JPS5925308B2 - 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子及びその製造方法Info
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- JPS5925308B2 JPS5925308B2 JP53043222A JP4322278A JPS5925308B2 JP S5925308 B2 JPS5925308 B2 JP S5925308B2 JP 53043222 A JP53043222 A JP 53043222A JP 4322278 A JP4322278 A JP 4322278A JP S5925308 B2 JPS5925308 B2 JP S5925308B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/06—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the coupling or physical contact with connecting or interacting conductors
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記憶装置などに用いられるバブルメモリ
素子およびその製造法に関するものである。
素子およびその製造法に関するものである。
一般に磁気バブル素子は、第１図に示すような構造をも
つ。
つ。
すなわち、磁気バブルを保持する磁性媒体１上に、スペ
ーサ２、バブル制御用導電体パターン３、絶縁膜４、バ
ブル転送・検出用軟磁性体パターン５、５’、保護膜６
を持つ。この構造は、次のような欠点をもつ。軟磁性体
パターン５が、導電体パターン３と重なる部分では段差
を生じ、バブル動作特性の低下をきたす。また、この素
子は膜形成とパターン形成をくり返して作製すを必要が
あり、工程が複雑である。本発明は、上記従来の欠点を
除去し、軟磁性体パターンが同一平面内に形成され、上
記段差のない素子およびその製造方法を提供するもので
ある。
ーサ２、バブル制御用導電体パターン３、絶縁膜４、バ
ブル転送・検出用軟磁性体パターン５、５’、保護膜６
を持つ。この構造は、次のような欠点をもつ。軟磁性体
パターン５が、導電体パターン３と重なる部分では段差
を生じ、バブル動作特性の低下をきたす。また、この素
子は膜形成とパターン形成をくり返して作製すを必要が
あり、工程が複雑である。本発明は、上記従来の欠点を
除去し、軟磁性体パターンが同一平面内に形成され、上
記段差のない素子およびその製造方法を提供するもので
ある。
本発明からなる素子の断面構造の１例を、第１図の従来
素子の例と対応させて第２図に示す。軟磁性体パターン
５，５′の下には必ず絶縁層４，４′と導電体層３，３
′を持つため、軟磁性体パターンは完全に同一平面内に
形成される。この場合、軟磁性体パターン５′の下の絶
縁層４′と導電体層３′は単にスペーサの役目しかない
。一方、軟磁性体パターン５の下の導電体パターン３は
、バブル制御用の通電コンダクタである。第１図に示し
たように、従来の軟磁性体パターン５，５′の下部には
、導電体パターン３が存在しない部分があつたが、本発
明においては、第２図に示したように、軟磁性体パター
ン５，５′の下部には必ず導電体パターン３，３′が存
在し、軟磁性体パターンは凹凸にならず平坦になる。
素子の例と対応させて第２図に示す。軟磁性体パターン
５，５′の下には必ず絶縁層４，４′と導電体層３，３
′を持つため、軟磁性体パターンは完全に同一平面内に
形成される。この場合、軟磁性体パターン５′の下の絶
縁層４′と導電体層３′は単にスペーサの役目しかない
。一方、軟磁性体パターン５の下の導電体パターン３は
、バブル制御用の通電コンダクタである。第１図に示し
たように、従来の軟磁性体パターン５，５′の下部には
、導電体パターン３が存在しない部分があつたが、本発
明においては、第２図に示したように、軟磁性体パター
ン５，５′の下部には必ず導電体パターン３，３′が存
在し、軟磁性体パターンは凹凸にならず平坦になる。
このように、軟磁性体パター７全領域において、必ず下
部に導電体パターンが存在しても、磁気バブル素子の動
作には悪影響はほとんどない。このような構造の素子は
、軟磁性体パターンが同一平面内にある為、特性向上に
非常に有用である。尚、スペーサ２および絶縁層４は、
本発明に必ずしも必要なものではなく、いずれか一方も
しくは２層ともない場合もありうる。また、磁性媒体１
は、普通その表面にハードバブル抑制膜を有する。次に
、この素子の製造法の原理を簡単に説明する。
部に導電体パターンが存在しても、磁気バブル素子の動
作には悪影響はほとんどない。このような構造の素子は
、軟磁性体パターンが同一平面内にある為、特性向上に
非常に有用である。尚、スペーサ２および絶縁層４は、
本発明に必ずしも必要なものではなく、いずれか一方も
しくは２層ともない場合もありうる。また、磁性媒体１
は、普通その表面にハードバブル抑制膜を有する。次に
、この素子の製造法の原理を簡単に説明する。
第３図は、ホトレジストの露光状態を示す。基板（磁性
媒体、スペーサなどからなる）７の上に導電体層８、絶
縁層９、軟磁性体層１０を順次積層し、この上にホトレ
ジスト１１を塗布する。ホトマスクは、光に対して半透
明なパターン（導電体パターンの形成に必要）１２と、
光に対して不透明なパターン（軟磁性体パターンの形成
に必要）１３とからなる。この場合、必ずしもここに示
したホトマスクを用いる必要はなく、所定のパターンで
光の強度を変えて照射できれば良い。この状態で、ホト
マスクを介してホトレジスト１１を露光すると、半透明
パターン１２の直下のホトレジスト１１はある程度光分
解を起こすが、その程度はパターンのないところよりは
少ない。一方、不透明パターン１３の直下のレジストは
光分解を起こさない。したがつて、これを現像すれば、
光分解量に応じてレジストの溶解量が異なるため、第４
図のような厚さの異なるレジストパターン１Ｖが得られ
る。次に、イオンミリングなどの手段でこれをエツチン
グすると、レジストパターン１１′の凹凸に応じてエツ
チングされ、第５図に示すような所望の構造のパターン
が得られる。
媒体、スペーサなどからなる）７の上に導電体層８、絶
縁層９、軟磁性体層１０を順次積層し、この上にホトレ
ジスト１１を塗布する。ホトマスクは、光に対して半透
明なパターン（導電体パターンの形成に必要）１２と、
光に対して不透明なパターン（軟磁性体パターンの形成
に必要）１３とからなる。この場合、必ずしもここに示
したホトマスクを用いる必要はなく、所定のパターンで
光の強度を変えて照射できれば良い。この状態で、ホト
マスクを介してホトレジスト１１を露光すると、半透明
パターン１２の直下のホトレジスト１１はある程度光分
解を起こすが、その程度はパターンのないところよりは
少ない。一方、不透明パターン１３の直下のレジストは
光分解を起こさない。したがつて、これを現像すれば、
光分解量に応じてレジストの溶解量が異なるため、第４
図のような厚さの異なるレジストパターン１Ｖが得られ
る。次に、イオンミリングなどの手段でこれをエツチン
グすると、レジストパターン１１′の凹凸に応じてエツ
チングされ、第５図に示すような所望の構造のパターン
が得られる。
すなわち、イオンミリングによつてレジストのない部分
は導電体層８まで完全に除去され、薄いレジストパター
ンの部分は少なくとも軟磁性層１０まで完全に除去され
る。本発明の作製法は、上のような光を用いる場合に限
らず、Ｘ線、電子線を利用する場合にも適用できる。
は導電体層８まで完全に除去され、薄いレジストパター
ンの部分は少なくとも軟磁性層１０まで完全に除去され
る。本発明の作製法は、上のような光を用いる場合に限
らず、Ｘ線、電子線を利用する場合にも適用できる。
当然その場合には、レジストとしては、Ｘ線レジスト、
電子線レジストが、マスクとしてはＸ線マスク、電子線
マスクが用いられる。尚、本目的のマスクは、半透明と
不透明の２種類のパターンが、互に正確な位置に形成さ
れていなければならない。このために、マスク上にあら
かじめ形成された基準マーカーを電子線で検出し、パタ
ーンを描画する電子線露光法が非常に有効である。以上
のような素子作製法は、連続的に所望のすべての膜を形
成し、その後１回のホトエツチングにより素子の基本構
造を作製できるという特長をもつている。
電子線レジストが、マスクとしてはＸ線マスク、電子線
マスクが用いられる。尚、本目的のマスクは、半透明と
不透明の２種類のパターンが、互に正確な位置に形成さ
れていなければならない。このために、マスク上にあら
かじめ形成された基準マーカーを電子線で検出し、パタ
ーンを描画する電子線露光法が非常に有効である。以上
のような素子作製法は、連続的に所望のすべての膜を形
成し、その後１回のホトエツチングにより素子の基本構
造を作製できるという特長をもつている。
この方法は、ウエーハ露光においていわゆるマスクアラ
イニングがいらないというきわめてユニークな特長も合
わせもつている。以下、本発明の製造法を実施例により
説明する。（１）ホトマスクの作製ホトエツチング法に
よる場合；第６図に示すように、軟磁性体パターン用の
通常のクロムマスク１４上に、パーマロイ１５を７０人
蒸着し、ＡＺｌ３５Ｏ（Ｓｈｉｐｌｅｙ社商品名）ホト
レジスト１６を塗布した。
イニングがいらないというきわめてユニークな特長も合
わせもつている。以下、本発明の製造法を実施例により
説明する。（１）ホトマスクの作製ホトエツチング法に
よる場合；第６図に示すように、軟磁性体パターン用の
通常のクロムマスク１４上に、パーマロイ１５を７０人
蒸着し、ＡＺｌ３５Ｏ（Ｓｈｉｐｌｅｙ社商品名）ホト
レジスト１６を塗布した。
これに、導電体パターン用の通常のホトマスク１７を介
して露光し、現像後、パーマロイ層のみ、リン酸、硝酸
水溶液にて選択エツチした。できたパーマロイパターン
の部分が半透明となり、導電体パターンの形成に使われ
る。電子線リソグラフイによる場合；第７図に示すよう
にあらかじめ、ガラスプレート１８上に金の基準マーカ
１９をホトリソグラフイにより適当な位置に形成してお
き、この上にクロム２０を約８０人厚さに蒸着し、電子
線レジスト２１を塗布した。
して露光し、現像後、パーマロイ層のみ、リン酸、硝酸
水溶液にて選択エツチした。できたパーマロイパターン
の部分が半透明となり、導電体パターンの形成に使われ
る。電子線リソグラフイによる場合；第７図に示すよう
にあらかじめ、ガラスプレート１８上に金の基準マーカ
１９をホトリソグラフイにより適当な位置に形成してお
き、この上にクロム２０を約８０人厚さに蒸着し、電子
線レジスト２１を塗布した。
電子線リソグラフイ技術により、基準マーカに対して所
望の位置に軟磁性体パターン用のクロムパターンを形成
した。同様の手法により、この上に半透明の導電性パタ
一ン用パーマロイパターンを形成した。この電子線リソ
グラフイによる方法が前記のホトエツチングによる方法
より、半透明と不透明のパターン間の位置ずれは小さか
つた。（２）膜形成， ４μｍφバブルを保持する磁性ガーネツト膜上に、ハー
ドバブル抑制用パーマロイ７０駅スペーサ用ＳｌＯ２４
ＯＯＯ人、導電体用Ａｌ−Ｃｕ膜４０００人、絶縁用Ｓ
ｉＯ２２ＯＯＯλ、軟磁性体パターン用パーマロイ膜３
５００λを順次積層した。
望の位置に軟磁性体パターン用のクロムパターンを形成
した。同様の手法により、この上に半透明の導電性パタ
一ン用パーマロイパターンを形成した。この電子線リソ
グラフイによる方法が前記のホトエツチングによる方法
より、半透明と不透明のパターン間の位置ずれは小さか
つた。（２）膜形成， ４μｍφバブルを保持する磁性ガーネツト膜上に、ハー
ドバブル抑制用パーマロイ７０駅スペーサ用ＳｌＯ２４
ＯＯＯ人、導電体用Ａｌ−Ｃｕ膜４０００人、絶縁用Ｓ
ｉＯ２２ＯＯＯλ、軟磁性体パターン用パーマロイ膜３
５００λを順次積層した。
（３）レジストパターンの形成
このウエーハ上にホトレジストＡＺｌ３５ＯＪを１．３
μｍ厚に塗布し、上記ホトマスクを介して露光した。
μｍ厚に塗布し、上記ホトマスクを介して露光した。
この時の露光条件は、Ｋａｓｐｅｒ社製マスクアライナ
を用いて１０秒間露光した。５０％のＡＺｌ３５Ｏ現像
液にて２分間現像した。
を用いて１０秒間露光した。５０％のＡＺｌ３５Ｏ現像
液にて２分間現像した。
得られたレジストパターンの膜厚は、導電体パターンに
相当する部分が０．５μｍ、軟磁性体パターンに相当す
る部分が１．２μｍであつた。（４）イオンミリングこ
のあとイオンミリングして、Ａｌ−Ｃｕ層のエツチング
が完了した時点でイオンミリングを停止した。
相当する部分が０．５μｍ、軟磁性体パターンに相当す
る部分が１．２μｍであつた。（４）イオンミリングこ
のあとイオンミリングして、Ａｌ−Ｃｕ層のエツチング
が完了した時点でイオンミリングを停止した。
イオンミリングの条件は、ＶｅｅｃＯ社製のＭｉｃｒＯ
ｅｔｃｈｓｙｓｔｅｍを用い、加速電圧６００ＶｓＡｒ
圧力５×１０−５Ｔ０ｒｒ１イオン電流密度０．５ｍＡ
／ｄ１イオンビーム入射角３０度、イオンミリング時間
２０分であつた。この条件で、丁度導電体パターンの上
のパーマロイは完全に除去されていた。以上、説明した
ごとく、本発明によれば、（１）軟磁性体パターンが、
完全に同一平面内に形成されていること（２） １回の
連続的膜形成工程と、１回のパターン形成工程により、
素子の基本構造を作製できること、従つて、マスクアラ
イニングが不要となること（３）電子線リソグラフイ技
術の利用によつて不透明と半透明のパターンを正しい位
置に形成できることなど、極めて有効な素子および作製
法であることがわかる。
ｅｔｃｈｓｙｓｔｅｍを用い、加速電圧６００ＶｓＡｒ
圧力５×１０−５Ｔ０ｒｒ１イオン電流密度０．５ｍＡ
／ｄ１イオンビーム入射角３０度、イオンミリング時間
２０分であつた。この条件で、丁度導電体パターンの上
のパーマロイは完全に除去されていた。以上、説明した
ごとく、本発明によれば、（１）軟磁性体パターンが、
完全に同一平面内に形成されていること（２） １回の
連続的膜形成工程と、１回のパターン形成工程により、
素子の基本構造を作製できること、従つて、マスクアラ
イニングが不要となること（３）電子線リソグラフイ技
術の利用によつて不透明と半透明のパターンを正しい位
置に形成できることなど、極めて有効な素子および作製
法であることがわかる。
第８図は本発明に用いるホトマスクの他の一例を示した
ものであり、ガラスプレート３１の上に、光に対して不
透明な材料からなるパターン３２と、光に対して半透明
な材料からなるパターン３３をもつ。
ものであり、ガラスプレート３１の上に、光に対して不
透明な材料からなるパターン３２と、光に対して半透明
な材料からなるパターン３３をもつ。
このホトマスクは半透明の材料として、ホトレジスト膜
にイオン打込みを行つたものを用いることを特長とする
。不透明の材料は、現在使われているクロム（膜厚約７
０、人）や酸化鉄などで良い。このような構造を持つた
マスクは、 （１）イオン打込み量によつて透過度が異なるので、透
過度の微妙な制御が容易にできる。
にイオン打込みを行つたものを用いることを特長とする
。不透明の材料は、現在使われているクロム（膜厚約７
０、人）や酸化鉄などで良い。このような構造を持つた
マスクは、 （１）イオン打込み量によつて透過度が異なるので、透
過度の微妙な制御が容易にできる。
金属膜などでは膜厚で透過度を制御する必要があり、所
望の膜厚のものを再現性良くつくることは難しい。（２
）ホトレジストのパターンがそのままマスクパターン３
になるので、精度が良く、かつ作製法が簡単である、と
いう大きな特長がある。
望の膜厚のものを再現性良くつくることは難しい。（２
）ホトレジストのパターンがそのままマスクパターン３
になるので、精度が良く、かつ作製法が簡単である、と
いう大きな特長がある。
第９図に、透過度とイオン打込み量との関係を示す。
使用したホトレジストはＡＺｌ３５ＯＪ（Ｓｈｉｐｌｅ
ｙ社商品名）膜厚０．４μｍである。イオンの加速電圧
は１２０ｋｅＶである。
ｙ社商品名）膜厚０．４μｍである。イオンの加速電圧
は１２０ｋｅＶである。
第１図は従来素子の構造を示す図、第２図は本発明によ
る素子の構造を示す図、第３図は本発明のレジスト露光
の状態を示す図、第４図はレジスト形成の状態を示す図
、第５図はパターン形成後の状態を示す図、第６図は光
によるホトマスク作製法を示す図、第７図は電子線によ
るホトマスク作製法を示す図、第８図は本発明に用いる
他のホトマスクを示す図、第９図はホトレジストにイオ
ン打込みをしたときの、イオン打込み量と光透過度の関
係を示す図である。
る素子の構造を示す図、第３図は本発明のレジスト露光
の状態を示す図、第４図はレジスト形成の状態を示す図
、第５図はパターン形成後の状態を示す図、第６図は光
によるホトマスク作製法を示す図、第７図は電子線によ
るホトマスク作製法を示す図、第８図は本発明に用いる
他のホトマスクを示す図、第９図はホトレジストにイオ
ン打込みをしたときの、イオン打込み量と光透過度の関
係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブルを保持できる磁性膜上に、スペーサ、バ
ブル制御用導電体パターン、絶縁膜、バブル転送検出用
軟磁性体パターンが順次積層され、前記絶縁膜および導
電体パターンは前記軟磁性体パターンの直下に位置し、
前記軟磁性体パターンが同一平面内に形成されているこ
とを特徴とする磁気バブルメモリ素子。 ２ 下記工程を含む磁気バブルメモリ素子の製造方法。 （１）磁気バブルを保持できる磁性膜上に、スペーサ、
バブル制御の導電体層、絶縁膜、バブル転送検出用軟磁
性体層を順次積層する工程、（２）放射線レジストを全
面に塗布する工程、（３）相異なる放射線強度をもつ所
定パターンの放射線を前記放射線レジストに照射する工
程、（４）前記レジストを現像して部分的に膜厚の異な
るレジストパターンを形成する工程、（５）イオンエッ
チングにより前記レジストパターンに応じた導電体パタ
ーン、軟磁性体パターンを形成する工程。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53043222A JPS5925308B2 (ja) | 1978-04-14 | 1978-04-14 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
| GB7912470A GB2020497B (en) | 1978-04-14 | 1979-04-09 | Magnetic bubble memory device andc method of fabricating the same |
| DE2915058A DE2915058C2 (de) | 1978-04-14 | 1979-04-12 | Magnetblasen-Speicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| NLAANVRAGE7902939,A NL177782C (nl) | 1978-04-14 | 1979-04-12 | Magnetisch bellengeheugen en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| US06/029,933 US4344153A (en) | 1978-04-14 | 1979-04-13 | Magnetic bubble memory device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53043222A JPS5925308B2 (ja) | 1978-04-14 | 1978-04-14 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54136141A JPS54136141A (en) | 1979-10-23 |
| JPS5925308B2 true JPS5925308B2 (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=12657877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53043222A Expired JPS5925308B2 (ja) | 1978-04-14 | 1978-04-14 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4344153A (ja) |
| JP (1) | JPS5925308B2 (ja) |
| DE (1) | DE2915058C2 (ja) |
| GB (1) | GB2020497B (ja) |
| NL (1) | NL177782C (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925308B2 (ja) * | 1978-04-14 | 1984-06-16 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
| JPS54149529A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble element |
| US4317700A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Rockwell International Corporation | Method of fabrication of planar bubble domain device structures |
| JPS57205886A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-17 | Fujitsu Ltd | Manufacture of magnetic bubble memory chip |
| CA1260754A (en) * | 1983-12-26 | 1989-09-26 | Teiji Majima | Method for forming patterns and apparatus used for carrying out the same |
| JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
| JPH08249602A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気式記憶再生方法ならびにそれに用いる磁気再生装置、磁気記憶媒体およびその製法 |
| US8367460B2 (en) | 2010-06-22 | 2013-02-05 | Micron Technology, Inc. | Horizontally oriented and vertically stacked memory cells |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4001793A (en) * | 1973-07-02 | 1977-01-04 | Rockwell International Corporation | Magnetic bubble domain composite with hard bubble suppression |
| US4172758A (en) * | 1975-11-07 | 1979-10-30 | Rockwell International Corporation | Magnetic bubble domain device fabrication technique |
| US4178635A (en) * | 1976-06-14 | 1979-12-11 | Hewlett-Packard Company | Planar and near planar magnetic bubble circuits |
| US4187553A (en) * | 1977-12-23 | 1980-02-05 | International Business Machines Corporation | Pedestal bubble domain chip and processes for making same |
| JPS5925308B2 (ja) * | 1978-04-14 | 1984-06-16 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
| JPS54149529A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble element |
| JPS5545159A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
| US4299680A (en) * | 1979-12-31 | 1981-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating magnetic bubble memory device having planar overlay pattern of magnetically soft material |
-
1978
- 1978-04-14 JP JP53043222A patent/JPS5925308B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-04-09 GB GB7912470A patent/GB2020497B/en not_active Expired
- 1979-04-12 NL NLAANVRAGE7902939,A patent/NL177782C/xx not_active IP Right Cessation
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