JP2002008962A - 基準プレート、露光装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 - Google Patents
基準プレート、露光装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長の観察光を用いても高精度なマーク検
出を安定して行える長寿命な基準プレートを提供する。 【解決手段】 基準マークパターンに観察光を照射し、
そこで反射された光を検出し、基準マークパターンの位
置を求めるための基準プレートにおいて、基準マークパ
ターンを観察光に直接曝されない位置に設ける。
出を安定して行える長寿命な基準プレートを提供する。 【解決手段】 基準マークパターンに観察光を照射し、
そこで反射された光を検出し、基準マークパターンの位
置を求めるための基準プレートにおいて、基準マークパ
ターンを観察光に直接曝されない位置に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基準プレート、並
びに該基準プレートを用いた露光装置、デバイス製造シ
ステム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光
装置の保守方法に関する。
びに該基準プレートを用いた露光装置、デバイス製造シ
ステム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光
装置の保守方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ベースライン計測、ベストフ
ォーカス位置計測など、露光装置の測定精度校正（キャ
リブレーション）には、ステージ上に設けられた基準プ
レートを使用している。基準プレート上には、ＸＹ方向
あるいはＺ方向計測用にガラス上にクロム、アルミニウ
ム膜等の基準マークパターンが形成されている。これら
の基準マークパターンを露光光と同じ波長の光を用いて
顕微鏡により観察している。
ォーカス位置計測など、露光装置の測定精度校正（キャ
リブレーション）には、ステージ上に設けられた基準プ
レートを使用している。基準プレート上には、ＸＹ方向
あるいはＺ方向計測用にガラス上にクロム、アルミニウ
ム膜等の基準マークパターンが形成されている。これら
の基準マークパターンを露光光と同じ波長の光を用いて
顕微鏡により観察している。
【０００３】また、露光装置の露光光は、投影光学系の
解像度を上げて、より微細なパターンを露光するため、
波長を短くする傾向にある。
解像度を上げて、より微細なパターンを露光するため、
波長を短くする傾向にある。
【０００４】図４は、上記従来技術に係る基準プレート
を説明するための図である。同図において、上段は基準
プレートの模式的断面図を示し、１はガラス基板、２は
クロム、アルミ膜等からなる基準マークパターン、４は
基準マークパターンの表面についた付着物である。ま
た、下段はその観察信号の波形を示している。
を説明するための図である。同図において、上段は基準
プレートの模式的断面図を示し、１はガラス基板、２は
クロム、アルミ膜等からなる基準マークパターン、４は
基準マークパターンの表面についた付着物である。ま
た、下段はその観察信号の波形を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すような従来
の基準マークを用いて顕微鏡によりパターン２を検出す
る際、特にＡｒＦエキシマレーザやＦ2 エキシマレーザ
のような短波長の観察光を用いた場合に、長時間照明光
を照射すると、基準マークパターンのパターン膜が変質
したり、基準マークパターン上に付着物が付着したりし
て、像のコントラストがしだいに低下し、最終的に観察
不能の状態陥ってしまうという問題があった。
の基準マークを用いて顕微鏡によりパターン２を検出す
る際、特にＡｒＦエキシマレーザやＦ2 エキシマレーザ
のような短波長の観察光を用いた場合に、長時間照明光
を照射すると、基準マークパターンのパターン膜が変質
したり、基準マークパターン上に付着物が付着したりし
て、像のコントラストがしだいに低下し、最終的に観察
不能の状態陥ってしまうという問題があった。
【０００６】また、図４に示すように、パターン面に付
着物４がついてしまい、この付着物がコントラストの低
下を引き起こす要因となる場合には、基準マーク表面を
定期的に洗浄する必要があったが、パターン面の段差部
に付着物４がついてしまうとクリーニングが難しいとい
う問題も生じていた。
着物４がついてしまい、この付着物がコントラストの低
下を引き起こす要因となる場合には、基準マーク表面を
定期的に洗浄する必要があったが、パターン面の段差部
に付着物４がついてしまうとクリーニングが難しいとい
う問題も生じていた。
【０００７】本発明は、上記従来技術の課題を解決し、
短波長の観察光を用いても高精度なマーク検出を安定し
て行える長寿命な基準プレート並びに該基準プレートを
用いた露光装置、デバイス製造システム、デバイス製造
方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法を提供
することにある。
短波長の観察光を用いても高精度なマーク検出を安定し
て行える長寿命な基準プレート並びに該基準プレートを
用いた露光装置、デバイス製造システム、デバイス製造
方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基準マークパターンに観察光を照射し、
そこで反射された光を検出し、基準マークパターンの位
置を求めるための基準プレートであって、基準マークパ
ターンは観察光に直接曝されない位置に設けられている
ことを特徴とする。
め、本発明は、基準マークパターンに観察光を照射し、
そこで反射された光を検出し、基準マークパターンの位
置を求めるための基準プレートであって、基準マークパ
ターンは観察光に直接曝されない位置に設けられている
ことを特徴とする。
【０００９】具体的には、例えば、基準マークパターン
が、基板上の観察光照射面の反対面に設けられている第
１の構成、基準マークパターンが、基板上の観察光照射
面に設けられ、さらにその上の観察光照射面側に観察光
を透過する別の基板が設けられている第２の構成、およ
び基準マークパターンが、基板上の観察光照射面に設け
られ、その基準マークパターン上に、観察光を透過する
材質により保護膜が設けられている第３の構成が挙げら
れる。
が、基板上の観察光照射面の反対面に設けられている第
１の構成、基準マークパターンが、基板上の観察光照射
面に設けられ、さらにその上の観察光照射面側に観察光
を透過する別の基板が設けられている第２の構成、およ
び基準マークパターンが、基板上の観察光照射面に設け
られ、その基準マークパターン上に、観察光を透過する
材質により保護膜が設けられている第３の構成が挙げら
れる。
【００１０】ここで、基準マークパターン上に形成され
る部材（基板、保護膜等）の厚み（ｄ）は、周辺環境と
の遮蔽効果を得るために、可能な限り厚いほうが良い。
しかし、基準マークパターンからの反射率を高くするた
め、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）が成立
する厚さ（但し、ｎは部材の屈折率、λは観察光の波長
である）とすることが好ましい。
る部材（基板、保護膜等）の厚み（ｄ）は、周辺環境と
の遮蔽効果を得るために、可能な限り厚いほうが良い。
しかし、基準マークパターンからの反射率を高くするた
め、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）が成立
する厚さ（但し、ｎは部材の屈折率、λは観察光の波長
である）とすることが好ましい。
【００１１】基準マークパターン上の、保護膜および基
板の材質は、観察光が透過するものであれば良くガラ
ス、ＳｉＯ2 等が挙げられる。
板の材質は、観察光が透過するものであれば良くガラ
ス、ＳｉＯ2 等が挙げられる。
【００１２】基準マークパターンは、マーク部と非マー
ク部で反射率に差があればよく、好ましくは観察光を透
過する基板上に反射率の高いパターンを設ける。観察光
に対して反射率の高い材質としては、クロム、アルミニ
ウム等が好ましい。
ク部で反射率に差があればよく、好ましくは観察光を透
過する基板上に反射率の高いパターンを設ける。観察光
に対して反射率の高い材質としては、クロム、アルミニ
ウム等が好ましい。
【００１３】また、本発明の露光装置は、マスクパター
ンをウエハに露光するための露光装置において、マスク
を搭載するマスクステージ上に設けられるマスク基準プ
レートおよびウエハを搭載するウエハステージ上に設け
られるウエハ基準プレートとして、上記本発明の基準プ
レートを用いるものである。
ンをウエハに露光するための露光装置において、マスク
を搭載するマスクステージ上に設けられるマスク基準プ
レートおよびウエハを搭載するウエハステージ上に設け
られるウエハ基準プレートとして、上記本発明の基準プ
レートを用いるものである。
【００１４】基準マークによるマスクステージおよびウ
エハステージの位置関係等を計測する観察顕微鏡は、通
常、露光光と同一波長、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ
光やＦ2 エキシマレーザ光を使用し、計測精度を向上さ
せている。
エハステージの位置関係等を計測する観察顕微鏡は、通
常、露光光と同一波長、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ
光やＦ2 エキシマレーザ光を使用し、計測精度を向上さ
せている。
【００１５】さらに、本発明の露光装置に、ディスプレ
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けることに
より、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能となる。このネット
ワーク用ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の
外部ネットワークに接続され露光装置のベンダーもしく
はユーザが提供する保守データベースにアクセスするた
めのユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する
ことにより、外部ネットワークを介して該データベース
から情報を得ることを可能にする。
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けることに
より、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能となる。このネット
ワーク用ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の
外部ネットワークに接続され露光装置のベンダーもしく
はユーザが提供する保守データベースにアクセスするた
めのユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する
ことにより、外部ネットワークを介して該データベース
から情報を得ることを可能にする。
【００１６】本発明のデバイス製造方法は、露光装置を
含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設
置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスに
よって半導体デバイスを製造する工程とを有することを
特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワー
クと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
る工程とを有してもよい。また、露光装置のベンダーも
しくはユーザが提供するデータベースに外部ネットワー
クを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置の
保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うようにしてもよい。
含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設
置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスに
よって半導体デバイスを製造する工程とを有することを
特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワー
クと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
る工程とを有してもよい。また、露光装置のベンダーも
しくはユーザが提供するデータベースに外部ネットワー
クを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置の
保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うようにしてもよい。
【００１７】本発明の半導体製造工場は、上記本発明の
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたものである。
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたものである。
【００１８】本発明の露光装置の保守方法は、露光装置
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。
【００１９】
【作用】以上の構成により、ＡｒＦエキシマレーザ光、
Ｆ2 エキシマレーザ光等の観察光が直接クロム、アルミ
ニウム等の基準マークパターンに照射されないので、基
準マークのパターン保護膜、パターン形成膜へのダメー
ジを抑えることができる。また、付着物が堆積しても、
平滑面に一様に付着するため、観察画像の信号波形にお
けるコントラスト低下を抑制することができ、しかも付
着物の洗浄も容易に行うことができる。
Ｆ2 エキシマレーザ光等の観察光が直接クロム、アルミ
ニウム等の基準マークパターンに照射されないので、基
準マークのパターン保護膜、パターン形成膜へのダメー
ジを抑えることができる。また、付着物が堆積しても、
平滑面に一様に付着するため、観察画像の信号波形にお
けるコントラスト低下を抑制することができ、しかも付
着物の洗浄も容易に行うことができる。
【００２０】
【実施例】＜基準プレートの実施例＞図１（ａ）〜
（ｃ）を用いて、本発明の基準プレートにおける、各実
施例を説明する。
（ｃ）を用いて、本発明の基準プレートにおける、各実
施例を説明する。
【００２１】図１（ａ）において、１および５はガラス
基板、２はクロムパターンからなる基準マーク、３はＳ
ｉＯ2 膜である。本例において、ガラス基板１の厚さ
（ｄ）は、ガラス基板の材質の観察光に対する屈折率を
ｎ、観察光の波長をλとして、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝
１，２，３・・・）を満足する３０ｎｍ以上の厚さに調
整される。このとき、ガラス基板１の厚さは、露光装置
に必要とされる性能に応じて、ある程度の許容範囲を持
つ。
基板、２はクロムパターンからなる基準マーク、３はＳ
ｉＯ2 膜である。本例において、ガラス基板１の厚さ
（ｄ）は、ガラス基板の材質の観察光に対する屈折率を
ｎ、観察光の波長をλとして、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝
１，２，３・・・）を満足する３０ｎｍ以上の厚さに調
整される。このとき、ガラス基板１の厚さは、露光装置
に必要とされる性能に応じて、ある程度の許容範囲を持
つ。
【００２２】図１（ａ）に示す例では観察光の照射面と
反対側に基準マークを形成しているため、観察光が直接
クロムパターン２に照射されず、クロムパターンの劣化
が抑制される。また、ガラス基板１上に一様に付着物４
が堆積するため、付着物４に起因する信号波形のコント
ラスト変化が少なく洗浄も容易となる。
反対側に基準マークを形成しているため、観察光が直接
クロムパターン２に照射されず、クロムパターンの劣化
が抑制される。また、ガラス基板１上に一様に付着物４
が堆積するため、付着物４に起因する信号波形のコント
ラスト変化が少なく洗浄も容易となる。
【００２３】図１（ｂ）において、５はガラス基板１と
同様のガラス基板であり、図１（ａ）のガラス基板１と
同様の厚さに調整されている。図１（ｂ）に示す例では
基準マーク上に基板５を積層しているため、観察光が直
接クロムパターン２に照射されず、クロムパターンの劣
化が抑制される。また、ガラス基板５上に一様に付着物
４が堆積するため、付着物４に起因する信号波形のコン
トラスト変化が少なく洗浄も容易となる。
同様のガラス基板であり、図１（ａ）のガラス基板１と
同様の厚さに調整されている。図１（ｂ）に示す例では
基準マーク上に基板５を積層しているため、観察光が直
接クロムパターン２に照射されず、クロムパターンの劣
化が抑制される。また、ガラス基板５上に一様に付着物
４が堆積するため、付着物４に起因する信号波形のコン
トラスト変化が少なく洗浄も容易となる。
【００２４】図１（ｃ）において、３はＳｉＯ2 からな
る保護膜であり、その基板１から保護膜表面までの厚み
（ｄ）は、図１（ａ），（ｂ）の場合と同様、保護膜３
の材質の観察光に対する屈折率をｎ、観察光の波長をλ
として、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）を
満足する３０ｎｍ以上の厚さに調整されている。このと
き、ガラス基板１の厚さは、露光装置に必要とされる性
能に応じて、ある程度の許容範囲を持つ。
る保護膜であり、その基板１から保護膜表面までの厚み
（ｄ）は、図１（ａ），（ｂ）の場合と同様、保護膜３
の材質の観察光に対する屈折率をｎ、観察光の波長をλ
として、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）を
満足する３０ｎｍ以上の厚さに調整されている。このと
き、ガラス基板１の厚さは、露光装置に必要とされる性
能に応じて、ある程度の許容範囲を持つ。
【００２５】＜露光装置の実施例＞次に、上記本実施例
の基準プレートをマスク基準プレートおよびウエハ基準
プレートとして用いた露光装置を、図２および３を用い
て説明する。
の基準プレートをマスク基準プレートおよびウエハ基準
プレートとして用いた露光装置を、図２および３を用い
て説明する。
【００２６】以下、本発明を図に示した実施例に基づい
て詳細に説明する。図２は本発明が適用されたＦ2 エキ
シマレーザを露光光源とする投影露光装置の概略図であ
る。原画であるマスク１３は不図示のレーザ干渉計と駆
動制御手段１０３によって、ＸＹ方向に駆動制御される
マスクステージ１６によって装置本体に支持されてい
る。一方、感光基板であるウエハ１５は、やはり不図示
のレーザ干渉計と駆動制御手段１０３によってＸＹ方向
に駆動制御されるウエハステージ１７により装置本体に
支持されている。このマスク１３とウエハ１５は投影光
学系１４を介して光学的に共役な位置に置かれている。
投影露光は、不図示の照明系からの露光光束が、マスク
１３を照明し、投影光学系１４の光学倍率に比した大き
さで、マスク１３の光学結像像をウエハ１５に投影する
ことで行われる。
て詳細に説明する。図２は本発明が適用されたＦ2 エキ
シマレーザを露光光源とする投影露光装置の概略図であ
る。原画であるマスク１３は不図示のレーザ干渉計と駆
動制御手段１０３によって、ＸＹ方向に駆動制御される
マスクステージ１６によって装置本体に支持されてい
る。一方、感光基板であるウエハ１５は、やはり不図示
のレーザ干渉計と駆動制御手段１０３によってＸＹ方向
に駆動制御されるウエハステージ１７により装置本体に
支持されている。このマスク１３とウエハ１５は投影光
学系１４を介して光学的に共役な位置に置かれている。
投影露光は、不図示の照明系からの露光光束が、マスク
１３を照明し、投影光学系１４の光学倍率に比した大き
さで、マスク１３の光学結像像をウエハ１５に投影する
ことで行われる。
【００２７】本実施例は、走査型露光装置であり、図中
Ｙ方向に伸びるスリット状露光光がマスク１３を照明
し、このスリット状露光光に対してマスクステージ１６
とウエハステージ１７の双方を、投影光学系１４の光学
倍率に応じた速度比でＸ方向に動かしてマスク１３とウ
エハ１５を走査する事によって行なわれ、マスク１３上
のデバイスパターン２１全面を、ウエハ１５上の転写領
域（パターン領域）２２に転写する。
Ｙ方向に伸びるスリット状露光光がマスク１３を照明
し、このスリット状露光光に対してマスクステージ１６
とウエハステージ１７の双方を、投影光学系１４の光学
倍率に応じた速度比でＸ方向に動かしてマスク１３とウ
エハ１５を走査する事によって行なわれ、マスク１３上
のデバイスパターン２１全面を、ウエハ１５上の転写領
域（パターン領域）２２に転写する。
【００２８】本実施例では、屈折素子のみで構成した投
影光学系１４を示したが、反射素子と屈折素子とを組み
合わせた投影光学系であっても構わないし、本実施例の
ように縮小投影光学系であれ、等倍であれ、本発明の効
果はなんら変わらないものである。
影光学系１４を示したが、反射素子と屈折素子とを組み
合わせた投影光学系であっても構わないし、本実施例の
ように縮小投影光学系であれ、等倍であれ、本発明の効
果はなんら変わらないものである。
【００２９】マスクステージ１６上には、マスク基準プ
レート１０、１１がマスク１３に対して走査方向である
Ｘ方向側に固設して配置してある。一方ウエハステージ
１７上にはウエハ基準プレート１２が固設して配置して
ある。
レート１０、１１がマスク１３に対して走査方向である
Ｘ方向側に固設して配置してある。一方ウエハステージ
１７上にはウエハ基準プレート１２が固設して配置して
ある。
【００３０】マスク基準プレート１０、１１上には基準
マーク５０、５１が形成してあり、この位置に対応した
投影光学系１４による転写位置に、ウエハ基準プレート
１２上には基準マーク６０、６１が形成してある。ここ
でマスク基準プレート１０、１１上の基準マーク５０、
５１はマスク１３のパターン描画面と同じ高さに配置し
てあり、ウエハ基準プレート１２上の基準マーク６０、
６１は、ウエハ１５の露光表面と略同じ高さに配置して
ある。
マーク５０、５１が形成してあり、この位置に対応した
投影光学系１４による転写位置に、ウエハ基準プレート
１２上には基準マーク６０、６１が形成してある。ここ
でマスク基準プレート１０、１１上の基準マーク５０、
５１はマスク１３のパターン描画面と同じ高さに配置し
てあり、ウエハ基準プレート１２上の基準マーク６０、
６１は、ウエハ１５の露光表面と略同じ高さに配置して
ある。
【００３１】観察顕微鏡９Ｌ，９Ｒは、マスク基準プレ
ート１０、１１上の基準マーク５０、５１や、マスク１
３上のパターン描画面にある物体（マーク）の観察と、
ウエハ基準プレート１２上の基準マーク６０、６１や、
ウエハ１５上の物体（マーク）の観察が同時に可能であ
る様になっている。光電的に観察された像信号は、マー
ク検出手段１０１で処理され、各々の相対的位置関係情
報を演算処理回路１０２へ送る。
ート１０、１１上の基準マーク５０、５１や、マスク１
３上のパターン描画面にある物体（マーク）の観察と、
ウエハ基準プレート１２上の基準マーク６０、６１や、
ウエハ１５上の物体（マーク）の観察が同時に可能であ
る様になっている。光電的に観察された像信号は、マー
ク検出手段１０１で処理され、各々の相対的位置関係情
報を演算処理回路１０２へ送る。
【００３２】同時観察の為には、投影露光に使用される
Ｆ2 エキシマレーザ光を観察光として用いれば、投影光
学系１４で発生する色収差を補正する新たな光学系が不
要になるので望ましい。
Ｆ2 エキシマレーザ光を観察光として用いれば、投影光
学系１４で発生する色収差を補正する新たな光学系が不
要になるので望ましい。
【００３３】今、ウエハ基準プレート１２上の基準マー
ク６０、６１が、投影光学系１４の下の観察顕微鏡９
Ｌ、９Ｒによる観察位置（露光位置）へくるように、ウ
エハステージ１７を駆動して静止する。同様にマスクス
テージ１６を走査露光時と同じ様に走査しマスク基準プ
レート１１上の基準マーク５０、５１が、観察顕微鏡９
Ｌ、９Ｒによる観察領域内に位置するようにし静止す
る。
ク６０、６１が、投影光学系１４の下の観察顕微鏡９
Ｌ、９Ｒによる観察位置（露光位置）へくるように、ウ
エハステージ１７を駆動して静止する。同様にマスクス
テージ１６を走査露光時と同じ様に走査しマスク基準プ
レート１１上の基準マーク５０、５１が、観察顕微鏡９
Ｌ、９Ｒによる観察領域内に位置するようにし静止す
る。
【００３４】この状態で、観察顕微鏡９Ｌ、９Ｒによ
り、基準マーク５０と６０、５１と６１のそれぞれの相
対位置ずれが観察される。この相対的位置関係は、今現
在投影露光されたマスク像が、ウエハステージ１７上の
何処に投影されているかを示している。ここでは、露光
装置の光源としてＦ2 エキシマレーザを用いる場合につ
いて説明したが、露光装置の光源としてＡｒＦエキシマ
レーザを用いてもよい。
り、基準マーク５０と６０、５１と６１のそれぞれの相
対位置ずれが観察される。この相対的位置関係は、今現
在投影露光されたマスク像が、ウエハステージ１７上の
何処に投影されているかを示している。ここでは、露光
装置の光源としてＦ2 エキシマレーザを用いる場合につ
いて説明したが、露光装置の光源としてＡｒＦエキシマ
レーザを用いてもよい。
【００３５】次に、図２におけるマスク基準プレート１
０，１１を用いたマスクステージ１６上のマスク１３の
位置合わせについて図３を用いて説明する。
０，１１を用いたマスクステージ１６上のマスク１３の
位置合わせについて図３を用いて説明する。
【００３６】同図に示すように、本実施例では、マスク
１３の位置合わせを、投影光学系１４を保持する保持部
材に固定基準プレート（不図示）を固設し、その固定基
準プレート上に形成したマーク７５ａ、７５ｂで行うよ
うにしたものである。なお、この固定基準プレートとし
ても本発明の基準プレートを適用することができる。
１３の位置合わせを、投影光学系１４を保持する保持部
材に固定基準プレート（不図示）を固設し、その固定基
準プレート上に形成したマーク７５ａ、７５ｂで行うよ
うにしたものである。なお、この固定基準プレートとし
ても本発明の基準プレートを適用することができる。
【００３７】予め、レーザ干渉計８０ａ，ｂと駆動制御
手段１０３によってＸ方向に駆動制御されるマスクステ
ージ１６を移動しマスク基準プレート１０（あるいは１
１）上の基準マーク５０，５１（図３）を固定基準プレ
ート上のマーク７５ａ，７５ｂ上に移動させ、レチクル
アライメント顕微鏡８により両マーク（５０，５１，７
５ａ，７５ｂ）の相対位置関係を計測する。そして、マ
スク基準プレート１０（あるいは１１）上の複数の位置
合わせ基準マークと固定基準プレート上の複数の位置合
わせマークとの相対的位置関係を検出し、マスク基準プ
レート１０（あるいは１１）上の複数の位置合わせ基準
マークによって定まる座標系と固定基準プレート上の複
数の位置合わせマークによって定まる座標系との関係を
検出しておく。但し、固定基準プレート上のマーク７５
ａ，７５ｂとマスク基準プレ一ト１０( あるいは１１）
上の基準マーク５０，５１等の位置関係の測定は、固定
基準プレート上のマーク７５ａ，７５ｂの位置が安定し
ていればマスク交換の度に行う必要がない。
手段１０３によってＸ方向に駆動制御されるマスクステ
ージ１６を移動しマスク基準プレート１０（あるいは１
１）上の基準マーク５０，５１（図３）を固定基準プレ
ート上のマーク７５ａ，７５ｂ上に移動させ、レチクル
アライメント顕微鏡８により両マーク（５０，５１，７
５ａ，７５ｂ）の相対位置関係を計測する。そして、マ
スク基準プレート１０（あるいは１１）上の複数の位置
合わせ基準マークと固定基準プレート上の複数の位置合
わせマークとの相対的位置関係を検出し、マスク基準プ
レート１０（あるいは１１）上の複数の位置合わせ基準
マークによって定まる座標系と固定基準プレート上の複
数の位置合わせマークによって定まる座標系との関係を
検出しておく。但し、固定基準プレート上のマーク７５
ａ，７５ｂとマスク基準プレ一ト１０( あるいは１１）
上の基準マーク５０，５１等の位置関係の測定は、固定
基準プレート上のマーク７５ａ，７５ｂの位置が安定し
ていればマスク交換の度に行う必要がない。
【００３８】マスクステージ１６を移動しマスク１３上
のマスクアライメント用マーク４２ａ，４２ｂをマーク
７５ａ，７５ｂ上に位置させる。この位置近房でマスク
は交換される。
のマスクアライメント用マーク４２ａ，４２ｂをマーク
７５ａ，７５ｂ上に位置させる。この位置近房でマスク
は交換される。
【００３９】そして、レチクルアライメント顕微鏡８に
より両マーク（４２ａ，４２ｂ，７５ａ，７５ｂ）の相
対位置関係を計測する。そして、マスク１３上の複数の
位置合わせマークと固定基準プレート上の複数の位置合
わせマークとの相対的位置関係を検出して、マスク１３
上の複数の位置合わせマークによって定まる座標系と固
定基準プレート上の複数の位置合わせマークによって定
まる座標系との関係を検出し、その検出結果と予め得た
マスク基準プレート１０上の複数の位置合わせ基準マー
クによって定まる座標系と固定基準プレート上の複数の
位置合わせマークによって定まる座標系との関係とを考
慮して、マスクステージ１６に対しマスク１３を回転さ
せる。または、マスクステージ１６の走査方向をマスク
１３の走査すべき方向とマスクステージ１６の走査方向
とを一致させるように駆動制御手段１０３によってマス
クステージ１６の走査方向を制御する。
より両マーク（４２ａ，４２ｂ，７５ａ，７５ｂ）の相
対位置関係を計測する。そして、マスク１３上の複数の
位置合わせマークと固定基準プレート上の複数の位置合
わせマークとの相対的位置関係を検出して、マスク１３
上の複数の位置合わせマークによって定まる座標系と固
定基準プレート上の複数の位置合わせマークによって定
まる座標系との関係を検出し、その検出結果と予め得た
マスク基準プレート１０上の複数の位置合わせ基準マー
クによって定まる座標系と固定基準プレート上の複数の
位置合わせマークによって定まる座標系との関係とを考
慮して、マスクステージ１６に対しマスク１３を回転さ
せる。または、マスクステージ１６の走査方向をマスク
１３の走査すべき方向とマスクステージ１６の走査方向
とを一致させるように駆動制御手段１０３によってマス
クステージ１６の走査方向を制御する。
【００４０】また、固定基準プレート上のマーク７５
ａ，７５ｂを、マスクが露光位置に位置する時のマスク
ステージ１６上のマスクアライメント用マーク４２ａ，
４２ｂの下に設けても上記の効果がある。
ａ，７５ｂを、マスクが露光位置に位置する時のマスク
ステージ１６上のマスクアライメント用マーク４２ａ，
４２ｂの下に設けても上記の効果がある。
【００４１】すなわち、マスクステージを移動し基準マ
ーク４２ａ，４２ｂ（あるいはマーク７５ａ，７５ｂ）
をレチクルアライメント顕微鏡８の観察位置に置きマス
クアライメントを行うのである。この時のマーク７５
ａ，７５ｂと基準マーク５０，５１等との位置関係はマ
スクを搭載している状態で顕微鏡９あるいはレチクルア
ライメント顕微鏡８で測定することができる。この位置
関係の測定も、固定基準プレート上の基準マーク７５
ａ，７５ｂの位置が安定していればマスク交換の度に行
う必要がない。
ーク４２ａ，４２ｂ（あるいはマーク７５ａ，７５ｂ）
をレチクルアライメント顕微鏡８の観察位置に置きマス
クアライメントを行うのである。この時のマーク７５
ａ，７５ｂと基準マーク５０，５１等との位置関係はマ
スクを搭載している状態で顕微鏡９あるいはレチクルア
ライメント顕微鏡８で測定することができる。この位置
関係の測定も、固定基準プレート上の基準マーク７５
ａ，７５ｂの位置が安定していればマスク交換の度に行
う必要がない。
【００４２】（比較試験例）比較例としてクロムパター
ン上にＳｉＯ2 膜を形成しない他は、図１（ｃ）に示し
た実施例と同様の基準プレートを作成し、以下の方法で
比較試験を行った。
ン上にＳｉＯ2 膜を形成しない他は、図１（ｃ）に示し
た実施例と同様の基準プレートを作成し、以下の方法で
比較試験を行った。
【００４３】実施例（図１（ｃ））および比較例として
作成した基準プレートについて、ＡｒＦエキシマレーザ
光（４．０ｍｊ／ｃｍ2 、１．３×１０6 パルス）の耐
久照射を行い、耐久照射前後の反射率の変化を測定し
た。その結果を表１に示す。
作成した基準プレートについて、ＡｒＦエキシマレーザ
光（４．０ｍｊ／ｃｍ2 、１．３×１０6 パルス）の耐
久照射を行い、耐久照射前後の反射率の変化を測定し
た。その結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】表１から明らかなように、比較例の基準マ
ークでは、耐久照射により反射率の減少が見られたが、
実施例の基準マークでは、照射前後で反射率の減少は認
められなかった。
ークでは、耐久照射により反射率の減少が見られたが、
実施例の基準マークでは、照射前後で反射率の減少は認
められなかった。
【００４６】このように、本発明の基準プレートによれ
ば、ガラスあるいはＳｉＯ2 膜とクロム（またはアルミ
膜）が密着しているので、照射による膜の変化が発生せ
ず、観察像が変化しない。また、ガラス（ＳｉＯ2 膜）
上面に付着物がついてもコントラスト低下がなく、パタ
ーン観察が可能である。さらに、ガラスの上面に付着し
た物質を容易にクリーニング可能である。
ば、ガラスあるいはＳｉＯ2 膜とクロム（またはアルミ
膜）が密着しているので、照射による膜の変化が発生せ
ず、観察像が変化しない。また、ガラス（ＳｉＯ2 膜）
上面に付着物がついてもコントラスト低下がなく、パタ
ーン観察が可能である。さらに、ガラスの上面に付着し
た物質を容易にクリーニング可能である。
【００４７】＜半導体生産システムの実施例＞次に、半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
【００４８】図５は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０
８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークである
インタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０
８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークである
インタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。
【００４９】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製
造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０
２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、
各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであ
るインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネ
ット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理シス
テム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだ
けがアクセスが許可となっている。具体的には、インタ
ネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を
示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造
装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、そ
の通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する
対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデー
タ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情
報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０
２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および
各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ
／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインタネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製
造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０
２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、
各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであ
るインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネ
ット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理シス
テム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだ
けがアクセスが許可となっている。具体的には、インタ
ネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を
示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造
装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、そ
の通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する
対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデー
タ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情
報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０
２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および
各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ
／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインタネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
【００５０】さて、図６は本実施形態の全体システムを
図５とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の
外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報を
データ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユ
ーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、
工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、こ
こでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０
３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図６で
は製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各
装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト
処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベン
ダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給
した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理シス
テム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２
００であるインタネットもしくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダーからインタネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
図５とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の
外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報を
データ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユ
ーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、
工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、こ
こでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０
３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図６で
は製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各
装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト
処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベン
ダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給
した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理シス
テム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２
００であるインタネットもしくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダーからインタネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００５１】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図７に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの
件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示の
ごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図７に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの
件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示の
ごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
【００５２】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図８は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と
後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場
毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図８は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と
後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場
毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００５３】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基準プレ
ートによれば、短波長の観察光を使用しても、高精度な
マーク検出を安定して長期間行うことが可能となる。ま
た、プレート表面に付着物が付着しても容易に洗浄する
ことが可能となる。
ートによれば、短波長の観察光を使用しても、高精度な
マーク検出を安定して長期間行うことが可能となる。ま
た、プレート表面に付着物が付着しても容易に洗浄する
ことが可能となる。
【図１】 本発明の基準プレートの実施例を示す模式
図。
図。
【図２】 本発明の図１の基準プレートをマスク基準プ
レートおよびウエハ基準プレートに用いた露光装置を説
明する図。
レートおよびウエハ基準プレートに用いた露光装置を説
明する図。
【図３】 図２の露光装置におけるマスクの位置合わせ
を説明する図。
を説明する図。
【図４】 従来の基準プレートを示す模式図。
【図５】 半導体デバイスの生産システムをある角度か
ら見た概念図。
ら見た概念図。
【図６】 半導体デバイスの生産システムを別の角度か
ら見た概念図。
ら見た概念図。
【図７】 ユーザーインターフェースの具体例。
【図８】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図。
図。
【図９】 ウエハプロセスを説明する図。
１および５：ガラス基板、２：クロムパターンからなる
基準マーク、３：ＳｉＯ2 膜、４：付着物、８：レチク
ルアライメント顕微鏡、９Ｌ，９Ｒ：観察顕微鏡、１
０，１１：マスク基準プレート、１２：ウエハ基準プレ
ート、１３：マスク、１４：投影光学系、１５：ウエ
ハ、１６：マスクステージ、１７：ウエハステージ、２
１：デバイスパターン、２２：転写領域、４２（ａ，
ｂ）：マスクアライメント用マーク、５０，５１，６
０，６１：基準マーク、７５（ａ，ｂ）：固定基準プレ
ート上マーク、８０（ａ，ｂ）：レーザ干渉計、１０
１：マーク検出手段、１０２：演算処理回路、１０３：
駆動制御手段。
基準マーク、３：ＳｉＯ2 膜、４：付着物、８：レチク
ルアライメント顕微鏡、９Ｌ，９Ｒ：観察顕微鏡、１
０，１１：マスク基準プレート、１２：ウエハ基準プレ
ート、１３：マスク、１４：投影光学系、１５：ウエ
ハ、１６：マスクステージ、１７：ウエハステージ、２
１：デバイスパターン、２２：転写領域、４２（ａ，
ｂ）：マスクアライメント用マーク、５０，５１，６
０，６１：基準マーク、７５（ａ，ｂ）：固定基準プレ
ート上マーク、８０（ａ，ｂ）：レーザ干渉計、１０
１：マーク検出手段、１０２：演算処理回路、１０３：
駆動制御手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｇ ５２２Ｂ Ｆターム(参考） 2F065 AA03 BB28 CC20 FF55 GG04 PP12 PP23 PP24 QQ00 2H097 AA03 BA10 CA12 GB00 KA03 KA14 KA15 KA16 KA20 LA10 5F046 AA28 BA05 CA04 DA04 DD06 EA03 EA09 EA11 EA14 EA15 EA19 EB03 ED01 ED02 ED03 FA16 FA17 FC05
Claims (21)
- 【請求項１】 基準マークパターンに観察光を照射し、
そこで反射された光を検出し、前記基準マークパターン
の位置を求めるための基準プレートであって、前記基準
マークパターンは観察光に直接曝されない位置に設けら
れていることを特徴とする基準プレート。 - 【請求項２】 前記基準マークパターンは、前記観察光
を透過する基板上に設けられていることを特徴とする請
求項１に記載の基準プレート。 - 【請求項３】 前記基準マークパターンが、前記基板上
の前記観察光照射面の反対面に設けられていることを特
徴とする請求項２に記載のステージ基準プレート。 - 【請求項４】 前記基板の厚さ（ｄ）は、前記基板の材
質の前記観察光に対する屈折率をｎ、前記観察光の波長
をλとすると、 ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・） を満足する厚さの近傍であることを特徴とする請求項３
に記載の基準プレート。 - 【請求項５】 前記基準マークパターンが、前記基板上
の前記観察光照射面に設けられ、さらにその上の前記観
察光照射面側に前記観察光を透過する別の基板が設けら
れていることを特徴とする請求項１または２に記載のス
テージ基準プレート。 - 【請求項６】 前記観察光照射面側に設けられた前記別
の基板の厚さ（ｄ）は、前記別の基板の材質の前記観察
光に対する屈折率をｎ、前記観察光の波長をλとする
と、 ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・） を満足する厚さの近傍であることを特徴とする請求項５
に記載の基準プレート。 - 【請求項７】 前記基準マークパターンが、前記基板上
の前記観察光照射面に設けられ、その基準マークパター
ン上に、前記観察光を透過する材質により保護膜が設け
られていることを特徴とする請求項１または２に記載の
基準プレート。 - 【請求項８】 前記保護膜の厚さ（ｄ）は、前記保護膜
の材質の前記観察光に対する屈折率をｎ、前記観察光の
波長をλとすると、 ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・） を満足する厚さであることを特徴とする請求項７に記載
の基準プレート。 - 【請求項９】 前記保護膜または基板がガラス若しくは
ＳｉＯ2 からなることを特徴とする請求項１〜８のいず
れか１項に記載の基準プレート。 - 【請求項１０】 前記基準マークパターンが、クロムま
たはアルミニウムからなることを特徴とする請求項１〜
９いずれか１項に記載の基準プレート。 - 【請求項１１】 マスクパターンをウエハに露光するた
めの露光装置において、前記マスクを搭載するマスクス
テージ上に設けられるマスク基準プレートおよび前記ウ
エハを搭載するウエハステージ上に設けられるウエハ基
準プレートとして請求項１〜１０に記載の基準プレート
を用いることを特徴とする露光装置。 - 【請求項１２】 露光光と同一波長の観察光により前記
基準マークによるマスクステージおよびウエハステージ
の位置関係の計測を行うための観察顕微鏡を有すること
を特徴とする請求項１１に記載の露光装置。 - 【請求項１３】 前記露光の光源としてＡｒＦエキシマ
レーザを使用することを特徴とする請求項１１または１
２に記載の露光装置。 - 【請求項１４】 前記露光の光源としてＦ2 エキシマレ
ーザを使用することを特徴とする請求項１１または１２
に記載の露光装置。 - 【請求項１５】 請求項１１〜１４記載の露光装置を含
む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置
する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによ
って半導体デバイスを製造する工程とを有することを特
徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項１６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項１５記載の
方法。 - 【請求項１７】 前記露光装置のベンダーもしくはユー
ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
守情報を得る、または前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行う請求項１５記載の方法。 - 【請求項１８】 請求項１１〜１４記載の露光装置を含
む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続
するローカルエリアネットワークと、該ローカルエリア
ネットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス
可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少な
くとも１台に関する情報をデータ通信することを可能に
した半導体製造工場。 - 【請求項１９】 半導体製造工場に設置された請求項１
１〜１４記載の露光装置の保守方法であって、前記露光
装置のベンダーもしくはユーザが、半導体製造工場の外
部ネットワークに接続された保守データベースを提供す
る工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワ
ークを介して前記保守データベースへのアクセスを許可
する工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情
報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に
送信する工程とを有することを特徴とする露光装置の保
守方法。 - 【請求項２０】 請求項１１〜１４記載の露光装置にお
いて、ディスプレイと、ネットワークインタフェース
と、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュー
タとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータ
ネットワークを介してデータ通信することを可能にした
露光装置。 - 【請求項２１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザが提供す
る保守データベースにアクセスするためのユーザインタ
フェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネッ
トワークを介して該データベースから情報を得ることを
可能にする請求項２０記載の装置。
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| EP01305290A EP1168085B1 (en) | 2000-06-19 | 2001-06-18 | Reference plate for exposure apparatus |
| DE60138509T DE60138509D1 (de) | 2000-06-19 | 2001-06-18 | Referenzplatte für einen Belichtungsapparat |
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|---|---|
| JP2002008962A true JP2002008962A (ja) | 2002-01-11 |
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| EP (1) | EP1168085B1 (ja) |
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| DE (1) | DE60138509D1 (ja) |
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