KR101171136B1

KR101171136B1 - 마스크블랭크의 제조방법

Info

Publication number: KR101171136B1
Application number: KR1020077007425A
Authority: KR
Inventors: 야스시 오쿠보
Original assignee: 호야 가부시키가이샤
Priority date: 2004-11-08
Filing date: 2005-11-04
Publication date: 2012-08-03
Also published as: KR20070083620A; WO2006049240A1; TWI307448B; CN101027607A; TW200624999A; US8268513B2; US20070264583A1; CN100595671C

Abstract

본 발명은 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성하는 박막 형성공정과, 상기 박막 위에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성공정을 갖는 마스크블랭크의 제조방법으로서, 상기 레지스트막을 상기 박막 위에 형성한 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 보존하는 공정과, 상기 레지스트막 형성정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정과, 상기 레지스트막 형성정보에 기초하여, 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하는 공정과, 상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 레지스트막을 박리하는 공정과, 상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 갖는다.

Description

마스크블랭크의 제조방법{MASK BLANK MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 마스크블랭크의 제조방법, 마스크의 제조방법, 마스크블랭크 관리시스템 및 마스크블랭크의 재생방법에 관한 것으로서, 특히 노광용 마스크의 제조시에 레지스트막의 감도변화에 기인한 CD(크리티컬 디멘젼 : 최소 치수)불량이 발생하는 것을 억제할 수 있는 마스크블랭크의 제조방법 및 마스크블랭크 관리시스템에 관한 것이다. 더욱이, CD 불량이 되는 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 재생하여 유효하게 이용할 수 있는 마스크블랭크의 재생방법에 관한 것이다.

반도체의 제조에 사용되는 노광용 마스크의 원판인 레지스트막이 부착된 마스크블랭크가 알려져 있다. 최근, 이러한 종류의 마스크블랭크에서는 반도체에 형성되는 회로패턴의 미세화나 복잡화에 따라 높은 해상성을 가진 화학증폭형 레지스트의 필요성이 점차 높아져 가고 있다.

화학증폭형 레지스트는 다른 레지스트에 비해 레지스트 도포 후의 감도안정성이 불량하여, 레지스트 도포 후부터 묘화(描畵)공정까지의 경과시간이나, 레지스트 도포 후의 보관환경에 따라 레지스트 감도에 변동이 발생한다. 이 때문에, 노광 마스크를 제조하는 마스크 제조부문(마스크 메이커, 디바이스 메이커 등)에서는 경험에 따라 노광량을 보정하는 등의 방법으로 CD(크리티컬 디멘젼 : 최소 치수)의 악화나 편차를 억제하고 있다.

또한, 최근에는 노광용 마스크의 수율 등을 향상시키기 위하여 마스크 제조부문에 대해 각종 정보를 제공하는 방법이 제안되고 있다(일본특허공개공보 2002-328463호(특허문헌 1), 일본특허공개공보 2003-149793호(특허문헌 2) 참조). 가령, 특허문헌 2에서는 블랭크 제조부문(블랭크 메이커 등)에서 마스크 제조부문으로 마스크블랭크를 제공할 때, 그 마스크블랭크의 결함정보를 제공한다. 이에 따라, 마스크 제조부문에서는 결함정보 및 패턴 데이터에 기초하여 적정한 마스크블랭크를 선택함으로써, 노광용 마스크의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.

그런데, 마스크 제조부문에서는 블랭크 제조부문으로부터 마스크블랭크를 입수하고 나서(레지스트막을 도포?형성하고 나서) 묘화하기까지의 처리일수, 시간이 일정하지 않다. 이는, 마스크 제조부문이 반도체 제조부문(반도체 메이커 등)에서의 노광장치의 노광일정을 바탕으로 일정기간 내에 필요할 것으로 예상되는 마스크블랭크의 종류와 수를 집계하는 동시에, 과거 마스크블랭크의 수요수에 비추어 예상하고 수요량을 산출하여 블랭크 제조부문에 발주함으로써 마스크블랭크를 입수하고 있기 때문이다.

최근, 화학증폭형 레지스트의 고해상도화에 따라, 레지스트막을 도포?형성하고 나서 묘화하기까지의 시간에 기인하는 레지스트 감도의 변동이 커지고 있다. 레지스트 감도의 변동이 허용범위를 초과한 경우에는, 레지스트 감도의 변동을 보정하기가 어려워져 CD 불량이 된다. 이와 같이 레지스트 감도의 변동에 기인하는 불량의 발생은, 예컨대 특허문헌 1, 2와 같이 각종 정보를 마스크 제조부문에 제공하여도 회피할 수가 없는 것이다.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 첫째, 노광용 마스크의 제조시에 레지스트 감도의 변동에 기인하는 CD 불량의 발생을 억제할 수 있는 마스크블랭크 및 마스크의 제조방법, 마스크블랭크 관리시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.

둘째, CD 불량이 되는 레지스트막의 감도의 변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 유효하게 이용할 수 있는 마스크블랭크 재생방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 마스크블랭크의 제조방법은, 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성하는 박막 형성공정과, 상기 박막 위에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성공정을 갖는 마스크블랭크의 제조방법으로서, 상기 레지스트막을 상기 박막 위에 형성한 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 보존하는 공정과, 상기 레지스트막 형성정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정과, 상기 레지스트막 형성정보에 기초하여, 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하는 공정과, 상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 레지스트막을 박리하는 공정과, 상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 갖는 방법이다.

또한, 본 발명에서의 마스크블랭크의 제조방법은, 상기 박막의 형성시나 또는 형성 후에, 마스크블랭크의 사양에 관한 박막의 막정보를 취득하여 보존하는 공정을 갖는 방법이다.

이러한 방법에 따르면, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 레지스트막을 박리하고 다시 레지스트막을 박막 위에 형성할 때, 상기 마스크블랭크에 대응시켜 보존해 둔 박막의 막정보 중 일부 또는 전부를 이용할 수가 있다. 그 결과, 막정보를 취득하여 보존하는 공정의 일부 또는 전부를 생략할 수가 있어, 다시 레지스트막을 형성한 레지스트막이 부착된 마스크블랭크를 신속하게 제조하여 마스크 제조부문에 제공할 수가 있다. 그리고, 상기 마스크블랭크를 제공받은 마스크 제조부문에서는, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 레지스트막이 부착된 마스크블랭크를 사용하는 것을 확실히 회피할 수가 있다. 이로써, 레지스트 감도의 변동에 기인하는 CD 불량의 발생을 방지할 수가 있다.

또한, 본 발명에서의 마스크블랭크의 제조방법은 상기 마스크블랭크용 기판의 마스크블랭크의 사양에 관한 기판정보를 취득하여 보존하는 공정과, 상기 기판정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정을 갖는 방법이다.

이러한 방법에 따르면, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 레지스트막을 박리하고, 다시 레지스트막을 박막 위에 형성할 때, 박막을 박리하지 않으면 얻을 수 없는 기판정보를 이용할 수가 있다. 즉, 기판정보를 필요로 할 경우에는 박막의 박리공정을 생략할 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크의 제조방법에서, 상기 막정보는 결함정보, 광학특성정보, 박막 형성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나를 포함하는 것이다.

이로써, 다시 레지스트막을 박막 위에 형성할 때, 막정보의 취득에 시간이 걸리는, 상기와 같은 정보를 취득하는 수고를 생략할 수 있어 제조시간을 단축함에 있어 보다 커다란 효과를 얻을 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크의 제조방법에서, 상기 기판정보는 결함정보, 광학특성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나를 포함하는 것이다.

이로써, 다시 레지스트막을 박막 위에 형성할 때, 박막을 박리하지 않으면 얻을 수 없는 상기 정보를 이용할 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크의 제조방법은, 상기 마스크블랭크와, 상기 레지스트막 형성정보와, 상기 박막의 막정보 및/또는 상기 기판정보를 대응시킬 수 있게 되도록, 상기 마스크블랭크에 대해 직접 또는 간접적으로 식별정보를 부여하는 공정을 갖는 방법이다.

이러한 방법에 따르면, 레지스트막이 부착된 마스크블랭크와, 레지스트막을 형성한 레지스트막 형성정보와, 박막의 막정보 및/또는 기판정보를 확실히 대응시켜 정보의 오인을 방지할 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크의 제조방법은, 상기 레지스트막이 화학증폭형 레지스트막으로 되어 있다.

이러한 방법에 따르면, 일반적으로 도포?형성 후의 감도 안정성이 낮은 화학증폭형 레지스트막에 본 발명을 적용함으로써 커다란 효과를 얻을 수가 있다.

또, 본 발명의 마스크의 제조방법은, 상기 마스크블랭크의 제조방법에 의해 얻은 마스크블랭크의 상기 박막을 패터닝하여, 상기 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴을 형성하는 방법으로 되어 있다.

이러한 방법에 따르면, 마스크를 제조할 때, 레지스트막의 감도변화가 허용범위 내인 레지스트막이 부착된 마스크블랭크를 사용할 수가 있다. 이렇게 하여 레지스트 감도의 변동에 기인하여 CD 불량이 발생하는 것을 방지할 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크 관리시스템은, 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막과 레지스트막을 형성한 마스크블랭크에서의, 상기 박막 위에 레지스트막을 형성한 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 축적하는 형성정보 축적수단과, 상기 마스크블랭크에 식별정보를 부여하는 식별정보 부여수단과, 상기 레지스트막 형성정보와 상기 식별정보를 대응시켜 이들 정보를 보존하는 마스크블랭크 정보축적수단과, 상기 날짜정보에 기초하여 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하는 마스크블랭크 선정수단을 갖도록 구성되어 있다.

이러한 구성에 따르면, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 레지스트막을 박리하고 상기 마스크블랭크를 재이용할 때, 상기 마스크블랭크에 대응시켜 보존해 둔 박막의 막정보 중 일부 또는 전부를 유효하게 이용할 수가 있다. 그리고, 마스크블랭크를 재이용할 때, 막정보를 취득하여 보존하는 공정의 일부 또는 전부를 생략할 수 있기 때문에, 마스크블랭크를 신속하게 제조하여 마스크 제조부문에 제공할 수가 있다. 또, 레지스트막이 부착된 마스크블랭크와, 레지스트막을 형성한 날짜정보와, 박막의 막정보를 확실하게 대응시킬 수 있어 정보의 오인을 방지할 수가 있다. 그리고, 상기 관리시스템에 의해 관리된 마스크블랭크를 제공받은 마스크 제조부문에서는, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 레지스트막이 부착된 마스크블랭크가 사용되는 것을 확실히 회피할 수가 있다. 이로써, 레지스트 감도의 변동에 기인하는 CD 불량의 발생을 방지할 수가 있다.

또, 본 발명의 마스크블랭크 관리시스템은, 상기 마스크블랭크용 기판의 마스크블랭크의 사양에 관한 기판정보 및/또는 박막의 막정보를 보존하는 기판정보 축적수단 및/또는 막정보 축적수단을 가지며, 상기 마스크블랭크 정보축적수단에 상기 기판정보 및/또는 박막의 막정보가 보존되어 있도록 구성되어 있다.

이와 같이 구성하면, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 레지스트막을 박리하여, 마스크블랭크를 재이용할 때, 박막을 박리하지 않으면 얻을 수 없는 기판정보를 이용할 수가 있다.

또, 본 발명의 마스크블랭크 관리시스템은, 상기 식별정보, 상기 레지스트막 형성정보, 상기 막정보 및/또는 상기 기판정보를 마스크 제조부문에 통신회선을 통해 제공할 수 있도록 정보송신수단을 설치한 구성으로 되어 있다.

이렇게 구성하면, 레지스트막이 부착된 마스크블랭크의 정보를, 레지스트막 형성정보, 막정보 및/또는 기판정보를 식별정보와 대응시켜 신속하고 정확하게 마스크 제조부문에 제공할 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크 관리시스템은, 마스크 제조부문에 의해 상기 레지스트막 형성정보에 기초하여 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크의 정보를, 통신회선을 통해 수신할 수 있도록 정보수신수단을 설치한 구성으로 되어 있다.

이와 같이 구성하면, 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크의 정보를 신속하고 정확하게 마스크 제조부문으로부터 입수할 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크 재생방법은, 마스크블랭크용 기판 위에 레지스트막을 형성한 날짜정보에 기초하여, 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하고, 상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 레지스트막을 박리하는 공정과, 상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 갖는 방법으로 되어 있다.

이러한 방법으로 하면, CD 불량이 발생하는 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 유효하게 이용할 수가 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크 재생방법은, 상기 레지스트막을 알칼리성 용매 및/또는 유기용매에 의해 박리하는 방법으로 되어 있다.

이러한 방법으로 하면, 마스크블랭크용 기판이나 마스크 패턴이 되는 박막에 손상을 주는 일이 없이 레지스트막을 박리할 수가 있다.

또, 본 발명의 마스크블랭크 제조방법은, 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성한 박막이 부착된 기판의 상기 박막 위에 레지스트막을 형성하는 마스크블랭크의 제조방법으로서, 상기 레지스트막을 상기 박막 위에 형성했을 때의 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 형성정보 축적수단에 보존하는 공정과, 상기 형성정보 축적수단에 보존된 상기 레지스트막 형성정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정과, 상기 레지스트막 형성정보 및 상기 마스크블랭크의 대응관계에 기초하여, 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크의 상기 레지스트막을 박리하는 공정과, 상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 갖는 방법으로 하고 있다.

또한, 본 발명의 마스크블랭크 제조방법은, 상기 레지스트막을 박리하는 공정에서는, 상기 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하고, 상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 상기 레지스트막을 박리하는 것으로 하고 있다.

이상과 같이, 본 발명에 따르면, 마스크 제조부문에서의 노광용 마스크의 제조시에, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 레지스트막이 부착된 마스크블랭크를 사용하는 것을 확실히 회피할 수가 있다. 이로써, 레지스트 감도의 변동에 기인하여 CD 불량이 발생하는 것을 방지할 수가 있다.

도 1은 마스크블랭크 관리시스템의 개략적인 구성을 나타내는 블록도이다.

도 2는 블랭크 제조부문과 마스크 제조부문간의 정보교환을 나타내는 설명도이다.

도 3은 블랭크 제조부문과 마스크 제조부문간의 물건의 교환을 나타내는 설명도이다.

도 4는 마스크블랭크의 제조방법을 나타내는 플로우챠트이다.

이하에서는 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.

[마스크블랭크 관리시스템]

먼저, 마스크블랭크 관리시스템의 실시형태에 관해, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.

도 1은 마스크블랭크 관리시스템의 개략적인 구성을 나타내는 블록도, 도 2는 블랭크 제조부문과 마스크 제조부문간의 정보교환을 나타내는 설명도, 도 3은 블랭크 제조부문과 마스크 제조부문간의 물건의 교환을 나타내는 설명도이다.

또한, 본 발명에 있어서, 블랭크 제조부문 및 마스크 제조부문이란, 동일기업간의 각각의 부문을 의미할 뿐만 아니라, 다른 기업의 블랭크 메이커 및 마스크 메이커도 의미하는 것이다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 마스크블랭크 관리시스템에는, 레지스트막이 부착된 마스크블랭크(이하, '마스크블랭크'라 함)를 제조하는 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)과, 블랭크 제조부문(100)에서 취득한 박막의 막정보나 레지스트막의 형성정보, 마스크블랭크의 식별정보 등을 종합하여 축적하는 서버(11)와, 노광용 마스크를 제조하는 마스크 제조부문(200)의 단말(20)과, 마스크 제조부문(200)에서의 마스크블랭크의 사용상황을 나타내는 정보, 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크의 정보 등을 종합하여 축적하는 서버(21)와, 이들 서버(11,21)를 통신가능하게 접속하는 통신회선(30)이 포함된다. 단말(10,20)은 개인용 컴퓨터 등으로 구성된다. 또, 통신회선(30)은 서버(11,21)를 포함하는 네트워크(32)로 구성하여도 되고, 전용회선으로 구성하여도 된다.

또, 상기 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)은, 가령, 마스크블랭크의 제조공정마다 배치되어 있으며, 각 공정에서 취득한 후술하는 기판정보, 막정보, 레지스트막 형성정보가 보존되어 있고, LAN으로 서버(11)에 접속되며 서버(11)에 이들 정보를 수집하도록 되어 있다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)에는, 마스크블랭크 정보축적수단(110)이 설치된다. 마스크블랭크 정보축적수단(110)에는 마스크 제조부문(200)에 제공하는 마스크블랭크의 식별정보에 대응하여, 각 단말(10)로부터 수집한 기판정보나 박막의 막정보, 레지스트막의 형성정보 등이 축적된다. 기판정보에는, 기판표면이나 내부의 결함정보, 광학특성정보(투과율 등), 표면형태정보(표면 거칠기(조도), 평탄도 등) 등이 포함된다. 또한, 박막의 막정보에는, 박막의 결함정보나 광학특성정보(투과율, 반사율 등), 박막 형성정보(막 형성조건, 막응력 등), 표면형태정보(표면조도, 평탄도 등) 등이 포함된다. 또, 레지스트막의 형성정보에는 레지스트막의 감도변화에 영향을 미치는 정보가 포함되어 있으며, 구체적으로는, 기판 위에 레지스트막을 도포?형성한 일시(또는 날짜), 레지스트 종류, 가열조건, 마스크블랭크 보관환경 등이다.

마스크블랭크의 식별정보는 개개의 마스크블랭크에 대하여 직접적 또는 간접적으로 부여된다. 도 2 및 도 3에 나타낸 예에서는, 납품에 이용되는 블랭크 수납케이스(30)의 수납케이스번호와, 블랭크 수납케이스(30)의 마스크블랭크를 유지하는 각 수납슬롯에 부여된 슬롯번호를 식별정보로 하여, 개개의 마스크블랭크를 특 정하도록 되어 있다. 또, 블랭크 수납케이스(30)가 한 장의 마스크블랭크만 수납하도록 되어 있을 경우에는, 수납케이스번호가 마스크블랭크의 식별정보가 된다.

마스크 제조부문의 서버(21)에는, 마스크블랭크 사용상황 축적수단(210) 및 반환정보 작성수단(220)이 설치된다. 마스크블랭크 사용상황 축적수단(210)은, 마스크 제조부문(200)에서의 마스크블랭크의 사용상황을 축적한다. 구체적으로는, 블랭크 제조부문(100)으로부터 제공된 마스크블랭크의 식별정보에 대응하여, 레지스트 종류, 레지스트막 형성일시, 마스크블랭크 보관환경 등의 정보를 보존하는 마스크블랭크 재고리스트(230)를 가지며, 여기에서 사용이 끝난 마스크블랭크 정보를 삭제함으로써 마스크블랭크의 사용상황이 축적된다.

반환정보 작성수단(220)은, 마스크블랭크 재고리스트(230)에 포함되는 사용하지 않은 마스크블랭크 중, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 추출하여, 블랭크 제조부문(100)으로 반환해야 할 마스크블랭크의 반환리스트를 작성한다. 마스크블랭크 반환리스트에는, 반환되는 마스크블랭크의 식별정보(블랭크 수납케이스번호, 슬롯번호 등), 레지스트 종류 등의 데이터가 포함된다. 구체적으로 설명하면, 반환정보 작성수단(220)은 레지스트막의 형성정보, 마스크 제조부문(200)에서의 마스크블랭크의 보관환경 등으로부터 레지스트막의 감도변화를 예측하는 감도변화 예측수단을 이용하여, 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하여 마스크블랭크 반환리스트를 작성한다.

감도변화 예측수단(300)은, 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)이나 서버(11) 및/또는 마스크 제조부문(200)의 단말(20)이나 서버(21)에 설치할 수가 있다. 블 랭크 제조부문(100)이 감도변화 예측수단(300)을 이용하여 레지스트막의 감도변화를 예측할 경우에는, 마스크 제조부문(200)의 마스크블랭크 재고리스트 정보를 마스크 제조부문(200)과 블랭크 제조부문(100) 사이에서 공유화하면 된다.

<마스크블랭크 제조방법 및 마스크블랭크 제공방법>

다음으로, 마스크블랭크 제조방법 및 마스크블랭크 제공방법의 실시형태에 관해 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다.

도 2는 블랭크 제조부문(100)과 마스크 제조부문(200)간의 정보교환을 나타내는 설명도이다. 도 3은 마스크블랭크 제조방법, 마스크블랭크 재생방법 및 블랭크 제조부문(100)과 마스크 제조부문(200)간의 물건의 교환을 나타내는 설명도이다. 도 4는 마스크블랭크 제조방법, 마스크블랭크 제공방법의 일실시형태를 나타내는 플로우챠트이다.

또, 이하에서 도 4의 공정 1-a에서 공정 1-i는 블랭크 제조부문(100)에서 실시하는 마스크블랭크 제조방법에 관한 것이고, 공정 2-a에서 공정 2-f는 마스크 제조부문(200)에서 실시하는 마스크 제조방법에 관한 것이다.

(공정 1-a)

먼저, 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성한다.

마스크 패턴이 되는 박막에는 마스크의 종류에 따라 차광막, 위상 시프트막, 반사막, 흡수체(吸收體)막, 반사방지막 등이 포함된다. 이들 박막은 전사노광광을 통과시키거나 통과를 저지하는 등, 전사노광광에 대해 어떠한 작용을 하여 소정의 전사패턴 이미지를 전사대상물 위에 형성시키기 위한 것이다. 따라서, 본 발명에 서의 마스크블랭크란, 전사노광광을 차광하는 기능을 갖는 차광막이 형성된 포토마스크블랭크, 전사노광광에 대해 위상차를 가져오는 기능을 갖는 위상 시프트막이 형성된 위상 시프트 마스크블랭크, 전사노광광에 대해 차광기능과 위상차의 변화를 가져오는 기능을 겸비한 광 반(半)투과막이 형성된 하프톤형 위상 시프트 마스크블랭크, 전사노광광을 반사하는 기능을 가진 반사막, 전사노광광을 흡수하여 반사를 억제하는 기능을 가진 흡수체막이 형성된 반사형 마스크블랭크 등을 포함하는 광의(廣義)의 의미로 이용된다.

또한, 마스크블랭크는 LSI(반도체집적회로)용 마스크블랭크, 각종 PD(패널디스플레이)용 마스크블랭크 등, 모든 마스크의 소재가 포함된다.

또, 마스크블랭크용 기판의 재료는 특별히 한정되지 않는다. 합성석영유리, 무(無)알칼리유리, 붕규산유리(borosilicate glass), 알루미노규산유리(aluminosilicate glass), 소다석회유리(soda lime glass) 등이 사용된다. 그리고, 반사형 마스크용의 기판재료로는 초(超)저팽창 유리 혹은 초저팽창 세라믹이 사용된다. 또한, 도 3에서는 기판(32) 위에 하프톤막(33), 차광막(34), 레지스트막(35)이 순서대로 형성되어 있다.

(공정 1-b)

다음으로, 박막 위에 레지스트막(35)을 도포?형성하여 레지스트막이 부착된 마스크블랭크(31)를 제작한다.

레지스트막(35)은 네거티브형, 포지티브형의 어느 것이어도 무방하다. 또한, 레지스트 종류도 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 광(자외선, 원(遠)자외선 등) 노광 묘화용, 전자선 노광 묘화용 등을 이용할 수가 있다.

레지스트막(35)의 도포?형성방법은 특별히 한정되지 않는다. 가령, 회전도포방법, 캐필러리 도포방법, 스캔 도포방법 등을 이용할 수가 있다.

(공정 1-c)

다음으로, 상기 공정 1-b에서 박막 위에 레지스트막(35)을 도포?형성한 레지스트막 형성정보를 보존한다.

여기서, 레지스트막 형성정보는 레지스트막(35)의 감도변화에 영향을 미치는 정보로서, 기판(32) 위에 레지스트막(35)을 도포?형성한 일시(날짜), 레지스트 종류, 가열처리조건, 마스크블랭크 보관환경 등을 말한다.

레지스트막 형성정보는, 블랭크 제조부문(100)의 단말(10) 내의 블랭크 정보축적수단이나, 마스크 제조부문(200)과 정보교환을 하는 서버(11) 내의 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 직접 보존하여도 무방하다.

(공정 1-d)

다음으로, 마스크 제조부문(200)에 마스크블랭크를 제공할 때 사용하는 블랭크 수납케이스(30)를 준비하고, 상기 블랭크 수납케이스(30)에 제작한 마스크블랭크를 수납한다. 그리고, 블랭크 수납케이스(30)에 수납된 마스크블랭크의 레지스트막 형성정보를 마스크블랭크의 식별정보와 대응시켜 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 기록?보존한다.

레지스트막 형성정보와, 블랭크 수납케이스(30)에 수납되는 마스크블랭크를 대응시키는 수단으로는, 개개의 마스크블랭크에 식별정보를 직접 부여하여 그 식별 정보와 레지스트막 형성정보를 대응시키는 방법이나, 블랭크 수납케이스(30)의 케이스번호와, 블랭크 수납케이스(30) 내의 각 수납슬롯에 부여되어 있는 슬롯번호를 식별정보로 하여(이 경우, 마스크블랭크를 식별하기 위한 식별정보는 마스크블랭크에 간접적으로 부여되게 된다), 상기 케이스번호 및 슬롯번호와 레지스트막 형성정보를 대응시키는 방법 등이 있다.

여기서, 마스크블랭크의 식별정보와, 박막을 형성하기 전에 취득한 기판표면이나 내부의 결함정보, 광학특성정보(투과율 등), 표면형태정보(표면조도, 평탄도 등) 등의 기판정보를 보존하는 공정에서 보존한 이들 기판정보나, 박막의 형성시 또는 형성 후에 취득한 박막의 결함정보나 광학특성정보(투과율, 반사율 등), 박막 형성정보(막 형성조건, 막응력 등), 표면형태정보(표면조도, 평탄도 등) 등의 막정보를 보존하는 공정에서 보존한 이들 막정보를 대응시켜, 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 기록?보존하여도 된다.

(공정 1-e)

다음으로, 제작한 마스크블랭크를 블랭크 수납케이스(30)에 의해, 그리고 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 보존되어 있는 레지스트막 형성정보를 통신회선(30)을 이용하는 등의 방법에 의해 마스크 제조부문(200)에 제공한다. 레지스트막 형성정보를 제공하는 구체적인 방법으로는, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)와 마스크 제조부문(200)의 서버(21)를 배치하는 동시에, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)에 레지스트막 형성정보를 보존하고, 마스크 제조부문(200)이 마스크블랭크 제조부문(100)의 서버(11)에 액세스하여 레지스트막 형성정보를 입수하는 방법이나, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)와 마스크 제조부문(200)의 서버(21)의 사이에 전용회선을 깔아 레지스트막 형성정보를 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)로부터 마스크 제조부문(200)의 서버(21)로 직접 송신하는 방법 등이 있다.

(공정 2-a)

마스크 제조부문(200)에서는, 블랭크 제조부문(100)으로부터 제공된 마스크블랭크를 보관하는 동시에, 마스크블랭크의 식별정보와 그 레지스트막 형성정보를 바탕으로 마스크블랭크 재고리스트(230)를 작성하여, 마스크블랭크 사용상황 축적수단(210 ; 마스크 제조부문(200)의 단말(20)이나 서버(21))에 기록?보존한다.

마스크블랭크 재고리스트(230)에는 개개의 마스크블랭크를 특정하기 위한 식별정보(마스크블랭크에 직접 부여된 식별정보, 케이스번호, 슬롯번호 등), 레지스트종류, 레지스트막(35)을 도포?형성한 일시(또는 날짜), 마스크블랭크 보관환경(마스크 제조부문에서의 보관환경) 등의 정보가 포함된다.

마스크 제조부문(200)은 블랭크 제조부문(100)으로부터 제공된 마스크블랭크를, 레지스트막(35)의 감도변화의 비율이 매우 적은 환경을 갖는 보관고(保管庫)나 블랭크 수납케이스(30)에 넣은 상태에서 마스크 제조공정에 착수하기 전까지 보관한다.

또, 마스크 제조부문(200)은 마스크블랭크 사용상황 축적수단(210)에 보존되어 있는 마스크블랭크 재고리스트(230)를, 통신회선(30)을 이용하는 등의 방법에 의해 블랭크 제조부문(100)에 제공할 수도 있다. 구체적으로는, 마스크 제조부문(200)의 서버(21)에 마스크블랭크 재고리스트(230)를 보존하고, 블랭크 제조부문 (100)이 마스크 제조부문(200)의 서버(21)에 액세스하여 마스크블랭크 재고리스트(230)를 입수하는 방법이나, 마스크 제조부문(200)의 서버(21)와 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)의 사이에 전용회선을 깔아 마스크블랭크 재고리스트(230)를, 마스크 제조부문(200)의 서버(21)로부터 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)로 직접 송신하는 방법 등이 있다.

(공정 1-f)

다음으로, 레지스트막 형성정보를 참조하여 레지스트막(35)의 감도(感度)변화가 미리 설정된 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정한다.

구체적으로는 이하의 방법으로 실행할 수가 있다.

(1) 마스크 제조부문(200)은 마스크블랭크 재고리스트(230)의 레지스트막 형성정보를 참조하여, 사용하지 않은 마스크블랭크에 형성되어 있는 레지스트막(35)의 감도변화를 예측한다(공정 2-b).

레지스트막(35)의 감도변화는, 레지스트막(35)을 도포?형성한 일시(또는 날짜), 레지스트종류, 마스크블랭크 보관환경 등의 정보를 이용하여 과거의 경험에 따라 예측할 수가 있다. 가령, 레지스트종류마다 사용기한을 설정하고, 상기 사용기한과 레지스트 형성일시를 비교하는 방법이나, 여기에 마스크블랭크 보관환경정보를 가미하여 사용기한을 보정하는 방법이 있다.

(2) 마스크 제조부문(200)은 레지스트막(35)의 감도변화가 미리 설정된 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 마스크블랭크 재고리스트(230) 중에서 특정한다(공정 2-c).

상기 허용범위는, 마스크 제조공정에서 레지스트막(35)의 감도변화에 따른 CD 변동이 허용치를 초과하거나, 패턴결함이 발생하지 않도록 적당히 설정할 수가 있다. 또, 상기 방법 대신에, 마스크블랭크에 형성되어 있는 레지스트막(35)에 묘화?현상처리를 실시하고 실제로 CD 변동을 구하여, 미리 설정된 감도변화의 허용범위를 초과했는지 여부를 판정할 수도 있다. 이 경우, 미리 설정된 감도변화의 허용범위를 초과한 마스크블랭크에 대해서는, 상기 마스크블랭크 재고리스트(230) 중에서 특정한다. 또, 상기 공정 2-b, 2-c에 대해서는 블랭크 제조부문(100)에서 실시할 수가 있다. 블랭크 제조부문(100)이 레지스트막(35)의 감도변화를 예측할 경우에는, 그 결과를 마스크 제조부문(200)의 서버(21)에 통신회선(30)을 통해 알리고, 마스크블랭크의 반환을 추장(推奬)할 수가 있다.

(3) 마스크 제조부문(200)은 블랭크 제조부문(100)으로 반환할 마스크블랭크의 반환정보를 작성한다(공정 2-d).

마스크블랭크의 반환정보는 마스크 제조부문(200)의 단말(20)에서 반환정보 작성수단에 의해 작성된다. 마스크블랭크의 반환정보는 반환할 마스크블랭크를 특정할 수 있으면 되며, 마스크블랭크를 특정하기 위한 식별정보(마스크블랭크에 직접 부여된 식별정보, 블랭크 수납케이스의 케이스번호, 슬롯번호 등), 레지스트종류 등이다.

(4) 마스크 제조부문(200)은 블랭크 제조부문(100)에 반환할 마스크블랭크를 블랭크 수납케이스(30)에 수납하여 블랭크 제조부문(100)으로 반송하는 동시에, 상기 작성된 마스크블랭크의 반환정보를 블랭크 제조부문(100)으로 보낸다(공정 2- e).

마스크블랭크의 반환정보는, 반환할 마스크블랭크가 수납되어 있는 블랭크 수납케이스(30)에 첨부하여 반송하여도 되고, 마스크블랭크의 반환정보만을 통신회선(30) 등을 이용하여 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)에 송신하여도 된다.

(5) 블랭크 제조부문(100)은 마스크 제조부문(200)으로부터 반환된 마스크블랭크에 대하여, 마스크블랭크 반환정보에 기초하여 마스크블랭크 정보축적수단(110) 내에서 특정한다.

(공정 1-g)

다음으로, 블랭크 제조부문(100)은 마스크 제조부문(200)으로부터 반환된 마스크블랭크의 레지스트막(35)을 박리한다.

레지스트막(35)을 박리하는 방법은, 레지스트막(35)을 용해하고 마스크블랭크용 기판(32)이나 기판(32) 위에 형성된 박막에 손상을 주지 않는 용매나 애싱(ashing) 등에 의해 실시할 수가 있다.

레지스트막(35)이 화학증폭형 레지스트나 노볼락(novolak)계 레지스트의 레지스트막인 경우, 알칼리성 용매 및/또는 유기용매를 이용하면, 마스크블랭크용 기판(32)이나 마스크 패턴이 되는 박막에 손상을 주지 않으면서 레지스트막(35)을 박리할 수 있어 바람직하다.

또한, 레지스트막(35)이 고분자형 레지스트의 레지스트막인 경우, 유기용매를 이용하면, 마스크블랭크용 기판(32)이나 마스크 패턴이 되는 박막에 손상을 입히지 않으면서 레지스트막(35)을 박리할 수 있어 바람직하다.

(공정 1-h)

다음으로, 블랭크 제조부문(100)은 마스크 패턴이 되는 박막이 형성된 기판(32) 위에, 다시 레지스트막(35)을 도포?형성하여 레지스트막이 부착된 마스크블랭크(31)를 제작한다. 그리고, 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 보존되어 있는 레지스트막 형성정보를, 새롭게 형성된 레지스트막 형성정보로 갱신?보존한다.

(공정 1-i)

다음으로, 블랭크 제조부문(100)은 제작된 마스크블랭크를, 갱신된 레지스트막 형성정보와 함께 마스크 제조부문(200)에 제공한다. 마스크 제조부문(200)은 제공된 마스크블랭크를 마스크 제조공정으로 옮겨 노광용 마스크를 제작한다(공정 2-f).

또한, 상기 마스크블랭크의 제조방법에 있어서, 공정 1-a 전에, 기판표면이나 내부의 결함정보, 광학특성정보(투과율 등), 표면형태정보(표면조도, 평탄도 등) 등이 포함되는 기판정보를 취득하는 기판정보 취득공정이나, 기판정보를 보존하는 공정을 마련할 수도 있다. 또, 공정 1-b와 공정 1-c 사이에, 박막의 결함정보나 광학특성정보(투과율, 반사율, 위상차 등), 박막 형성정보(막 형성조건, 막응력 등), 표면형태정보(표면조도, 평탄도 등) 등이 포함되는 박막의 막정보를 취득하는 막정보 취득공정이나, 막정보를 보존하는 공정을 마련할 수도 있다. 이러한 공정을 마련할 경우, 마스크블랭크 정보축적수단(110)에, 상기 기판정보 및/또는 막정보와, 마스크블랭크의 식별정보를 대응시켜 기록?보존한다.

또, 마스크 제조부문(100)으로부터 반환된 마스크블랭크에, 레지스트를 재도 포?형성하여 제작된 마스크블랭크에 박막의 막정보를 첨부하여 마스크 제조부문(200)에 제공할 경우에는, 공정 1-g와 공정 1-h의 사이에, 레지스트막(35)에 접촉되어 있던 박막의 막정보를 재측정하여, 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 기록?보존하는 공정을 실시하는 것이 바람직하다. 재측정된 박막의 막정보는, 반환 전의 박막의 막정보와 바꾸어 기록할 수도 있으며, 반환 전의 박막의 막정보와 관련지어 보존할 수도 있다.

또, 여기서 박막이 복수로 적층된 적층막인 경우, 레지스트막(35)에 접촉되지 않은 기판쪽 박막의 막정보나 기판정보는, 마스크 제조부문(200)으로부터 반환된 마스크블랭크 반환정보를 바탕으로, 앞서 마스크 제조부문(200)에 제공한 막정보를 인출하여 그대로 이용할 수가 있다. 따라서, 레지스트막(35)에 접촉되어 있던 박막의 막정보만을 재측정하여 기록?보존하면 된다.

[실시예]

정밀연마된 합성석영유리기판(32)의 표면에 대해 결함검사를 실시하여 기판(32)의 결함정보를 취득하였다. 또, 유리기판 표면의 표면조도나 평탄도를 측정하여 표면형태정보를 취득하였다. 이들 정보는 기판(32)마다 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)의 블랭크 정보축적수단에 기록?보존하였다.

다음으로, 합성석영유리기판(32) 위에 마스크 패턴이 되는 몰리브덴실리사이드 질화막으로 이루어진 하프톤막(33)을 스퍼터링에 의해 형성하였다.

이어서, 하프톤막(33)의 결함검사를 실시하여 하프톤막(33)의 막정보를 취득하였다. 막정보로는 마스크 제조공정에서 패턴불량이 될 가능성이 있는 결함의 위 치정보(X좌표, Y좌표), 결함의 크기(크기를 순위별로 표시할 수도 있음), 결함의 종류(핀 홀, 파티클, 기타)가 결함검사장치에 의해 취득되며, 그 결과를 마스크블랭크마다 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)의 블랭크 정보축적수단에 기록?보존하였다. 또한, 막정보로서 분광광도계나 위상차 측정기로 측정한 투과율이나 위상차 등의 광학특성이나, 표면조도 측정기나 평탄도 측정기로 측정한 막표면의 표면조도나 평탄도 등의 표면형태정보 등을 마스크블랭크마다 블랭크 정보축적수단에 기록?보존할 수도 있다.

또, 상기 위치정보는, 노치마크를 기준으로, 유리기판의 크기로부터 유리기판 주(主) 표면의 중심을 산출하여 이것을 기준점(○)으로 하고, 상기 기준점을 통과하며 유리기판의 각 변에 평행한 선을 가상의 X축, Y축으로 한 XY 좌표계에서의 각 결함의 X좌표, Y좌표로 보존된다. 여기서, 상기 파티클이란, 막 위 또는 막 내에 알갱이형상(입상, 粒狀)의 물질이 부착된 상태를 가리키며, 핀 홀은 일단 막 내에 부착된 알갱이형상의 물질이 떨어져 나간 흔적, 즉, 막 결손의 상태를 나타낸다. 막 결손은, 막의 바탕의 상태를 확인할 수 있는 완전히 막이 없는 상태나, 막의 바탕의 상태를 확인할 수 없는 국소적으로 막두께가 얇아진 상태 모두를 가리킨다.

다음으로, 하프톤막(33) 위에 질화크롬막/탄화크롬막/산화질화크롬막의 적층막으로 이루어진 반사방지기능이 있는 차광막(34)을 스퍼터링에 의해 형성하였다.

다음으로, 상기와 마찬가지로 반사방지기능이 있는 차광막(34)의 결함검사를 실시하여 차광막(34)의 막정보를 취득하고, 취득한 차광막(34)의 막정보를 마스크 블랭크마다 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)의 블랭크 정보축적수단에 기록?보존하였다.

여기서, 상기와 마찬가지로, 차광막(34)의 막정보로서, 투과율이나 반사율의 광학특성이나, 표면조도나 평탄도의 표면형태정보 등을 마스크블랭크마다 블랭크 정보축적수단에 기록?보존할 수도 있다.

다음으로, 회전도포방법에 의해 차광막(34) 위에 화학증폭형 레지스트(후지필름아치 제조 : FEP171)를 도포?형성한 후, 가열처리하여 ArF 엑시머레이저 노광용의 레지스트막이 부착된 하프톤형 위상 시프트 마스크블랭크(31 ; 이하에서는 마스크블랭크라 칭함)를 여러 장 제작하였다.

또한, 여기서, 레지스트막(35)의 결함을 검사하여 레지스트막(35)의 막정보를 취득할 수도 있다. 이 경우, 취득한 레지스트막(35)의 막정보는, 상기와 마찬가지로 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)의 마스크블랭크마다 블랭크 정보축적수단에 기록?보존된다.

다음으로, 제작된 여러 장의 마스크블랭크(31)를 블랭크 수납케이스(30)에 수납하였다. 블랭크 수납케이스(30)에는 고유의 케이스번호가 부여되어 있다. 이 케이스번호는 슬롯번호와의 조합에 의해 마스크블랭크(31)를 특정?식별하는 식별정보가 된다. 케이스번호는 눈으로 확인이 가능한 것으로 한정되는 것은 아니다. 가령, 바코드, 자기기록매체, IC 칩 등과 같이 광학적 또는 자기적으로 판독가능한 것이어도 무방하다.

블랭크 수납케이스(30)는 덮개와 외부 박스를 가지며, 외부 박스 속에는 또 내부 박스가 수납되도록 되어 있다. 내부 박스에는 상방에서 하방을 향하여 복수의 슬롯(구획)이 형성되며, 슬롯간의 홈에 복수의 마스크블랭크(31)를 수납할 수 있도록 되어 있다. 슬롯은 마스크블랭크간의 구획이지만, 설명의 편의상, 마스크블랭크(31)를 저장하는 홈 부분을 슬롯이라 부르기로 한다. 예컨대, 5장의 마스크블랭크(31)를 저장하는 홈이 있을 경우, 각 홈에 대응하여 슬롯번호가 부여되며 각각을 슬롯 No.1, 슬롯 No.2, … 슬롯 No.5라 부른다.

블랭크 수납케이스(30)에 수납되는 각 단말에 기록?보존된 마스크블랭크의 레지스트막 형성정보와, 박막의 막정보와 기판정보를, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)에 설치되는 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 기록?보존하였다. 마스크블랭크 정보축적수단(110)에 기록?보존된 구체적인 정보는, 케이스번호, 슬롯번호(이들에 의해 마스크블랭크를 특정함), 기판정보, 박막의 막정보, 마스크블랭크(31)에 형성되어 있는 레지스트 종류(구체적으로는 FEP171), 도포?형성한 일시, 마스크블랭크 보관환경(건조제 유무, 질소봉입 등)이다.

다음으로, 블랭크 수납케이스(30)에 수납된 마스크블랭크(31)를 마스크 제조부문(200)에 제공하였다. 또, 상기 마스크블랭크 정보축적수단(100)에 보존되어 있는 기판정보, 박막의 막정보, 레지스트막 형성정보를 통신회선(30)을 통해 마스크 제조부문(200)에 제공하였다. 구체적으로는, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11) 및 마스크 제조부문(200)의 서버(21)를 네트워크(32)를 통해 접속하는 동시에, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)에, 마스크 제조부문(200)에 제공된 마스크블랭크(31)의 레지스트막 형성정보, 박막의 막정보 및 기판정보를 보존하고, 마스크 제조 부문(200)의 서버(21)가 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)에 액세스하여 납품된 마스크블랭크(31)의 레지스트막 형성정보, 박막의 막정보 및 기판정보를 입수하였다.

마스크 제조부문(200)에서는 납품된 마스크블랭크(31)와, 블랭크 제조부문(100)의 서버(11)로부터 입수한 레지스트막 형성정보를 조합하여 이들 정보를 마스크 제조부문(200)의 서버(21)에 있는 마스크블랭크 사용상황 축적수단(210)의 마스크블랭크 재고리스트(230)에 등록하였다. 마스크블랭크 재고리스트(230)에 등록된 구체적인 정보는, 개개의 마스크블랭크(31)를 특정하기 위한 식별정보(구체적으로는 블랭크 수납케이스(30)의 케이스번호와 슬롯번호), 레지스트종류(구체적으로는 FEP171(후지필름아치사의 포지티브형 화학증폭형 레지스트)), 레지스트막(35)을 도포?형성한 일시, 마스크블랭크 보관환경(블랭크 수납케이스(30)에서의 보관환경과 마스크 제조부문(200)에서의 보관환경) 등이다.

마스크 제조부문(200)에서는 반도체 제조자로부터 받은 주문에 따라, 마스크를 제조하기 위해 사용되는 마스크블랭크(31)를 마스크블랭크 재고리스트(230) 중에서 선택하여 마스크 제조공정으로 진입한다. 이때, 선택한 마스크블랭크(31)의 정보는 마스크블랭크 재고리스트(230)로부터 삭제한다(혹은, 사용완료정보가 부가된다).

다음으로, 마스크 제조부문(200)에서는 아직 사용되지 않은 마스크블랭크(31)를 대상으로 하여, 마스크블랭크 재고리스트(230)의 레지스트막 형성정보 및 마스크블랭크 보관환경을 바탕으로 레지스트막(35)의 감도변화를 예측하였다. CD 불량이 발생하지 않는 레지스트막(35)의 감도변화 허용범위를 구하고 허용범위를 초과하는 일시를 예측하여 마스크블랭크 재고리스트(230)에 보존하였다. 구체적으로는 마스크블랭크 면 내의 CD 평균치의 변동치가 15nm인 것을 허용범위로 하였다.

마스크 제조부문(200)은 미리 설정된 레지스트막(35)의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크(31)가 있을 경우, 이것을 마스크블랭크 재고리스트(230) 중에서 특정하며, 특정된 마스크블랭크(31)를 블랭크 제조부문(100)으로 반환하였다.

마스크 제조부문(200)으로부터 블랭크 제조부문(100)으로 마스크블랭크(31)를 반환할 때에는, 마스크블랭크 반환리스트를 작성하여 블랭크 제조부문(100)에 마스크블랭크(31)와 함께 제공하였다. 마스크블랭크 반환리스트는, 반환되는 마스크블랭크(31)를 수납하는 블랭크 수납케이스(30)에 첨부할 수도 있고, 통신회선이나 서버를 통해 제공할 수도 있다. 마스크블랭크 반환리스트는, 반환되는 마스크블랭크(31)를 특정할 수 있는 정보이면 되며, 구체적으로는 마스크 제조부문(200)에서 받아들였을 때에 수납되어 있던 블랭크 수납케이스(30)의 케이스번호와, 슬롯번호이다. 또, 마스크블랭크 반환리스트에 레지스트종류의 정보를 넣을 수도 있다.

블랭크 제조부문(100)에서는, 마스크 제조부문(200)으로부터 반환된 마스크블랭크(31)를 마스크블랭크 정보축적수단(110) 중에서 특정하였다.

다음으로, 마스크블랭크(31)에 형성되어 있는 레지스트막(35)을 박리액(구체적으로는 알칼리성 용매)으로 박리하고, 레지스트막(35)이 박리된 차광막 표면을 세정처리하였다.

또한, 상기와 마찬가지로 반사방지기능이 있는 차광막(34)의 결함을 검사하여 차광막(34)의 막정보를 취득하고, 취득한 차광막(34)의 막정보를, 블랭크 제조부문(100)의 단말(10)의 블랭크 정보축적수단에서 특정한 마스크블랭크(31)의 정보로서 기록?보존하였다.

다음으로, 차광막(34) 위에 다시 레지스트막(35)을 도포?형성하여 레지스트막이 부착된 마스크블랭크(31)를 제작하였다. 제작된 마스크블랭크(31)는 다시 마스크 제조부문(200)으로 제공된다. 마스크 제조부문(200)에 다시 제공된 마스크블랭크(31)는 레지스트 감도의 변동이 거의 없는 것으로서, 레지스트 감도의 변동으로 인한 CD 불량은 발생하지 않는다.

또한, 다시 마스크 제조부문(200)에 제공된 마스크블랭크(31)에 관한 기판정보, 박막의 막정보, 레지스트막 형성정보는 정보를 갱신하여 마스크 제조부문(200)에 제공한다. 여기서, 마스크 제조부문(200)에 제공되는 박막의 막정보 중, 하프톤막(33)의 막정보는, 앞서 제공했던 하프톤막(33)의 막정보를 그대로 이용하여 제공할 수가 있다. 또, 차광막(34)의 막정보에 대해서는 다시 결함검사를 실시하여, 갱신된 차광막(34)의 막정보를 제공하는 것이 바람직하다.

또, 블랭크 제조부문(100)에 있어서, 마스크블랭크(31)의 반환정보에 기초하여 마스크 제조부문(200)으로부터 반환되는 마스크블랭크(31)를 특정하고, 이 특정된 마스크블랭크(31)와 동일한 광학특성을 갖는 박막(하프톤막(33)이나 차광막(34))이 형성된, 다른 박막이 부착된 기판(32)에 새롭게 레지스트막(35)을 형성하여 레지스트막이 부착된 마스크블랭크(31)를 제작하는 동시에, 레지스트막을 형성 했을 때의 날짜정보를 유지하여, 상기 마스크블랭크(31)를, 상기 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보 등의 정보와 함께 마스크 제조부문(200)에 제공하도록 할 수도 있다.

본 발명은 레지스트막이 부착된 마스크블랭크의 제조방법 및 마스크블랭크 재생방법, 블랭크 제조부문의 단말이나 서버 및 마스크 제조부문의 단말이나 서버를 포함하는 마스크블랭크 관리시스템에 적용할 수가 있다. 본 발명을 적용하면, 노광용 마스크의 제조시에 레지스트막의 감도변화에 기인하는 CD 불량의 발생을 억제할 수 있어 매우 유용하다.

Claims

마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성하는 박막 형성공정과, 상기 박막 위에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성공정을 갖는 마스크블랭크의 제조방법으로서,

상기 레지스트막을 상기 박막 위에 형성한 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 보존하는 공정과,

상기 레지스트막 형성정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정과,

상기 레지스트막 형성정보에 기초하여, 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하는 공정과,

상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 레지스트막을 박리하는 공정과,

상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 갖는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 1항에 있어서,

상기 박막의 형성시 또는 형성 후에, 마스크블랭크의 사양에 관한 박막의 막정보를 취득하여 보존하는 공정과,

상기 막정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정을 갖는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,

상기 박막의 형성 전에, 상기 마스크블랭크용 기판의 마스크블랭크의 사양에 관한 기판정보를 취득하여 보존하는 공정과,

상기 기판정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정을 갖는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 2항에 있어서,

상기 막정보는 결함정보, 광학특성정보, 박막형성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 3항에 있어서,

상기 기판정보는 결함정보, 광학특성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 3항에 있어서,

상기 마스크블랭크와, 상기 레지스트막 형성정보와, 상기 박막의 막정보 및 상기 기판정보 중 적어도 하나를 대응시킬 수 있게 되도록, 상기 마스크블랭크에 대하여 직접적 또는 간접적으로 식별정보를 부여하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 1항에 있어서,

상기 레지스트막이 화학증폭형 레지스트막인, 마스크블랭크의 제조방법.
제 1항에 기재된 마스크블랭크의 제조방법에 의해 얻어진 마스크블랭크의 상기 박막을 패터닝하여, 상기 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴을 형성하는, 마스크의 제조방법.
마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막과 레지스트막을 형성한 마스크블랭크에서의, 상기 레지스트막을 형성한 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 축적하는 형성정보 축적수단과,

상기 마스크블랭크에 식별정보를 부여하는 식별정보 부여수단과,

상기 레지스트막 형성정보와, 상기 식별정보를 대응시켜 이들 정보를 보존하는 마스크블랭크 정보축적수단과,

상기 날짜정보에 기초하여 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하는 마스크블랭크 선정수단을 갖는, 마스크블랭크 관리시스템.
제 9항에 있어서,

상기 마스크블랭크용 기판의 마스크블랭크의 사양에 관한, 기판정보 및 박막의 막정보 중 적어도 하나를 보존하는 기판정보 축적수단 및 막정보 축적수단 중 적어도 하나를 가지며, 상기 마스크블랭크 정보축적수단에 상기 기판정보 및 상기 막정보 중 적어도 하나가 보존되어 있는, 마스크블랭크 관리시스템.
제 10항에 있어서,

상기 식별정보, 상기 레지스트막 형성정보, 상기 막정보 및 상기 기판정보 중 적어도 하나를 마스크 제조부문에 통신회선을 통해 제공할 수 있도록 정보송신수단을 설치한, 마스크블랭크 관리시스템.
제 9항 또는 제 10항에 있어서,

마스크 제조부문에 의해 상기 레지스트막 형성정보에 기초하여 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크의 정보를, 통신회선을 통해 수신할 수 있도록 정보수신수단을 설치한, 마스크블랭크 관리시스템.
마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성한 박막이 부착된 기판의 상기 박막 위에 레지스트막을 형성한 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보에 기초하여, 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하고, 상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 레지스트막을 박리하는 공정과, 상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 갖는, 마스크블랭크의 재생방법.
제 13항에 있어서,

상기 레지스트막을 알칼리성 용매 및 유기용매 중 적어도 하나로 박리하는, 마스크블랭크의 재생방법.
마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성한 박막이 부착된 기판의 상기 박막 위에 레지스트막을 형성하는 마스크블랭크의 제조방법으로서,

상기 레지스트막을 상기 박막 위에 형성했을 때의 날짜정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 형성정보 축적수단에 보존하는 공정과,

상기 형성정보 축적수단에 보존된 상기 레지스트막 형성정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정과,

상기 레지스트막 형성정보 및 상기 마스크블랭크의 대응관계에 기초하여, 상기 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크의 상기 레지스트막을 박리하는 공정과,

상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 갖는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 15항에 있어서,

상기 레지스트막을 박리하는 공정에서는, 상기 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하고, 상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 상기 레지스트막을 박리하는, 마스크블랭크의 제조방법.
마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성한 박막이 부착된 기판의 상기 박막 위에 레지스트막을 형성하는 마스크블랭크의 제조방법으로서,

상기 레지스트막에 대하여, 레지스트막의 감도변화에 영향을 주는 정보를 포함하는 레지스트막 형성정보를 보존하는 공정과,

상기 레지스트막 형성정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정과,

상기 마스크블랭크를 마스크 제조부문에 제공하는 공정과,

상기 레지스트막 형성정보 및 상기 마스크블랭크의 대응 관계에 기초하여, 상기 마스크 제조부문으로부터 반환된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크의 상기 레지스트막을 박리하는 공정과,

상기 레지스트막을 박리한 상기 박막 위에 다시 레지스트막을 형성하는 공정을 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 17항에 있어서,

상기 레지스트막을 박리하는 공정은, 상기 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하고, 상기 특정한 마스크블랭크에 형성된 상기 레지스트막을 박리하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 17항에 있어서,

상기 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크는, 상기 마스크 제조부문에서 특정되는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 17항에 있어서,

상기 레지스트막 형성정보는, 상기 박막이 부착된 기판 위에 레지스트막을 도포?형성한 날짜, 레지스트 종류, 가열조건, 마스크블랭크 보관환경 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 17항에 있어서,

상기 박막이 부착된 기판의 상기 박막 위에 레지스트막을 형성하기 전에 있어서 상기 박막의 형성시 또는 형성 후에, 마스크블랭크의 사양에 관한 박막의 막정보를 취득하여 보존하는 공정과,

상기 막정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정을 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 17항에 있어서,

상기 박막의 형성 전에, 상기 마스크블랭크용 기판의 마스크블랭크의 사양에 관한 기판정보를 취득하여 보존하는 공정과,

상기 기판정보와 상기 마스크블랭크를 대응시키는 공정을 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 21항에 있어서,

상기 막정보는 결함정보, 광학특성정보, 박막형성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 22항에 있어서,

상기 기판정보는 결함정보, 광학특성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 22항에 있어서,

상기 마스크블랭크와, 상기 레지스트막 형성정보와, 박막의 막정보 및 상기 기판정보 중 적어도 하나를 대응시킬 수 있게 되도록, 상기 마스크블랭크에 대하여 직접적 또는 간접적으로 식별정보를 부여하는, 마스크블랭크의 제조방법.
제 17항에 있어서,

상기 레지스트막은 화학증폭형 레지스트막인, 마스크블랭크의 제조방법.
마스크의 제조방법으로서,

제 17항에 기재된 마스크블랭크의 제조방법에 의해 얻어진 마스크블랭크의 상기 박막을 패터닝하여,

상기 마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴을 형성하는, 마스크의 제조방법.
제 17항에 있어서,

상기 레지스트막을 알칼리성 용매 및 유기용매 중 적어도 하나로 박리하는, 마스크블랭크의 제조방법.
마스크블랭크용 기판 위에 마스크 패턴이 되는 박막을 형성한 박막이 부착된 기판의 상기 박막 위에 레지스트막을 가지는 마스크블랭크의 관리방법으로서,

레지스트막의 감도변화에 영향을 주는 정보를 포함하는 레지스트막 형성정보와 대응지어진 마스크블랭크를 블랭크 제조부문으로부터 제공받는 공정과,

상기 레지스트막 형성정보에 기초하여, 마스크블랭크에 형성된 레지스트막의 감도변화가 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 특정하는 공정과,

상기 허용범위를 초과한 마스크블랭크를 상기 블랭크 제조부문으로 반환하는 공정을 포함하는, 마스크블랭크의 관리방법.
제 29항에 있어서,

상기 레지스트막 형성정보는, 상기 박막이 부착된 기판 위에 레지스트막을 도포?형성한 날짜, 레지스트 종류, 가열조건, 마스크블랭크 보관환경 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 관리방법.
제 29항에 있어서,

상기 블랭크 제조부문으로부터 제공되는 마스크블랭크는, 마스크블랭크의 사양에 관한 박막의 막정보가 대응지어져 있는, 마스크블랭크의 관리방법.
제 29항에 있어서,

상기 블랭크 제조부문으로부터 제공되는 마스크블랭크는, 마스크블랭크용 기판의 마스크블랭크의 사양에 관한 기판정보가 대응지어져 있는, 마스크블랭크의 관리방법.
제 31항에 있어서,

상기 막정보는, 결함정보, 광학특성정보, 박막형성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 관리방법.
제 32항에 있어서,

상기 기판정보는 결함정보, 광학특성정보, 표면형태정보 중의 어느 하나의 정보를 포함하는, 마스크블랭크의 관리방법.
제 32항에 있어서,

상기 마스크블랭크와, 상기 레지스트막 형성정보와, 박막의 막정보 및 상기 기판정보 중 적어도 하나를 대응시킬 수 있게 되도록, 상기 마스크블랭크에 대하여 직접적 또는 간접적으로 식별정보가 부여되어 있는, 마스크블랭크의 관리방법.
제 29항에 있어서,

상기 레지스트막은 화학증폭형 레지스트막인, 마스크블랭크의 관리방법.