JPS61171132A - 貫通孔の形成方法 - Google Patents
貫通孔の形成方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、絶縁体層中に貫通孔を形成するための方法に
係る。
係る。
Ｂ、従来技術
集積回路素子の上部に形成された絶縁体層中に貫通孔を
形成する一般的概念は１周知である。それらの貫通孔は
、導電性材料で充填されていて。
形成する一般的概念は１周知である。それらの貫通孔は
、導電性材料で充填されていて。
下の素子と外部信号源との間に電気接点を与える。
更に、上記貫通孔により相互接続されている予め選択さ
れた領域を除き、金属化領域を相互に分離させるために
複数の絶縁層を用いて、それらの金属化領域を′有する
複数の層が形成されている。
れた領域を除き、金属化領域を相互に分離させるために
複数の絶縁層を用いて、それらの金属化領域を′有する
複数の層が形成されている。
当技術分野に於ては、金属部の段部を被覆する場合の問
題が従来存在している１貫通孔の側壁の傾斜が大きすぎ
ると、金属層は、貫通孔により生じた“段部”を被覆し
ない場合がある。そのような不連続な被覆は、線の解放
状態を生じて、素子の性能を実質的に劣化させることが
ある。その問題を解決する１つの方法は、貫通孔の側壁
の傾斜の鋭った角度を減少させることである。
題が従来存在している１貫通孔の側壁の傾斜が大きすぎ
ると、金属層は、貫通孔により生じた“段部”を被覆し
ない場合がある。そのような不連続な被覆は、線の解放
状態を生じて、素子の性能を実質的に劣化させることが
ある。その問題を解決する１つの方法は、貫通孔の側壁
の傾斜の鋭った角度を減少させることである。
米国特許第３８８０６８４号明細書は、侵食不可能なマ
スクを用いて、２重の誘電体構造体（異なるエツチング
特性を有する２つの誘電体層より成る）をエツチングす
る方法を開示している。それらの誘電体材料及びそれら
の層の相対的位置が、所望の貫通孔のプロフィルを形成
するように、予め選択されている。
スクを用いて、２重の誘電体構造体（異なるエツチング
特性を有する２つの誘電体層より成る）をエツチングす
る方法を開示している。それらの誘電体材料及びそれら
の層の相対的位置が、所望の貫通孔のプロフィルを形成
するように、予め選択されている。
米国特許第４３６９０９０号明細書は、初めに部分的に
硬化した層を用い、該層を硬化剤に選択的にさらして、
該層に所望のエツチング特性を生ぜしぬることにより、
ポリイミド絶縁体中に傾斜を有する貫通孔を形成する方
法を開示している。
硬化した層を用い、該層を硬化剤に選択的にさらして、
該層に所望のエツチング特性を生ぜしぬることにより、
ポリイミド絶縁体中に傾斜を有する貫通孔を形成する方
法を開示している。
米国特許第４３７８３８３号明細書は、絶縁体層中に貫
通孔を形成する方法を開示している。エツチング中に侵
食される、外側に張出した側壁を有するマスク層が用い
られている。
通孔を形成する方法を開示している。エツチング中に侵
食される、外側に張出した側壁を有するマスク層が用い
られている。
エレクトロケミカル・サイエンス・アンド・テクノロジ
、１９７８年６月、第８６０頁乃至８６５頁に於ける論
文は、より速いエツチング速度を有する上層を用いて、
下層中に予め選択された縁端部のプロフィルを形成する
ことについて論じている。
、１９７８年６月、第８６０頁乃至８６５頁に於ける論
文は、より速いエツチング速度を有する上層を用いて、
下層中に予め選択された縁端部のプロフィルを形成する
ことについて論じている。
Ｃ０発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、絶縁体層中の貫通孔の側壁の傾斜を該
絶縁体層上の層の厚さによって制御することにより、上
記傾斜を選択的に形作ることかできる。改良された貫通
孔の形成方法を提供することである。
絶縁体層上の層の厚さによって制御することにより、上
記傾斜を選択的に形作ることかできる。改良された貫通
孔の形成方法を提供することである。
Ｄ１問題点を解決するための手段
本発明は、絶縁体層中に所定の傾斜の側壁を有する貫通
孔を形成するための方法に於て；上記絶縁体層と実質的
に同じ速度でエツチングされる。
孔を形成するための方法に於て；上記絶縁体層と実質的
に同じ速度でエツチングされる。
選択された厚さを有する剥離可能な層を上記絶縁体層上
に形成し；上記の剥離可能な層上に、上記の剥離可能な
層と異なるエツチング特性を有する材料のパターン化さ
れた層を形成し；上記のパターン化された層をエッチン
グ・マスクとして用いて、上記の剥離可能な層及び上記
絶縁体層を等方性トチングして・上記絶縁体層中に貫通
孔を形 Ｊ成することを含む；貫通孔の形成方
法を提供する。
に形成し；上記の剥離可能な層上に、上記の剥離可能な
層と異なるエツチング特性を有する材料のパターン化さ
れた層を形成し；上記のパターン化された層をエッチン
グ・マスクとして用いて、上記の剥離可能な層及び上記
絶縁体層を等方性トチングして・上記絶縁体層中に貫通
孔を形 Ｊ成することを含む；貫通孔の形成方
法を提供する。
本発明の方法に於ては、基板上に形成された絶縁体層上
に、該絶縁体層と同様なエツチング特性を有する、剥離
可能な暦を形成する。その剥離可能な層の上に、該層と
異なるエツチング特性を有する、侵食不可能なマスク層
を形成する。それから、上記の侵食不可能なマスク層に
所望の貫通孔のパターンを形成し、上記の侵食不可能な
マスク層を経て、上記の剥離可能な層および上記絶縁体
層をエツチングして、上記絶縁体層中に貫通孔を形成す
る。上記絶縁体層中に形成された貫通孔の傾斜は、上記
絶縁体層の厚さと上記の剥離可能な層の厚さとの組み合
わせにより決定される。
に、該絶縁体層と同様なエツチング特性を有する、剥離
可能な暦を形成する。その剥離可能な層の上に、該層と
異なるエツチング特性を有する、侵食不可能なマスク層
を形成する。それから、上記の侵食不可能なマスク層に
所望の貫通孔のパターンを形成し、上記の侵食不可能な
マスク層を経て、上記の剥離可能な層および上記絶縁体
層をエツチングして、上記絶縁体層中に貫通孔を形成す
る。上記絶縁体層中に形成された貫通孔の傾斜は、上記
絶縁体層の厚さと上記の剥離可能な層の厚さとの組み合
わせにより決定される。
Ｅ、実施例
第１Ａ図乃至第１Ｄ図を参照して、本発明の詳細な説明
する。第１Ａ図は、エツチング前の付着された層の断面
を示している。シリコン基板１０上に、ポリイミド層１
２を、従来技術により形成する。基板を３５０℃のベー
キング工程にさらすことにより、ポリイミド層１２を充
分に硬化させる。ポリイミド層１２は、直接基板１０上
でなく、従来の集積回路等に於ける、基板上に予め付着
されている金属層、拡散領域、又は任意の他の構造体上
に形成されることもできる。
する。第１Ａ図は、エツチング前の付着された層の断面
を示している。シリコン基板１０上に、ポリイミド層１
２を、従来技術により形成する。基板を３５０℃のベー
キング工程にさらすことにより、ポリイミド層１２を充
分に硬化させる。ポリイミド層１２は、直接基板１０上
でなく、従来の集積回路等に於ける、基板上に予め付着
されている金属層、拡散領域、又は任意の他の構造体上
に形成されることもできる。
次に上記の硬化されたポリイミド層１２上に、剥離可能
な層１４を付着させる。剥離可能な層１４は、下のポリ
イミド層１２に影響を与えずに、剥離できる、又は他の
方法で除去できる任意の材料より成る。更に、剥離可能
な層１４とポリイミド層１２とは、同様なエツチング速
度を有しているべきである。そのような材料の１例は２
部分的に硬化されたポリイミド（即ち、略１２０’ｃで
略２０分間ベーキングされたポリイミド）である。
な層１４を付着させる。剥離可能な層１４は、下のポリ
イミド層１２に影響を与えずに、剥離できる、又は他の
方法で除去できる任意の材料より成る。更に、剥離可能
な層１４とポリイミド層１２とは、同様なエツチング速
度を有しているべきである。そのような材料の１例は２
部分的に硬化されたポリイミド（即ち、略１２０’ｃで
略２０分間ベーキングされたポリイミド）である。
その材料は下のポリイミド層をエツチングせずに。
Ｎ−メチル・ピロリドン（ＮＭＰ）を用いたエツチング
により剥離させて除去することができる。
により剥離させて除去することができる。
又、それらの２つのポリイミド層は、実質的に同様なエ
ツチング速度を有している。完全に硬化されていないポ
リイミドのもう１つの有利な特徴は。
ツチング速度を有している。完全に硬化されていないポ
リイミドのもう１つの有利な特徴は。
後の処理に於て、再溶融したり、変形したりしないこと
である。以下に更に詳述するように、２つのポリイミド
層の厚さが、ポリイミド層１２中に形成される貫通孔に
側壁の傾斜を決定する。
である。以下に更に詳述するように、２つのポリイミド
層の厚さが、ポリイミド層１２中に形成される貫通孔に
側壁の傾斜を決定する。
次に、上記ポリイミド層１４を、侵食不可能なマスク層
１６で被覆する。マスク層１６は、酸素（ｏ２）プラズ
マ・ガス中ではエツチングされない（即ち、侵食不可能
である）が、テトラフルオルメタン（ＣＦ４）及び酸素
（０２）のプラズマ・ガス中ではエツチングされる。任
意の材料（例えば、シリコン、又は硼珪酸塩ガラス或は
燐珪酸塩ガラスの如き回転被覆されたガラス）より成る
。
１６で被覆する。マスク層１６は、酸素（ｏ２）プラズ
マ・ガス中ではエツチングされない（即ち、侵食不可能
である）が、テトラフルオルメタン（ＣＦ４）及び酸素
（０２）のプラズマ・ガス中ではエツチングされる。任
意の材料（例えば、シリコン、又は硼珪酸塩ガラス或は
燐珪酸塩ガラスの如き回転被覆されたガラス）より成る
。
好ましくは、マスク層１６は、低温（９０℃よりも低い
）気相付着技術を用いて付着されたシリコンより成る。
）気相付着技術を用いて付着されたシリコンより成る。
マスク層１６は、略５０ｎｍの薄い厚さを有しているべ
きである。その厚さに於て、シリコンは、ピン・オール
を有しない程度に充分に厚く、透明になる程度に充分に
薄い（マスクの整合を容易にする）。
きである。その厚さに於て、シリコンは、ピン・オール
を有しない程度に充分に厚く、透明になる程度に充分に
薄い（マスクの整合を容易にする）。
次に、マスク層１６上にフォトレジスト層１８を被覆す
る。上記フォトレジスト層１８を、従来技術に従って、
マスクし、露光し、ＫＯＨ中で現像する。シリコンのマ
スク層１６及びフォトレジスト層１８の代りに、シリコ
ンを豊富に含むフォトレジストより成る単一の層（ｏ２
プラズマ中でのエツチング速度が遅い）を用いてもよい
。そのようなフォトレジストは、標準的なフォトレジス
トを、ＨＮＤＳの如き硬化剤にさらすことにより、形成
することができる。フォトレジストは、それらの化合物
中に存在するシリコンを吸収し、シリコンを豊富に含む
フォトレジストを形成する。
る。上記フォトレジスト層１８を、従来技術に従って、
マスクし、露光し、ＫＯＨ中で現像する。シリコンのマ
スク層１６及びフォトレジスト層１８の代りに、シリコ
ンを豊富に含むフォトレジストより成る単一の層（ｏ２
プラズマ中でのエツチング速度が遅い）を用いてもよい
。そのようなフォトレジストは、標準的なフォトレジス
トを、ＨＮＤＳの如き硬化剤にさらすことにより、形成
することができる。フォトレジストは、それらの化合物
中に存在するシリコンを吸収し、シリコンを豊富に含む
フォトレジストを形成する。
第１Ｂ図に示す如く、マスク層１６を、ＣＦ４及び０２
を用いた異方性のプラズマ・エツチングにより、フォト
レジスト層１８を経てエツチングする。上記フォトレジ
スト層中に形成されたパターンをマスク層１６に写すた
めに充分な時間間隔の間、上記構造体をエツチングする
。そのプロセスの間、ポリイミドはＣＦ、及び０２のプ
ラズマ中でエツチングされないので、下の剥離可能な層
１４はエツチングされない。
を用いた異方性のプラズマ・エツチングにより、フォト
レジスト層１８を経てエツチングする。上記フォトレジ
スト層中に形成されたパターンをマスク層１６に写すた
めに充分な時間間隔の間、上記構造体をエツチングする
。そのプロセスの間、ポリイミドはＣＦ、及び０２のプ
ラズマ中でエツチングされないので、下の剥離可能な層
１４はエツチングされない。
次に、第１Ｃ図に示す如く、剥離可能な層１４
Ｊ及びポリイミド層１２が異方性エツチングされ
るように、エツチング・ガスをＣＦ、及び０□から純粋
なｏ２に変える。マスク層１６は、そのエツチング工程
の間、剥離可能な層１４の上面を保護する。下の層がエ
ツチングされるとき、フォトレジスト層１８も除去され
る。このエツチング工程は、プラズマ・エツチング又は
高圧の反応性イオン・エツチングを用いて達成すること
ができる。
Ｊ及びポリイミド層１２が異方性エツチングされ
るように、エツチング・ガスをＣＦ、及び０□から純粋
なｏ２に変える。マスク層１６は、そのエツチング工程
の間、剥離可能な層１４の上面を保護する。下の層がエ
ツチングされるとき、フォトレジスト層１８も除去され
る。このエツチング工程は、プラズマ・エツチング又は
高圧の反応性イオン・エツチングを用いて達成すること
ができる。
剥離可能な層１４及びポリイミド層１２中にエツチング
される貫通孔のプロフィルは、エツチングの温度、時間
等の関数である。それら２つの層の各の厚さが、ポリイ
ミド層１２中にエツチングされる貫通孔の側壁に於て制
御可能な傾斜を生じるその特徴は、第２Ａ図乃至第２Ｅ
図に詳しく示されている。第２Ａ図に示す如く、剥離可
能な層１４とポリイミド層１２とが同一の厚さを有する
場合、貫通孔の側壁の傾斜は略６０°である。側壁の傾
斜は次式により示される。
される貫通孔のプロフィルは、エツチングの温度、時間
等の関数である。それら２つの層の各の厚さが、ポリイ
ミド層１２中にエツチングされる貫通孔の側壁に於て制
御可能な傾斜を生じるその特徴は、第２Ａ図乃至第２Ｅ
図に詳しく示されている。第２Ａ図に示す如く、剥離可
能な層１４とポリイミド層１２とが同一の厚さを有する
場合、貫通孔の側壁の傾斜は略６０°である。側壁の傾
斜は次式により示される。
第２Ｂ図に示す如く、剥離可能な層１４がポリイミド層
１２の厚さの１．５倍に等しい場合には、傾斜が５３″
に減少する。第２Ｃ図に示す如く、その比が２＝１の場
合には、角度が４８°に減少し、第２Ｄ図に示す如く、
その比が３＝１の場合には、角度が４１°になり、第２
Ｅ図に示す如くその比が４：１の場合には、角度が３７
°になる。
１２の厚さの１．５倍に等しい場合には、傾斜が５３″
に減少する。第２Ｃ図に示す如く、その比が２＝１の場
合には、角度が４８°に減少し、第２Ｄ図に示す如く、
その比が３＝１の場合には、角度が４１°になり、第２
Ｅ図に示す如くその比が４：１の場合には、角度が３７
°になる。
第２Ａ図乃至第２Ｅ図に示されている各各の例に於て、
層１２及び層１４中にエツチングされる貫通孔の全体的
プロフィルは同じである０層１４の厚さが層１２に関し
て増加するに従って、ポリイミド層１２中にエツチング
される貫通孔の側壁が貫通孔の全体的プロフィルの底の
部分によって画成される度合が大きくなる。従って１貫
通孔の全体的プロフィルは、その底部の領域に於て、傾
斜が減少しているので、貫通孔の側壁の傾斜は、層１４
の厚さが増加するに従って、減少する。
層１２及び層１４中にエツチングされる貫通孔の全体的
プロフィルは同じである０層１４の厚さが層１２に関し
て増加するに従って、ポリイミド層１２中にエツチング
される貫通孔の側壁が貫通孔の全体的プロフィルの底の
部分によって画成される度合が大きくなる。従って１貫
通孔の全体的プロフィルは、その底部の領域に於て、傾
斜が減少しているので、貫通孔の側壁の傾斜は、層１４
の厚さが増加するに従って、減少する。
層１２及び層１４中に貫通孔が完全に形成された後、プ
ラズマ・エツチング・ガスを、再び純粋なｏ２からＣＦ
４及び０２の混合物に変えて、マスク層１６を除去する
。最後に第１Ｄ図に示す如く、剥離可能な層１４を、Ｎ
−メチル・ピロリドン溶液中で湿式エツチングすること
により除去をして。
ラズマ・エツチング・ガスを、再び純粋なｏ２からＣＦ
４及び０２の混合物に変えて、マスク層１６を除去する
。最後に第１Ｄ図に示す如く、剥離可能な層１４を、Ｎ
−メチル・ピロリドン溶液中で湿式エツチングすること
により除去をして。
所定の傾斜の側壁を有する貫通孔を有しているポリイミ
ド層１２を形成する。本発明の方法に従って形成された
貫通孔は、公知の任意の金属化方法を用いて金属化する
ことができる。前述のように。
ド層１２を形成する。本発明の方法に従って形成された
貫通孔は、公知の任意の金属化方法を用いて金属化する
ことができる。前述のように。
剥離可能な層１４は、下のポリイミド層１２に悪影響を
与えずに、湿式エツチングにより剥離させて除去するこ
とができる。１２０’Ｃで硬化されたポリイミドの如き
材料より成る。Ｎ−メチル・ピロリドンによる剥離工程
の前に、不純物を除くために、剥離可能な層１４を酸素
プラズマによる灰化工程に短時間の間さらすことができ
る。その工程は、剥離可能な層１４の剥離可能性を増す
。
与えずに、湿式エツチングにより剥離させて除去するこ
とができる。１２０’Ｃで硬化されたポリイミドの如き
材料より成る。Ｎ−メチル・ピロリドンによる剥離工程
の前に、不純物を除くために、剥離可能な層１４を酸素
プラズマによる灰化工程に短時間の間さらすことができ
る。その工程は、剥離可能な層１４の剥離可能性を増す
。
以上に於て絶縁体層中に形成された貫通孔の側壁の傾斜
を選択的に形作ることができる本発明の方法について述
べた０本発明の方法を用いることにより、用いられる金
属パターンに最も有利な側壁の傾斜を選択することがで
きる０本発明の方法は、貫通孔の形成及び金属化技術に
於て広範囲に適応することができる０例えば、二酸化シ
リコン層がポリイミド層１２の機能を有し、窒化シリコ
ン層が剥離可能な層１４の機能を有し、パターン化され
たアルミニウム層が侵食不可能なマスク層１６の機能を
有している構造体にも、本発明の方法を用いることがで
きる。
を選択的に形作ることができる本発明の方法について述
べた０本発明の方法を用いることにより、用いられる金
属パターンに最も有利な側壁の傾斜を選択することがで
きる０本発明の方法は、貫通孔の形成及び金属化技術に
於て広範囲に適応することができる０例えば、二酸化シ
リコン層がポリイミド層１２の機能を有し、窒化シリコ
ン層が剥離可能な層１４の機能を有し、パターン化され
たアルミニウム層が侵食不可能なマスク層１６の機能を
有している構造体にも、本発明の方法を用いることがで
きる。
Ｆ１発明の効果
本発明によれば、絶縁体層中の貫通孔の側壁の傾斜を該
絶縁体層上の層の厚さによって制御することにより、上
記傾斜を選択的に形作ることかできる。改良された貫通
孔の形成方法が得られる。
絶縁体層上の層の厚さによって制御することにより、上
記傾斜を選択的に形作ることかできる。改良された貫通
孔の形成方法が得られる。
第１Ａ図乃至第１Ｄ図は本発明の方法に於て用いられる
層の付着及びエツチングを示す一連の断面図、第２Ａ図
乃至第２Ｅ図は剥離可能な層の厚さの関数として、貫通
孔の側壁の傾斜の変化を示す一連の断面図である。 １０・・・・シリコン基板、１２・・・・ポリイミド層
（絶縁体層）、１４・・・・剥離可能な層、１６・・・
・ Ｊ侵食不可能なマスク層、１８・・・・フ
ォトレジスト層。 ０２、ＮＭＰＬ：よん剥“自重 ↓
層の付着及びエツチングを示す一連の断面図、第２Ａ図
乃至第２Ｅ図は剥離可能な層の厚さの関数として、貫通
孔の側壁の傾斜の変化を示す一連の断面図である。 １０・・・・シリコン基板、１２・・・・ポリイミド層
（絶縁体層）、１４・・・・剥離可能な層、１６・・・
・ Ｊ侵食不可能なマスク層、１８・・・・フ
ォトレジスト層。 ０２、ＮＭＰＬ：よん剥“自重 ↓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁体層中に所定の傾斜の側壁を有する貫通孔を形成す
るための方法に於て、 上記絶縁体層と実質的に同じ速度でエッチングされる、
選択された厚さを有する剥離可能な層を上記絶縁体層上
に形成し、 上記の剥離可能な層上に、上記の剥離可能な層と異なる
エッチング特性を有する材料のパターン化された層を形
成し、 上記のパターン化された層をエッチング・マスクとして
用いて、上記の剥離可能な層及び上記絶縁体層を等方性
エッチングして、上記絶縁体層中に貫通孔を形成するこ
とを含む、 貫通孔の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US693698 | 1967-12-27 | ||
| US06/693,698 US4624740A (en) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Tailoring of via-hole sidewall slope |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61171132A true JPS61171132A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0445974B2 JPH0445974B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=24785728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60201904A Granted JPS61171132A (ja) | 1985-01-22 | 1985-09-13 | 貫通孔の形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4624740A (ja) |
| EP (1) | EP0188735B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61171132A (ja) |
| DE (1) | DE3572564D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342736A (en) * | 1992-01-16 | 1994-08-30 | Industrial Technology Research Institute | Method of wet etching of polyimide |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4606998A (en) * | 1985-04-30 | 1986-08-19 | International Business Machines Corporation | Barrierless high-temperature lift-off process |
| US4740800A (en) * | 1986-02-18 | 1988-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head |
| EP0286855A1 (de) * | 1987-04-15 | 1988-10-19 | BBC Brown Boveri AG | Verfahren zum Aetzen von Vertiefungen in ein Siliziumsubstrat |
| US5320979A (en) * | 1987-07-20 | 1994-06-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of connecting wirings through connection hole |
| US4935278A (en) * | 1988-04-28 | 1990-06-19 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk and fabrication process |
| US4883744A (en) * | 1988-05-17 | 1989-11-28 | International Business Machines Corporation | Forming a polymide pattern on a substrate |
| US4846929A (en) * | 1988-07-13 | 1989-07-11 | Ibm Corporation | Wet etching of thermally or chemically cured polyimide |
| EP0410635A1 (en) * | 1989-07-28 | 1991-01-30 | AT&T Corp. | Window taper-etching method in the manufacture of integrated circuit semiconductor devices |
| US5364816A (en) * | 1993-01-29 | 1994-11-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fabrication method for III-V heterostructure field-effect transistors |
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| US7060624B2 (en) * | 2003-08-13 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Deep filled vias |
| TW201026513A (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-16 | Univ Nat Cheng Kung | Imprinting process of polyimide |
Citations (1)
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Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1230421A (ja) * | 1967-09-15 | 1971-05-05 | ||
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| DE2636351C2 (de) * | 1976-08-12 | 1984-01-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen einer strukturierten Schicht auf einem Substrat |
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| JPS5896632A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド系樹脂のエツチング方法 |
| DE3225963A1 (de) * | 1982-07-10 | 1984-01-12 | Engl, Walter L., Prof. Dr.rer.nat., 5120 Herzogenrath | Verfahren zur strukturierung von polyimideschichten auf halbleitersystemen |
| US4461672A (en) * | 1982-11-18 | 1984-07-24 | Texas Instruments, Inc. | Process for etching tapered vias in silicon dioxide |
| US4495220A (en) * | 1983-10-07 | 1985-01-22 | Trw Inc. | Polyimide inter-metal dielectric process |
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| US4484979A (en) * | 1984-04-16 | 1984-11-27 | At&T Bell Laboratories | Two-step anisotropic etching process for patterning a layer without penetrating through an underlying thinner layer |
| US4523976A (en) * | 1984-07-02 | 1985-06-18 | Motorola, Inc. | Method for forming semiconductor devices |
-
1985
- 1985-01-22 US US06/693,698 patent/US4624740A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-13 JP JP60201904A patent/JPS61171132A/ja active Granted
- 1985-12-13 EP EP85115907A patent/EP0188735B1/en not_active Expired
- 1985-12-13 DE DE8585115907T patent/DE3572564D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018923A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | ポリイミド系樹脂層のテ−パエツチング方法 |
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| US5342736A (en) * | 1992-01-16 | 1994-08-30 | Industrial Technology Research Institute | Method of wet etching of polyimide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0188735A1 (en) | 1986-07-30 |
| EP0188735B1 (en) | 1989-08-23 |
| JPH0445974B2 (ja) | 1992-07-28 |
| DE3572564D1 (en) | 1989-09-28 |
| US4624740A (en) | 1986-11-25 |
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