JPS62229840A - 基板の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は基板の処理方法に関するものである。

さらに詳しくいえば、本発明は、半導体素子の製造工程
において、エツチング処理後のレジストパターンを剥離
液により除去したのちの基板のリンス効果に優れ、かつ
人体に対する毒性や廃水処理などの環境面での問題が極
めて少ない上に、火災上の安全性にも優れた特定の溶剤
で基板ｉ　＋Ｊンス処理する方法に関するものである。

従来の技術 ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の爬造においては、通常
まずシリコンウェハーなどの基板上に酸化膜などの薄膜
を形成し、次いでその表面にホトレジストを均一に塗布
して感光層を設けたのち、露光及び現像処理を施してレ
ジストパターンを形成し。

続いてこのレジストパターンをマスクトシて、下層部の
酸化膜を選択的にエツチングしたのち、基板上のレジス
トパターンを完全に除去するという工程がとられている
。

従来、ホトレジストパターンの除去には、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法及び有機溶剤を使用して
溶解剥離除去する方法が知られているが、無機酸又は無
機塩基を使用して除去する方法は作業上危険性を伴うの
で、有機溶剤を使用する方法が一般的に用いられている
。

しかしながら、この方法においては、有機溶剤によりホ
トレジストパターンを溶解剥離するために、剥離除去後
すぐに基板を水洗すると、基板上に残存している剥離液
中に溶解しているホトレジストが析出して、基板上に再
付着する。したがって、ホトレジストパターンを剥離除
去後、基板をすぐに水洗することができず、基板のリン
ス処理が不可欠である。

このリンス処理は、基板上に残存している剥離液を完全
に洗い流し、該剥離液中に溶解しているホトレジストが
基板上に再付着するのを防止するために行われる。

このようなリンス処理に用いられるリンス液としては、
従来トリクロロエチレン、メタノール、アセトンなどが
知られている。しかしながら、これらのリンス液は、基
板上の剥離液の洗浄には有効ではあるが、トリクロロエ
チレンの場合、近年人体に対する有害性や廃液による環
境問題が大きくクローズアンプされ、またメタノールや
アセトンなどの低引火点溶剤の場合、防災上及び貯蔵上
の問題があシ、さらに揮散速度が速く、作業環境に悪影
響を及ぼすなど、種々の問題を有している。

発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、半導体素子の製造工程におけるこのよ
うなリンス処理の問題を解決し、剥離液によるレジスト
パターン除去後の基板のリンス処理において、リンス効
果に優れ、かつ人体に対する毒性や廃水処理などの環境
面での問題が極めて少ない上に、火災上の安全性にも優
れ７ＣＩＪンス液を用いる基板の処理法を提供すること
にある。

問題点を解決するための手段 本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結
果、リンス液として、芳香族炭化水素化金物から成る溶
剤を用いることにより、その目的を達成しうろことを見
出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、基板上に所望のホトレジストパタ
ーンを設けてエツチング処理を行い、次いで該レジスト
パターンを剥離液により除去し次のち、該基板を芳香族
炭化水素から成る溶剤を用いてリンス処理することを特
徴とする基板の処理方法を提供するものである。

本発明方法において、リンス液として用いられる芳香族
炭化水素については、芳香環を有する化合物であれば特
に制限はないが、ナフタレン系化合物及びアルキルベン
ゼン系化合物が好適である。

該芳香族炭化水素化合物の具体例としては、ナフタレン
、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、エチルナフ
タレン、ブチルナフタレン、プロピルナフタレン、テト
ラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレンなどのナフ
タレン系化合物、トルエン、キシレン、トリメチルベン
ゼン、テトラメチルベンゼン、エチルベンゼン、ジエチ
ルベンゼン。

メチルエチルベンゼン、ジメチルエチルベンゼン、トリ
エチルベンゼン、フチルベンゼン、ペンチルベンゼン、
ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼ
ン、ノニルベンゼン、テシルベンゼン、ウンデシルベン
ゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラ
デシルベンゼン、ベンタテシルベンゼン、ヘキサデシル
ベンゼン、ヘプタデシルベンゼン、イソプロピルメチル
ベンゼン、ブチルトルエンなどのアルキルベンゼン系化
合物を挙げることができる。アルキルベンゼン系化合物
におけるアルキル基は直鎖状であっても分枝鎖状であっ
てもよい。また、前記芳香族炭化水素化合物はそれぞれ
単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい
が、液状であることが必要である。

本発明で用いられるリンス液としては、火災安全性及び
貯蔵性を考慮すると、前記ナフタレン系化合物及びアル
キル基の炭素原子数が４以上のアルキルベンゼン系化合
物の中から選ばれた少なくとも１種を主成分とするもの
が好ましい。また、リンス効果の点から、前記のナフタ
レン系化合物とアルキルベンゼン系化合物との混合物が
好適であシ、その混合割合については、アルキルベンゼ
ン系化合物の含有量が１０〜７０重量係、特に４０〜６
ｏｉｉ％の範囲にあるものが優れたリンス効果を有し、
好ましい。

本発明におけるリンス液は液状であって、芳香族炭化水
素から成るものであれば、どのように調製しても使用し
つるが、実用上芳香族炭化水素の混合溶剤として市販さ
れているものが好ましく使用される。このような混合溶
剤としては１例えばナフタレン、メチルナフタレン、エ
チルナフタレン及びジメチルナフタレンの混合物６０重
量％以上と、テトラメチルベンゼン、ウンデシルベンゼ
ン及びドデシルベンゼンの混合物約１０重量％とを含有
する芳香族炭化水素の混合溶剤であるツルペッツ２００
（エクソン化学社製）、トリメチルベンゼンとメチルエ
チルベンゼンを主成分とする芳香族炭化水素の混合溶剤
であるツルペッツＺｏ。

（エクソン化学社製）及びペガンールＲ−１００（モー
ピル石油社製）、ウンデシルベンゼン及びドデシルベン
９フフ５モル係以上を含有したアルキル基の炭素原子数
９〜１６のアルキルベンゼン系化合物から成る混合溶剤
のアルケン５６Ｎ（日本石油化学社製）、アルキルベン
ゼン系化合物の混合溶剤であるアルキルベンゼンＤＡＤ
Ａ−４０（住友化学工業社製）などを挙げることができ
る。

これら市販の混合溶剤はそれぞれ単独で用いてもよいし
、２種以上混合して用いてもよいが、特にツルペッツ２
００とアルケン５６Ｎとの混合物が好適である。

本発明において用いる芳香族炭化水素から成るリンス液
は、剥離処理するレジストパターンカネガ型又はポジ型
のいずれのホトレジストから形成されたものであっても
、剥離後のリンス処理に有効であるが、ネガ型ホトレジ
スト’６用いた場合のリンス液としては、アルキルベン
ゼン系化合物が少なくとも３０重量％以上含有したもの
が好ましい。

次に、本発明の基板の処理方法の１例について説明する
と、まず酸化膜などの薄膜を形成したシリコンウェハー
などから成る基板上に、ホトレジストを均一に塗布し、
乾燥して感光層を設け、次いでこの感光層に所望パター
ンを露光したのち、現像処理を施し、さらにポストベー
クしてレジストパターンを形成する。次に、このレジス
トパターンをマスクとして、下層部の酸化膜を選択的に
エツチングしたのち、基板上の該レジストパターンを剥
離液により完全に除去し１次いで前記芳香族炭化水素か
ら成るリンス液を用いて基板にリンス処理を施し、該剥
離液を完全に洗い流す。

発明の効果 本発明の基板の処理方法は、リンス液として、リンス効
果に優れ、かつ従来のものに比べて人体に対する毒性や
廃水処理などの環境面での問題が極めて少ない上に、消
防上の安全性にも優れたものを用いているので、実用的
価値が高い。

実施例 次に実施例により不発明をさらに詳細に説明する。

実施例１ ２枚のシリコンウェハー上に、それぞれネガ型ホトレジ
ストとしてＯＭＲ−８３（東京応化工業社Ｍ）及びポジ
型ホトレジストとして０ＦＰＲ−８００（東京応化工業
社製）を乾燥膜厚１μｍになるように、スピンナーによ
り塗布、したのち、露光、現像処理を施し、次いで１６
０℃で３０分間ボストベークしてシリコンウェハー上に
レジストパターン膜ヲ形成した。次に、液温１２０℃に
保持した剥離液５０２（東京応化工業社層〕中に、該シ
リコンウェハーを浸漬し、５分後に取り出し、さらにジ
メチルナフタレン溶剤中に浸漬して３分間リンス処理を
行った。

このようにして処理されたシリコンウェハーの表面を観
察し、リンス効果の可否を判定したところ、２枚のシリ
コンウェハー表面は、いずれもレジストの再付着及び剥
離液の残存が認められない鏡面状態になっておシ、リン
ス効果が認められた。

実施例２〜１８ 種々の芳香族炭化水素から成るリンス液を用いた以外は
、実施例１と同様にして基板の処理を行い、それぞれの
リンス液のリンス効果の可否を観察した。その結果を次
表に示す。

（注）リンス効果の可否： リンス液による処理後、シリコンウェハー表面に、レジ
ストの再付着、剥離液の残存も認められず、鏡面状態に
なっているか否かにより判断した。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基板上に所望のホトレジストパターンを設けてエッ
   チング処理を行い、次いで該レジストパターンを剥離液
   により除去したのち、該基板を芳香族炭化水素から成る
   溶剤を用いてリンス処理することを特徴とする基板の処
   理方法。 ２　芳香族炭化水素がナフタレン系化合物及びアルキル
   ベンゼン系化合物の中から選ばれた少なくとも１種であ
   る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３　ナフタレン系化合物がナフタレン、メチルナフタレ
   ン、エチルナフタレン及びジメチルナフタレンである特
   許請求の範囲第２項記載の方法。