JPS6325657A - 基板の処理方法 - Google Patents
基板の処理方法Info
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- JPS6325657A JPS6325657A JP61167898A JP16789886A JPS6325657A JP S6325657 A JPS6325657 A JP S6325657A JP 61167898 A JP61167898 A JP 61167898A JP 16789886 A JP16789886 A JP 16789886A JP S6325657 A JPS6325657 A JP S6325657A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は基板の処理方法に関するものである。
さらに詳しくいえば、本発明は、半導体素子の製造工程
において、エツチング処理後のレジストパターンを剥離
液により除去したのちの基板のリンス効果に優れ、かつ
人体に対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極
めて少ない上に、火災上の安全性にも優れた特定の溶剤
で基板をリンス処理する方法に関するものである。
において、エツチング処理後のレジストパターンを剥離
液により除去したのちの基板のリンス効果に優れ、かつ
人体に対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極
めて少ない上に、火災上の安全性にも優れた特定の溶剤
で基板をリンス処理する方法に関するものである。
従来の技術
ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の製造においては、通常
まずシリコンウェハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜
を形成し、次いでその表面にホトレジストを均一に塗布
して感光層を設けたのち、露光及び現像処理を施してレ
ジストパターンを形成し、続いてこのレジストパターン
をマスクとして、下層部の酸化膜を選択的にエツチング
したのち、基板上のレジストパターンを完全に除去する
という工程がとられている。
まずシリコンウェハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜
を形成し、次いでその表面にホトレジストを均一に塗布
して感光層を設けたのち、露光及び現像処理を施してレ
ジストパターンを形成し、続いてこのレジストパターン
をマスクとして、下層部の酸化膜を選択的にエツチング
したのち、基板上のレジストパターンを完全に除去する
という工程がとられている。
従来、ホトレジストパターンの除去には、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法及び有機溶剤を使用して
溶解剥離除去する方法が知られているが、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法は作業上危険性を伴うの
で、有機溶剤を使用する方法が一般的に用いられている
。
機塩基を使用して除去する方法及び有機溶剤を使用して
溶解剥離除去する方法が知られているが、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法は作業上危険性を伴うの
で、有機溶剤を使用する方法が一般的に用いられている
。
ホトレジストパターンの除去に使用される有機溶剤とし
ては、例えばアルキルベンゼンスルホン酸、芳香族炭化
水素とアルキルベンゼンスルホン酸との混合物などが知
られている。
ては、例えばアルキルベンゼンスルホン酸、芳香族炭化
水素とアルキルベンゼンスルホン酸との混合物などが知
られている。
しかしながら、これらの有機溶剤を用いる方法において
は、該有機溶剤によりホトレジストパターンを溶解剥離
するために、剥離除去後すぐに基板を水洗いすると、基
板上に残存している剥離液中に溶解しているホトレジス
トが析出して、基板上に再付着する。したがってホトレ
ジストパターンを剥離除去後、基板をすぐに水洗いする
ことができず、基板のリンス処理が不可欠である。
は、該有機溶剤によりホトレジストパターンを溶解剥離
するために、剥離除去後すぐに基板を水洗いすると、基
板上に残存している剥離液中に溶解しているホトレジス
トが析出して、基板上に再付着する。したがってホトレ
ジストパターンを剥離除去後、基板をすぐに水洗いする
ことができず、基板のリンス処理が不可欠である。
このリンス処理は、基板上に残存している剥離液を完全
に洗い流し、該剥離液中に溶解しているホトレジストが
基板上に再付着するのを防止するために行われる。
に洗い流し、該剥離液中に溶解しているホトレジストが
基板上に再付着するのを防止するために行われる。
このようなリンス処理に用いられるリンス液としては、
従来トリクロロエチレン、メタノール、イングロビルア
ルコール、アセトン、メチルエチルケトンなどが知られ
ている。しかしながら、これらのリンス液は、基板上の
剥離液の洗浄には有効ではあるが、トリクロロエチレン
の場合、近年人体に対する有害性や廃液による環境問題
が大きくクローズアップされ、また、その他のものは低
引火点溶剤であり、防災上及び貯蔵上の問題を有し、さ
らに揮発速度が速く、作業環境に悪影響を及ぼすなど、
種々の問題点を有している。また、ネガ型のゴム系ホト
レジストを用いた場合のリンス液にはトリクロロエチレ
ンが有効であるが、ポジ型のノボラック系ホトレジスト
を用いた場合のリンス液にはトリクロロエチレンは使用
できないため、その他のリンス液を用いなければならず
、使用するホトレジストによりリンス液が変わることは
、作業効率の著しい低下を免れないという問題が生じる
。
従来トリクロロエチレン、メタノール、イングロビルア
ルコール、アセトン、メチルエチルケトンなどが知られ
ている。しかしながら、これらのリンス液は、基板上の
剥離液の洗浄には有効ではあるが、トリクロロエチレン
の場合、近年人体に対する有害性や廃液による環境問題
が大きくクローズアップされ、また、その他のものは低
引火点溶剤であり、防災上及び貯蔵上の問題を有し、さ
らに揮発速度が速く、作業環境に悪影響を及ぼすなど、
種々の問題点を有している。また、ネガ型のゴム系ホト
レジストを用いた場合のリンス液にはトリクロロエチレ
ンが有効であるが、ポジ型のノボラック系ホトレジスト
を用いた場合のリンス液にはトリクロロエチレンは使用
できないため、その他のリンス液を用いなければならず
、使用するホトレジストによりリンス液が変わることは
、作業効率の著しい低下を免れないという問題が生じる
。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、半導体素子の製造工程におけるこのようなリ
ンス処理の問題を解決し、剥離液によるレジストパター
ン除去後の基板のリンス処理において、リンス効果に優
れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの環境面での
問題が極めて少なく、火災上の安全性に優れ、また使用
するホトレジストの種類に制限されないリンス液を用い
る基板の処理方法の提供を目的としてなされたものであ
る。
ンス処理の問題を解決し、剥離液によるレジストパター
ン除去後の基板のリンス処理において、リンス効果に優
れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの環境面での
問題が極めて少なく、火災上の安全性に優れ、また使用
するホトレジストの種類に制限されないリンス液を用い
る基板の処理方法の提供を目的としてなされたものであ
る。
問題点を解決するだめの手段
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、リンス液として
特定のエーテル化合物を主成分とする溶剤を用いること
により、その目的を達成しうることを見出し、この知見
に基づいて本発明を成すに至った。
特定のエーテル化合物を主成分とする溶剤を用いること
により、その目的を達成しうることを見出し、この知見
に基づいて本発明を成すに至った。
すなわち、本発明は、基板上に所望のホトレジストパタ
ーンを設けてエツチング処理を行い、次いて該レジスト
パターンを剥離液で除去したのち、該基板を一般式 ％式％（１） （式中のＲ１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ２は水素
原子又はメチル基、■は２又は６である）で表わされる
エーテル化合物の中から選ばれた少なくとも１種を主成
分として含有する溶剤を用いてリンス処理することを特
徴とする基板の処理方法を提供するものである。
ーンを設けてエツチング処理を行い、次いて該レジスト
パターンを剥離液で除去したのち、該基板を一般式 ％式％（１） （式中のＲ１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ２は水素
原子又はメチル基、■は２又は６である）で表わされる
エーテル化合物の中から選ばれた少なくとも１種を主成
分として含有する溶剤を用いてリンス処理することを特
徴とする基板の処理方法を提供するものである。
本発明方法において、リンス液の溶剤に用いられる前記
一般式（Ｉ）で表わされるエーテル化合物としては、例
えばジエチレングリコール七ツメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプチルエーチル、ジエチレングリコ
ール七ノエチルエーテル、ジプロピレンクリコールモノ
エチルエーテル、ジプロピレンクリコールモノエチルエ
ーテル、トリエチレンクリコールモノメチルエーテル、
トリエチレンクリコール七ノエチルエーテル、トリフロ
ピレンゲリコールモノメチルエーテルなどを挙げること
ができる。これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、２
種以上混合して用いてもよい。
一般式（Ｉ）で表わされるエーテル化合物としては、例
えばジエチレングリコール七ツメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプチルエーチル、ジエチレングリコ
ール七ノエチルエーテル、ジプロピレンクリコールモノ
エチルエーテル、ジプロピレンクリコールモノエチルエ
ーテル、トリエチレンクリコールモノメチルエーテル、
トリエチレンクリコール七ノエチルエーテル、トリフロ
ピレンゲリコールモノメチルエーテルなどを挙げること
ができる。これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、２
種以上混合して用いてもよい。
本発明方法におけるリンス液は、前記一般式（１）で表
わされるエーテル化合物の中から選ばれた少なくとも１
種から成る溶剤であっても十分なリンス効果を発揮しう
るが、添加剤として、一般式（式中のＲ３，Ｒ，及びＲ
５はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基又はヒドロ
キシアルキル基を示すが、Ｒ３，Ｒ４及びＲ５のうち、
少なくとも１つはヒドロキンアルキル基である） で表わされる脂肪族アミン化合物の中から選ばれた少な
くとも１挿を添加することによって、リンス処理時に基
板上に付着した剥離液、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸などの酸が中和されるので、前記一般式（１）で表
わされるエーテル化合物のリンス作用が、該酸によって
妨害されることはなく、その結果該エーテル化合物のリ
ンス効果を長時間、安定に保つことができる。
わされるエーテル化合物の中から選ばれた少なくとも１
種から成る溶剤であっても十分なリンス効果を発揮しう
るが、添加剤として、一般式（式中のＲ３，Ｒ，及びＲ
５はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基又はヒドロ
キシアルキル基を示すが、Ｒ３，Ｒ４及びＲ５のうち、
少なくとも１つはヒドロキンアルキル基である） で表わされる脂肪族アミン化合物の中から選ばれた少な
くとも１挿を添加することによって、リンス処理時に基
板上に付着した剥離液、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸などの酸が中和されるので、前記一般式（１）で表
わされるエーテル化合物のリンス作用が、該酸によって
妨害されることはなく、その結果該エーテル化合物のリ
ンス効果を長時間、安定に保つことができる。
この脂肪族アミン化合物としては、例えばモノエタノー
ルアミン、ブチルモノエタノールアミン、エチルジェタ
ノールアミン、トリイソプロパツールアミンなどを挙げ
るととができる。そして、前記一般式（Ｉ）で表わされ
るエーテル化合物とこの一般式（Ｉ［）で表わされる脂
肪族アミン化合物との配合割合は、ネガ型ホトレジスト
を使用した場合には、重量基準で１００：０ないし８５
：１５の範囲が、またポジ型ホトレジストを使用した場
合には、重量基準で１００ ： ０ないし５０：５０の
範囲が好ましい。脂肪族アミン化合物の量が、エーテル
化合物との合計量に対して、ネガ型ホトレジストに使用
するときには１５重量％を、またポジ型ホトレジストに
使用するときには５０重量％を超えるとリンスが不完全
となり好ましくない。この場合、目視ではリンスが不完
全であることは判明しにくいが、例えば基板上に水蒸気
を吹き付けるとレジストパターン跡が観察されることか
ら、リンスの不完全さを簡便に知ることができる。
ルアミン、ブチルモノエタノールアミン、エチルジェタ
ノールアミン、トリイソプロパツールアミンなどを挙げ
るととができる。そして、前記一般式（Ｉ）で表わされ
るエーテル化合物とこの一般式（Ｉ［）で表わされる脂
肪族アミン化合物との配合割合は、ネガ型ホトレジスト
を使用した場合には、重量基準で１００：０ないし８５
：１５の範囲が、またポジ型ホトレジストを使用した場
合には、重量基準で１００ ： ０ないし５０：５０の
範囲が好ましい。脂肪族アミン化合物の量が、エーテル
化合物との合計量に対して、ネガ型ホトレジストに使用
するときには１５重量％を、またポジ型ホトレジストに
使用するときには５０重量％を超えるとリンスが不完全
となり好ましくない。この場合、目視ではリンスが不完
全であることは判明しにくいが、例えば基板上に水蒸気
を吹き付けるとレジストパターン跡が観察されることか
ら、リンスの不完全さを簡便に知ることができる。
次に、本発明の基板の処理方法の１例について説明する
と、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリコンウェハー
などから成る基板上に、ホトレジストを均一に塗布し、
乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層に所望のパタ
ーンを露光したのち、現像処理を施し、さらにポストベ
ークしてレジストパターンを形成する。次に、このレジ
ストパターンなマヌクとして、下層部の酸化膜を選択的
にエツチングしたのち、基板上の該レジストパターンを
剥離液により完全に除去し、次いで前記リンス液を用い
て基板にリンス処理を施し、該剥離液を完全に洗い流す
。
と、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリコンウェハー
などから成る基板上に、ホトレジストを均一に塗布し、
乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層に所望のパタ
ーンを露光したのち、現像処理を施し、さらにポストベ
ークしてレジストパターンを形成する。次に、このレジ
ストパターンなマヌクとして、下層部の酸化膜を選択的
にエツチングしたのち、基板上の該レジストパターンを
剥離液により完全に除去し、次いで前記リンス液を用い
て基板にリンス処理を施し、該剥離液を完全に洗い流す
。
発明の効果
本発明の基板の処理方法は、リンス液として、リンス効
果に優れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの環境
面での問題が極めて少なく、消防上の安全性にも優れた
ものを用いることから、実用性の高い基板の処理を行う
ことができる。またこのリンス液は、剥離処理するレジ
ストパターンがネガ型又はポジ型のいずれのホトレジス
トから形成されたものであっても、剥離後のリンス処理
に有効に使用できるので作業効率も大幅に向上できる。
果に優れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの環境
面での問題が極めて少なく、消防上の安全性にも優れた
ものを用いることから、実用性の高い基板の処理を行う
ことができる。またこのリンス液は、剥離処理するレジ
ストパターンがネガ型又はポジ型のいずれのホトレジス
トから形成されたものであっても、剥離後のリンス処理
に有効に使用できるので作業効率も大幅に向上できる。
実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１〜１７、比較例１〜１１
シリコン基板上にポジ型ホトレジス） （０ＦＰＲ−８
００東京応化工業社製）及びネガ型ゴム系ホトレジス）
（ＯＭＲ−８３東京応化工業社製）をそれぞれ１μｍ膜
厚に塗布したものを準備し、それぞれ露光、現像後、１
８０°Ｃで３０分間ポストベークを行ったのち、垣素系
溶剤とアルキルベンゼンスルホン酸から成る市販の剥離
液を用いて１２０°Ｃで５分間浸漬剥離し、次いで第１
表及び第２表に示す組成のリンス液でリンス処理したの
ち、水洗してスピンナーにより乾燥した。その結果を第
１表（対象：ネガ型ホトレジスト）及び第２表（対象：
ポジ型ホトレジスト）に示す。
００東京応化工業社製）及びネガ型ゴム系ホトレジス）
（ＯＭＲ−８３東京応化工業社製）をそれぞれ１μｍ膜
厚に塗布したものを準備し、それぞれ露光、現像後、１
８０°Ｃで３０分間ポストベークを行ったのち、垣素系
溶剤とアルキルベンゼンスルホン酸から成る市販の剥離
液を用いて１２０°Ｃで５分間浸漬剥離し、次いで第１
表及び第２表に示す組成のリンス液でリンス処理したの
ち、水洗してスピンナーにより乾燥した。その結果を第
１表（対象：ネガ型ホトレジスト）及び第２表（対象：
ポジ型ホトレジスト）に示す。
また、比較のため、トリクロロエチレンによりリンス処
理後乾燥した場合、及びメタノール、インプロピルアル
コール、メチルエチルケトンでリンス処理後、水洗いし
た場合、さらにトリクロロエチレン浸漬後、メチルエテ
ルケトンに浸漬して水洗した場合の結果も第１表（対象
：ネガ型ホトレジスト）及び第２表（対象：ポジ型ホト
レジスト）に示す。
理後乾燥した場合、及びメタノール、インプロピルアル
コール、メチルエチルケトンでリンス処理後、水洗いし
た場合、さらにトリクロロエチレン浸漬後、メチルエテ
ルケトンに浸漬して水洗した場合の結果も第１表（対象
：ネガ型ホトレジスト）及び第２表（対象：ポジ型ホト
レジスト）に示す。
第１表（対象： ＯＭＲ−８３ネガ型ホトレジスト）〔
注）＊ＩＡ−１：モノエタノールアミンＡ−２ニブチル
モノエタノールアミン Ａ−３：エチルジェタノールアミン Ａ−４： ）リイノプロパノールアミン＊２結果の欄の
０よリンス効果があることを、また〉第２表（対象：
０ＦＰＲ−８００ポジ型ホトレジストＢ−１＝ジエチレ
ングリコールモツプチルエーテルＢ−２ニジエチレング
リコール七ツメチルエーテルＢ−３ニジプロピレングリ
コールモノメチルエーテルＢ−４ニトリプロピレングリ
コールモノメチルエーテルぐはリンス効果がないことを
表わす。
注）＊ＩＡ−１：モノエタノールアミンＡ−２ニブチル
モノエタノールアミン Ａ−３：エチルジェタノールアミン Ａ−４： ）リイノプロパノールアミン＊２結果の欄の
０よリンス効果があることを、また〉第２表（対象：
０ＦＰＲ−８００ポジ型ホトレジストＢ−１＝ジエチレ
ングリコールモツプチルエーテルＢ−２ニジエチレング
リコール七ツメチルエーテルＢ−３ニジプロピレングリ
コールモノメチルエーテルＢ−４ニトリプロピレングリ
コールモノメチルエーテルぐはリンス効果がないことを
表わす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に所望のホトレジストパターンを設けてエッ
チング処理を行い、次いで該レジストパターンを剥離液
により除去したのち、該基板を一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲ＿１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ＿２は
水素原子又はメチル基、ｎは２又は３である）で表わさ
れるエーテル化合物の中から選ばれた少なくとも１種を
主成分として含有する溶剤を用いてリンス処理すること
を特徴とする基板の処理方法。 ２ 溶剤がエーテル化合物の他に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲ＿３、Ｒ＿４及びＲ＿５はそれぞれ独立して
水素原子、アルキル基又はヒドロキシアルキル基を示す
が、Ｒ＿３、Ｒ＿４及びＲ＿５のうち少なくとも１つは
ヒドロキシアルキル基である） で表わされる脂肪族アミン化合物の中から選ばれた少な
くとも１種を含有するものである特許請求の範囲第１項
記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167898A JPH0721638B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 基板の処理方法 |
| US07/067,313 US4824762A (en) | 1986-07-18 | 1987-06-26 | Method for rinse treatment of a substrate |
| GB8715251A GB2193346B (en) | 1986-07-18 | 1987-06-29 | A method of rinsing a substrate from which the resist layer has been removed |
| DE19873723402 DE3723402A1 (de) | 1986-07-18 | 1987-07-15 | Verfahren zum spuelen eines substrats |
| KR1019870007723A KR900005345B1 (ko) | 1986-07-18 | 1987-07-16 | 기판의 린스처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167898A JPH0721638B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325657A true JPS6325657A (ja) | 1988-02-03 |
| JPH0721638B2 JPH0721638B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=15858100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61167898A Expired - Fee Related JPH0721638B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 基板の処理方法 |
Country Status (5)
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| JP (1) | JPH0721638B2 (ja) |
| KR (1) | KR900005345B1 (ja) |
| DE (1) | DE3723402A1 (ja) |
| GB (1) | GB2193346B (ja) |
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- 1987-06-29 GB GB8715251A patent/GB2193346B/en not_active Expired - Fee Related
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