JPS61184828A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61184828A JPS61184828A JP60024857A JP2485785A JPS61184828A JP S61184828 A JPS61184828 A JP S61184828A JP 60024857 A JP60024857 A JP 60024857A JP 2485785 A JP2485785 A JP 2485785A JP S61184828 A JPS61184828 A JP S61184828A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板上に形成するホトレジストパター
ンの断面形状を再現性良く台形状にし、その後のドライ
エツチング工程後のエツチング断面の側壁に適度の傾斜
を形成することに関するものである。
ンの断面形状を再現性良く台形状にし、その後のドライ
エツチング工程後のエツチング断面の側壁に適度の傾斜
を形成することに関するものである。
従来の技術
半導体基板上に形成された各種薄膜（二酸化硅素、多結
晶シリコン、アルミニウム等）のエツチング方法はデバ
イスの微細化、高集積化に伴ない、反応性イオンエツチ
ング（以下ＲＩＢ）に代表される異方度（方向性）の強
いエツチング方法が用いられ乙ようになってきた。ＲＩ
Ｅで形成されたパターンの断面形状は、その側壁が垂直
に切り立つため、後工程の膜形成時に、その段差部での
被覆性が悪くなる問題がある。ＲＩＥ後のパターン側壁
に適度に傾斜をつける方法としては、−例として、エツ
チングマスクとして用いるホトレジストパターンを、エ
ツチング前に１５０℃以上の熱処理を加えて、台形状に
し、ＲＩＥ中の同レジストの横方向への円滑な後退を利
用し、これにより、開口部分の横方向への拡がりが大き
くなることを利用する方法が用いられている。
晶シリコン、アルミニウム等）のエツチング方法はデバ
イスの微細化、高集積化に伴ない、反応性イオンエツチ
ング（以下ＲＩＢ）に代表される異方度（方向性）の強
いエツチング方法が用いられ乙ようになってきた。ＲＩ
Ｅで形成されたパターンの断面形状は、その側壁が垂直
に切り立つため、後工程の膜形成時に、その段差部での
被覆性が悪くなる問題がある。ＲＩＥ後のパターン側壁
に適度に傾斜をつける方法としては、−例として、エツ
チングマスクとして用いるホトレジストパターンを、エ
ツチング前に１５０℃以上の熱処理を加えて、台形状に
し、ＲＩＥ中の同レジストの横方向への円滑な後退を利
用し、これにより、開口部分の横方向への拡がりが大き
くなることを利用する方法が用いられている。
発明が解決しようとする問題点
上記の従来法によると、熱処理後のレジストの断面形状
は、半導体基板とレジストの密着性や熱処理温度の不均
一性等により、非常に不安定なものとなる。また、従来
例では、熱処理による収縮作用で、レジストの断面形状
を台形状にするだめ、パターン側壁の形状を制御するこ
とも非常に困難であり、工程的に安定なものとは言えな
い。
は、半導体基板とレジストの密着性や熱処理温度の不均
一性等により、非常に不安定なものとなる。また、従来
例では、熱処理による収縮作用で、レジストの断面形状
を台形状にするだめ、パターン側壁の形状を制御するこ
とも非常に困難であり、工程的に安定なものとは言えな
い。
本発明は、上記の問題点の解決を図るものであり、使用
するホトレジストの相対感度を制御することで、露光現
像後のレジスト断面形状を安定して台形状にする方法の
提供を目的とするものである。
するホトレジストの相対感度を制御することで、露光現
像後のレジスト断面形状を安定して台形状にする方法の
提供を目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明の半導体装置の製造方法は、使用するホトレジス
トの相対感度をレジスト主表面より徐々に低下させるこ
と、実際には、露光波長に対する吸光剤をレジスト中に
添加し、光強度を低下させることで、露光現像後のレジ
スト断面形状を台形状にする方法である。
トの相対感度をレジスト主表面より徐々に低下させるこ
と、実際には、露光波長に対する吸光剤をレジスト中に
添加し、光強度を低下させることで、露光現像後のレジ
スト断面形状を台形状にする方法である。
作用
本発明によると、ホトレジストの感度を表面から厚み方
向に徐々に低下させておき、露光・現像処理で同レジス
トの断面形状を台形状にするため、工程的に非常に安定
するとともに、レジストの相対感度の低下の割合を変え
ることで、レジストの側壁形状（傾斜角）をも制御する
ことが可能になる。
向に徐々に低下させておき、露光・現像処理で同レジス
トの断面形状を台形状にするため、工程的に非常に安定
するとともに、レジストの相対感度の低下の割合を変え
ることで、レジストの側壁形状（傾斜角）をも制御する
ことが可能になる。
実施例
本発明による半導体装置の製造方法を、層間絶縁膜にコ
ンタクト窓を形成する場合に適用した実施例をもとに以
下に説明する。第１図ａ −ｄは本発明によりエツチン
グマスクとして、台形状のホトレジストハターンを形成
した後、層間絶縁膜としての二酸化硅素膜をＲＩｘによ
り異方性エツチングし、その後のアルミニウム配線を形
成した状態を示す工程順断面図である。まず、第１図ａ
に示すように、レジスト感度が、その主表面より徐々に
低下するホトレジスト１を塗布する。実施例としては、
ステッパーの露光波長である４ ３６１ｍ近傍の光を選
択的に吸収する吸光剤を添加したホトレジストを用いた
。第２因に本実施例で用いたホトレジスト中の露光時の
光強度分布を示した。
ンタクト窓を形成する場合に適用した実施例をもとに以
下に説明する。第１図ａ −ｄは本発明によりエツチン
グマスクとして、台形状のホトレジストハターンを形成
した後、層間絶縁膜としての二酸化硅素膜をＲＩｘによ
り異方性エツチングし、その後のアルミニウム配線を形
成した状態を示す工程順断面図である。まず、第１図ａ
に示すように、レジスト感度が、その主表面より徐々に
低下するホトレジスト１を塗布する。実施例としては、
ステッパーの露光波長である４ ３６１ｍ近傍の光を選
択的に吸収する吸光剤を添加したホトレジストを用いた
。第２因に本実施例で用いたホトレジスト中の露光時の
光強度分布を示した。
吸光度としては、１μｍ当り０．４のホトレジストを用
いた。
いた。
第１図すは、露光現像処理後のレジスト断面形状を示す
、レジスト内の光強度分布に従い、レジ状 スト断面形状は台形になる。この時、従来法と異なり、
レジストの断面形状は第２図に示す光強度分布のみで決
定され、非常に安定して形成することができる。この後
、従来法と同様、フレオン系のＲＩＭで二酸化硅素膜２
をエツチング処理した状態を第１図Ｃに、以降のアルミ
ニウム配線４を行った状態を第１図ｄに示す。
、レジスト内の光強度分布に従い、レジ状 スト断面形状は台形になる。この時、従来法と異なり、
レジストの断面形状は第２図に示す光強度分布のみで決
定され、非常に安定して形成することができる。この後
、従来法と同様、フレオン系のＲＩＭで二酸化硅素膜２
をエツチング処理した状態を第１図Ｃに、以降のアルミ
ニウム配線４を行った状態を第１図ｄに示す。
このようにして形成した半導体装置では、安定してコン
タクト窓部の側面に傾斜をつけることが可能であり、信
頼性の高いアルミニウム配線が形成されるところとなる
。
タクト窓部の側面に傾斜をつけることが可能であり、信
頼性の高いアルミニウム配線が形成されるところとなる
。
以上５本発明の方法を一例を示し説明したのであるが、
ホトレジストの吸光度を任意に変えることで、レジスト
の側壁の傾斜を制御することが可能であり、本発明の方
法で重要なことは、レジストの相対感度をレジスト主表
面から徐々に低下させることで現像後のレジスト断面形
状が台形になることを利用するものである。
ホトレジストの吸光度を任意に変えることで、レジスト
の側壁の傾斜を制御することが可能であり、本発明の方
法で重要なことは、レジストの相対感度をレジスト主表
面から徐々に低下させることで現像後のレジスト断面形
状が台形になることを利用するものである。
発明の効果
本発明の方法によれば、ホトレジストに熱処理を加えて
形状を台形状にする従来法に較べ、下地の影＊’ｔ−受
けず、非常に安定したものとなるばかりでなく、レジス
ト側壁の傾斜を制御することができ、工業的価値が高い
。
形状を台形状にする従来法に較べ、下地の影＊’ｔ−受
けず、非常に安定したものとなるばかりでなく、レジス
ト側壁の傾斜を制御することができ、工業的価値が高い
。
第１図ａ ％ ｄは本発明による半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、第２図は、本発明で用いた
ホトレジスト中の光強度分布の一例を示す図である。 １・・・・・・ホトレジスト、２・・・・・・二酸化硅
素膜、３・・・・・・ゲート電極、４・・・・・・アル
ミニウム配線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−一れトレジ′又ト 第 １ ｒＩ！Ｊ４−−−７’ｔｃ、Ｓ＝つ４１
１に第２図
を説明するための図であり、第２図は、本発明で用いた
ホトレジスト中の光強度分布の一例を示す図である。 １・・・・・・ホトレジスト、２・・・・・・二酸化硅
素膜、３・・・・・・ゲート電極、４・・・・・・アル
ミニウム配線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−一れトレジ′又ト 第 １ ｒＩ！Ｊ４−−−７’ｔｃ、Ｓ＝つ４１
１に第２図
Claims (3)
- （１）ポジ型ホトレジストの相対感度をレジスト主表面
より徐々に低下させ、露光現像後のレジスト断面形状を
台形状にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）ポジ型ホトレジストに露光波長を選択的に吸収す
る吸光材を添加することで、レジストの見かけ上の相対
感度を変化させることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体装置の製造方法。 - （３）ポジ型ホトレジストの露光波長の吸光度を１μｍ
当り０．３〜０．５にすることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024857A JPS61184828A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024857A JPS61184828A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184828A true JPS61184828A (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=12149886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60024857A Pending JPS61184828A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61184828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045857A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JPWO2005088396A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2008-01-31 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたレリーフパターン、及び固体撮像素子 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60024857A patent/JPS61184828A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045857A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP4673513B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8420546B2 (en) | 2001-08-01 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JPWO2005088396A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2008-01-31 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたレリーフパターン、及び固体撮像素子 |
| JP4743115B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2011-08-10 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたレリーフパターン、及び固体撮像素子 |
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