JPS60152027A - パタ−ン欠陥修正方法 - Google Patents
パタ−ン欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPS60152027A JPS60152027A JP59007133A JP713384A JPS60152027A JP S60152027 A JPS60152027 A JP S60152027A JP 59007133 A JP59007133 A JP 59007133A JP 713384 A JP713384 A JP 713384A JP S60152027 A JPS60152027 A JP S60152027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- film
- pattern
- plating solution
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はホトリングラフィ技術に使用されるホトマスク
に関し、特にホトマスクの欠陥を修正する方法に関する
ものである。
に関し、特にホトマスクの欠陥を修正する方法に関する
ものである。
半導体装置の製造に利用されるホトリソグラフィ技術で
は、形成するパターンと同−或いは相似のパターンを有
するホトマスクが必須のものとされる。このホトマスク
は一般に透明カラス基板の表面にクロム（Ｃｒ）等の金
属薄膜を所定パターンに形成したものであり、このクロ
ム薄膜のパターニングにもホトリソグラフィ技術が利用
される。
は、形成するパターンと同−或いは相似のパターンを有
するホトマスクが必須のものとされる。このホトマスク
は一般に透明カラス基板の表面にクロム（Ｃｒ）等の金
属薄膜を所定パターンに形成したものであり、このクロ
ム薄膜のパターニングにもホトリソグラフィ技術が利用
される。
ところで、このホトマスクにおいては、前述のようにホ
） ＩＪソグラフィ技術を利用して形成している以上異
物の付着やエツチング不良によるパターン不良が発生す
ることは避けらねず、所謂白点欠陥や黒点欠陥が生じる
ｉとになる。即ち、黒点欠陥はパターン以外の部位にク
ロム膜が残存する現象であり、白点欠陥はパタＣン部の
クロム膜が欠損されることである。
） ＩＪソグラフィ技術を利用して形成している以上異
物の付着やエツチング不良によるパターン不良が発生す
ることは避けらねず、所謂白点欠陥や黒点欠陥が生じる
ｉとになる。即ち、黒点欠陥はパターン以外の部位にク
ロム膜が残存する現象であり、白点欠陥はパタＣン部の
クロム膜が欠損されることである。
このため、これらの欠陥を修正する必要があり、黒点欠
陥に対しては欠陥部にレーザ光線を照射してこれを簡素
させるという比較的に容易な方法がとられている。一方
、白点欠陥に対しては、す７トオフ法やキレート法が考
えられる。リフトオフ法は、ホトマスク上にホトレジス
ト膜を形成し、部分露光、現像を行なって欠陥部のレジ
ストを除去した後に全面にクロム蒸着を行ない、その上
でレジストを全面除去することにより欠陥部に前述のク
ロム蒸着膜を残存させる方法である。また、キレート法
はホトマスク上にキレート（錯体）を塗布し、レーザ光
を欠陥部に局部照射することによりキレートを析出させ
これを光遮光膜として利用する方法である。
陥に対しては欠陥部にレーザ光線を照射してこれを簡素
させるという比較的に容易な方法がとられている。一方
、白点欠陥に対しては、す７トオフ法やキレート法が考
えられる。リフトオフ法は、ホトマスク上にホトレジス
ト膜を形成し、部分露光、現像を行なって欠陥部のレジ
ストを除去した後に全面にクロム蒸着を行ない、その上
でレジストを全面除去することにより欠陥部に前述のク
ロム蒸着膜を残存させる方法である。また、キレート法
はホトマスク上にキレート（錯体）を塗布し、レーザ光
を欠陥部に局部照射することによりキレートを析出させ
これを光遮光膜として利用する方法である。
しかしながら、前者の方法では選択金属蒸着であるため
にホトレジプロセス、蒸着プロセスの２工程が必要とさ
れ修正プロセス工程数が多くなると共に、ホトレジ上の
全面スパッタ処理のためレジストの剥離性が悪く蒸着金
属が残留して新たな欠陥を生じる等の問題があることが
本発明者によって明らかにされた。また、後者の方法で
は析出膜が錯体のために、ウェーハのホトレジプロセス
における使用前の水、薬品洗滌やスクラバー等の機械的
洗滌によって比較的簡単に剥離脱落されてしまい、耐久
性の高い欠陥修正を得ることができないという問題があ
ることが本発明者によって明らかにさハた。
にホトレジプロセス、蒸着プロセスの２工程が必要とさ
れ修正プロセス工程数が多くなると共に、ホトレジ上の
全面スパッタ処理のためレジストの剥離性が悪く蒸着金
属が残留して新たな欠陥を生じる等の問題があることが
本発明者によって明らかにされた。また、後者の方法で
は析出膜が錯体のために、ウェーハのホトレジプロセス
における使用前の水、薬品洗滌やスクラバー等の機械的
洗滌によって比較的簡単に剥離脱落されてしまい、耐久
性の高い欠陥修正を得ることができないという問題があ
ることが本発明者によって明らかにさハた。
本発明の目的は修正工数が少なくかつ修正作業も容易に
でき、しかもホトマスク洗滌時における耐薬性、耐機械
強度に優れた欠陥修正方法を提供するととＫある。
でき、しかもホトマスク洗滌時における耐薬性、耐機械
強度に優れた欠陥修正方法を提供するととＫある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、白点欠陥上に無電界めっき液を点滴下すると
共にレーザ光をこの欠陥上に局部照射してめっき液を局
部加熱し、加熱された局部にめっき膜を生成して欠陥修
正を行なうもので、これにより修正工数はめっき液の滴
下とレーザ光の照射工程との少ない工数でよく、しかも
形成された膜は金属膜であることから洗滌に対しても強
く、十分な耐久性が得られるものである。
共にレーザ光をこの欠陥上に局部照射してめっき液を局
部加熱し、加熱された局部にめっき膜を生成して欠陥修
正を行なうもので、これにより修正工数はめっき液の滴
下とレーザ光の照射工程との少ない工数でよく、しかも
形成された膜は金属膜であることから洗滌に対しても強
く、十分な耐久性が得られるものである。
第１図は本発明の欠陥修正、方法を実施する装置の全体
構成図であり、本例ではホトマスクのパターン欠陥を修
正する場合を示している。図において、左右方向に移動
可能なベースステージｌ上にはＸステージ２およびＹス
テージ３からなるＸＹテーブル４を塔載し、ベースステ
ージＩＦｉペース駆動部５により、また、ＸＹテーブル
４ＦｉＸＹ駆動部６により夫々平面所定方向に移動され
る。前記ＸＹテーブル４上には被修正物としてのホトマ
スク７を載置し、ている。このホトマスク７Ｖｉ！２図
（Ａｌのように透明石英板８０表面にクロム膜９を所定
のパターン形状に形成したものであり、このクロム膜９
、つまりパターンの一部にはクロム膜が欠損された白点
欠陥１０が生じているものとする。
構成図であり、本例ではホトマスクのパターン欠陥を修
正する場合を示している。図において、左右方向に移動
可能なベースステージｌ上にはＸステージ２およびＹス
テージ３からなるＸＹテーブル４を塔載し、ベースステ
ージＩＦｉペース駆動部５により、また、ＸＹテーブル
４ＦｉＸＹ駆動部６により夫々平面所定方向に移動され
る。前記ＸＹテーブル４上には被修正物としてのホトマ
スク７を載置し、ている。このホトマスク７Ｖｉ！２図
（Ａｌのように透明石英板８０表面にクロム膜９を所定
のパターン形状に形成したものであり、このクロム膜９
、つまりパターンの一部にはクロム膜が欠損された白点
欠陥１０が生じているものとする。
前記ベースステージ１が左方へ移動されたとき（図示仮
想線）のｘｙテーブル４上方位置には微小ノズル１１が
配置される。このノズル１１にはニッケルやクロム等の
金属無電界めっき液源１２がチューブ１３を介して接続
され、チ瓢−ブエ３の中間に介装したパルプ１４を開く
ことによって前記めっき液源１２のめっき液をノズル１
１先端から点滴下することができる。
想線）のｘｙテーブル４上方位置には微小ノズル１１が
配置される。このノズル１１にはニッケルやクロム等の
金属無電界めっき液源１２がチューブ１３を介して接続
され、チ瓢−ブエ３の中間に介装したパルプ１４を開く
ことによって前記めっき液源１２のめっき液をノズル１
１先端から点滴下することができる。
一方、ベースステージ１が右方へ移動されたときのＸＹ
テーブル４上方位置ＫＩ／′ｉしｒザ照射部１５が配設
される。このレーザ照射部１５はレーザ光源１６、ミラ
ー１７、結像レンズ系１８、アパーチャブレード１９お
よびシャッタ２０を有しでおり、シャッタ２０を開いた
ときにアパーチャブレード１９によって規制したレーザ
光束を結像レンズ系１８によってホトマスク７表面に局
部照射できる。
テーブル４上方位置ＫＩ／′ｉしｒザ照射部１５が配設
される。このレーザ照射部１５はレーザ光源１６、ミラ
ー１７、結像レンズ系１８、アパーチャブレード１９お
よびシャッタ２０を有しでおり、シャッタ２０を開いた
ときにアパーチャブレード１９によって規制したレーザ
光束を結像レンズ系１８によってホトマスク７表面に局
部照射できる。
そ１−て、前記ベース駆動部５、ＸＹ駆動部６、パルプ
１４、シャッタ２０、アパーチャブレード１９等は制御
部２１の信号によって作動さ汎るよ１）に構成され、特
にＸＹ駆動部６は前工程の外観検査工程により得られた
ホトマスク７の欠陥位置を記録したＭＴ（マスターテー
プ）データ２２の信号により作動されるようになってい
る。
１４、シャッタ２０、アパーチャブレード１９等は制御
部２１の信号によって作動さ汎るよ１）に構成され、特
にＸＹ駆動部６は前工程の外観検査工程により得られた
ホトマスク７の欠陥位置を記録したＭＴ（マスターテー
プ）データ２２の信号により作動されるようになってい
る。
次に、以上の構成の装置を用いた本発明方法を説明する
。
。
先ずペースステージｌＦｉ図示左方に移動され、ここで
ＭＴデータ２２に基づいてＸＹ駆動部６が作動される。
ＭＴデータ２２に基づいてＸＹ駆動部６が作動される。
これによりＸＹテーブル４は、ノズル１１の直下位置に
ホトマスク７の欠陥１ｏが位置するように移動１１．同
時にパルプ１４を開くことによってノズル１１からめっ
き液２３を点滴下させる。すると第２図（Ｂｌのように
欠陥１ｏがめつき液２３でカバーされる。この作用はホ
トマスク７上に存在する全ての欠陥に対して同様の動作
によって行なわれる。
ホトマスク７の欠陥１ｏが位置するように移動１１．同
時にパルプ１４を開くことによってノズル１１からめっ
き液２３を点滴下させる。すると第２図（Ｂｌのように
欠陥１ｏがめつき液２３でカバーされる。この作用はホ
トマスク７上に存在する全ての欠陥に対して同様の動作
によって行なわれる。
次いで、ペースステージ１１−を図示右方へ移動し、同
様にＭＴデータ２２によってＸＹテーブル４を移動させ
る。そして、今度はめっき液２３ｖｃカバーさ１１ｆｃ
欠陥１０をレーザ照射部１５に対１−１て位置合せし、
アパーチャブレード１９により欠陥１０をカバーする光
束とした上でシャッタ２０を開いてレーザ光２４をホト
マスク７表面に局部照射する。これにより、第２図（Ｃ
１のように欠陥１０上のめっき液２３は局部加熱され、
加熱された部位にニッケルやクロムの金属が析出されて
めっき膜２５が形成される。このめっき膜２５により欠
陥１０における石英板８上には新たに遮光膜が形成され
、所謂白点欠陥が修正さハる。他の欠陥も同様にして順
次修正される。
様にＭＴデータ２２によってＸＹテーブル４を移動させ
る。そして、今度はめっき液２３ｖｃカバーさ１１ｆｃ
欠陥１０をレーザ照射部１５に対１−１て位置合せし、
アパーチャブレード１９により欠陥１０をカバーする光
束とした上でシャッタ２０を開いてレーザ光２４をホト
マスク７表面に局部照射する。これにより、第２図（Ｃ
１のように欠陥１０上のめっき液２３は局部加熱され、
加熱された部位にニッケルやクロムの金属が析出されて
めっき膜２５が形成される。このめっき膜２５により欠
陥１０における石英板８上には新たに遮光膜が形成され
、所謂白点欠陥が修正さハる。他の欠陥も同様にして順
次修正される。
なお、形成されためっき膜２５は石英板８やクロム膜９
への密着性に優れており、しかも金属であることから、
薬や機械的な洗滌によっても容易に剥離されることはな
く、耐久性の高いものを得ることができる。
への密着性に優れており、しかも金属であることから、
薬や機械的な洗滌によっても容易に剥離されることはな
く、耐久性の高いものを得ることができる。
（１）欠陥上に無電界めっき液を点滴下した上で欠陥部
を局部加熱し、てめっき膜を生成して欠陥の修正を行な
うので、めっき液滴下と加熱の２工程゛でよく、修正工
程を低減して修正の簡易化、迅速化を達成できるという
効果が得られる。
を局部加熱し、てめっき膜を生成して欠陥の修正を行な
うので、めっき液滴下と加熱の２工程゛でよく、修正工
程を低減して修正の簡易化、迅速化を達成できるという
効果が得られる。
（２）無電界めっき液から析出された金属めっき膜によ
り欠陥を修正しているので、遮光性に優れると共に石英
板やクロム膜への密着性がよく、水、薬による洗滌や機
械的な洗滌に強く、剥離を防止して耐久性を向上できる
という効果が得られる。
り欠陥を修正しているので、遮光性に優れると共に石英
板やクロム膜への密着性がよく、水、薬による洗滌や機
械的な洗滌に強く、剥離を防止して耐久性を向上できる
という効果が得られる。
（３）修正後はめっき液を水洗除去するだけでよく、修
正作業を更に答易なものにできるという効果が得られる
。
正作業を更に答易なものにできるという効果が得られる
。
（４）局部加熱に際してレーザ光を使用しているので、
微小局部の加熱および微小欠陥の修正を可能にし、微細
パターンの修正に有効となるという効果が得られる。
微小局部の加熱および微小欠陥の修正を可能にし、微細
パターンの修正に有効となるという効果が得られる。
（５）局部的なめっき液の滴下と、局部加熱とで修正で
きるため、欠陥以外のパターン部にダメージを与えるこ
とはなく、他部に欠陥を生じるおそれはないという効果
が得られる。
きるため、欠陥以外のパターン部にダメージを与えるこ
とはなく、他部に欠陥を生じるおそれはないという効果
が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとすき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、局部加熱の
方法は熱端子による方法や赤外線光照射による方法であ
ってもよい。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、局部加熱の
方法は熱端子による方法や赤外線光照射による方法であ
ってもよい。
また、めっき液滴下と局部加熱とを同一ステージ上で行
なうようにしてもよい。
なうようにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
のホトマスクに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、レチクルやその他透明基板
上に遮光膜をパターン形成しているような写真技術利用
の原版の欠陥修正等にも適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
のホトマスクに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、レチクルやその他透明基板
上に遮光膜をパターン形成しているような写真技術利用
の原版の欠陥修正等にも適用できる。
第１図は本発明方法を実施するための装置の全体構成図
、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明を説明するためのホトマ
スクの一部断面を工程順に示す図である。 １・・・ベースステージ、４・・・ＸＹテーブル、７・
・・ホトマスク、９・・・クロム膜（パターン）、１０
・・・欠陥、１１・・・ノズル、１２・・・無電解めっ
き液源、１４・・・パルプ、１５・・・レーザ照射部、
１６・・・レーザ光源、１９・・・アパーチャブレード
、２０・・・シャッタ、２１・・・制御部、２２・・・
ＭＴデータ、２３・・・めっき液、２４・・・レーザ光
、２５・・・めっき膜。
、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明を説明するためのホトマ
スクの一部断面を工程順に示す図である。 １・・・ベースステージ、４・・・ＸＹテーブル、７・
・・ホトマスク、９・・・クロム膜（パターン）、１０
・・・欠陥、１１・・・ノズル、１２・・・無電解めっ
き液源、１４・・・パルプ、１５・・・レーザ照射部、
１６・・・レーザ光源、１９・・・アパーチャブレード
、２０・・・シャッタ、２１・・・制御部、２２・・・
ＭＴデータ、２３・・・めっき液、２４・・・レーザ光
、２５・・・めっき膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板上にパターン形成した遮光膜の欠陥修正に
際し７、欠陥上に無電界めっき液からなる膜を形成し、
この欠陥部を局部的に加熱［、て欠陥部に固形膜を形成
することを特徴とするパターン欠陥修正方法。 ２、無電界めっき液はニッケル、クロム等の金属無電界
めっき液である特許請求の範囲第１項記載の欠陥修正方
法。 ３、局部加熱は光の局部照射である特許請求の範囲第１
項又は第２項記載のパターン欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007133A JPS60152027A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | パタ−ン欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007133A JPS60152027A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | パタ−ン欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152027A true JPS60152027A (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=11657574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59007133A Pending JPS60152027A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | パタ−ン欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776492B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-08-17 | Seiko Epson Corporation | Photomask, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electronic device |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP59007133A patent/JPS60152027A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776492B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-08-17 | Seiko Epson Corporation | Photomask, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electronic device |
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