロック図である。
[図 2]ブランクス製造部門とマスク製造部門の間における情報のやり取りを示す説明 図である。
[図 3]ブランクス製造部門とマスク製造部門の間における物のやり取りを示す説明図 である。
[図 4]マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。
発明を実施するための最良の形態
[0040] 以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
[0041] [マスクブランク管理システム]
まず、マスクブランク管理システムの実施形態について、図 1〜図 3を参照して説明 する。
[0042] 図 1は、マスクブランク管理システムの概略構成を示すブロック図、図 2は、ブランク ス製造部門とマスク製造部門の間における情報のやり取りを示す説明図、図 3は、ブ ランクス製造部門とマスク製造部門の間における物のやり取りを示す説明図である。
[0043] なお、本発明において、ブランクス製造部門及びマスク製造部門とは、同一企業間 におけるそれぞれの部門を意味するだけでなぐ異なる企業のブランクスメーカ及び マスクメーカをも意味するものである。
[0044] 図 1に示すように、マスクブランク管理システムには、レジスト膜付きマスクブランク（ 以下、マスクブランクという。）を製造するブランクス製造部門 100の端末 10と、ブラン タス製造部門 100で取得した薄膜の膜情報やレジスト膜の形成情報、マスクブランク の識別情報等をまとめて蓄積するサーバ 11と、露光用マスクを製造するマスク製造 部門 200の端末 20と、マスク製造部門 200でのマスクブランクの使用状況を示す情 報、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブ ランクの情報等をまとめて蓄積するサーバ 21と、これらのサーバ 11、 21を通信可能 に接続する通信回線 30とが含まれる。端末 10、 20は、パソコン等で構成される。また 、通信回線 30は、サーバ 11 , 21を含むネットワーク 32で構成してもよいし、専用回 線で構成してもよい。
[0045] なお、上記のブランクス製造部門 100の端末 10は、例えば、マスクブランクの製造 工程毎に配置しており、各工程で取得した後述する基板情報、膜情報、レジスト膜形 成情報が保存されており、 LANでサーバ 11に接続され、サーバ 11にそれらの情報 を収集するようになってレ、る。
[0046] 図 2に示すように、ブランクス製造部門 100のサーバ 11には、マスクブランク情報蓄 積手段 110が設けられる。マスクブランク情報蓄積手段 110には、マスク製造部門 20 0に提供するマスクブランクの識別情報に対応付けて、各端末 10から収集した基板 情報や薄膜の膜情報、レジスト膜の形成情報などが蓄積される。基板情報には、基 板表面や内部の欠陥情報、光学特性情報 (透過率等）、表面形態情報 (表面粗さ、 平坦度等)などが含まれる。また、薄膜の膜情報には、薄膜の欠陥情報や光学特性 情報 (透過率、反射率等）、薄膜形成情報 (成膜条件、膜応力等）、表面形態情報（ 表面粗さ、平坦度等）などが含まれる。また、レジスト膜の形成情報には、レジスト膜 の感度変化に影響を与える情報が含まれており、具体的には、基板上にレジスト膜を 塗布 ·形成した日時 (又は日付）、レジスト種、加熱条件、マスクブランク保管環境等 である。
[0047] マスクブランクの識別情報は、個々のマスクブランクに対して直接的又は間接的に 付与される。図 2及び図 3に示す例では、納品に用いるブランクス収納ケース 30の収 納ケース番号と、ブランクス収納ケース 30のマスクブランクを保持する各収納スロット に付与されたスロット番号を識別情報として、個々のマスクブランクを特定するようにし てある。なお、ブランクス収納ケース 30がー枚のマスクブランクしか収納しないように なっている場合は、収納ケース番号が、マスクブランクの識別情報となる。
[0048] マスク製造部門のサーバ 21には、マスクブランク使用状況蓄積手段 210及び返却 情報作成手段 220が設けられる。マスクブランク使用状況蓄積手段 210は、マスク製 造部門 200におけるマスクブランクの使用状況を蓄積する。具体的には、ブランクス 製造部門 100から提供されたマスクブランクの識別情報に対応付けて、レジスト種、 レジスト膜形成日時、マスクブランク保管環境等の情報を保存するマスクブランク在 庫リスト 230を有し、ここから使用済みのマスクブランク情報を削除することにより、マ スタブランクの使用状況が蓄積される。
[0049] 返却情報作成手段 220は、マスクブランク在庫リスト 230に含まれる未使用マスクブ ランクのうち、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを抽出し、ブ ランクス製造部門 100に返却すべきマスクブランクの返却リストを作成する。マスクブ ランク返却リストには、返却するマスクブランクの識別情報（ブランクス収納ケース番号 、スロット番号等）、レジスト種などのデータが含まれる。具体的に説明すると、返却情 報作成手段 220は、レジスト膜の形成情報、マスク製造部門 200におけるマスクブラ ンクの保管環境等からレジスト膜の感度変化を予測する感度変化予測手段を用いて
、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、マスクブランク 返却リストを作成する。
[0050] 感度変化予測手段 300は、ブランクス製造部門 100の端末 10やサーバ 11、及び /又は、マスク製造部門 200の端末 20やサーバ 21に設けることができる。ブランクス 製造部門 100が感度変化予測手段 300を用いてレジスト膜の感度変化を予測する 場合は、マスク製造部門 200のマスクブランク在庫リスト情報を、マスク製造部門 200 とブランクス製造部門 100との間で共有化すればよい。
[0051] <マスクブランクの製造方法、及びマスクブランクの提供方法 >
つぎに、マスクブランクの製造方法及びマスクブランクの提供方法の実施形態につ いて、図 2〜図 4を参照して説明する。
[0052] 図 2は、ブランクス製造部門 100とマスク製造部門 200の間における情報のやり取り を示す説明図である。図 3は、マスクブランクの製造方法、マスクブランクの再生方法 、及びブランクス製造部門 100とマスク製造部門 200の間における物のやり取りを示 す説明図である。図 4は、マスクブランクの製造方法、マスクブランクの提供方法の一 実施形態を示すフローチャートである。
[0053] 尚、以下、図 4中の工程 1 _ aから工程 l _iは、ブランクス製造部門 100が行うマス クブランク製造方法に関し、工程 2 _ aから工程 2 _fは、マスク製造部門 200が行うマ スク製造方法に関するものである。
[0054] (工程 1一 a)
まず、マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する。 [0055] マスクパターンとなる薄膜には、マスクの種類に応じて、遮光膜、位相シフト膜、反 射膜、吸収体膜、反射防止膜等が含まれる。これらの薄膜は、転写露光光を通過さ せたり、通過を阻止したりするなど、転写露光光に対して何らかの作用をし、所定の 転写パターン像を転写対象物上に形成させるためのものである。したがって、本発明 におけるマスクブランクとは、転写露光光を遮光する機能を有する遮光膜が形成され たフォトマスクブランク、転写露光光に対して位相差をもたらす機能を有する位相シフ ト膜が形成された位相シフトマスクブランク、転写露光光に対して遮光機能と位相差 変化をもたらす機能を兼ね備えた光半透過膜が形成されたハーフトーン型位相シフ トマスクブランク、転写露光光を反射する機能を有する反射膜、転写露光光を吸収し て反射を抑える機能を有する吸収体膜が形成された反射型マスクブランクなどを含 む広義の意味で用いられる。
[0056] また、マスクブランクは、 LSI (半導体集積回路)用マスクブランク、各種 PD (パネル ディスプレイ）用マスクブランク等、全てのマスクの素材が含まれる。
[0057] なお、マスクブランク用基板の材料は、特に限定されない。合成石英ガラス、無アル カリガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、ソーダライムガラス等が使用される。 また、反射型マスク用の基板材料としては、超低膨張ガラスあるいは超低膨張セラミ ックカ M吏用される。なお、図 3では、基板 32上に、ハーフトーン膜 33、遮光膜 34、レ ジスト膜 35が順次形成されてレ、る。
[0058] (工程 1一 b)
つぎに、薄膜上にレジスト膜 35を塗布'形成してレジスト膜付きマスクブランク 31を 作製する。
[0059] レジスト膜 35は、ネガ型、ポジ型どちらでも構わない。また、レジスト種も特に限定さ れない。例えば、光 (紫外線、遠紫外線等)露光描画用、電子線露光描画用等を用 レ、ることができる。
[0060] レジスト膜 35の塗布'形成方法は、特に限定されない。例えば、回転塗布方法、キ ャピラリー塗布方法、スキャン塗布方法等を用いることができる。
[0061] (工程 1一 c)
つぎに、上記の工程 l—bにおいて、薄膜上にレジスト膜 35を塗布'形成したレジス ト膜形成情報を保存する。
[0062] ここで、レジスト膜形成情報は、レジスト膜 35の感度変化に影響を与える情報であり
、基板 32上にレジスト膜 35を塗布 '形成した日時 (又は日付）、レジスト種、加熱処理 条件、マスクブランク保管環境等をいう。
[0063] レジスト膜形成情報の保存は、ブランクス製造部門 100の端末 10内のブランクス情 報蓄積手段や、マスク製造部門 200と情報のやり取りを行うサーバ 11内のマスクブラ ンク情報蓄積手段 110に直接保存しても良い。
[0064] (工程 1 d)
つぎに、マスク製造部門 200にマスクブランクを提供する際に使用するブランクス収 納ケース 30を用意し、このブランクス収納ケース 30に、作製したマスクブランクを収 納する。そして、ブランクス収納ケース 30に収納したマスクブランクのレジスト膜形成 情報を、マスクブランクの識別情報と対応させてマスクブランク情報蓄積手段 110に 記録'保存する。
[0065] レジスト膜形成情報と、ブランクス収納ケース 30に収納するマスクブランクとを対応 させる手段としては、個々のマスクブランクに識別情報を直接付与し、この識別情報 とレジスト膜形成情報とを対応させる方法や、ブランクス収納ケース 30のケース番号 と、ブランクス収納ケース 30内の各収納スロットに付与されているスロット番号を識別 情報とし (この場合、マスクブランクを識別するための識別情報は、マスクブランクに 間接的に付与されることになる。）、このケース番号及びスロット番号とレジスト膜形成 情報とを対応させる方法などがある。
[0066] ここで、マスクブランクの識別情報と、薄膜を形成する前に取得した基板表面や内 部の欠陥情報、光学特性情報 (透過率等）、表面形態情報 (表面粗さ、平坦度等)な どの基板情報を保存する工程で保存したこれらの基板情報や、薄膜の形成時又は 形成後に取得した薄膜の欠陥情報や光学特性情報 (透過率、反射率等)、薄膜形成 情報 (成膜条件、膜応力等）、表面形態情報 (表面粗さ、平坦度等)などの膜情報を 保存する工程で保存したこれらの膜情報とを対応させて、マスクブランク情報蓄積手 段 110に、記録'保存してもよい。
[0067] (工程 1 e) つぎに、作製したマスクブランクをブランクス収納ケース 30により、また、マスクブラ ンク情報蓄積手段 110に保存されているレジスト膜形成情報を、通信回線 30を利用 するなどしてマスク製造部門 200に提供する。レジスト膜形成情報を提供する具体的 な方法としては、ブランクス製造部門 100のサーバ 11とマスク製造部門 200のサー ノ 21を配置するとともに、ブランクス製造部門 100のサーバ 11にレジスト膜形成情報 を保存し、マスク製造部門 200がマスクブランク製造部門 100のサーバ 11にアクセス してレジスト膜形成情報を入手する方法や、ブランクス製造部門 100のサーバ 11とマ スク製造部門 200のサーバ 21との間に専用回線を引き、レジスト膜形成情報を、ブラ ンクス製造部門 100のサーバ 11からマスク製造部門 200のサーバ 21に直接送信す る方法などがある。
[0068] (工程 2— a)
マスク製造部門 200では、ブランクス製造部門 100から提供されたマスクブランクを 保管するとともに、マスクブランクの識別情報と、そのレジスト膜形成情報をもとに、マ スタブランク在庫リスト 230を作成し、マスクブランク使用状況蓄積手段 210 (マスク製 造部門 200の端末 20やサーバ 21)に記録'保存する。
[0069] マスクブランク在庫リスト 230には、個々のマスクブランクを特定するための識別情 報（マスクブランクに直接付与された識別番号、ケース番号、スロット番号等）、レジス ト種、レジスト膜 35を塗布 '形成した日時 (又は日付）、マスクブランク保管環境（マス ク製造部門における保管環境)等の情報が含まれる。
[0070] マスク製造部門 200は、ブランクス製造部門 100から提供されたマスクブランクを、 レジスト膜 35の感度変化の割合が極力少ない環境を有する保管庫や、ブランクス収 納ケース 30に入れた状態でマスク製造工程に取り掛かる前まで保管する。
[0071] なお、マスク製造部門 200は、マスクブランク使用状況蓄積手段 210に保存されて レ、るマスクブランク在庫リスト 230を、通信回線 30を利用するなどしてブランクス製造 部門 100に提供してもよレ、。具体的には、マスク製造部門 200のサーバ 21にマスク ブランク在庫リスト 230を保存し、ブランクス製造部門 100がマスク製造部門 200のサ ーバ 21にアクセスしてマスクブランク在庫リスト 230を入手する方法や、マスク製造部 P 200のサーバ 21とブランクス製造部門 100のサーバ 11との間に専用回線を引き、 マスクブランク在庫リスト 230を、マスク製造部門 200のサーバ 21からブランクス製造 部門 100のサーバ 11に直接送信する方法などがある。
[0072] (工程 1一 f)
つぎに、レジスト膜形成情報を参照し、レジスト膜 35の感度変化が予め設定された 許容範囲を超えたマスクブランクを特定する。
[0073] 具体的には、以下の方法で行うことができる。
[0074] (1)マスク製造部門 200は、マスクブランク在庫リスト 230のレジスト膜形成情報を参 照し、未使用マスクブランクに形成されているレジスト膜 35の感度変化を予測する（ 工程 2— b)。
[0075] レジスト膜 35の感度変化の予測は、レジスト膜 35を塗布 ·形成した日時 (又は日付 )、レジスト種、マスクブランク保管環境等の情報を利用し、過去の経験則で行うことが できる。例えば、レジスト種毎に使用期限を設定し、この使用期限とレジスト形成日時 を比較する方法や、これにマスクブランク保管環境情報をカ卩味し、使用期限を補正 する方法がある。
[0076] (2)マスク製造部門 200は、レジスト膜 35の感度変化が予め設定された許容範囲を 超えたマスクブランクをマスクブランク在庫リスト 230の中から特定する（工程 2— c)。
[0077] 前記許容範囲は、マスク製造工程においてレジスト膜 35の感度変化による CD変動 が許容値を超えたり、パターン欠陥が発生しないように適宜設定することができる。な お、上記の方法に代えて、マスクブランクに形成されているレジスト膜 35に、描画'現 像処理を行い、実際に CD変動を求め、予め設定された感度変化の許容範囲を超え ていなレ、かを判定することもできる。この場合、予め設定された感度変化の許容範囲 を超えたマスクブランクについては、上記マスクブランク在庫リスト 230の中から特定 する。なお、上記工程 2— b、 2— cについては、ブランクス製造部門 100が行うことも できる。ブランクス製造部門 100がレジスト膜 35の感度変化を予測する場合は、その 結果を、マスク製造部門 200のサーバ 21に通信回線 30を介して通知し、マスクブラ ンクの返却を推奨することができる。
[0078] (3)マスク製造部門 200は、ブランクス製造部門 100に返却するマスクブランクの返 却情報を作成する（工程 2— d)。 [0079] マスクブランクの返却情報は、マスク製造部門 200の端末 20において返却情報作 成手段によって作成される。マスクブランクの返却情報は、返却するマスクブランクを 特定できればよぐマスクブランクを特定するための識別情報（マスクブランクに直接 付与された識別情報、ブランクス収納ケースのケース番号、スロット番号等）、レジスト 種等である。
[0080] (4)マスク製造部門 200は、ブランクス製造部門 100に返却するマスクブランクをブラ ンクス収納ケース 30に収納し、ブランクス製造部門 100に返送するとともに、上記作 成したマスクブランクの返却情報をブランクス製造部門 100に送る（工程 2— e)。
[0081] マスクブランクの返却情報は、返却するマスクブランクが収納されているブランクス 収納ケース 30に添付して返送しても良いし、マスクブランクの返却情報のみを通信 回線 30などを利用してブランクス製造部門 100のサーバ 11に送信してもよい。
[0082] (5)ブランクス製造部門 100は、マスク製造部門 200から返却されたマスクブランクに ついて、マスクブランク返却情報に基づいて、マスクブランク情報蓄積手段 110の中 力 特定する。
[0083] (工程 1 g)
つぎに、ブランクス製造部門 100は、マスク製造部門 200から返却されたマスクブラ ンクのレジスト膜 35を剥離する。
[0084] レジスト膜 35を剥離する方法は、レジスト膜 35を溶解し、かつ、マスクブランク用基 板 32や基板 32上に形成されている薄膜にダメージを与えない溶媒やアツシング等 で行うことができる。
[0085] レジスト膜 35が化学増幅型レジストゃノボラック系レジストのレジスト膜の場合、アル カリ性溶媒及び Z又は有機溶媒を用いれば、マスクブランク用基板 32やマスクパタ ーンとなる薄膜にダメージを与えることなぐレジスト膜 35を剥離することができるので 好ましい。
[0086] また、レジスト膜 35が、高分子型レジストのレジスト膜の場合、有機溶媒を用いれば 、マスクブランク用基板 32やマスクパターンとなる薄膜にダメージを与えることなぐレ ジスト膜 35を剥離することができるので好ましい。
[0087] (工程 1 h) つぎに、ブランクス製造部門 100は、マスクパターンとなる薄膜が形成された基板 3 2上に、再度レジスト膜 35を塗布'形成してレジスト膜付きマスクブランク 31を作製す る。そして、マスクブランク情報蓄積手段 110に保存されているレジスト膜形成情報を 、新たに形成したレジスト膜形成情報に更新'保存する。
[0088] (工程 1一 i)
つぎに、ブランクス製造部門 100は、作製したマスクブランクを、更新されたレジスト 膜形成情報とともにマスク製造部門 200に提供する。マスク製造部門 200は、提供さ れたマスクブランクをマスク製造工程に移し、露光用マスクを作製する（工程 2— f)。
[0089] なお、上記のマスクブランクの製造方法において、工程 1 aの前に、基板表面や 内部の欠陥情報、光学特性情報 (透過率等）、表面形態情報 (表面粗さ、平坦度等） などが含まれる基板情報を取得する基板情報取得工程や、基板情報を保存するェ 程を設けても良い。また、工程 1— bと工程 1— cの間に、薄膜の欠陥情報や、光学特 性情報 (透過率、反射率、位相差等）、薄膜形成情報 (成膜条件、膜応力等）、表面 形態情報 (表面粗さ、平坦度等）などが含まれる薄膜の膜情報を取得する膜情報取 得工程や、膜情報を保存する工程を設けても良い。これらの工程を設ける場合、マス クブランク情報蓄積手段 110に、上記の基板情報及び/又は膜情報と、マスクブラン クの識別情報とを対応させて記録'保存される。
[0090] また、マスク製造部門 100から返却されたマスクブランクに、レジストを再塗布'形成 して作製されたマスクブランクに薄膜の膜情報をつけてマスク製造部門 200に提供 する場合には、工程 l _gと工程 l _hとの間に、レジスト膜 35に接触していた薄膜の 膜情報を再測定し、マスクブランク情報蓄積手段 110に記録'保存する工程を行うこ とが好ましい。再測定した薄膜の膜情報は、返却前における薄膜の膜情報と書き換 えても良いし、返却前における薄膜の膜情報と関連付けて保存しても良い。
[0091] なお、ここで薄膜が複数積層している積層膜の場合、レジスト膜 35に接触していな い基板側の薄膜の膜情報や、基板情報は、マスク製造部門 200から返却されたマス クブランク返却情報をもとに、先にマスク製造部門 200に提供した膜情報を引き出し 、そのまま利用できる。従って、レジスト膜 35に接触していた薄膜の膜情報のみを再 測定し、記録 ·保存すればよい。 [0092] [実施例]
精密研磨された合成石英ガラス基板 32の表面の欠陥検查を行って、基板 32の欠 陥情報を取得した。また、ガラス基板表面の表面粗さや平坦度を測定し、表面形態 情報を取得した。これらの情報は、基板 32ごとにブランクス製造部門 100の端末 10 のブランクス情報蓄積手段に記録'保存した。
[0093] つぎに、合成石英ガラス基板 32上にマスクパターンとなるモリブデンシリサイド窒化 膜からなるハーフトーン膜 33を、スパッタリングにより形成した。
[0094] つぎに、ハーフトーン膜 33の欠陥検査を行ってハーフトーン膜 33の膜情報を取得 した。膜情報としては、マスク製造工程でパターン不良となる可能性のある欠陥の位 置情報 (X座標、 Y座標）、欠陥のサイズ (サイズをランク別で表示することも可能）、欠 陥の種類（ピンホール、パーティクル、その他）が、欠陥検査装置によって取得され、 その結果をマスクブランク毎にブランクス製造部門 100の端末 10のブランクス情報蓄 積手段に記録'保存した。また、膜情報として分光光度計や位相差測定器で測定し た透過率や位相差等の光学特性や表面粗さ測定機や平坦度測定機で測定した膜 表面の表面粗さや平坦度等の表面形態情報などマスクブランク毎にブランクス情報 蓄積手段に記録 '保存してもよい。
[0095] なお、上記の位置情報は、ノッチマークを基準に、ガラス基板のサイズからガラス基 板主表面の中心を算出してこれを基準点（O)とし、該基準点をとおりガラス基板の各 辺に平行な線を仮想の X軸、 Y軸とした XY座標系における各欠陥の X座標、 Y座標 で保存される。ここで、上記のパーティクルとは、膜上又は膜中に粒状物質が付着し た状態を指し、ピンホールは、いったん膜中に付着した粒状物質が抜け落ちた跡、 すなわち、膜抜けの状態を指す。膜抜けは膜の下地の状態が確認できる完全に膜が ない状態や、膜の下地の状態が確認できない局所的に膜厚が薄くなつた状態の両 方を指す。
[0096] つぎに、ハーフトーン膜 33上に、窒化クロム膜/炭化クロム膜 Z酸化窒化クロム膜 の積層膜力 なる反射防止機能付き遮光膜 34を、スパッタリングにより形成した。
[0097] つぎに、上記と同様に反射防止機能付き遮光膜 34の欠陥検査を行って遮光膜 34 の膜情報を取得し、取得した遮光膜 34の膜情報を、マスクブランク毎にブランクス製 造部門 100の端末 10のブランクス情報蓄積手段に記録'保存した。
[0098] ここで、上記と同様に、遮光膜 34の膜情報として、透過率や反射率の光学特性や、 表面粗さや平坦度の表面形態情報などをマスクブランク毎にブランクス情報蓄積手 段に記録'保存してもよい。
[0099] つぎに、回転塗布方法により、遮光膜 34上に化学増幅型レジスト（富士フィルムァ 一チ社製： FEP 171)を塗布 .形成した後、加熱処理して ArFエキシマレーザー露光 用のレジスト膜付きハーフトーン型位相シフトマスクブランク 31 (以下、マスクブランク と称す。）を複数枚作製した。
[0100] なお、ここで、レジスト膜 35の欠陥検査を行ってレジスト膜 35の膜情報を取得しても 良い。その場合、取得したレジスト膜 35の膜情報は、上記と同様にブランクス製造部 P^OOの端末 10のマスクブランク毎にブランクス情報蓄積手段に記録'保存する。
[0101] つぎに、作製した複数枚のマスクブランク 31をブランクス収納ケース 30に収納した 。ブランクス収納ケース 30には、固有のケース番号が付与されている。このケース番 号は、スロット番号との組み合わせでマスクブランク 31を特定 ·識別する識別情報とな る。ケース番号は、視認可能なものに限定されない。例えば、バーコード、磁気記録 媒体、 ICチップ等のように、光学的又は磁気的に読み取り可能なものであってもよい
[0102] ブランクス収納ケース 30は、蓋と外箱を有し、外箱の中には更に内箱が収納される ようになつている。内箱には、上方から下方に向けて複数のスロット（仕切り）が形成さ れ、スロット間の溝に複数枚のマスクブランク 31が収納できるようになつている。スロッ トは、マスクブランク間の仕切りである力 説明の便宜上、マスクブランクス 31を格納 する溝部分をスロットと呼ぶ。例えば、 5枚のマスクブランク 31を格納する溝がある場 合、各溝に対応してスロット番号が付与され、それぞれをスロット No. 1、スロット No. 2、…スロット No. 5と呼ぶ。
[0103] ブランクス収納ケース 30に収納する各端末に記録.保存されたマスクブランクのレ ジスト膜形成情報と、薄膜の膜情報と、基板情報を、ブランクス製造部門 100のサー ノ 11に設けられるマスクブランク情報蓄積手段 110に記録'保存した。マスクブランク 情報蓄積手段 110に記録'保存した具体的な情報は、ケース番号、スロット番号 (こ の両者でマスクブランクを特定）、基板情報、薄膜の膜情報、マスクブランク 31に形 成されているレジスト種（具体的には、 FEP171)、塗布'形成した日時、マスクブラン ク保管環境 (乾燥剤あり、なし、窒素封入等）である。
[0104] つぎに、ブランクス収納ケース 30に収納されたマスクブランク 31を、マスク製造部門
200に提供した。また、上記のマスクブランク情報蓄積手段 110に保存されている基 板情報、薄膜の膜情報、レジスト膜形成情報を、通信回線 30を介してマスク製造部 門 200に提供した。具体的には、ブランクス製造部門 100のサーバ 11及びマスク製 造部門 200のサーバ 21を、ネットワーク 32を介して接続するとともに、ブランクス製造 部門 100のサーバ 11に、マスク製造部門 200に提供したマスクブランク 31のレジスト 膜形成情報、薄膜の膜情報及び基板情報を保存し、マスク製造部門 200のサーバ 2 1が、ブランクス製造部門 100のサーバ 11にアクセスして納品されたマスクブランク 3 1のレジスト膜形成情報、薄膜の膜情報及び基板情報を入手した。
[0105] マスク製造部門 200では、納品されたマスクブランク 31と、ブランクス製造部門 100 のサーバ 11から入手したレジスト膜形成情報とを照合し、これらの情報を、マスク製 造部門 200のサーバ 21にあるマスクブランク使用状況蓄積手段 210のマスクブラン ク在庫リスト 230に登録した。マスクブランク在庫リスト 230に登録した具体的な情報 は、個々のマスクブランク 31を特定するための識別情報（具体的には、ブランクス収 納ケース 30のケース番号とスロット番号）、レジスト種（具体的には、 FEP171 (富士フ イルムアーチ社製 ポジ型化学増幅型レジスト））、レジスト膜 35を塗布'形成した日 時、マスクブランク保管環境 (ブランクス収納ケース 30での保管環境と、マスク製造部 門 200における保管環境)等である。
[0106] マスク製造部門 200では、半導体製造者からの注文にしたがって、マスクを製造す るために使用するマスクブランク 31をマスクブランク在庫リスト 230の中から選択し、 マスク製造工程に入る。このとき、選択したマスクブランク 31の情報は、マスクブランク 在庫リスト 230から削除する（あるいは、使用済み情報が付加される）。
[0107] つぎに、マスク製造部門 200では、未使用のマスクブランク 31を対象とし、マスクブ ランク在庫リスト 230のレジスト膜形成情報及びマスクブランク保管環境をもとに、レジ スト膜 35の感度変化を予測した。 CD不良が発生しないレジスト膜 35の感度変化の 許容範囲を求め、許容範囲を超える日時を予測し、マスクブランク在庫リスト 230に保 存した。具体的には、マスクブランク面内の CD平均値の変動値力 15nmを許容範 囲とした。
[0108] マスク製造部門 200は、予め設定されたレジスト膜 35の感度変化が許容範囲を超 えたマスクブランク 31がある場合、これをマスクブランク在庫リスト 230の中で特定し、 特定されたマスクブランク 31をブランクス製造部門 100に返却した。
[0109] マスク製造部門 200からブランクス製造部門 100にマスクブランク 31を返却する際 には、マスクブランク返却リストを作成し、ブランクス製造部門 100にマスクブランク 31 と共に提供した。マスクブランク返却リストは、返却するマスクブランク 31を収納するブ ランクス収納ケース 30に添付してもよいし、通信回線やサーバを介して提供しても良 レ、。マスクブランク返却リストは、返却するマスクブランク 31を特定できる情報であれ ば良ぐ具体的には、マスク製造部門 200で受け入れたときに収納されていたブラン タス収納ケース 30のケース番号と、スロット番号である。また、マスクブランク返去 Pリス トに、レジスト種の情報を入れても良い。
[0110] ブランクス製造部門 100では、マスク製造部門 200から返却されたマスクブランク 3 1を、マスクブランク情報蓄積手段 110の中から特定した。
[0111] つぎに、マスクブランク 31に形成されているレジスト膜 35を剥離液（具体的には、ァ ルカリ性溶媒）で剥離し、レジスト膜 35が剥離された遮光膜表面を洗浄処理した。
[0112] また、上記と同様に反射防止機能付き遮光膜 34の欠陥検査を行って、遮光膜 34 の膜情報を取得し、取得した遮光膜 34の膜情報を、ブランクス製造部門 100の端末 10のブランク情報蓄積手段で特定したマスクブランク 31の情報として記録.保存した
[0113] つぎに、遮光膜 34上に再度レジスト膜 35を塗布'形成して、レジスト膜付きマスクブ ランク 31を作製した。作製したマスクブランク 31は、再度マスク製造部門 200に提供 される。マスク製造部門 200に再度提供されたマスクブランク 31は、レジスト感度の変 動が殆どないものであり、レジスト感度の変動による CD不良は発生しない。
[0114] なお、再度マスク製造部門 200に提供したマスクブランク 31に関する基板情報、薄 膜の膜情報、レジスト膜形成情報は、情報を更新してマスク製造部門 200に提供す る。ここで、マスク製造部門 200に提供する薄膜の膜情報のうち、ハーフトーン膜 33 の膜情報は、先に提供したハーフトーン膜 33の膜情報をそのまま利用して提供する こと力できる。また、遮光膜 34の膜情報については、再度欠陥検査し、更新した遮光 膜 34の膜情報を提供することが好ましレ、。
[0115] なお、ブランクス製造部門 100において、マスクブランク 31の返却情報に基づき、 マスク製造部門 200から返却されるマスクブランク 31を特定し、この特定したマスクブ ランク 31と同じ光学特性を有する薄膜 (ハーフトーン膜 33や遮光膜 34)が形成され た別の薄膜付き基板 32に新しくレジスト膜 35を形成してレジスト膜付きマスクブランク 31を作製するとともに、レジスト膜を形成したときの日付情報を保持し、このマスクブ ランク 31を、上記日付情報を含むレジスト膜形成情報等の情報とともにマスク製造部 Ρ 00に提供するようにしてもよい。
産業上の利用可能性
[0116] 本発明は、レジスト膜付きマスクブランクの製造方法及びマスクブランク再生方法、 ブランクス製造部門の端末やサーバ及びマスク製造部門の端末やサーバを含むマ スタブランク管理システムに適用することができる。本発明を適用すると、露光用マス クの製造に際し、レジスト膜の感度変化に起因する CD不良の発生を抑制でき、きわ めて有用である。

Claims

請求の範囲
[1] マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前 記薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程とを有するマスクブランクの製 造方法であって、
前記レジスト膜を前記薄膜上に形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を保 存する工程と、
前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記レジスト膜形成情報に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感 度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定する工程と、
前記特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、 前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、 を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
[2] 前記薄膜の形成時又は形成後に、マスクブランクの仕様に係わる薄膜の膜情報を 取得し、保存する工程と、
前記膜情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とする 請求項 1記載のマスクブランクの製造方法。
[3] 前記マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる基板情報を取得し、保 存する工程と、
前記基板情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とす る請求項 1又は 2記載のマスクブランクの製造方法。
[4] 前記膜情報は、欠陥情報、光学特性情報、薄膜形成情報、表面形態情報のレ、ず れかの情報を含むことを特徴とする請求項 2記載のマスクブランクの製造方法。
[5] 前記基板情報は、欠陥情報、光学特性情報、表面形態情報のいずれかの情報を 含むことを特徴とする請求項 3記載のマスクブランクの製造方法。
[6] 前記マスクブランクと、前記レジスト膜形成情報と、前記薄膜の膜情報及び/又は 前記基板情報の対応付けが可能となるように、前記マスクブランクに対して直接的又 は間接的に識別情報を付与する工程と、を有することを特徴とする請求項 1に記載の マスクブランクの製造方法。
[7] 前記レジスト膜が、化学増幅型レジスト膜であることを特徴とする請求項 1に記載の マスクブランクの製造方法。
[8] 請求項 1のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの前記薄膜を パターユングして、前記マスクブランク用基板上にマスクパターンを形成することを特 徴とするマスクの製造方法。
[9] マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜とレジスト膜とを形成したマスク ブランクにおける、前記レジスト膜を形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を 蓄積する形成情報蓄積手段と、
前記マスクブランクに識別情報を付与する識別情報付与手段と、
前記レジスト膜形成情報と、前記識別情報とを対応させてそれらの情報を保存する マスクブランク情報蓄積手段と、
前記日付情報に基づき前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許 容範囲を超えたマスクブランクを特定するマスクブランク選定手段と、
を有することを特徴とするマスクブランク管理システム。
[10] 前記マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる、基板情報及び/又は 薄膜の膜情報を保存する基板情報蓄積手段及び/又は膜情報蓄積手段を有し、前 記マスクブランク情報蓄積手段に、前記基板情報及び/又は前記膜情報が保存さ れていることを特徴とする請求項 9記載のマスクブランク管理システム。
[11] 前記識別情報、前記レジスト膜形成情報、前記膜情報及び/又は前記基板情報を マスク製造部門に通信回線を介して提供できるように情報送信手段を設けたことを特 徴とする請求項 9又は 10記載のマスクブランク管理システム。
[12] マスク製造部門によって前記レジスト膜形成情報に基づき前記マスクブランクに形 成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの情報を、通信回 線を介して受信できるように情報受信手段を設けたことを特徴とする請求項 9又は 10 記載のマスクブランク管理システム。
[13] マスクブランク用基板上にレジスト膜を形成した日付情報を含むレジスト膜形成情 報に基づき、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えた マスクブランクを特定し、該特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離す る工程と、 前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と
、を有することを特徴とするマスクブランクの再生方法。
[14] 前記レジスト膜をアルカリ性溶媒及び Z又は有機溶媒で剥離することを特徴とする 請求項 13記載のマスクブランクの再生方法。
[15] マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板の前 記薄膜上にレジスト膜を形成するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜を前記薄膜上に形成したときの日付情報を含むレジスト膜形成情報 を形成情報蓄積手段に保存する工程と、
前記形成情報蓄積手段に保存された前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランク とを対応させる工程と、
前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスク ブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前 記レジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、 を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
[16] 前記レジスト膜を剥離する工程では、前記レジスト膜の感度変化が許容範囲を超え たマスクブランクを特定し、前記特定したマスクブランクに形成された前記レジスト膜 を剥離することを特徴とする請求項 15記載のマスクブランクの製造方法。
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