TWI704411B - 光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板 - Google Patents

光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板 Download PDF

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Abstract

一種光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板。光罩包括一第一開口區以及一第二開口區。第一開口區與第二開口區分別具有長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值大於或等於1.25的幾何形狀，且第一開口區的面積大於第二開口區的面積。

Description

光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板
本發明是有關於一種光罩、對應之間隔物結構及應用其之面板，且特別是有關於一種用以形成間隔物的光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板。
傳統的間隔物的製作方法，係以灰階光罩(gray tone mask)或以半色調網點光罩(halftone mask)的開口率來定義曝光能量。灰階光罩利用光通過開口(或狹縫)時產生繞射現象，來降低有效曝光能量，且不同尺寸及數量的開口(或狹縫)對應的曝光能量也不同，藉此來製造不同高度的間隔物，簡稱為多尺寸間隔物(multi photo spacer,MPS)。此外，半色調網點光罩藉由塗佈在圖案上的鉻膜的厚度來控制穿透光的強度比例，使穿透光的曝光能量產生差異，進而製造出不同高度的間隔物。然而，灰階光罩與半色調網點光罩的製作成本高且圖案設計困難，無法降低製造成本。
本發明係有關於一種光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板，其中光罩用以製作與光罩開口的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值相對應的間隔物，以達到製造不同高度之間隔物的目的，並具有良好的均一性與重現性。
根據本發明之一方面，提出一種光罩，包括一第一開口區以及一第二開口區。第一開口區與第二開口區分別具有長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值大於或等於1.25的幾何形狀，且第一開口區的面積大於第二開口區的面積。
根據本發明之一方面，提出一種利用上述之光罩所形成的間隔物結構，包括一第一間隔物以及一第二間隔物。第一間隔物具有與第一開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值相對應的幾何形狀，第二間隔物具有與第二開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值相對應的幾何形狀，且第一間隔物與第二間隔物之間具有一高度差。
根據本發明之一方面，提出一種具有上述之間隔物結構的液晶面板，包括一薄膜電晶體陣列基板、一液晶層以及一彩色濾光片基板，其中第一間隔物與第二間隔物設置於彩色濾光片基板上，用以間隔薄膜電晶體陣列基板與彩色濾光片基板。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
100、101、100’、100”:光罩
100a:短邊
100b:長邊
102、104、106、108:第一開口區
103、105、107、109:第二開口區
110:基板
111:感光材料
112、114:第一間隔物
113、115:第二間隔物
120:液晶面板
121:第一基板
122:第二基板
123:共同電極
124:遮光層
125:液晶層
126:鈍化層
T1、T2:薄膜電晶體元件
P1、P2:畫素電極
G:閘極
GI:閘極絕緣層
CH:主動層
SC:重摻雜半導體層
S:源極
D:汲極
a1、a1’、a2、a2’、a3、a4:寬度
b1、b1’、b2、b2’、b3、b4:長度
a5、a6:短軸
b5、b6:長軸
L1:光線
H1、H1’、H2、H2’:高度
△PSH:高度差
第1A圖繪示依照本發明一實施例之用以形成間隔物的光罩的示意圖。
第1B圖繪示感光材料經曝光後形成間隔物的示意圖。
第1C圖繪示經顯影後的間隔物的側視圖。
第1D圖繪示依照本發明一實施例之具有間隔物結構的液晶面板的簡易示意圖。
第2A圖繪示依照本發明一實施例之用以形成間隔物的光罩的示意圖。
第2B圖繪示經顯影後的間隔物的側視圖。
第3A及3B圖分別繪示另一實施例之光罩的開口區的示意圖。
第4圖繪示間隔物的尺寸與高度差的關係表。
以下係提出實施例進行詳細說明，實施例僅用以作為範例說明，並非用以限縮本發明欲保護之範圍。以下是以相同/類似的符號表示相同/類似的元件做說明。
請參照第1A及1B圖，依照本發明一實施例之用以形成間隔物的光罩100，包括至少一第一開口區102以及至少一第二開口區103，且第一開口區102與第二開口區103之周圍以不透光的材質覆蓋，以形成一非透光區。在一實施例中，第一開口區102與第二開口區103排列的方向不限定為相互平行或相互垂直，亦可根 據需求調整第一開口區102與第二開口區103的長邊或長軸的配置方向。
例如，在第1A圖中，第一開口區102的長邊或長軸與第二開口區103的長邊或長軸大致上平行於矩形光罩100的短邊100a，或者，在另一實施例中(圖未繪示)，第一開口區102的長邊或長軸與第二開口區103的長邊或長軸大致上平行於矩形光罩100的長邊100b。例如，在第1A圖中，第一開口區102的長邊或長軸與第二開口區103的長邊或長軸相互平行，或者，在另一實施例中(圖未繪示)，第一開口區102的長邊或長軸與第二開口區103的短邊或短軸相互平行，本實施例對此不加以限制。
在一實施例中，第一開口區102與第二開口區103較佳為具有相同形狀或相同特徵的開口圖案，且第一開口區102的尺寸(或面積)至少大於第二開口區103的尺寸(或面積)。第一開口區102的尺寸為微米級，尤其是第一開口區102的短邊或短軸的尺寸(以下稱寬度a1)較佳介於7~13微米之間，而第一開口區102的長邊或長軸的尺寸(以下稱長度b1)較佳介於8.8~33微米之間，用以形成與第一開口區102的尺寸(長度b1及寬度a1)相對應的間隔物。
在第1B及1C圖中，經實驗結果顯示，當第一開口區102的寬度a1介於7~13微米之間時，第一間隔物112的高度H1可維持在一預定範圍內(例如約2.8~3.3微米之間)。由實驗結果顯示，當將光罩100的第一開口區102的寬度a1設定在7~13微米之間 時，感光材料111顯影後的第一間隔物112的尺寸及高度H1係具有均一性與重現性的特性。
再者，較佳地，當光罩100的第二開口區103的寬度a2例如設定為7微米左右時，感光材料111顯影後的第二間隔物113的尺寸及高度H2亦具有均一性與重現性的特性。
如第1B及1C圖所示，第一開口區102可使光線L1經由第一開口區102投射至一感光材料111上，以於顯影製程後形成一第一間隔物112於一基板110上。第二開口區103可使光線L1經由第二開口區103投射至感光材料111上，以於顯影製程後形成一第二間隔物113於基板110上。在一實施例中，顯影後的第一間隔物112具有與第一開口區102的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值(b1/a1)相對應的幾何形狀(例如是橢圓形或矩形)，而顯影後的第二間隔物113具有與第二開口區103的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值(b2/a2)相對應的幾何形狀(例如是橢圓形或矩形)，且第一間隔物112具有一高度H1與一寬度a1’，第二間隔物113具有一高度H2與一寬度a2’，H1>H2且a1’>a2’。
在一實施例中，感光材料111可為正光阻材料或負光阻材料，其中負光阻材料經曝光後，光阻劑固化或高分子化而不能被顯影劑溶解，而未曝光的部分被顯影劑溶解。本實施例中可採用負光阻材料的曝光部分來做為第一間隔物112及第二間隔物113，或採用正光阻材料的未曝光部分來做為第一間隔物112及第二間隔物113。
此外，本實施例中亦可控制曝光光源(圖未繪示)的強度(intensity)以及曝光光源與光罩100之間的距離(簡稱為曝光距離)或其他的參數，來調整感光材料111所需的曝光量(exposure dose)。例如，曝光能量可為40mj或50mj，曝光距離可為130um、160um或190um。
另外，本實施例中採用的光罩100為二元光罩(binary mask)，可讓曝光光源直接穿過第一開口區102以及第二開口區103。相對於傳統的灰階光罩利用不同尺寸或數量的狹縫來調整開口的透光率，或相對於傳統的半色調網點光罩利用鉻膜的厚度來調整開口的透光率，本實施例之光罩100採用的開口圖案(即第一開口區102以及第二開口區103)來製造出不同高度間隔物，且二元光罩的製造成本低於傳統的灰階光罩及半色調網點光罩的成本，故本實施例可有效地可降低生產成本。此外，製作完成的第一間隔物112的寬度a1’與高度H1之間具有相關性(第二間隔物113的寬度a2’與高度H2之間亦具有相關性)，僅需改變開口的寬度或長度(短軸或長軸)，即可達到調整間隔物之高度的目的，不需採用灰階光罩或半色調網點光罩的圖案來調整開口的透光率，而使得本實施例更具有易於控制、製程簡單的優點。
請參照第1B及1C圖，由於第一間隔物112的曝光面積(或尺寸)大於第二間隔物113的曝光面積(或尺寸)，因此顯影後的第一間隔物112的高度H1大於顯影後的第二間隔物113的高度H2，即H1>H2。
舉例來說，請參照下表一之範例，當第一開口區102的短邊或短軸的尺寸(寬度a1)為7微米且長邊或長軸的尺寸(長度b1)介於8.8~24.5微米之間時，對應於第一開口區102的第一間隔物112的寬度a1’可介於6.28~8.24微米之間且長度b1’可介於5.66~14.73微米之間，且第一間隔物112的高度H1大約介於2.8~3.11微米之間。
Figure 106113808-A0305-02-0009-1
接著，請參照下表二之範例，當第一開口區102的短邊或短軸的尺寸(寬度a1)為9微米且長邊或長軸方向的尺寸(長度b1)介於13.5~29.3微米之間時，對應於第一開口區102的第一間隔物112的寬度a1’可介於8.2~8.68微米之間且長度b1’可介於8.47~20.6微米之間，且第一間隔物112的高度H1大約介於3.21~3.26微米之間。
Figure 106113808-A0305-02-0009-2
Figure 106113808-A0305-02-0010-3
接著，請參照下表三之範例，當第一開口區102的短邊或短軸的尺寸(寬度a1)為11微米且長邊或長軸的尺寸(長度b1)介於13.8~33微米之間時，對應於第一開口區102的第一間隔物112的寬度a1’可介於8.93~9.6微米之間且長度b1’可介於9.43~24.88微米之間，且第一間隔物112的高度H1大約介於3.27~3.32微米之間。
Figure 106113808-A0305-02-0010-4
接著，請參照下表四之範例，當第一開口區102的短邊或短軸的尺寸(寬度a1)為13微米且長邊或長軸的尺寸(長度b1)介於16.3~39.0微米時，第一間隔物112的寬度a1’可介於10.53~11.2微米之間且長度b1’可介於11.13~26.58微米之間，且第一間隔物112的高度H1大約介於3.34~3.38微米之間。
Figure 106113808-A0305-02-0011-5
由上述的表一至表四的內容可知，當第一間隔物112的寬度a1’由7微米增加到13微米，隨著第一間隔物112的曝光面積增加，第一間隔物112的高度H1可從2.8微米增加至3.38微米。很明顯地，間隔物的曝光面積(或尺寸)與顯影後的高度呈正相關性。
因此，本實施例可藉由對上述的光罩100開口區大小的設定，對顯影後的第一間隔物112及第二間隔物113的高度進行微幅調控。例如，設定光罩100的第一開口區102與第二開口區103分別具有長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值(b1/a1)大於或等於1.25的幾何形狀，且第一開口區102的面積大於第二開口區103的面積。如第1A圖所示，第一開口區102具有長軸與短軸的比值(b1/a1)大於或等於1.25的橢圓形，第二開口區103具有長軸與短軸的比值(b2/a2)大於或等於1.25的橢圓形。
請參照下表五，其中實驗1設定曝光能量為40mj，曝光距離為190um(以40/190表示)，實驗2設定曝光能量為40mj，曝光距離為160um(以40/160表示)，實驗3設定曝光能量 為40mj，曝光距離為130um(以40/130表示)，實驗4設定曝光能量為50mj，曝光距離為190um(以50/190表示)，實驗5設定曝光能量為50mj，曝光距離為160um(以50/160表示)，實驗6設定曝光能量為50mj，曝光距離為130um(以50/130表示)。此外，例1表示a1=a2=7微米，b1/a1=1.5且b2/a2>1.25時的第一間隔物112及第二間隔物113之間的高度差△PSH，例2表示a1=a2=7微米，b1/a1>1.8且b2/a2>1.25時的第一間隔物112及第二間隔物113之間的高度差△PSH，例3表示a1=9微米，a2=7微米，b1/a1>1.25且b2/a2>1.25時的第一間隔物112及第二間隔物113之間的高度差△PSH，例4表示a1=11微米，a2=7微米，b1/a1>1.25且b2/a2>1.25時的第一間隔物112及第二間隔物113之間的高度差△PSH。
Figure 106113808-A0305-02-0012-6
Figure 106113808-A0305-02-0013-7
在一實施例中，當設定好第一開口區102的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值(b1/a1)以及第二開口區103的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值(b2/a2)之後，還可進一步設定第一開口區102的寬度或短軸與第二開口區103的寬度或短軸的比值(a1/a2)及/或第一開口區102的長度或長軸與第二開口區103的長度或長軸的比值(b1/b2)，藉以調整第一間隔物112及第二間隔物113的高度差△PSH。在一實施例中，第一開口區102的寬度或短軸可大於第二開口區103的寬度或短軸(即a1>a2)且第一開口區102的長度或長軸可大於或等於第二開口區103的長度或長軸(即b1≧b2)，或者，第一開口區102的寬度或短軸可等於第二開口區103的寬度或短軸(即a1=a2)且第一開口區102的長度或長軸可大於第二開口區103的長度或長軸(即b1>b2)。舉例來說，當第一開口區102的寬度a1例如為9微米，第二開口區103的寬度a2例如為7微米時，第一開口區102的寬度與第二開口區103的寬度的比值(a1/a2)為9/7，或者，當第一開口區102的寬度a1例如為11微米， 第二開口區103的寬度a2例如為9或7微米時，第一開口區102的寬度與第二開口區103的寬度的比值(a1/a2)為11/9或11/7，或者，當第一開口區102的寬度a1例如為13微米，第二開口區103的寬度a2例如為11、9或7微米時，第一開口區102的寬度與第二開口區103的寬度的比值(a1/a2)為13/11、13/9或13/7。因此，本實施例可藉由設定第一開口區102的寬度與第二開口區103的寬度的比值(a1/a2)，對顯影後的第一間隔物112及第二間隔物113的高度差△PSH進行微幅調控。
舉例來說，請參見表五之例3，當a1=9微米，a2=7微米，a1/a2比值=9/7時，例3中的實驗1和實驗2顯示顯影後的第一間隔物112及第二間隔物113的高度差△PSH可控制在0.4~0.45微米之間。接著，請參見表五之例4，當a1=11微米，a2=7微米，a1/a2比值=11/7時，例4中的實驗1和實驗2顯示顯影後的第一間隔物112及第二間隔物113的高度差△PSH可分別控制在0.45~0.5微米及0.5~0.55微米之間。因此，由上述實驗1至2可推知，當寬度a1由9微米增加至11微米時，高度差△PSH可由0.4~0.45微米增加至0.45~0.5微米或由0.4~0.45微米增加至0.5~0.55微米。同樣，由例3及例4中的實驗3可推知，當寬度a1由9微米增加至11微米時，高度差△PSH可由0.6~0.65微米增加至0.7~0.75微米；由例3及例4中的實驗4可推知，當寬度a1由9微米增加至11微米時，高度差△PSH可由0.45~0.5微米增加至0.55~0.6微米；由例3及例4中的實驗5及實驗6可推知，當寬度a1 由9微米增加至11微米時，高度差△PSH可由0.2~0.25微米增加至0.25~0.3微米。很明顯地，間隔物的a1/a2比值與顯影後的高度差△PSH呈正相關性。
再者，請參照表五之例1，當a1=a2=7微米，b1=10.5微米，b2=8.8微米，b1/a1比值=1.5，b2/a2比值>1.25時，例1中的實驗1和實驗2顯示顯影後的第一間隔物112及第二間隔物113的高度差△PSH可控制在0.15~0.2微米之間。接著，請參見表五之例2，當a1=a2=7微米，b2=8.8微米，b1/a1比值>1.8，b2/a2比值>1.25時，例2中的實驗1和實驗2顯示顯影後的第一間隔物112及第二間隔物113的高度差△PSH可控制在0.3~0.35微米之間。由上述實驗1至2可推知，當長度b1的尺寸增加時，高度差△PSH可由0.15~0.2微米增加至0.3~0.35微米。同樣，由例1及例2中的實驗3可推知，當長度b1的尺寸增加時，高度差△PSH可由0.2~0.25微米增加至0.45~0.5微米；由例1及例2中的實驗4可推知，當長度b1的尺寸增加時，高度差△PSH可由0.15~0.2微米增加至0.35~0.4微米；由例1及例2中的實驗5及實驗6可推知，當長度b1的尺寸增加時，高度差△PSH可由0.1~0.15微米增加至0.15~0.2微米。很明顯地，當a1=a2時，間隔物的b1/b2比值與顯影後的高度差△PSH也可呈正相關性。
請參照第1C圖顯示之顯影後的間隔物112、113的側視圖，間隔物112、113之上表面可略微凸起，高度由中央往兩側方向漸減，且間隔物的側面大致上垂直於基板110的上表面。在一 實施例中，第一間隔物112與第二間隔物113的高度差△PSH可控制成最小為0.15微米，最大為0.75微米，本實施例對此不加以限制。
請參照第1D圖，其繪示依照本發明一實施例之液晶面板120，液晶面板120可包括一第一基板121、第二基板122、一液晶層125。上述實施例中的第一間隔物112與第二間隔物113可形成在第一基板121(例如彩色濾光片基板)或第二基板122(例如薄膜電晶體陣列基板)上，且第二基板122與第一基板121相對組裝之後，第一間隔物112與第二間隔物113用以間隔第一基板121與第二基板122。在一實施例中，第一基板121上可設置彩色濾光層(圖未繪示)、一共同電極123以及多個遮光層124(例如是黑色矩陣)。此外，第二基板122上可設置多個薄膜電晶體元件(僅繪示其二)T1、T2、多個畫素電極(僅繪示其二)P1、P2以及一鈍化層126，各個薄膜電晶體元件T1、T2由下而上依序包括一閘極G、一閘極絕緣層GI、一主動層CH、兩個重摻雜半導體層SC、一源極S以及一汲極D。鈍化層126覆蓋在薄膜電晶體元件T1、T2上。在一實施例中，第一間隔物112例如與第二基板122上的鈍化層126或其他結構接觸，用以間隔第一基板121與第二基板122，以達到維持第一基板121與第二基板122之間隙，而第二間隔物113可發揮輔助支撐的作用。
第一間隔物112與第二間隔物113可避免液晶面板120中央凹陷而變形，以保持第一基板121與第二基板122之間的 間距大於一設定值。在一實施例中，當液晶面板120的顯示面為曲面時，可藉由第一間隔物112與第二間隔物113的高度差△PSH來調整第一基板121與第二基板122之間的間距，不限定為固定間距。當然，除了圖式中的兩種不同高度的間隔物之外，液晶面板120亦可應用三種或三種以上不同高度的間隔物來調整第一基板121與第二基板122之間的間距，本實施例對此不加以限制。
請參照第2A及2B圖，其中第2A圖繪示另一實施例之光罩101，第2B圖繪示使用此光罩101所形成的間隔物結構，與上述實施例不同之處在於，本實施例之光罩101中，第一開口區104為長度與寬度的比值(b1/a1)大於或等於1.25的矩形，第二開口區105為長度與寬度的比值(b2/a2)大於或等於1.25的矩形，且第一開口區104的面積大於第二開口區105的面積，同時，顯影後的第一間隔物114具有與第一開口區104的長度與寬度的比值(b1/a1)相對應的形狀，而顯影後的第二間隔物115具有與第二開口區105的長度與寬度的比值(b2/a2)相對應的形狀。在第2B圖中，顯影後的間隔物的上表面可為平面或略微凸起，高度H1’、H2’可由中央往兩側方向漸減或不變，且間隔物的側面大致上垂直或傾斜於基板110的上表面(例如為梯形)。有關第一開口區104的長度與寬度比值(b1/a1)、第二開口區105的長度與寬度比值(b2/a2)與顯影後的間隔物的高度差△PSH之間的關係，如同上述實施例所述，在此不再贅述。
接著，請參照第3A及3B圖，其分別繪示另二實施例之光罩100’及100”，其中光罩100’的開口為平行四邊形，而光罩100”的開口為菱形。在第3A圖中，第一開口區106具有一長度b3以及一寬度a3，第二開口區107具有一長度b4以及一寬度a4。此處的長度b3、b4設為平行四邊形的長邊尺寸，寬度a3、a4設為平行四邊形的相對二長邊之間的垂直距離。第一開口區106為長度與寬度的比值(b3/a3)大於或等於1.25的平行四邊形，第二開口區107為長度與寬度的比值(b4/a4)大於或等於1.25的平行四邊形，且第一開口區106的面積大於第二開口區107的面積。另外，在第3B圖中，第一開口區108的對角方向上具有一長軸b5以及一短軸a5，第二開口區109的對角方向上具有一長軸b6以及一短軸a6。第一開口區108具有長軸與短軸的比值(b5/a5)大於或等於1.25的菱形，第二開口區109具有長軸與短軸的比值(b6/a6)大於或等於1.25的菱形，且第一開口區108的面積大於第二開口區109的面積。由上述的說明可知，光罩開口不限定為橢圓形或矩形，亦可為平行四邊形或菱形，或者為長條型開口。利用平行四邊形或菱形等圖案的光罩開口所形成的間隔物，與上述實施例中利用橢圓形或矩形的光罩開口所形成的間隔物具有類似或相同的特性，藉以調整第一間隔物與第二間隔物的高度差△PSH。
請參照第4圖及表五，其中第4圖的縱軸為高度差△PSH，橫軸為第一間隔物112尺寸(a1*b1)，其中NO.1為對應表五之實驗1中的高度差△PSH與第一間隔物尺寸的關係線；NO.2為 對應表五之實驗2中的高度差△PSH與第一間隔物尺寸的關係線；NO.3為對應表五之實驗3中的高度差△PSH與第一間隔物尺寸的關係線；NO.4為對應表五之實驗4中的高度差△PSH與第一間隔物尺寸的關係線；NO.5為對應表五之實驗5中的高度差△PSH與第一間隔物尺寸的關係線；NO.6為對應表五之實驗6中的高度差△PSH與第一間隔物尺寸的關係線。上述之關係線NO.1至NO.6均示例當第一間隔物的面積(或尺寸)增加時，第一間隔物112與第二間隔物113的高度差△PSH也會隨之增加，兩者呈線性關係。例如，在實驗1中高度差△PSH可由0.15~0.2微米增加至0.45~0.5微米；在實驗2中高度差△PSH可由0.15~0.2微米增加至0.5~0.55微米；在實驗3中高度差△PSH可由0.2~0.25微米增加至0.7~0.75微米；在實驗4中高度差△PSH可由0.15~0.2微米增加至0.55~0.6微米；在實驗5中高度差△PSH可由0.1~0.15微米增加至0.25~0.3微米；在實驗6中高度差△PSH可由0.1~0.15微米增加至0.25~0.3微米。因此，利用本實施例之光罩所形成的間隔物的均一性佳，相對地再現性佳且容易製造。
本發明上述實施例所揭露之光罩、對應之間隔物結構及應用其之液晶面板，係利用二元光罩來製作開口圖案，可讓曝光光線直接穿過第一開口區以及第二開口區。相對於傳統的灰階光罩或半色調網點光罩，上述實施例採用的二元光罩的製造成本低於傳統的灰階光罩及半色調網點光罩，故可降低生產成本。此外，僅需改變開口區的寬度或長度(短軸或長軸的大小)，即可對間 隔物的高度進行調整，故更具有易於設計、容易控制之優點。此外，上述實施例之間隔物係具有良好的均一性及再現性。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:光罩
100a:短邊
100b:長邊
102:第一開口區
103:第二開口區
a1、a2:寬度
b1、b2:長度

Claims (14)

  1. 一種利用一光罩所形成的間隔物結構，該光罩包括：一第一開口區；以及一第二開口區，其中該第一開口區與該第二開口區分別具有長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值大於或等於1.25的幾何形狀，且該第一開口區的面積大於該第二開口區的面積，其中該間隔物結構包括：一第一間隔物；以及一第二間隔物，其中該第一間隔物具有與該第一開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值相對應的幾何形狀，該第二間隔物具有與該第二開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值相對應的幾何形狀，且該第一間隔物與該第二間隔物之間具有一高度差。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第一開口區與該第二開口區的幾何形狀為橢圓形、矩形與平行四邊形至少其中之一。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第一開口區的寬度或短軸大於或等於第二開口區的寬度或短軸，或者該第一開口區的寬度或短軸等於第二開口區的寬度或短軸且該第一開口區的長度或長軸大於第二開口區的長度或長軸。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之間隔物結構，其中當該第一開口區的寬度或短軸大於該第二開口區的寬度或短軸時， 該第一開口區的寬度或短軸與該第二開口區的寬度或短軸的比值大於9/7。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之間隔物結構，其中當該第二開口區的寬度或短軸實質上為7微米時，該第一開口區的寬度或短軸的大小係介於7~13微米之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之間隔物結構，其中當該第一開口區的寬度或短軸的大小介於7~13微米之間時，該第一開口區的長度或長軸的大小介於8.8~39微米之間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之間隔物結構，其中當該第二開口區的寬度或短軸實質上為7微米時，該第二開口區的長度或長軸大於或等於8.8微米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第一間隔物的面積大於該第二間隔物的面積，且該第一間隔物的高度大於該第二間隔物的高度，該第一間隔物與該第二間隔物的該高度差與該第一間隔物及該第二間隔物之間的面積比值呈正相關性。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第一間隔物與該第二間隔物的該高度差介於0.15~0.75微米之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第一開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值大於等於1.5，該第二開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值為 1.25時，該第一間隔物及該第二間隔物的高度差在0.15~0.2微米或0.2~0.25微米之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第一開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值大於1.8，該第二開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值為1.25時，該第一間隔物及該第二間隔物的該高度差控制在0.3~0.35微米或0.45~0.5微米之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第二開口區的寬度或短軸為7微米，該第一開口區的寬度或短軸由9微米增加至11微米時，該第一間隔物及該第二間隔物的該高度差由0.4~0.45微米增加至0.45~0.5微米或由0.6~0.65微米增加至0.7~0.75微米。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之間隔物結構，其中該第一開口區的寬度或短軸與該第二開口區的寬度或短軸等於7微米，且該第一開口區的長度與寬度的比值或長軸與短軸的比值由1.5增加至1.8時，該第一間隔物及該第二間隔物的該高度差由0.15~0.2微米增加至0.3~0.35微米或由0.2~0.25微米增加至0.45~0.5微米。
  14. 一種具有申請專利範圍第1項所述之間隔物結構的液晶面板，包括一薄膜電晶體陣列基板、一液晶層以及一彩色濾光片基板，其中該第一間隔物與該第二間隔物設置於該彩色濾光片基板上，用以間隔該薄膜電晶體陣列基板與該彩色濾光片基板。
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