JPS6019159B2 - 磁気バブル素子製作用ホトマスク - Google Patents
磁気バブル素子製作用ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS6019159B2 JPS6019159B2 JP51151463A JP15146376A JPS6019159B2 JP S6019159 B2 JPS6019159 B2 JP S6019159B2 JP 51151463 A JP51151463 A JP 51151463A JP 15146376 A JP15146376 A JP 15146376A JP S6019159 B2 JPS6019159 B2 JP S6019159B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- wafer
- mask
- pattern
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ホトェッチングによる磁気バルブ素子の微細
パターン作製法に用いるホトマスクに関するものである
。
パターン作製法に用いるホトマスクに関するものである
。
一般に、磁気バルブ素子パターンの作製はホトマスクを
通して、ガーネット基板上にパーマロィ等の金属を蒸着
してなるウェーハ上のホトレジストを露光してマスクパ
ターンを転写した後エッチングして作成する。
通して、ガーネット基板上にパーマロィ等の金属を蒸着
してなるウェーハ上のホトレジストを露光してマスクパ
ターンを転写した後エッチングして作成する。
特に、１仏ｍ以下の微細なパターンの転写にはマスクと
ウェーハを完全密着させることが必要である。密着性が
悪いと光のまわり込み（光の回折）により、マスクに忠
実なパターンが得られない。マスクとりェーハを完全密
着させるには、きわめて薄いホトマスクを用いてマスク
とウェーハ間を真空にし、マスクをウェーハ表面にそっ
て密着させる方法（コンフオーマフルマスク型）、ある
いはウェーハをきわめて薄くしてホトマスクに密着させ
る方法（コンフオーマフルウェーハ型）などがある。こ
れらの方法よればマスクとウヱーハを全面にわたって完
全密着させることが可能である。しかしながら実際にこ
の方法で露光して見ると露光中にレジストからアウトガ
スが放出され、そのガス圧によってマスクとゥェーハが
離れてしまうことが判明した。例えばウェーハの中心部
では５〃ｍのギャップを生じて１山ｍ以下の微細パタ−
ンを寸法精度よく転写することが不可能である。本発明
は、マスクとウェーハの完全密着を露光中も持続させる
ことが可能なホトマスクを提供しようというものである
。
ウェーハを完全密着させることが必要である。密着性が
悪いと光のまわり込み（光の回折）により、マスクに忠
実なパターンが得られない。マスクとりェーハを完全密
着させるには、きわめて薄いホトマスクを用いてマスク
とウェーハ間を真空にし、マスクをウェーハ表面にそっ
て密着させる方法（コンフオーマフルマスク型）、ある
いはウェーハをきわめて薄くしてホトマスクに密着させ
る方法（コンフオーマフルウェーハ型）などがある。こ
れらの方法よればマスクとウヱーハを全面にわたって完
全密着させることが可能である。しかしながら実際にこ
の方法で露光して見ると露光中にレジストからアウトガ
スが放出され、そのガス圧によってマスクとゥェーハが
離れてしまうことが判明した。例えばウェーハの中心部
では５〃ｍのギャップを生じて１山ｍ以下の微細パタ−
ンを寸法精度よく転写することが不可能である。本発明
は、マスクとウェーハの完全密着を露光中も持続させる
ことが可能なホトマスクを提供しようというものである
。
現在市販されているポジ型レジストはすべて光照射する
とナフトジキノンアジドが光分解して現像液に可溶化す
るものである。
とナフトジキノンアジドが光分解して現像液に可溶化す
るものである。
光分解の際窒素ガスを放出する。この窒素ガスによって
露光する前はマスクとウヱーハが完全密着されていても
露光中にマスクとゥェーハ間に、この窒素ガスが放出し
て密着性をさまたげるのである。この模様を第１図に示
す。ａは露光前、ｂは露光中のマスクとウェーハの位置
関係を示す。１はホトマスク、３はＱ℃基板上にパーマ
ロィを蒸着したときのウェーハ、２はウヱーハ上のレジ
ストである。
露光する前はマスクとウヱーハが完全密着されていても
露光中にマスクとゥェーハ間に、この窒素ガスが放出し
て密着性をさまたげるのである。この模様を第１図に示
す。ａは露光前、ｂは露光中のマスクとウェーハの位置
関係を示す。１はホトマスク、３はＱ℃基板上にパーマ
ロィを蒸着したときのウェーハ、２はウヱーハ上のレジ
ストである。
このような露光中のマスクとウェーハの分離は、レジス
トから放出した窒素ガスを何らかの方法でマスクとウェ
ーハ間から逃がしてやりさえすればよい。本発明は上記
の点を考慮して発明したホトマスクで以下に詳細に述べ
る。
トから放出した窒素ガスを何らかの方法でマスクとウェ
ーハ間から逃がしてやりさえすればよい。本発明は上記
の点を考慮して発明したホトマスクで以下に詳細に述べ
る。
本発明者等は、マスクの表面に溝部を設けるもので、こ
の溝部は深さ１〜２仏ｍ程度、溝幅は３００ムｍ程度で
よく、設ける場所は該マスクと対応するウェーハの各チ
ップ間のスクライブラインに沿って設けるとパターン形
成には全く邪魔にならないので好都合である。
の溝部は深さ１〜２仏ｍ程度、溝幅は３００ムｍ程度で
よく、設ける場所は該マスクと対応するウェーハの各チ
ップ間のスクライブラインに沿って設けるとパターン形
成には全く邪魔にならないので好都合である。
前記の如くホトマスクの表面に綾部を形成することによ
って露光中においてもホトマスクとウェーハを完全密着
し得ると同時にアウトガスの発生は溝部から放出してや
ることが可能となったので、微細パターンの形成ができ
るようになったものである。
って露光中においてもホトマスクとウェーハを完全密着
し得ると同時にアウトガスの発生は溝部から放出してや
ることが可能となったので、微細パターンの形成ができ
るようになったものである。
以下実施例によって詳細に説明する。
実施例 １
ホトマスクは３インチ角、０．０９インチ厚の大きさの
ガラスプレート上にクロムの解像度検査パターンを持っ
たものを用いた。
ガラスプレート上にクロムの解像度検査パターンを持っ
たものを用いた。
解像度検査パターンは第２図に示すような０．０６〃ｍ
、０．８ムｍ，１．０山ｍ，１．２仏ｍのラインベアを
持ったものである。このホトマスクの表面には該マスク
と対応するウェーハのスクラィブラィンに沿って第３図
のような溝を形成した。一つのホトマスクには５物ピッ
チに、碁盤の目状に深さｌＡｍの溝を形成した。もう一
つには皿剛ピッチに同様に形成した。第４図に第３図Ａ
部の拡大図を示した。ここで５はマスクパターンである
。溝の形成には通常のホトェッチング法を利用した。ウ
ヱーハは２．５インチのＧａ，Ｇｄガネート基板上にパ
ーマロィを３０００△蒸着したウェーハを用いこの上に
ホトレジストとしてポジ型アジト系レジストを１仏ｍ厚
にスピン塗布した。プリベークは９ぴ０、２０分間行っ
た。次に転写露光装置を用いて露光を行なった。露光時
間は予備実験の結果を参考にして１現物こ設定した。先
ず、溝のない通常のホトマスクを用いて露光して見た。
その結果、０．６ｒｍラインベアが解像しなかった。０
．８〆ｍラインベアは所々接解した。
、０．８ムｍ，１．０山ｍ，１．２仏ｍのラインベアを
持ったものである。このホトマスクの表面には該マスク
と対応するウェーハのスクラィブラィンに沿って第３図
のような溝を形成した。一つのホトマスクには５物ピッ
チに、碁盤の目状に深さｌＡｍの溝を形成した。もう一
つには皿剛ピッチに同様に形成した。第４図に第３図Ａ
部の拡大図を示した。ここで５はマスクパターンである
。溝の形成には通常のホトェッチング法を利用した。ウ
ヱーハは２．５インチのＧａ，Ｇｄガネート基板上にパ
ーマロィを３０００△蒸着したウェーハを用いこの上に
ホトレジストとしてポジ型アジト系レジストを１仏ｍ厚
にスピン塗布した。プリベークは９ぴ０、２０分間行っ
た。次に転写露光装置を用いて露光を行なった。露光時
間は予備実験の結果を参考にして１現物こ設定した。先
ず、溝のない通常のホトマスクを用いて露光して見た。
その結果、０．６ｒｍラインベアが解像しなかった。０
．８〆ｍラインベアは所々接解した。
１．０ムｍ，１．２仏ｍは解像した。
一方、５肋ピッ升こ溝を形成したホトマスクおよび１仇
舷ピッチに溝を形成したホトマスクのいずれも、すべて
のラインベァが、きわめて切れがよくマスクに忠実に得
られた。なお露光中にマスクとウェーハが分離すること
はなく、完全密着が持続していた。このようにマスクに
溝を形成することにより（溝の深さは１ムｍ程度あれば
十分である。溝のピッチは１仇岬程度でよい。）０．６
ｒｍ程度の高解像度のパターンを得ることができる。な
お、前記の実施例ではパターンの微細度を示すためにラ
イン状のパターンで実施例を示したが、磁気バルブ素子
用のＴ−１パターンを製作したところマスクパターンに
極めて忠実なパターンが得られた。
舷ピッチに溝を形成したホトマスクのいずれも、すべて
のラインベァが、きわめて切れがよくマスクに忠実に得
られた。なお露光中にマスクとウェーハが分離すること
はなく、完全密着が持続していた。このようにマスクに
溝を形成することにより（溝の深さは１ムｍ程度あれば
十分である。溝のピッチは１仇岬程度でよい。）０．６
ｒｍ程度の高解像度のパターンを得ることができる。な
お、前記の実施例ではパターンの微細度を示すためにラ
イン状のパターンで実施例を示したが、磁気バルブ素子
用のＴ−１パターンを製作したところマスクパターンに
極めて忠実なパターンが得られた。
第１図は、ホトマスクとウェーハの位置関係を示す図、
第２図は、解像度検査パターンを示す図、第３図は、ホ
トマスクの表面に作製したガス放出用の溝を示す図、第
４図は、第３図Ａ部拡大図である。 １……ホトマスク、２……レジスト、３……ウェーハ、
４・・・・・・溝部、５……マスクパターン、６……ホ
トマスクのガラスプレート。 髪丁図 多２図 多う図 鰭々図
第２図は、解像度検査パターンを示す図、第３図は、ホ
トマスクの表面に作製したガス放出用の溝を示す図、第
４図は、第３図Ａ部拡大図である。 １……ホトマスク、２……レジスト、３……ウェーハ、
４・・・・・・溝部、５……マスクパターン、６……ホ
トマスクのガラスプレート。 髪丁図 多２図 多う図 鰭々図
Claims (1)
- １ ガラスプレート表面の、ウエーハのスクライプライ
ンに対応する位置に、深さほぼ１〜２μｍ、幅ほぼ３０
０μｍの溝を有することを特徴とする磁気バルブ素子製
作用ホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51151463A JPS6019159B2 (ja) | 1976-12-18 | 1976-12-18 | 磁気バブル素子製作用ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51151463A JPS6019159B2 (ja) | 1976-12-18 | 1976-12-18 | 磁気バブル素子製作用ホトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5376397A JPS5376397A (en) | 1978-07-06 |
| JPS6019159B2 true JPS6019159B2 (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=15519078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51151463A Expired JPS6019159B2 (ja) | 1976-12-18 | 1976-12-18 | 磁気バブル素子製作用ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019159B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142760A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sharp Corp | フオトマスク |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5195778A (ja) * | 1975-02-03 | 1976-08-21 | ||
| JPS52153669A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-20 | Toshiba Corp | Photo mask of semiconductor integrated circuit |
| JPS535573A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photo mask for semiconductor device |
| JPS5315765A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Hitachi Ltd | Vacuum caontact prevention method of hard mask |
-
1976
- 1976-12-18 JP JP51151463A patent/JPS6019159B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5195778A (ja) * | 1975-02-03 | 1976-08-21 | ||
| JPS52153669A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-20 | Toshiba Corp | Photo mask of semiconductor integrated circuit |
| JPS535573A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photo mask for semiconductor device |
| JPS5315765A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Hitachi Ltd | Vacuum caontact prevention method of hard mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5376397A (en) | 1978-07-06 |
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