JP5403286B2 - 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5403286B2 JP5403286B2 JP2010549402A JP2010549402A JP5403286B2 JP 5403286 B2 JP5403286 B2 JP 5403286B2 JP 2010549402 A JP2010549402 A JP 2010549402A JP 2010549402 A JP2010549402 A JP 2010549402A JP 5403286 B2 JP5403286 B2 JP 5403286B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- light
- mask pattern
- exposure
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
図3は、第1の実施形態に係る露光装置の簡略図である。より詳細には、図3(a)は、第1のカラーフィルタの着色画素を露光する状態を示す図であり、(b)は、第2のカラーフィルタの着色画素を露光する状態を示す図である。
図4は、第2の実施形態に係る露光装置の簡略図である。第2の実施形態に係る露光装置は第1の実施形態に比べて、選択照射機構が異なる。尚、第1の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
図5は、同一基板上に3種類の異なるカラーフィルタを形成する一例を示す平面図であり、図6は、第3の実施形態に係る露光装置の簡略図である。第3の実施形態は、第1の実施形態と比べて、同一基板上に形成されるカラーフィルタの種類の数が異なり、また、露光装置を構成するフォトマスクが異なる。尚、第1の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
尚、第1〜3の実施形態では、カラーフィルタを構成する着色画素を形成する例を説明したが、本発明は、カラーフィルタのパターン形成に限らず、様々なレジストパターンの形成に適用できる。
22 着色画素
23 透明導電膜
30 フォトマスク基板
50 基板
51、51−1、51−2、51−3 開口部
54 カラーレジスト
60 露光ステージ
C、C2、C3 コリメートレンズ
E、E2、E3 光
M、M2、M4 ミラー
M3 一対のミラーM3
PM、PM2、PM3、PM4、PM5 フォトマスク
PR−1 第1の領域
PR−2 第2の領域
PR−3 第3の領域
R1、R2、R3 領域
S1、S2、S3 第1のスリット、第2のスリット、第3のスリット
ST シャッター
Claims (5)
- 同一基板上の第1の領域と第2の領域とに互いに異なるレジストパターンを形成する露光方法であって、
前記第1の領域内のレジストパターンの一部を露光するための第1のマスクパターンと、前記第2の領域内のレジストパターンの一部を露光するための第2のマスクパターンとを有するフォトマスクを光源に対して固定し、
前記基板を搬送しながら、前記第1のマスクパターンに前記光源からの光を選択的に照射して、前記第1の領域上のレジストを連続的または間欠的に露光し、
前記基板を搬送しながら、前記第2のマスクパターンに前記光源からの光を選択的に照射して、前記第2の領域上のレジストを連続的または間欠的に露光し、
前記第2の領域上のレジストの露光時には、一対のミラーで前記光源からの光を屈折させることによって、前記フォトマスクに対する光の照射位置を前記第1のマスクパターンの形成位置から前記第2のマスクパターンの形成位置へと移動させる、露光方法。 - 前記第1のパターンを構成する複数の光透過部の間隔と、前記第2のパターンを構成する複数の光透過部の間隔とが異なる、請求項1に記載の露光方法。
- 同一基板上の第1の領域と第2の領域とに互いに異なるカラーフィルタを形成するカラーフィルタの製造方法であって、
前記第1の領域内の着色画素の一部を露光するための第1のマスクパターンと、前記第2の領域内の着色画素の一部を露光するための第2のマスクパターンとを有するフォトマスクを光源に対して固定し、
基板上にカラーレジストを塗布する処理と、前記基板を搬送しながら、前記第1のマスクパターンに前記光源からの光を選択的に照射して、前記第1の領域上のカラーレジストを連続的または間欠的に露光する処理と、前記基板を搬送しながら、前記第2のマスクパターンに前記光源からの光を選択的に照射して、前記第2の領域上のカラーレジストを連続的または間欠的に露光する処理とを含む着色パターン形成処理を繰り返して、前記カラーフィルタを構成する全ての色の着色画素を形成し、
前記第2の領域上のカラーレジストの露光時には、一対のミラーで前記光源からの光を屈折させることによって、前記フォトマスクに対する光の照射位置を前記第1のマスクパターンの形成位置から前記第2のマスクパターンの形成位置へと移動させる、カラーフィルタの製造方法。 - 前記第1の領域に形成されるカラーフィルタのサイズと、前記第2の領域に形成されるカラーフィルタのサイズとが異なり、かつ、前記第1のマスクパターンを構成する複数の光透過部の間隔と、前記第2のマスクパターンを構成する複数の光透過部の間隔とが異なる、請求項3に記載のカラーフィルタの製造方法。
- 同一基板上の第1の領域と第2の領域とに互いに異なるレジストパターンを形成する露光装置であって、
光源と、
前記光源に対して固定され、かつ、前記第1の領域内のレジストパターンの一部を露光するための第1のマスクパターンと、前記第2の領域内のレジストパターンの一部を露光するための第2のマスクパターンとを有するフォトマスクと、
レジストが塗布された基板を搬送する基板搬送装置と、
前記フォトマスク上のいずれか1つのマスクパターンに対して、前記光源からの光を選択的に照射する選択照射機構とを備え、
前記照射選択機構は、前記第2の領域上のレジストの露光時には、前記光源からの光を屈折させることによって、前記フォトマスクに対する光の照射位置を前記第1のマスクパターンの形成位置から前記第2のマスクパターンの形成位置へと移動させる一対のミラーである、露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010549402A JP5403286B2 (ja) | 2009-02-05 | 2010-02-04 | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024649 | 2009-02-05 | ||
JP2009024649 | 2009-02-05 | ||
PCT/JP2010/000663 WO2010090018A1 (ja) | 2009-02-05 | 2010-02-04 | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 |
JP2010549402A JP5403286B2 (ja) | 2009-02-05 | 2010-02-04 | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010090018A1 JPWO2010090018A1 (ja) | 2012-08-09 |
JP5403286B2 true JP5403286B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=42541927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010549402A Expired - Fee Related JP5403286B2 (ja) | 2009-02-05 | 2010-02-04 | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8697319B2 (ja) |
JP (1) | JP5403286B2 (ja) |
KR (1) | KR101325431B1 (ja) |
CN (1) | CN102308259B (ja) |
TW (1) | TWI470379B (ja) |
WO (1) | WO2010090018A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5762903B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-08-12 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
CN103676293B (zh) * | 2013-12-02 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板及其制作方法、显示装置 |
JP6287504B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2018-03-07 | 大日本印刷株式会社 | 近接露光方法および近接露光方法を用いたカラーフィルタの製造方法 |
TWI704411B (zh) * | 2017-04-25 | 2020-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板 |
US11866042B2 (en) | 2018-08-20 | 2024-01-09 | Indian Motorcycle International, LLC | Wheeled vehicle adaptive speed control method and system |
CN114063361A (zh) * | 2020-07-29 | 2022-02-18 | 元太科技工业股份有限公司 | 用于反射式显示装置的彩色滤光阵列 |
CN113126195A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-16 | 成都捷翼电子科技有限公司 | 一种无边框彩色化滤光片及制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01234850A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Nec Corp | 半導体集積回路用フォトマスク |
JP2004047687A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | 露光方法 |
JP2006017895A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Integrated Solutions:Kk | 露光装置 |
JP2006292955A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | V Technology Co Ltd | スキャン露光方法およびスキャン露光装置 |
JP2008224754A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3878328B2 (ja) | 1997-10-13 | 2007-02-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板露光装置およびそれを使用した基板端縁露光方法 |
JP4923783B2 (ja) | 2006-06-29 | 2012-04-25 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタの描画方法 |
-
2010
- 2010-02-04 KR KR1020117019543A patent/KR101325431B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-02-04 WO PCT/JP2010/000663 patent/WO2010090018A1/ja active Application Filing
- 2010-02-04 JP JP2010549402A patent/JP5403286B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-04 TW TW99103297A patent/TWI470379B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-02-04 CN CN201080006850.2A patent/CN102308259B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-04 US US13/138,340 patent/US8697319B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01234850A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Nec Corp | 半導体集積回路用フォトマスク |
JP2004047687A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | 露光方法 |
JP2006017895A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Integrated Solutions:Kk | 露光装置 |
JP2006292955A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | V Technology Co Ltd | スキャン露光方法およびスキャン露光装置 |
JP2008224754A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102308259A (zh) | 2012-01-04 |
TWI470379B (zh) | 2015-01-21 |
KR20110106945A (ko) | 2011-09-29 |
US8697319B2 (en) | 2014-04-15 |
US20120008120A1 (en) | 2012-01-12 |
TW201037467A (en) | 2010-10-16 |
WO2010090018A1 (ja) | 2010-08-12 |
JPWO2010090018A1 (ja) | 2012-08-09 |
CN102308259B (zh) | 2014-10-15 |
KR101325431B1 (ko) | 2013-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5403286B2 (ja) | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 | |
JP2008176257A (ja) | 投影露光装置および投影露光方法 | |
TWI510866B (zh) | 曝光方法、曝光裝置、及彩色濾光片之製造方法 | |
JP5360620B2 (ja) | カラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法 | |
US20210271160A1 (en) | Photomask, method for producing photomask, and method for producing color filter using photomask | |
WO2010125824A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5622052B2 (ja) | カラーフィルタ、液晶表示装置、カラーフィルタの製造方法 | |
JP6586225B2 (ja) | 光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法 | |
JP2006287129A (ja) | レーザ照射装置、及びレーザ照射方法 | |
JP5554753B2 (ja) | 露光方法及びその装置 | |
WO2012157409A1 (ja) | 露光装置及び遮光板 | |
JP2008102241A (ja) | パターン描画装置、パターン描画システムおよびパターン描画方法 | |
JP2019028084A (ja) | 露光装置 | |
JP2009216762A (ja) | フォトマスク及びカラーフィルタの製造方法 | |
KR101669931B1 (ko) | 전사패턴을 가지는 마스크 및 이를 이용한 감광막 패턴의 형성방법 | |
KR20210052799A (ko) | 마스크, 마스크를 포함하는 패터닝 장치 및 표시 장치 | |
JP5709495B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2010256684A (ja) | 露光装置、及びカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ | |
JP2021076763A (ja) | カラーフィルタの製造方法、及びそれに用いるフォトマスク | |
JP2010256685A (ja) | 露光方法、カラーフィルタ及び光配向膜基板 | |
WO2012117802A1 (ja) | 露光装置及びマイクロレンズアレイ構造体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131015 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |