JPH065562A - 半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
半導体薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH065562A JPH065562A JP18566392A JP18566392A JPH065562A JP H065562 A JPH065562 A JP H065562A JP 18566392 A JP18566392 A JP 18566392A JP 18566392 A JP18566392 A JP 18566392A JP H065562 A JPH065562 A JP H065562A
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- Japan
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- pattern
- thin film
- film
- polysilicon film
- semiconductor thin
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体薄膜パターンの表面に酸化膜を熱酸化
で形成した場合に、酸化膜が半導体薄膜パターンのエッ
ジ部で薄くなることを防止する。 【構成】 ポリシリコン膜１２上に滑らかにエッジ部を
有するフォトレジストパターン１３を形成した後、フォ
トレジストパターン１３とポリシリコン膜１２とでエッ
トングレートが略々等しい条件でポリシリコン膜１２の
エッチングを行う。すると、フォトレジストパターン１
３の滑らかなエッジ部形状が転写されてエッジ部が丸く
なったポリシリコン膜パターンが得られる。ポリシリコ
ン膜パターンのエッジ部が丸いことにより、表面にシリ
コン酸化膜を熱酸化で形成した場合に、ポリシリコン膜
パターンのエッジ部でも所望膜厚のシリコン酸化膜が形
成される。
で形成した場合に、酸化膜が半導体薄膜パターンのエッ
ジ部で薄くなることを防止する。 【構成】 ポリシリコン膜１２上に滑らかにエッジ部を
有するフォトレジストパターン１３を形成した後、フォ
トレジストパターン１３とポリシリコン膜１２とでエッ
トングレートが略々等しい条件でポリシリコン膜１２の
エッチングを行う。すると、フォトレジストパターン１
３の滑らかなエッジ部形状が転写されてエッジ部が丸く
なったポリシリコン膜パターンが得られる。ポリシリコ
ン膜パターンのエッジ部が丸いことにより、表面にシリ
コン酸化膜を熱酸化で形成した場合に、ポリシリコン膜
パターンのエッジ部でも所望膜厚のシリコン酸化膜が形
成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜トランジスタの
製造方法などに利用され、所定パターンの半導体薄膜を
形成する方法に関する。
製造方法などに利用され、所定パターンの半導体薄膜を
形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタにおいては、ソース・
ドレイン領域とチャンネル領域が形成される素子形成層
を半導体薄膜パターン、具体的にはポリシリコン膜パタ
ーンで形成している。その場合、ポリシリコン膜パター
ンは、下地絶縁性基板上の全面にポリシリコン膜を形成
した後、このポリシリコン膜をフォトレジストパターン
をマスクとしてエッチングすることにより得られてい
る。
ドレイン領域とチャンネル領域が形成される素子形成層
を半導体薄膜パターン、具体的にはポリシリコン膜パタ
ーンで形成している。その場合、ポリシリコン膜パター
ンは、下地絶縁性基板上の全面にポリシリコン膜を形成
した後、このポリシリコン膜をフォトレジストパターン
をマスクとしてエッチングすることにより得られてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
にしてポリシリコン膜パターンを形成した場合は、図６
に示すようにポリシリコン膜パターン１のエッジ部が直
角となるので、次にポリシリコン膜パターン１の表面に
ゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜２を熱酸化で形成す
ると、点線の丸印を付したポリシリコン膜パターン１の
エッジ部の角部においては生成されるシリコン酸化膜２
による応力によって酸化速度が遅くなり、この部分にお
けるシリコン酸化膜２の膜厚が他の部分に比べて薄くな
るので、絶縁耐圧が低下するという問題点があった。
にしてポリシリコン膜パターンを形成した場合は、図６
に示すようにポリシリコン膜パターン１のエッジ部が直
角となるので、次にポリシリコン膜パターン１の表面に
ゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜２を熱酸化で形成す
ると、点線の丸印を付したポリシリコン膜パターン１の
エッジ部の角部においては生成されるシリコン酸化膜２
による応力によって酸化速度が遅くなり、この部分にお
けるシリコン酸化膜２の膜厚が他の部分に比べて薄くな
るので、絶縁耐圧が低下するという問題点があった。
【０００４】この発明の目的は、表面に熱酸化で酸化膜
を形成した場合に、パターンのエッジ部で酸化膜が薄く
なることを防止できる半導体薄膜の形成方法を提供する
ことにある。
を形成した場合に、パターンのエッジ部で酸化膜が薄く
なることを防止できる半導体薄膜の形成方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体薄膜
上の一部に滑らかなエッジ部を有するフォトレジストパ
ターンを形成し、その後、前記フォトレジストパターン
と前記半導体薄膜でエッチングレートが略々等しい条件
で前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半導
体薄膜のエッチングを行うようにしたものである。
上の一部に滑らかなエッジ部を有するフォトレジストパ
ターンを形成し、その後、前記フォトレジストパターン
と前記半導体薄膜でエッチングレートが略々等しい条件
で前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半導
体薄膜のエッチングを行うようにしたものである。
【０００６】
【作用】この発明によれば、フォトレジストパターンの
滑らかなエッジ部の形状が転写された半導体薄膜パター
ンが得られるようになり、半導体薄膜パターンのエッジ
部に丸みをもたせることができるので、半導体薄膜パタ
ーンの表面に熱酸化で酸化膜を形成した場合は、該酸化
膜によって半導体薄膜パターンのエッジ部に加わる応力
を軽減でき、それにより半導体薄膜パターンのエッジ部
の酸化速度を平坦部と等しいように速くできるから、半
導体薄膜パターンのエッジ部にも平坦部と同様に所望の
膜厚の酸化膜が形成される。
滑らかなエッジ部の形状が転写された半導体薄膜パター
ンが得られるようになり、半導体薄膜パターンのエッジ
部に丸みをもたせることができるので、半導体薄膜パタ
ーンの表面に熱酸化で酸化膜を形成した場合は、該酸化
膜によって半導体薄膜パターンのエッジ部に加わる応力
を軽減でき、それにより半導体薄膜パターンのエッジ部
の酸化速度を平坦部と等しいように速くできるから、半
導体薄膜パターンのエッジ部にも平坦部と同様に所望の
膜厚の酸化膜が形成される。
【０００７】
【実施例】図１ないし図４はこの発明の一実施例として
薄膜トランジスタを製造する場合を工程順に示す図であ
る。これらの図を参照して以下この発明の一実施例を説
明する。まず図１に示すように、ガラスなどからなる絶
縁性基板１１上の全面にポリシリコン膜１２を形成す
る。次に、ポリシリコン膜１２上の全面にフォトレジス
トを塗布し、形成すべきポリシリコンパターンに対応す
るように露光・現像する。この後、ベーク処理を施すこ
とにより、ポリシリコン膜１２上にフォトレジストパタ
ーン１３を形成する。このとき、ベーク処理の条件を適
当に選ぶことにより、フォトレジストパターン１３のエ
ッジ部が丸みをもった滑らかな形状となるようにする。
薄膜トランジスタを製造する場合を工程順に示す図であ
る。これらの図を参照して以下この発明の一実施例を説
明する。まず図１に示すように、ガラスなどからなる絶
縁性基板１１上の全面にポリシリコン膜１２を形成す
る。次に、ポリシリコン膜１２上の全面にフォトレジス
トを塗布し、形成すべきポリシリコンパターンに対応す
るように露光・現像する。この後、ベーク処理を施すこ
とにより、ポリシリコン膜１２上にフォトレジストパタ
ーン１３を形成する。このとき、ベーク処理の条件を適
当に選ぶことにより、フォトレジストパターン１３のエ
ッジ部が丸みをもった滑らかな形状となるようにする。
【０００８】次に、フォトレジストパターン１３をマス
クとしてポリシリコン膜１２をエッチングするが、この
とき、フォトレジストパターン１３とポリシリコン膜１
２のエッチングレートが略々同一になるようにエッチン
グ条件を設定する。例えばエッチングガスとしてＣＦ4
とＯ2の混合ガスを用い、この混合比を適当に選ぶこと
でフォトレジストパターン１３とポリシリコン膜１２の
エッチングレートが等しくなるようにする。そして、こ
のような条件で、フォトレジストパターン１３もエッチ
ングしながらポリシリコン膜１２をエッチングすること
により、図２に示すように、フォトレジストパターン１
３の下に、該フォトレジストパターン１３の滑らかなエ
ッジ部形状を転写して、すなわちエッジ部に丸みを有す
るポリシリコン膜パターン１２ａを形成する。
クとしてポリシリコン膜１２をエッチングするが、この
とき、フォトレジストパターン１３とポリシリコン膜１
２のエッチングレートが略々同一になるようにエッチン
グ条件を設定する。例えばエッチングガスとしてＣＦ4
とＯ2の混合ガスを用い、この混合比を適当に選ぶこと
でフォトレジストパターン１３とポリシリコン膜１２の
エッチングレートが等しくなるようにする。そして、こ
のような条件で、フォトレジストパターン１３もエッチ
ングしながらポリシリコン膜１２をエッチングすること
により、図２に示すように、フォトレジストパターン１
３の下に、該フォトレジストパターン１３の滑らかなエ
ッジ部形状を転写して、すなわちエッジ部に丸みを有す
るポリシリコン膜パターン１２ａを形成する。
【０００９】次に、ポリシリコン膜パターン１２ａ上に
残った薄いフォトレジストパターン１３を除去した上
で、図３に示すように、ポリシリコン膜パターン１２ａ
の表面にゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜１４を熱酸
化で形成する。このとき、ポリシリコン膜パターン１２
ａにおいては、エッジ部が丸くなっているので、生成さ
れるシリコン酸化膜によってエッジ部に加わる応力は軽
減されるようになり、その結果、エッジ部の酸化速度が
平坦部と等しいように速くなる。したがって、ポリシリ
コン膜パターン１２ａの表面に形成されるシリコン酸化
膜１４は、ポリシリコン膜パターン１２ａの平坦部とと
もにエッジ部にも図５の部分拡大図に示すように所望の
膜厚で形成されることになる。すなわち、シリコン酸化
膜１４は、ポリシリコン膜パターン１２ａの表面全体に
所望の膜厚で形成される。
残った薄いフォトレジストパターン１３を除去した上
で、図３に示すように、ポリシリコン膜パターン１２ａ
の表面にゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜１４を熱酸
化で形成する。このとき、ポリシリコン膜パターン１２
ａにおいては、エッジ部が丸くなっているので、生成さ
れるシリコン酸化膜によってエッジ部に加わる応力は軽
減されるようになり、その結果、エッジ部の酸化速度が
平坦部と等しいように速くなる。したがって、ポリシリ
コン膜パターン１２ａの表面に形成されるシリコン酸化
膜１４は、ポリシリコン膜パターン１２ａの平坦部とと
もにエッジ部にも図５の部分拡大図に示すように所望の
膜厚で形成されることになる。すなわち、シリコン酸化
膜１４は、ポリシリコン膜パターン１２ａの表面全体に
所望の膜厚で形成される。
【００１０】しかる後は、図４に示すように、シリコン
酸化膜１４の表面上にポリシリコン膜パターン１２ａの
チャンネル領域に対応させてゲート電極１５をパターン
形成する。そして、このゲート電極１５をマスクとして
不純物のイオン注入を行うことにより、ゲート電極１５
両側のポリシリコン膜パターン１２ａにソース・ドレイ
ン領域１６を形成する。さらに、全表面に層間絶縁膜１
７を形成し、この層間絶縁膜１７とシリコン酸化膜１４
にコンタクトホール１８を開け、そのコンタクトホール
１８を通してソース・ドレイン領域１６に接続されるソ
ース・ドレイン電極１９を形成して薄膜トランジスタを
完成させる。
酸化膜１４の表面上にポリシリコン膜パターン１２ａの
チャンネル領域に対応させてゲート電極１５をパターン
形成する。そして、このゲート電極１５をマスクとして
不純物のイオン注入を行うことにより、ゲート電極１５
両側のポリシリコン膜パターン１２ａにソース・ドレイ
ン領域１６を形成する。さらに、全表面に層間絶縁膜１
７を形成し、この層間絶縁膜１７とシリコン酸化膜１４
にコンタクトホール１８を開け、そのコンタクトホール
１８を通してソース・ドレイン領域１６に接続されるソ
ース・ドレイン電極１９を形成して薄膜トランジスタを
完成させる。
【００１１】この薄膜トランジスタにおいては、ポリシ
リコン膜パターン１２ａの表面全体にゲート絶縁膜であ
るシリコン酸化膜１４が所望の厚さに形成されており、
ポリシリコン膜パターン１２ａのエッジ部でシリコン酸
化膜１４が薄くなるのを防止するので、ゲート絶縁耐圧
を高くとることができる。また、ポリシリコン膜パター
ン１２ａのエッジ部が滑らかなため層間絶縁膜１７の表
面の段差も滑らかなものとなり、この層間絶縁膜１７上
に形成される電極配線の段差での不良を低減できる。
リコン膜パターン１２ａの表面全体にゲート絶縁膜であ
るシリコン酸化膜１４が所望の厚さに形成されており、
ポリシリコン膜パターン１２ａのエッジ部でシリコン酸
化膜１４が薄くなるのを防止するので、ゲート絶縁耐圧
を高くとることができる。また、ポリシリコン膜パター
ン１２ａのエッジ部が滑らかなため層間絶縁膜１７の表
面の段差も滑らかなものとなり、この層間絶縁膜１７上
に形成される電極配線の段差での不良を低減できる。
【００１２】なお、上記一実施例はこの発明を薄膜トラ
ンジスタの製造方法に応用した場合であるが、この発明
は他の素子の製造方法にも利用できる。
ンジスタの製造方法に応用した場合であるが、この発明
は他の素子の製造方法にも利用できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体薄膜パターンのエッジ部を丸く形成したの
で、この半導体薄膜パターンの表面に熱酸化で酸化膜を
形成した場合に、この酸化膜が半導体薄膜パターンのエ
ッジ部で薄くなることを防止でき、半導体薄膜パターン
の表面全体に所望の膜厚で酸化膜を形成できる。したが
って、薄膜トランジスタの製造方法に利用すれば、ゲー
ト絶縁耐圧の大きい信頼性の高い薄膜トランジスタを得
ることができる。
ば、半導体薄膜パターンのエッジ部を丸く形成したの
で、この半導体薄膜パターンの表面に熱酸化で酸化膜を
形成した場合に、この酸化膜が半導体薄膜パターンのエ
ッジ部で薄くなることを防止でき、半導体薄膜パターン
の表面全体に所望の膜厚で酸化膜を形成できる。したが
って、薄膜トランジスタの製造方法に利用すれば、ゲー
ト絶縁耐圧の大きい信頼性の高い薄膜トランジスタを得
ることができる。
【図１】この発明の一実施例において、フォトレジスト
パターンの形成工程までを示す断面図。
パターンの形成工程までを示す断面図。
【図２】この発明の一実施例において、図１に続く工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】この発明の一実施例において、図２に続く工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】この発明の一実施例において、図３に続く工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】この発明の一実施例において、ポリシリコン膜
パターンのエッジ部を拡大して示す断面図。
パターンのエッジ部を拡大して示す断面図。
【図６】従来の製造方法の問題点を説明するための断面
図。
図。
１２ ポリシリコン膜 １２ａ ポリシリコン膜パターン １３ フォトレジストパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体薄膜上の一部に滑らかなエッジ部
を有するフォトレジストパターンを形成し、その後、前
記フォトレジストパターンと前記半導体薄膜でエッチン
グレートが略々等しい条件で前記フォトレジストパター
ンをマスクとして前記半導体薄膜のエッチングを行うよ
うにしたことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566392A JPH065562A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566392A JPH065562A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065562A true JPH065562A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16174695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18566392A Pending JPH065562A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065562A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7524313B2 (en) | 1996-04-02 | 2009-04-28 | The Procter & Gamble Company | Refastenable absorbent article and a method of applying thereof |
| US9724251B2 (en) | 2010-01-20 | 2017-08-08 | The Procter & Gamble Company | Refastenable absorbent article |
| CN116779431A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-09-19 | 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 | 一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法 |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP18566392A patent/JPH065562A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7524313B2 (en) | 1996-04-02 | 2009-04-28 | The Procter & Gamble Company | Refastenable absorbent article and a method of applying thereof |
| US9724251B2 (en) | 2010-01-20 | 2017-08-08 | The Procter & Gamble Company | Refastenable absorbent article |
| CN116779431A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-09-19 | 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 | 一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法 |
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