JPS6255934A - 樹脂パタ−ンの形成方法 - Google Patents
樹脂パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6255934A JPS6255934A JP60196335A JP19633585A JPS6255934A JP S6255934 A JPS6255934 A JP S6255934A JP 60196335 A JP60196335 A JP 60196335A JP 19633585 A JP19633585 A JP 19633585A JP S6255934 A JPS6255934 A JP S6255934A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- layer
- thin film
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は樹脂パターンの形成方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体素子の微細化につれてパターン幅の微細化
が必要になってさた。現在、パターンの形成方法には、
光露光、電子ビーム露光、イオンビーｌ＼露光、ＸＰｉ
ｌ露九等が用いられている。
が必要になってさた。現在、パターンの形成方法には、
光露光、電子ビーム露光、イオンビーｌ＼露光、ＸＰｉ
ｌ露九等が用いられている。
弁明が解決しようとする問題点
このような従来の方法において、光露光は確立した技術
として多く用いられているが、光の回折効果のため微細
なパターンを形成することか困難である。又、電子ビー
ム露光やイオンビーム露光ではかなり微細なパターンが
形成でさ′るが、真空中で露光するため装置が大型化し
、ビームを走査して露光覆るためスループットが低いと
いう欠点がある。Ｘ線露光は回折の影響がなく一括露光
が可能である点でｎＵ発が進んでいるが、Ｉ！；ｉ源の
強度、Ｘａマスクの信頼性の点で実用化が困難であり、
又パターン形成時にＸＦＡによる「は（プ」や［ｆれコ
が生じる等問題点が残っている。
として多く用いられているが、光の回折効果のため微細
なパターンを形成することか困難である。又、電子ビー
ム露光やイオンビーム露光ではかなり微細なパターンが
形成でさ′るが、真空中で露光するため装置が大型化し
、ビームを走査して露光覆るためスループットが低いと
いう欠点がある。Ｘ線露光は回折の影響がなく一括露光
が可能である点でｎＵ発が進んでいるが、Ｉ！；ｉ源の
強度、Ｘａマスクの信頼性の点で実用化が困難であり、
又パターン形成時にＸＦＡによる「は（プ」や［ｆれコ
が生じる等問題点が残っている。
本発明はこのような問題点を解決するもので、従来の光
露光装置を用いて微細パターンの形成が容易に行なえる
ようにすることを１］的とづるムのである。
露光装置を用いて微細パターンの形成が容易に行なえる
ようにすることを１］的とづるムのである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、Ｊ、を仮りに第
１層口の樹脂薄膜をＪ（Ｌ積し、所定部分を露光、現像
して第１層目の薄膜パターンを形成した後、第２層目の
樹脂薄膜をイＥ積し、面記第１層目のパターンエツジを
含む所定の領域を露光し現像するものである。
１層口の樹脂薄膜をＪ（Ｌ積し、所定部分を露光、現像
して第１層目の薄膜パターンを形成した後、第２層目の
樹脂薄膜をイＥ積し、面記第１層目のパターンエツジを
含む所定の領域を露光し現像するものである。
作用
この尚成により、従来の光露光装置を用いて容易に微細
パターンの形成ができる。
パターンの形成ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
でる。
でる。
先ず、第１図において、３インチのシリコン基板１上に
１μｌの厚さに０ＦＰＲ−８００レジスト（東京応化（
掬製〕２を塗布した後、８５℃、２０分プリベークを行
なう。次に第２図において、紫外光３を用いてＩＵｌｒ
ｘｔｒ、横２ ｒａｍの長方形パターンを露光量１００
ｎＪ／−で露光し、この後ＮＨ［ｌ−３現像液（東京窓
１ヒ（（５）製）で１分間現像し、純水で１分間リンス
を行なって０ｒＰＲ−８００レジストパターン４を得た
。このパターン形成後、波長３００ｎ１ｍ以下の遠紫外
光を３分間照射した後、２５０℃、３０分ボストベーク
を行なうことで、形成したパ゛ターンが有番幾溶剤に不
溶となるようにしておく。次に第３図において、前記０
ＦＰＲ−８００レジストパターン４上に１゜５μｌ厚さ
の０ＦＰＲ−８００レジスト５を塗布し、８５℃、２０
分のプリベークを行なう。次に第１層目のレジストパタ
ーン４′のエッヂライン６より第１層目のレジスト２の
除去された方向に０６５μｌ〜１μｍ離した位置からエ
ツジを含むレジスト５上に２μｍの領域を露光するよう
にマスクの位置決めを行なう。
１μｌの厚さに０ＦＰＲ−８００レジスト（東京応化（
掬製〕２を塗布した後、８５℃、２０分プリベークを行
なう。次に第２図において、紫外光３を用いてＩＵｌｒ
ｘｔｒ、横２ ｒａｍの長方形パターンを露光量１００
ｎＪ／−で露光し、この後ＮＨ［ｌ−３現像液（東京窓
１ヒ（（５）製）で１分間現像し、純水で１分間リンス
を行なって０ｒＰＲ−８００レジストパターン４を得た
。このパターン形成後、波長３００ｎ１ｍ以下の遠紫外
光を３分間照射した後、２５０℃、３０分ボストベーク
を行なうことで、形成したパ゛ターンが有番幾溶剤に不
溶となるようにしておく。次に第３図において、前記０
ＦＰＲ−８００レジストパターン４上に１゜５μｌ厚さ
の０ＦＰＲ−８００レジスト５を塗布し、８５℃、２０
分のプリベークを行なう。次に第１層目のレジストパタ
ーン４′のエッヂライン６より第１層目のレジスト２の
除去された方向に０６５μｌ〜１μｍ離した位置からエ
ツジを含むレジスト５上に２μｍの領域を露光するよう
にマスクの位置決めを行なう。
その後エッチを含む２゜５μｍ〜３μｍの領域を紫外光
７を用いて露光する。その後ＮＨＤ−３現像液で１分間
現働し、純水で１分間リンスする。以上の工程によって
第４図に示すように０．５μｍ〜１μｍの０ＦＰＲ−８
００レジストパターン８が形成される。
７を用いて露光する。その後ＮＨＤ−３現像液で１分間
現働し、純水で１分間リンスする。以上の工程によって
第４図に示すように０．５μｍ〜１μｍの０ＦＰＲ−８
００レジストパターン８が形成される。
発明の効梁
以上のように本発明によれば、従来の光露光装置を用い
て微細パターンをｆｌ！ｉ ｌｌｉに形成することがで
きる。
て微細パターンをｆｌ！ｉ ｌｌｉに形成することがで
きる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示す工程断面図で
ある。 １・・・シリコン基板、２・・・０ＦＰＲ−８００レジ
スト、３・・・紫外光、４・・・０ＦＰＲ−８００レジ
ストパターン、５・・・０ＦＰＲ−８００レジスト、６
・・・エッヂライン、７・・・紫外光、８・・・０ＦＰ
Ｒ−８００レジストパターン代理人 森
木 ｉ 弘第１図 第２図 第４図
ある。 １・・・シリコン基板、２・・・０ＦＰＲ−８００レジ
スト、３・・・紫外光、４・・・０ＦＰＲ−８００レジ
ストパターン、５・・・０ＦＰＲ−８００レジスト、６
・・・エッヂライン、７・・・紫外光、８・・・０ＦＰ
Ｒ−８００レジストパターン代理人 森
木 ｉ 弘第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- １、基板上に第１層目の樹脂薄膜を堆積し、所定部分を
露光、現像して第１層目の薄膜パターンを形成した後、
第２層目の樹脂薄膜を堆積し、前記第１層目のパターン
エッジを含む所定の領域を露光し現像する樹脂パターン
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196335A JPS6255934A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 樹脂パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196335A JPS6255934A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 樹脂パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255934A true JPS6255934A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16356117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196335A Pending JPS6255934A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 樹脂パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255934A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294822A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-10-20 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 半導体デバイス製造方法および半導体構造 |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196335A patent/JPS6255934A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294822A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-10-20 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 半導体デバイス製造方法および半導体構造 |
| JP4583980B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2010-11-17 | アイメック | 半導体デバイス製造方法および半導体構造 |
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