JPH0244728A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法Info
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- JPH0244728A JPH0244728A JP19655088A JP19655088A JPH0244728A JP H0244728 A JPH0244728 A JP H0244728A JP 19655088 A JP19655088 A JP 19655088A JP 19655088 A JP19655088 A JP 19655088A JP H0244728 A JPH0244728 A JP H0244728A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置を製造する場合に用いることがで
きる半導体製造装置及び半導体製造方法に関するもので
ある。
きる半導体製造装置及び半導体製造方法に関するもので
ある。
従来の技術
従来のウェットエツチングは、エツチング液とエツチン
グされる材料との化学反応によってエツチングを行って
いる為、選択的にある一部分をエツチングする事はでき
ず、第４図ａの半導体装置のＡ１配線５上に形成した絶
縁膜９の平坦化には平坦性にすぐれたレジスト材１１を
ｂの様に塗床して表面を平坦にする。その後レジスト材
１１と絶縁膜９をドライエツチングによって同時にエツ
チングして絶縁膜９の段差をＣの様に小さくする。ｄは
レジスト材を除去した後、絶縁膜９゛を絶縁膜９上に形
成し、ＡＩ配線８上の絶縁膜を平坦化し、その上にＡＩ
配９１２を形成するものであった。
グされる材料との化学反応によってエツチングを行って
いる為、選択的にある一部分をエツチングする事はでき
ず、第４図ａの半導体装置のＡ１配線５上に形成した絶
縁膜９の平坦化には平坦性にすぐれたレジスト材１１を
ｂの様に塗床して表面を平坦にする。その後レジスト材
１１と絶縁膜９をドライエツチングによって同時にエツ
チングして絶縁膜９の段差をＣの様に小さくする。ｄは
レジスト材を除去した後、絶縁膜９゛を絶縁膜９上に形
成し、ＡＩ配線８上の絶縁膜を平坦化し、その上にＡＩ
配９１２を形成するものであった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来方法では、ウェットエツチング
では、絶縁膜は等方的にエツチングされるという問題点
があった。
では、絶縁膜は等方的にエツチングされるという問題点
があった。
また、従来のドライエツチングによる平坦化方法は、半
導体装置にダメージを与えるという問題点があった。
導体装置にダメージを与えるという問題点があった。
上記の問題は、ウェットエツチングでは、化学反応を用
いている為、エツチング液と接触する全ての場所で化学
反応が起こりエツチングされる為である。
いている為、エツチング液と接触する全ての場所で化学
反応が起こりエツチングされる為である。
また従来のドライエツチングでは、放射線によるダメー
ジや、イオンによるチャージアップが起こる為である。
ジや、イオンによるチャージアップが起こる為である。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、金属層
上の絶縁膜のエツチング速度を増加させ、ウェットエツ
チングによる平坦化を提供することを目的とする。
上の絶縁膜のエツチング速度を増加させ、ウェットエツ
チングによる平坦化を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明は、赤外線を照射する
部分とエツチングする槽と温度を制御する部分を備え、
赤外線を照射しながら、ウェットエツチングする半導体
製造装置によって、金属層上の絶縁膜のエツチング速度
を速（し、平坦化する半導体製造方法である。
部分とエツチングする槽と温度を制御する部分を備え、
赤外線を照射しながら、ウェットエツチングする半導体
製造装置によって、金属層上の絶縁膜のエツチング速度
を速（し、平坦化する半導体製造方法である。
作 用
本発明は前記した構成により、照射した赤外線は、金属
での反射係数がほぼ−に近いため、下地に金属がある部
分では、照射された赤外線の吸収強度は、ランバート・
ベールの法則にしたがって、金属で反射された赤外線が
再び絶縁膜で吸収され、下地に金属がある部分と、ない
部分では分子振動が異なって温度差を生じる。この温度
差によりエツチング速度が異なり、平坦化が可能となる
。
での反射係数がほぼ−に近いため、下地に金属がある部
分では、照射された赤外線の吸収強度は、ランバート・
ベールの法則にしたがって、金属で反射された赤外線が
再び絶縁膜で吸収され、下地に金属がある部分と、ない
部分では分子振動が異なって温度差を生じる。この温度
差によりエツチング速度が異なり、平坦化が可能となる
。
実 施 例
以下、実施例の図面に基づいて本発明について更に詳し
く説明する。
く説明する。
第１図は本実施例にかかる半導体製造装置を示す。１は
赤外線発生装置でエツチングする絶縁膜の特性吸収波長
を発生することができる。２は絶縁膜の特性吸収波長の
赤外線を示す。３はエツチング槽で１０はエツチング液
で、エツチング液は、４の恒温槽で温度を制御し、５の
多孔板を通して均一に３のエツチング槽へもどる。エツ
チング液は、循環している。
赤外線発生装置でエツチングする絶縁膜の特性吸収波長
を発生することができる。２は絶縁膜の特性吸収波長の
赤外線を示す。３はエツチング槽で１０はエツチング液
で、エツチング液は、４の恒温槽で温度を制御し、５の
多孔板を通して均一に３のエツチング槽へもどる。エツ
チング液は、循環している。
６はシリコン基板で７は下地絶縁膜で、８はＡ１配線で
ある。９はエツチングされる絶縁膜である。
ある。９はエツチングされる絶縁膜である。
第２図は、特性吸収波長２で強度■の赤外線が入射した
場合Ａｔ配線８上で強度■○となるが赤外線はＡｔ配線
上で全反射し絶縁膜で再び吸収して■０２となり放出す
る。Ａｔ配線上での特性吸収波長２の吸収は、ｌｏｇ
（１／ Ｉ Ｏ２） ＝ ２ｋｃｄとなる。ｋは定数、
Ｃは試料濃度、ｄはＡｔ配線上の絶縁膜の厚さである。
場合Ａｔ配線８上で強度■○となるが赤外線はＡｔ配線
上で全反射し絶縁膜で再び吸収して■０２となり放出す
る。Ａｔ配線上での特性吸収波長２の吸収は、ｌｏｇ
（１／ Ｉ Ｏ２） ＝ ２ｋｃｄとなる。ｋは定数、
Ｃは試料濃度、ｄはＡｔ配線上の絶縁膜の厚さである。
したがって、Ａ１配線上の絶縁膜と、Ａｔ配線のない部
分での赤外線の吸収量が異なる為、分子振動による温度
上昇が異なり、エツチング速度が異なる。
分での赤外線の吸収量が異なる為、分子振動による温度
上昇が異なり、エツチング速度が異なる。
第３図は、上記装置により、Ａｔ配線による段差を平坦
化する途中の図である。
化する途中の図である。
ａは、Ａｔ配線上に絶縁膜９を形成した図である。ｂは
、第１図の装置により、赤外線を照射しながらエツチン
グした後の絶縁膜の形状を示す。
、第１図の装置により、赤外線を照射しながらエツチン
グした後の絶縁膜の形状を示す。
絶縁膜は第２図に示した様にＡｔ配線上の絶縁膜のエツ
チング速度が増加し、他の部分とエツチング速度が異な
る為、ａの図の段差は少なくなり平坦化される。０図は
、段差が少なくなったところで、さらに絶縁膜を形成し
た図である。以上のように本実施例によれば、赤外線を
照射しながらウェットエツチングすることによって、Ａ
ｔ配線上のエツチング速度を増加し、平坦化することが
可能となる。なお本発明は、Ａｔ配線に限らず赤外線に
対して反射係数の高い下地構造であれば、上層の絶縁膜
、導電膜の一部等のエツチングにも用いることができる
ことはいうまでもない。
チング速度が増加し、他の部分とエツチング速度が異な
る為、ａの図の段差は少なくなり平坦化される。０図は
、段差が少なくなったところで、さらに絶縁膜を形成し
た図である。以上のように本実施例によれば、赤外線を
照射しながらウェットエツチングすることによって、Ａ
ｔ配線上のエツチング速度を増加し、平坦化することが
可能となる。なお本発明は、Ａｔ配線に限らず赤外線に
対して反射係数の高い下地構造であれば、上層の絶縁膜
、導電膜の一部等のエツチングにも用いることができる
ことはいうまでもない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、赤外線が反射され
ることにより、エツチング速度が速くなるため、平坦化
に用いる事ができ、さらにエツチングは化学反応を用い
ているのでダメージのない、半導体装置の製造にその実
用的効果は大きい。
ることにより、エツチング速度が速くなるため、平坦化
に用いる事ができ、さらにエツチングは化学反応を用い
ているのでダメージのない、半導体装置の製造にその実
用的効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における半導体製造装置の概
略断面図、第２図は赤外線の吸収強度の違いを示す説明
図、第３図は本発明の半導体装置装置により、ＡＩ配線
上の絶縁膜を選択的ζこ工・ソチングし、平坦化する製
造工程断面図、第４図（ま従来の平坦化工程の製造工程
概略断面図である。 １・・・・・・赤外線発生装置、３・・・・・・工・ソ
チング槽、４・・・・・・恒温槽、６・・・・・・シリ
コン基板、８・・・・・・Ａ１配線、９・・・・・・絶
縁膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名Ｓｔ図 ２− 特性吸収本外先 ８−ＡＮＮ繊 織 −ｍ−絶縁膜 第２図 ！ −−一 −一− −一− ７−・− ８−・・ ？ − 先外線昼先装置 工−ソチング福 ＬＳＳ シリコｙ幕板 下地絶ｍ膿 Ａｊ Ｅ課 絶縁膜 ６−一−シ リ コ ソ ＆ 板７− 下地
絶縁膜 ８−・−ＡＩ配慮 ？ −−一 纒 Ｒ膿
略断面図、第２図は赤外線の吸収強度の違いを示す説明
図、第３図は本発明の半導体装置装置により、ＡＩ配線
上の絶縁膜を選択的ζこ工・ソチングし、平坦化する製
造工程断面図、第４図（ま従来の平坦化工程の製造工程
概略断面図である。 １・・・・・・赤外線発生装置、３・・・・・・工・ソ
チング槽、４・・・・・・恒温槽、６・・・・・・シリ
コン基板、８・・・・・・Ａ１配線、９・・・・・・絶
縁膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名Ｓｔ図 ２− 特性吸収本外先 ８−ＡＮＮ繊 織 −ｍ−絶縁膜 第２図 ！ −−一 −一− −一− ７−・− ８−・・ ？ − 先外線昼先装置 工−ソチング福 ＬＳＳ シリコｙ幕板 下地絶ｍ膿 Ａｊ Ｅ課 絶縁膜 ６−一−シ リ コ ソ ＆ 板７− 下地
絶縁膜 ８−・−ＡＩ配慮 ？ −−一 纒 Ｒ膿
Claims (2)
- （１）赤外線を照射する部分とエッチングする槽とエッ
チング槽内のエッチング液の温度を制御する部分とを備
え、前記赤外線を照射しながら前記槽中で半導体基板を
ウェットエッチングする半導体製造装置。 - （２）赤外線に対して反射係数の高い金属層上に、赤外
線を吸収する絶縁膜を形成する工程と、赤外線を照射し
ながらウェットエッチングする工程と、さらに絶縁膜を
形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19655088A JPH0244728A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19655088A JPH0244728A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244728A true JPH0244728A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16359603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19655088A Pending JPH0244728A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279703A (en) * | 1990-07-06 | 1994-01-18 | Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for the thin etching of substrates |
| US8337101B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Imaging device |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19655088A patent/JPH0244728A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279703A (en) * | 1990-07-06 | 1994-01-18 | Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for the thin etching of substrates |
| US8337101B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Imaging device |
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